Integreeritud paisuga suletav türistor

pisi|150px| IGC-türistori ristlõige

Integreeritud paisuga suletav türistor (inglise keeles integrated gate-commutated thyristor või insulated gate-commutated thyristor, lühend IGCT) on  paisu kaudu suletava türistori (GTO-türistori) edasiarendus. Nagu GTO-türistor, nii on ka IGC-türistor täielikult tüüritav jõupooljuhtlüliti, mis tähendab, et seda saab tüürelektroodist lülitada nii sisse kui ka välja. Selleks on IGC-türistorisse sisse ehitatud spetsiaalne tüürlülitus.

IGC-türistori paisuga integreeritud tüürlülituse kaasabil toimub türistori sisselülitamine märksa energiasäästlikumalt  ja  kiiremini kui tavalises GTO-türistoris.

Väljalülitamiseks vajab  see transistor anoodvoolust tugevamat paisuvoolu impulssi. Nii saavutatakse lühike väljalülituskestus, ent sellise vooluimpusi samiseks on tarvis transistori  läheduses suurt akupatareid.  

IGC-türistor on kasutatav jõuelektroonikas võimsusel kuni 20 MVA ja kilohertsides mõõdetavatel sagedustel. Üksainus IGCT-moodul on näiteks võimeline lülitama kiloampritesse ulatuvatuvat voolu vastupingel 4500 volti.

Vaata ka
Türistor
GTO-türistor

Välislingid
 IGCT. Insulated Gate Commutated Thyristor
IGCT Technology-A Quantum Leap

Kategooria:Jõuelektroonika