Deposisi uap kimia metal organik

jmpl|299x299px|MOVCD
Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik (MOCVD), juga dikenal sebagai Epitaksi Fasa Uap Organometalik (OMVPE) atau  Epitaksi Fasa Uap Metalorganik (MOVPE), adalah suatu teknik yang digunakan dalam fabrikasi semikonduktor untuk membuat lapisan tipis material semikonduktor seperti gallium arsenida (GaAs), indium gallium arsenida (InGaAs), dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia organometalik (zat kimia yang mengandung logam dan karbon) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju substrat yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan atmosfer gas tertentu.
Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi Autonetics North American Aviation (kemudian Rockwell International) di Anaheim, California oleh Harold M. Manasevit.

 Referensi 

Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor
Kategori:pengendapan saput tipis