فرایند۳۵۰ نانومتر

فرایند ۳۵۰ نانومتر به سطح فناوری فرایند نیم‌رسانای ماسفت اشاره دارد که توسط شرکت‌های پیشرو نیم‌رسانا مانند سونی، اینتل و آی‌بی‌ام به دست آمده‌است.

یک ماسفت با طول کانال ۳۰۰ نانومتر توسط یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی کی دگوچی و کازشیکو کوماتسو در نیپون تلگراف اند تلفن (NTT) در سال ۱۹۸۵ ساخته شده‌است.

 منابع 

رده:اختراع‌های ژاپنی
رده:فناوری نقشه راه بین‌المللی برای اشکال نیمه‌رسانایی‌های لیتوگرافی
رده:معرفی‌شده‌های ۱۹۹۳ (میلادی)
رده:معرفی‌شده‌های ۱۹۹۵ (میلادی)