Proses 7 nm

Pada bidang manufaktur semikonduktor, dalam Peta Jalan Perangkat dan Sistem Internasional mendefinisikan proses 7 nm adalah generasi lanjutan dari teknologi MOSFET proses 10 nm. Proses ini didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) memulai produksi chip memori SRAM 256 Mbit menggunakan proses 7 nm yang disebut N7 pada Juni 2016, kemudian Samsung memulai produksi massal proses 7 nm mereka yang disebut perangkat 7LPP pada tahun 2018. Produk awal untuk teknologi prosesor 7 nm adalah Apple A12 Bionic, dirilis pada acara Apple September 2018. Meskipun Huawei mengumumkan prosesor 7 nm (Kirin 980) miliknya sendiri sebelum Apple A12 Bionic, pada 31 Agustus 2018, tetapi Apple A12 Bionic dirilis di pasarkan massal lebih awal. Kedua chip tersebut diproduksi oleh TSMC.

Pada tahun 2017 AMD merilis prosesor "Roma" (EPYC 2) untuk aplikasi server dan pusat data, yang didasarkan pada proses N7 TSMC  dengan fitur 64 inti dan 128 utas. Mereka juga merilis prosesor desktop konsumen "Matisse" dengan fitur 16 inti dan 32 utas. Namun, cetakan I/O pada modul multi-chip Roma (MCM) dibuat dengan proses 14 nm (14HP) oleh GlobalFoundries, sementara cetakan I/O Matisse menggunakan proses 12 nm (12LP+) GlobalFoundries. Seri Radeon RX 5000 juga didasarkan pada proses N7 TSMC.J. Kim et al., Proc. SPIE 10962, 1096204 (2019).

+ Proses node 7 nm dan proses offering SamsungTSMC IntelSMIC Process name 7LPP 6LPP N7IEDM 2016 N7P N7+ N6 Intel 7 (10 nm) N+1 (>7 nm) N+2 (7 nm) 7 nm EUV Transistor density (MTr/mm2) 95.08–100.59 91.2–96.5 113.9 114.2 100.76–106.1 60.41 89   SRAM bit-cell size 0.0262 μm2 0.027 μm2   0.0312 μm2    Transistor gate pitch 54 nm 57 nm 54 nm  63 nm  Transistor fin pitch 27 nm  N/A   34 nm    Transistor fin height   N/A   53 nm    Minimum (metal) pitch 46 nm 40 nm 40 nm  42 nm  EUV implementation 36 nm pitch metal;20% of total layer set None, used self-aligned quad patterning (SAQP) instead 4 layers 5 layers None. Relied on SAQP heavily  None None  Yes (after N+2) EUV-limited wafer output 1500 wafers/day N/A ~ 1000 wafers/day  N/A    Multipatterning (≥ 2 masks on a layer) FinsGateVias (double-patterned)W. C. Jeong et al., VLSI Technology 2017.Metal 1 (triple-patterned)44 nm pitch metal (quad-patterned) FinsGateContacts/vias (quad-patterned)Lowest 10 metal layers Same as N7, with reduction on 4 EUV layers Same as N7, with reduction on 5 EUV layers multipatterning with DUV multipatterning with DUV  Release status 2019 production  2018 production   2020 production    

 Lihat pula 
 International Technology Roadmap for Semiconductors
 Fabrikasi semikonduktor
 Fotolitografi
 Litografi ultraviolet ekstrem
 Litografi rendam
 ASML Holding pemasok sistem fotolitografi terbesar, terutama untuk industri semikonduktor.
 SEMI — The semiconductor industry trade association
 Electronic design automation
 Fab
 Foundry
 GDS-II
 OASIS
 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company TSMC
 Applied Materials
 KLA Corporation
 Lam Research
 Tokyo Electron
 GlobalFoundries
 United Microelectronics Corporation
 Semiconductor Manufacturing International Corporation
 Shanghai Micro Electronics Equipment
 Sirkuit terpadu
 Mikroprosesor
 Unit Pemroses Sentral
 MOSFET
 Transistor
 Semikonduktor
 Nanometer

Referensi

Prana Luar
 7 nm lithography process

Kategori:Reka cipta Taiwan
Kategori:Node litografi International Technology Roadmap for Semiconductors
Kategori:Sirkuit terpadu penggunaan khusus
Kategori:Reka cipta Jepang
Kategori:Litografi (fabrikasi mikro)
Kategori:MOSFET
Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor
Kategori:Teknologi cleanroom
Kategori:Mikroteknologi
Kategori:Manufaktur elektronik