המכון למצב מוצק (הטכניון)

המכון למצב מוצק הוא יחידת מחקר בין תחומית בטכניון העוסקת במחקר מוצקים. במכון חברי סגל מהפקולטות לפיזיקה להנדסת חשמל, לכימיה ולהנדסת חומרים.

פעילות המחקר במכון
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים מוליכים למחצה וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ואלקטרואופטיים. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת פני שטח, מעבדת השתלת יונים ומעבדת קרני רנטגן.

מחקר בסיסי
 חקירת רקומבינציה של אקסיטונים ופלאסמת אלקטרונים-חורים במוליכים למחצה מסוג III-V ו-II-VI
 חקר תכונות של נקודות קוונטיות, בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של ספקטרוסקופיה אופטית, פוטו-מוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו והפמטושנייה, חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום התת-אדום הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, פיזור ראמאן, ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
 בעיות של סוליטונים בחומרים רפרקטוריים.
 תובלה ורקומבינציה במוליכים למחצה אמורפיים.
 פיזור ראמאן רזונטיבי בפולימרים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה.
 חקר מצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים.
 מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן.
 חקירת פגמים בגבישים בעקבות השתלת יונים והרפייתם.
 חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים.
 שימוש בספקטרומטרית מסה של יונים משניים (SIMS), ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה ו-XPS לחקר כימוסורפצייה וקטליזה הטרוגנית.
 יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות יהלום דקות.

מחקר יישומי
 שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה.
 השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות.
 הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי שיקוע פחמן מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות הידרוקרבונריות על ידי פילמנט חם לצורכי ציפוי.
 הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מהפאזה הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית לייזרים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם.
 פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.

קישורים חיצוניים
 בארכיון האינטרנט

קטגוריה:הטכניון: יחידות אקדמיות
קטגוריה:מכוני מחקר בישראל
טכניון, מצב מוצק