مدل گومل-پون

مدل گومل-پون (به انگلیسی: Gummel–Poon model) یک  مدل ترانزیستوری از ترانزیستور پیوندی دوقطبی است. این اولین بار در مقاله‌ای منتشر شده توسط  هرمان گومل و اچ‌سی پون در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۷۰ بود.H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.
مدل گومل-پون و انواع جدید آن به‌طور گسترده در شبیه‌سازهای مدار محبوب مانند  اسپایس مورد استفاده قرار می‌گیرد. تأثیر قابل توجهی که مدل گومل-پون برای آن دارد، تغییر مقادیر  و  ترانزیستور با سطح جریان مستقیم است. هنگامی که پارامترهای خاصی حذف شوند، مدل گومل-پون به مدل ساده‌تر Ebers-Moll کاهش می‌یابد.H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.
پیوند=https://en.wikipedia.org/wiki/File:Gummel-Poon1.png|جایگزین=|بندانگشتی|450x450پیکسل|طرح‌واره اسپایس مدل گومل-پون NPN

 پارامترهای مدل 
پارامترهای اسپایس مدل گومل-پونSummary of model with schematics and equations.
#NameProperty
modeledParameterUnitsDefault
value۱ISجریانجریان اشباع معکوس انتقالیA1۲BFجریانبیشینه بتای ایدئال مستقیم—۱۰۰۳NFجریانضریب انتشار جریان مستقیم—۱۴VAFجریانولتاژ ارلی مستقیمV∞۵IKFجریانزانویی برای بتای مستقیمA∞۶ISEجریاننشتی جریان اشباع B–EA۰۷NEجریانضریب انتشار نشتی B–E—۱٫۵۸BRجریانبتای معکوس—۱۹NRجریانضریب انتشار جریان معکوس—۱۱۰VARجریانولتاژ ارلی معکوسV∞۱۱IKRجریانگوشه برای بتای معکوسA∞۱۲ISCجریانجریان اشباع نشتی B–CA۰۱۳NCجریانضریب انتشار B–C—۲۱۴RBمقاومتمقاومت بایاس صفرΩ۰۱۵IRBمقاومتجایی که مقاومت بیس در نیمه راه به حداقل خود برسدA∞۱۶RBMمقاومتحداقل مقاومت بیس در جریانهای زیادΩRB۱۷REمقاومتمقاومت امیترΩ۰۱۸RCمقاومتمقاومت کلکتورΩ۰۱۹CJEخازنخازن تخلیه با بایاس صفر B-EF۰۲۰VJEخازنولتاژ داخلی B–EV۰٫۷۵۲۱MJEخازنعامل نمایی محل اتصال B-E—۰٫۳۳۲۲TFخازنزمان گذار ایدئال مستقیمs۰۲۳XTFخازنضریب وابستگی به بایاس TF—۰۲۴VTFخازنولتاژ توصیف وابستگی VBC از TFV∞۲۵ITFخازنپارامتر جریان بالا برای اثر در TFA۰۲۶PTFفاز اضافی در فرکانس = ۱ / (۲πTF)°۰۲۷CJCخازنخازن تخلیه با بایاس صفر B-CF۰۲۸VJCخازنپتانسیل داخلی B-CV۰٫۷۵۲۹MJCخازنعامل نمایی محل اتصال B-C—۰٫۳۳۳۰XCJCخازنکسری از خازن تخلیه B-C متصل به گره بیس داخلی—۱۳۱TRخازنزمان گذار معکوس ایدئالs۰۳۲CJSخازنخازن کلکتور-زیرلایه با بایاس صفرF۰۳۳VJSخازنپتانسیل داخلی زیرلایه پیوندV۰٫۷۵۳۴MJSخازنضریب انتشار زیرلایه پیوند—۰۳۵XTBنماینده دمای بتای مستقیم و معکوس—۰۳۶EGشکاف انرژی برای اثر دما ISeV۱٫۱۳۷XTIنماینده دما برای اثر IS—۳۳۸KFضریب فلیکر نویز—۰۳۹AFنماینده فلیکر نویز—۱۴۰FCضریبی برای خازن تخلیه بایاس مستقیم—۰٫۵۴۱TNOMدما اندازه‌گیری پارامتر°C۲۷

 منابع 

 پیوند به بیرون 
 مجله فنی بل سیستم، v49: i5 مه-ژوئن ۱۹۷۰ در archive.org
 مقاله مقایسه طراحان-Guide.org Xiaochong Cao, J. McMacken, K. Stiles, P. Layman, Juin J. Liou, Adelmo Ortiz-Conde, and S. Moinian، مدل‌ها، "IEEE Trans-ED 47 # 2، فوریه ۲۰۰۰.
رده:مدل‌سازی ترانزیستور