اف‌رم

حافظه رم فروالکتریک  (فی‌رَم  یا اِف‌رَم ) یک حافظه با دسترسی تصادفی است که از نظر ساختار مشابه دی‌رَم است، اما برای دستیابی به غیرفرار بودن، از یک لایه فروالکتریک به جای یک لایه دی‌الکتریک استفاده می‌کند. فی‌رَم یکی از فناوری‌های رو به رُشد حافظه دسترسی تصادفی غیرفرار جایگزین است که عملکردی مشابه حافظه فِلَش ارائه می‌دهد. یک تراشه فی‌رَم حاوی یک فیلم نازک از ماده فروالکتریک است که اغلب تیتانات زیرکونات سُرب است که معمولاً به‌عنوان پی‌زدتی (PZT) شناخته می‌شود. اتم‌های موجود در لایه پی‌زدتی در یک میدان الکتریکی قطبیت را تغییر می‌دهند و در نتیجه یک سوئیچ دودویی با مصرف انرژی کارآمد ایجاد می‌کنند. با این حال، مهم‌ترین جنبه پی‌زدتی این است که تحت تأثیر اختلال در برق یا تداخل مغناطیسی قرار نمی‌گیرد و فی‌رَم را به یک حافظه غیرفرار قابل اعتماد تبدیل می‌کند.

مزایای فی‌رَم نسبت به فلش عبارتند از: مصرف برق کمتر، سرعت نوشتن سریع‌تر و بیشینه تاب‌آوری خواندن/نوشتن بسیار بیشتر (حدود 1010 تا 1015 سیکل). حافظه‌های فی‌رَم در دمای ۸۵ درجه سانتیگراد، زمان نگهداری داده بیش از ۱۰ سال (در دماهای پایین‌تر تا چندین دهه) دارند. از معایب بارز فی‌رَم می‌توان به تراکم ذخیره‌سازی بسیار کمتر نسبت به افزاره‌های فلش، محدودیت‌های ظرفیت ذخیره‌سازی و هزینه بالاتر اشاره کرد. مانند دی‌رَم، فرایند خواندن فی‌رَم مُخرب است و نیاز به معماری نوشتن پس از خواندن دارد.

 منابع 

رده:حافظه غیرفرار
رده:فروالکتریسیته
رده:فناوری‌های نوپدید