Տրանզիստոր

Տրանզիստոր, կիսահաղորդիչ սարք, որը սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների ուժեղացման կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը կիսահաղորդիչ նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք տերմինալներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ Լարվածությունը կամ էլեկտրական հոսանքը, որ տրանզիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տերմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Քանի որ այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է և օգտագործվում է ռադիոյում, հեռախոսում, համակարգչում և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են ինտեգրալ սխեմաներում։

 Կարևորություն 
Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներորդ դարի «ամենամեծ» գյուտարարությունը, կամ ամենամեծերից։ Դա ամբողջ ժամանակակից էլեկտրոնիկայի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր մասսայական արտադրության ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով արտադրմամբ, որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի։

Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը ինտեգրալ սխեմաներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ դիոդների, դիմադրությունների, կոնդենսատորների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի տրամաբանական էլեմենտ մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ 2006 թվականի զարգացած միկրոպրոցեսոր կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ (MOSFET-ներ) օգտվել։

 Տեսակներ 
Տրանզիստորները դասվում են ըստ՝
 Կիսահաղորդիչ նյութեր՝ գերմանիում, սիլիցիում, գալիումի արսենիդ, սիլիցիումի կարբիդ, և այլն
 Կառուցվածք՝ BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, և այլ տեսակներ
 Բևեռականությունը լինում է՝ NPN, PNP (BJT-ները); N-կանալ, P-կանալ (FET-երը)
 Առավելագույն հզորության վարկանիշ՝ ցածր, միջին, բարձր
 Առավելագույն գործողության հաճախականություն՝ ցածր, միջին, բարձր, ռադիոհաճախականություն (RF), գերբարձր հաճախականություն (տրանզիստորի առավելագույն էֆեկտիվ հաճախականությունը նշանակվում է  տերմինով, «անցման հաճախականության» համար մի հապավում։ Անցման հաճխականությունը այն հաճախականությունն է, որում տրանզիստորը ենթարկում է մեկի հավասար ուժեղացման գործակից)։
 Կիրառում՝ փոխանջատում, ընդհանուր նպատակով, լսողական, բարձր լարվածություն, գերբետա, համապատասխանեցված զույգ
 Ֆիզիկական փաթեթավորում՝ ծակի միջի մետաղ, ծակի միջի պլաստիկ, մակերեսային տեղադրում, գունդ վանդակացանցի զանգված, ուժի բլոկներ
 Ամպլիֆիկացիայի գործոն hfe (տրանզիստորի բետա) 071003 bcae1.com

Ուրեմն, մի առանձին տրանզիստոր կարող է նկարագրվի որպես՝ «սիլիցիում, մակերեսային տեղադրվող, BJT, NPN, ցածր ուժի, բարձր հաճախականության փոխանջատող»

|- align = "center"
| 80px || PNP || 80px || 80px || 80px || 80px || P-կանալ
|- align = "center"
| 80px || NPN || 80px || 80px || 80px || 80px || N-կանալ
|- align = "center"
| BJT || || JFET || colspan="2"| MOSFET enh || MOSFET dep

Տրանզիստորը տեսականորեն կարելի է ընդունել որպես իրար միացրած 2 դիոդ։ Միացման ընդհանուր մասը կոչվում է բազա, մյուս երկու կողմերը՝ էմիտոր և կոլեկտոր։

 Տես նաև 
 Սուսաննա Մադոյան

 Ծանոթագրություններ 

Կատեգորիա:1947 տեխնոլոգիայում
Կատեգորիա:Ամերիկյան հայտնագործություններ
Կատեգորիա:Էլեկտրոնային բաղկացուցիչներ
Կատեգորիա:Կիսահաղորդիչ սարքեր
Կատեգորիա:Ռադիոտեխնիկա
Կատեգորիա:Տրանզիստորներ