ولتاژ آستانه

ولتاژ آستانه  معمولاً به عنوان Vth، یک ترانزیستور اثر میدان (FET)، حداقل ولتاژ گیت به سورس ولتاژ آستانه گیت-سورس (th)VGS است که برای ایجاد یک مسیر هادی بین پایانه‌های سورس و درین مورد نیاز است. این یک عامل مهم برای مقیاس‌بندی برای حفظ بازدهی توان است.

هنگام مراجعه به ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET)، معمولاً به‌جای ولتاژ آستانه به آن «ولتاژ پینچ-آف» یا «ولتاژ گرفتگی» گفته می‌شود. این مسئله تا حدی گیج کننده است زیرا از پینچ-آف (گرفتگی) در ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق‌شده (IGFET) به گرفتگی کانال اشاره به این دارد که منجر به رفتار اشباع جریان تحت بایاس سورس-گیت بالا می‌شود، حتی اگر جریان هرگز خاموش نشود. برخلاف گرفتگی، اصطلاح ولتاژ آستانه واضح است و در هر ترانزیستور اثر میدانی به همان مفهوم اشاره دارد.

 اثر بدنه 
اثر بدنه تغییر در ولتاژ آستانه با مقداری تقریباً برابر با تغییر ولتاژ سورس-بدنه  است؛ زیرا بدنه بر ولتاژ آستانه تأثیر می‌گذارد (هنگامی که به سورس وصل نشده باشد). می‌توان از آن به عنوان گیت دوم یاد کرد و گاهی از آن به عنوان گیت پشتی  نیز یاد می‌شود و بر این اساس اثر بدنه را گاهی اثر گیت پشتی می‌نامند.Marco Delaurenti, PhD dissertation, Design and optimization techniques of high-speed VLSI circuits (1999)) 

برای حالت تقویت‌کننده ان‌ماس ماسفت، اثر بدنه بر روی ولتاژ آستانه مطابق مدل شیچمن-هاجز محاسبه می‌شود، که برای گره‌های فرایند قدیمی‌تر دقیق است،  با استفاده از معادله زیر:



در این‌جا

 ولتاژ آستانه هنگامی که بایاس زیرلایه وجود دارد،

 بایاس زیرلایه سورس به بدنه،

 پتانسیل سطح،

 ولتاژ آستانه برای بایاس زیرلایه صفر،

 پارامتر اثر بدن،

 ضخامت اکسید،

 گذردهی اکسید،

 گذردهی سیلیسیم،

 غلظت آلایش،

 بار الکترون است.

 وابستگی به اُفت‌وخیز تصادفی آلایش 
اُفت‌وخیز تصادفی آلایش (آردی‌اِف) نوعی تغییرات فرایندی است که ناشی از تغییرات در غلظت ناخالصی کاشته شده است. در ترانزیستورهای ماسفت، آردی‌اف در ناحیه کانال می‌تواند خواص ترانزیستور، به ویژه ولتاژ آستانه را تغییر دهد. در فناوری‌های جدید، فرایند آردی‌اف تأثیر بیشتری دارد، زیرا تعداد کل آلاینده‌ها کمتر است.Asenov, A. Huang,Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in sub-0.1 μm MOSFET's: A 3-D “atomistic” simulation study, Electron Devices, IEEE Transactions, 45, Issue: 12

به منظور از بین بردن اُفت‌وخیز ناگهانی که منجر به تغییرات ولتاژ آستانه بین قطعات تحت همان فرایند تولید می‌شود، کارهای تحقیقاتی در حال انجام است.Asenov, A. Huang,Suppression of random dopant-induced threshold voltage fluctuations in sub-0.1-μm MOSFET's with epitaxial and δ-doped channels, Electron Devices, IEEE Transactions, 46, Issue: 8

 جستارهای وابسته 
 عملکرد ماسفت
 مدولاسیون طول کانال

 منابع 

 پیوند به بیرون 
 سخنرانی آنلاین در مورد: ولتاژ آستانه و ظرفیت‌های ماسفت توسط دکتر لوندستروم

رده:پارامترهای الکتریکی
رده:ماسفت‌ها
رده:مدل‌سازی ترانزیستور