Galium indium arsenida antimonida fosfida

Galium indium arsenida antimonida fosfida ( atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.

Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengahRoom temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)  dan sel termofotovoltaik.Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) 

Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga0,92In0,08P0,05As0,08Sb0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.
Lihat pula
 Aluminium galium fosfida
 Aluminium galium indium fosfida
 Indium galium arsenida fosfida
 Indium arsenida antimonida fosfida
 Indium galium arsenida antimonida
Referensi

Kategori:Semikonduktor III-V
Kategori:Senyawa galium
Kategori:Senyawa indium
Kategori:Arsenida
Kategori:Antimonida
Kategori:Fosfida
Kategori:Senyawa III-V