عایق‌بندی تاشه کم‌عمق

بندانگشتی|373x373پیکسل| فرایند برساخت عایق‌بندی تاشه کم‌عمق مدارهای مجتمع نوین در برش-عرضی
عایق‌بندی تاشه کم عمق (STI) ، که به عنوان تکنیک عایق‌بندی جعبه‌ای نیز شناخته می‌شود، یک ویژگی مدار مجتمع است که از نشت جریان الکتریکی بین اجزای ادوات نیم‌رسانای مجاور جلوگیری می‌کند. STI عموماً در گره‌های فناوری فرایند سیماس ۲۵۰ نانومتر و کوچکتر استفاده می‌شود. فناوری‌های قدیمی سیماس و فناوری‌های غیر ماس معمولاً از جداسازی بر اساس لوکوس استفاده می‌کنند.Quirk, Michael & Julian Serda (2001). Semiconductor Manufacturing Technology: Instructor's Manual , p. 25.

STI در مراحل اولیه ساخت ادوات نیم‌رسانا، قبل از شکل‌گیری ترانزیستورها ایجاد می‌شود. مراحل کلیدی فرایند STI شامل زدایش یک الگوی تاشه در سیلیکون، رسوب‌دهی یک یا چند ماده دی‌الکتریک (مانند دی‌اکسید سیلیکون) برای پُرکردن تاشه‌ها و حذف دی‌الکتریک اضافی با استفاده از تکنیکی مانند مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی است . 

برخی از فناوری‌های ساخت نیم‌رسانا نیز شامل عایق‌بندی تاشه عمیق هستند، این ویژگی اغلب در مدارهای مجتمع آنالوگ یافت می‌شود.

اثر لبه تاشه باعث ایجاد آنچه اخیراً «اثر کانال باریک وارون» یا «اثر عرض باریک وارون» نامیده می‌شود، شده‌است.A. Chatterjee et al. , IEDM 1996.(conference announcement)  اساساً، به دلیل افزایش میدان الکتریکی در لبه، ایجاد یک کانال رسانا (توسط وارونگی) در ولتاژ کمتر آسان‌تر است. ولتاژ آستانه برای عرض ترانزیستور باریک به‌طور مؤثر کاهش می‌یابد. نگرانی اصلی قطعات الکترونیکی جریان نشت زیرآستانه است که پس از کاهش ولتاژ آستانه به میزان قابل توجهی بزرگتر می‌شود.

 روند فرایند 
 نِهِشت  پشته (اکسید + نیترید محافظ)
 چاپ سخت‌نگاری
 زدایش خشک (زدایش یون فعال)
 پُرکردن تاشه با اکسید
 مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی اکسید
 حذف نیترید محافظی
 میزان‌سازی ارتفاع اکسید به Si

 جستارهای وابسته 
 FEOL

 منابع 

 پیوند به بیرون 
 Clarycon: عایق‌بندی تاشه کم‌عمق
 فناوری‌های N و K: عایق‌بندی تاشه کم‌عمق
 Dow Corning: Spin on Dielectrics - Spin -on Shallow Trench Isolation

رده:ساختارهای نیمه‌رسانا
رده:فناوری ساخت ادوات نیم‌رسانا