Spektrometri massa ion sekunder

Spektrometri massa ion sekunder (SIMS) adalah teknik yang digunakan untuk menganalisis komposisi permukaan padat dan lapisan tipis dengan memercikkan permukaan suatu spesimen dengan berkas ion primer terfokus dan mengumpulkan serta menganalisis ion sekunder yang dikeluarkan. Rasio massa/muatan ion sekunder ini diukur dengan spektrometer massa untuk menentukan komposisi unsur, isotop, atau molekul permukaan hingga kedalaman 1 hingga 2 nm. Karena adanya variasi yang besar dalam probabilitas ionisasi di antara unsur-unsur yang terpercik dari bahan yang berbeda, perbandingan terhadap standar yang dikalibrasi dengan baik diperlukan untuk mencapai hasil kuantitatif yang akurat. SIMS merupakan teknik analisis permukaan yang paling sensitif, dengan batas deteksi unsur mulai dari bagian per juta hingga bagian per miliar.
Lihat pula
 NanoSIMS
Referensi

Bibliografi umum

 Benninghoven, A., Rüdenauer, F. G., Werner, H. W., Secondary Ion Mass Spectrometry: Basic Concepts, Instrumental Aspects, Applications, and Trends, Wiley, New York, 1987 (1227 pages), 
 Vickerman, J. C., Brown, A., Reed, N. M., Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications, Clarendon Press, Oxford, 1989 (341 pages), 
 Wilson, R. G., Stevie, F. A., Magee, C. W., Secondary Ion Mass Spectrometry: A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis, John Wiley & Sons, New York, 1989, 
 Vickerman, J. C., Briggs, D., ToF-SIMS: Surface Analysis by Mass Spectrometry', IM Publications, Chichester UK and SurfaceSpectra, Manchester, UK, 2001 (789 pages), 
 Bubert, H., Jenett, H., 'Surface and Thin Film Analysis: A Compendium of Principles, Instrumentation, and Applications, pp. 86–121, Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2002, 

Pranala luar
  Tutorial pages for SIMS theory and instrumentation

Ion sekunder
Kategori:Analisis semikonduktor