Μοντέλο EKV MOSFET

Το μοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο για την προσομοίωση κυκλωμάτων και την σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995. 

Αναπτύχθηκε από τους C. C. Enz, F. Krummenacher, και E. A. Vittoz (εξ ου και τα αρχικά EKV) περί του 1995, βασισμένο εν μέρει σε εργασία που είχαν κάνει την δεκαετία του 1980 Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987. Σε αντίθεση με απλούστερα μοντέλα, όπως το μοντέλο του τετραγωνικού νόμου (Quadratic Model), το μοντέλο EKV είναι ακριβές ακόμα και όταν το MOSFET λειτουργεί στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου (subthreshold region) Π.χ. όταν Vbulk=Vsource, τότε το MOSFET είναι στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου όταν Vgate-source < VThreshold. Επιπλέον, περιγράφει πολλά ειδικά φαινόμενα που εμφανίζονται σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με υπομικρομετρικές (submicron) τεχνολογίες CMOS.

 Αναφορές 

 Δείτε επίσης 

 MOSFET
 SPICE

 Εξωτερικοί σύνδεσμοι 

 Ιστοσελίδα του Christian Enz
 Ιστοσελίδα του François Krummenacher 
 Περί του Eric Vittoz
 Κεντρική σελίδα του μοντέλου EKV 

Κατηγορία:Ηλεκτρονική μηχανική