نماسازی ظرفیت-ولتاژ

نماسازی ظرفیت-ولتاژ  (یا نماسازی C-V، گاهی نماسازی CV) فنی برای توصیف مواد و افزاره‌های نیم‌رسانا است. ولتاژ اعمال‌شده متغیر است و ظرفیت آن به‌عنوان تابعی از ولتاژ اندازه‌گیری و ترسیم می‌شود. در این فن از پیوند فلزی-نیم‌رسانا (سد شاتکی) یا پیوند p-nJ. Hilibrand and R.D. Gold, "Determination of the Impurity Distribution in Junction Diodes From Capacitance-Voltage Measurements", RCA Review, vol. 21, p. 245, June 1960 یا ماسفت برای ایجاد ناحیه تخلیه استفاده می‌شود، ناحیه‌ای که از هدایت‌سازی الکترون‌ها و حفره‌ها خالی است، اما ممکن است شامل دهندههای یونیزه‌شده و نقص‌های فعال الکتریکی یا تله باشد. ناحیه تخلیه با بارهای یونیزه‌شده درداخل، مانند خازن رفتار می‌کند. با تغییر ولتاژ اعمال شده به محل پیوند، می‌توان عرض ناحیه تخلیه را تغییر داد. وابستگی عرض ناحیه تخلیه به ولتاژ اطلاعاتی کاربردی در مورد خصوصیات داخلی نیم‌رسانا، مانند مشخصات زدایش آن و چگالی نقص‌های فعال الکتریکی فراهم می‌کند. اندازه‌گیری‌ها ممکن است در DC یا با استفاده از هردو DC و یک سیگنال AC با سیگنال-کوچک انجام شود (روش رسانایی،) یا استفاده از ولتاژ گذرای سیگنال-بزرگ.

 جستارهای وابسته 
 مشخصه ولتاژ-جریان
 ناحیه تخلیه
 عرض تخلیه
 نماسازی ظرفیت سطح راه‌انداز
 طیف‌نگاری گذرا در سطح-عمیق
 ساختار فلز-اکسید-نیم‌رسانا

 منابع 

 پیوند به بیرون 
 شبیه‌ساز MOScap در nanoHUB.org کاربران را قادرمی‌سازد تا مشخصات CV را برای نمانگاری، مواد و دماهای مختلف آلایش محاسبه کنند.

رده:فناوری ساخت ادوات نیم‌رسانا