ইলেকট্রন আসক্তি

গ্যাসীয় অবস্থায় কোনো মৌলের ১ মোল পরমাণুর তার সর্ববহিঃস্থ স্তরে অসীম দূরত্ব থেকে একটি একটি করে মোট ১ মোল ইলেকট্রন গ্রহন করে প্রতিটি একক ঋণাত্মক চার্জবিশিষ্ট ১ মোল গ্যাসীয় ঋনাত্মক আয়ন বা অ্যানায়ন এ রূপান্তরিত হতে যে পরিমাণ শক্তি নির্গত হয়, তাকে ঐ মৌলের ইলেকট্রন আসক্তি বলে । পর্যায় সারণির সব থেকে বেশি ইলেকট্রন আসক্তি বিশিষ্ট মৌল হলো ক্লোরিন (Cl)।

 পর্যাবৃত্ততা 
ইলেকট্রন আসক্তি হচ্ছে একটি পর্যাবৃত্ত ধর্ম।

পারমাণবিক ব্যাসার্ধের সাথে সাথে ইলেকট্রন আসক্তিও পরিবর্তন হয়।

পরমাণুর আকার বৃদ্ধিতে ইলেকট্রন আসক্তি হ্রাস পায় এবং নিউক্লিয়াসে চার্জ বৃদ্ধিতে ইলেকট্রন আসক্তি বৃদ্ধি পায়, আবার একই পর্যায়ের বাম থেকে ডান দিকে গেলে ইলেকট্রন আসক্তি বৃদ্ধি পায় এবং একই গ্রুপের ওপর থেকে নীচের দিকে গেলে ইলেকট্রন আসক্তি হ্রাস পায়। তবে এর ব্যতিক্রমও দেখা যায়।তাছাড়া পরমাণূ্র ব্যাসার্ধ কম হলে ইলেকট্রন আসক্তির মান বাড়ে।

বিষয়শ্রেণী:পারমাণবিক পদার্থবিজ্ঞান
বিষয়শ্রেণী:রাসায়নিক বন্ধন
বিষয়শ্রেণী:রাসায়নিক ধর্ম
বিষয়শ্রেণী:আণবিক পদার্থবিজ্ঞান
বিষয়শ্রেণী:ভৌত রসায়ন
বিষয়শ্রেণী:আয়ন

 প্রভাবকসমূহ (Factors Affecting Electron Affinity) 
ইলেকট্রন আসক্তি বিভিন্ন পারমাণবিক ও ইলেকট্রনিক কারণের উপর নির্ভর করে। প্রধান প্রভাবকসমূহ হলো—

১. পারমাণবিক আকার (Atomic Size):

পরমাণুর আকার বৃদ্ধি পেলে নিউক্লিয়াস ও বহিঃস্থ ইলেকট্রনের মধ্যকার আকর্ষণ কমে যায়। ফলে নতুন ইলেকট্রন গ্রহণে শক্তি নির্গমন কম হয় এবং ইলেকট্রন আসক্তি হ্রাস পায়।

২. নিউক্লিয়ার চার্জ (Nuclear Charge):

নিউক্লিয়াসের ধনাত্মক চার্জ বৃদ্ধি পেলে আগত ইলেকট্রনের উপর আকর্ষণ বৃদ্ধি পায়। এর ফলে ইলেকট্রন গ্রহণে অধিক শক্তি নির্গত হয় এবং ইলেকট্রন আসক্তি বৃদ্ধি পায়।

৩. শিল্ডিং প্রভাব (Shielding Effect):

অভ্যন্তরীণ ইলেকট্রনসমূহ বহিঃস্থ ইলেকট্রনের উপর নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ আংশিকভাবে কমিয়ে দেয়। শিল্ডিং প্রভাব বেশি হলে ইলেকট্রন আসক্তি কমে যায়।

৪. ইলেকট্রনিক বিন্যাস (Electronic Configuration):

পূর্ণ বা অর্ধ-পূর্ণ অরবিটালবিশিষ্ট পরমাণু তুলনামূলকভাবে অধিক স্থিতিশীল হয়। তাই এদের ক্ষেত্রে অতিরিক্ত ইলেকট্রন গ্রহণ কঠিন হওয়ায় ইলেকট্রন আসক্তি কম অথবা ঋণাত্মক হতে পারে।

 ব্যতিক্রম (Exceptions) 
ইলেকট্রন আসক্তির সাধারণ পর্যাবৃত্ত প্রবণতার কিছু ব্যতিক্রম লক্ষ্য করা যায়—

 গ্রুপ–২ (Be, Mg) মৌলসমূহের ইলেকট্রন আসক্তি খুব কম, কারণ এদের s-অরবিটাল পূর্ণ থাকে।
 গ্রুপ–১৫ (N, P) মৌলসমূহের p-অরবিটাল অর্ধ-পূর্ণ হওয়ায় অতিরিক্ত ইলেকট্রন গ্রহণে বিকর্ষণ বৃদ্ধি পায়।
 ফ্লোরিন (F) এর ইলেকট্রন আসক্তি ক্লোরিন (Cl) এর তুলনায় সামান্য কম, কারণ ফ্লোরিনের আকার খুব ছোট হওয়ায় ইলেকট্রন-ইলেকট্রন বিকর্ষণ বেশি হয়।

 প্রথম ও দ্বিতীয় ইলেকট্রন আসক্তি 
(First and Second Electron Affinity)

 প্রথম ইলেকট্রন আসক্তি সাধারণত শক্তি নির্গমনমূলক প্রক্রিয়া।
 দ্বিতীয় ইলেকট্রন আসক্তি সর্বদা শক্তি শোষণমূলক, কারণ ঋণাত্মক আয়নে আরেকটি ইলেকট্রন যোগ করতে অতিরিক্ত শক্তি প্রয়োজন হয়।

 ইলেকট্রন আসক্তির গুরুত্ব (Significance) 
ইলেকট্রন আসক্তির ধারণা—

 মৌলের রাসায়নিক সক্রিয়তা নির্ধারণে সহায়ক
 আয়নিক বন্ধন গঠনের প্রবণতা ব্যাখ্যা করে
 পর্যায় সারণিতে মৌলের অবস্থান ও বৈশিষ্ট্য বিশ্লেষণে ব্যবহৃত হয়
 অক্সিডাইজিং ও রিডিউসিং ক্ষমতা তুলনায় গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে