Oksidasi lokal silikon

Oksidasi lokal silikon, dalam bahasa Inggris disebut Local Oxidation of Silicon atau disingkat LOCOS, merupakan suatu proses fabrikasi mikro di mana silikon dioksida dibentuk dalam area terpilih pada wafer silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO2 pada titik yang lebih rendah daripada permukaan silikon secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan shallow trench isolation.

Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan transistor efek-medan semikonduktor logam oksida (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi cakap silang (cross-talk) transistor. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan model Deal-Grove.

 Lihat pula 
 Litografi ultraviolet ekstrem

 Referensi 

Kategori:Teknologi semikonduktor