Həsən Abdullayev

Həsən Məmmədbağır oğlu Abdullayev () — SSRİ və Azərbaycanın görkəmli fiziki, alim, müəllim, elm təşkilatçısı, Sovet İttifaqı və dünyada yarımkeçiricilər fizikasının / mikroelektronikasının banilərindən biri, Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı, SSRİ Elmlər Akademiyasının müxbir üzvü, Azərbaycan EA-nın həqiqi üzvü, 1970–1983-cü illərdə Azərbaycan EA-nın prezidenti.https://science.gov.az/az/forms/skonchavshiesya-deystvitelnyie-chlenyi/3212 ,gl6.pdf Görkəmli azərbaycanlılar

Həsən Abdullayev 1952-ci ildə ilk dəfə yarımkeçirici kristallarda p-n keçidin işləmə prinsipinin fiziki mahiyyətini ətraflı izahını verib. O, yenilikçi texnologiyanın inkişafına, qlobal elmi və texnoloji tərəqqiyə əhəmiyyətli bir töhfə verən və güclü təsir göstərən fotoelementlər, günəş və termoelementlər kimi yaddaş elementləri, lazerlər, kibernetikada çip texnologiyası, alternativ enerji kimi elektronikanın tədqiqinə və inkişafı məsələləri ilə məşğul olub. Abdullayevin elmi nailiyyətləri sayəsində, yarımkeçiricilərə əsaslanan dünya texnologiyası intensiv sürətlə miniatürləşməyə başlamış, daha yüngül, mobil və rahat olub. Azərbaycan SSR-də Abdullayev elmi və texnoloji tərəqqi inqilab etmiş və bir növ milli "Silikon Vadisi"ni yaratmışdır. Alim-fizik, dünya elmində əhəmiyyətli rol oynayan yarımkeçirici fizikada, selenyum və analoqlarına əsaslanan yeni bir istiqamət qurmuş, onun əsasında mikroelektronika sahəsində ilkin, öz elmi məktəbini, bu istiqamətdə Akademiyada ilk laboratoriyaları və tədqiqat institutlarını yaratmışdır. Eyni zamanda, o, SSRİ şəraitində üzərinə böyük risk alarag tədqiqat institutları nəzdində yenilikçi layihələrin həyata keçirilməsi üçün ilk Xüsusi Konstruktur Büroları (XKB) yaratmışdır.

Həsən Abdullayev SSRİ, ABŞ, Yaponiya, Almaniya, Böyük Britaniya, Fransa, İsveç, İtaliya, Hindistan və digər ölkələrdə patentləşdirilmiş mindən çox elmi əsərin və 400-ə yaxın ixtiranın müəllifidir.

 Həyatı 
Həsən Abdullayev 20 avqust 1918-ci ildə Culfa rayonunun Yaycı kəndində anadan olmuşdur. Abdullayev 1941-ci ildə Azərbaycan Dövlət Pedaqoji İnstitutunun fizika fakültəsini bitirmişdir.

1941–1944-cü illərdə Ordubad Pedaqoji Məktəbində dərs demişdir.

1945-ci ildən Azərbaycan EA-da işə başlamışdır. Laborantdan akademikədək, Azərbaycan EA Prezidentinə kimi yüksəlmişdir. Eyni zamanda ADU (pndiki BDU), APİ (indiki ADPU), AMİ (indiki ATU) — də dərs demişdir. 1954-cü ildə Azərbaycan Dövlət Universitetində "Yarımkeçiriciər fizikası" kafedrasını yaratmışdır. Bu kafedra bütün SSRİ-də yaradılmış ilk yarımkeçiricilər kafedralarından biri idi.

1948–1950-ci illərdə Azərbaycan EA Fizika və Riyaziyyat İnstitutunun direktor müavini, 1950-ci il yanvarından 1950-ci il avqust ayına kimi həmin institutun direktor əvəzi işləmişdir.

1950–1953-cü illərdə Leninqrad Fizika-Texnika İnstitutunda professor D. N. Nasledovun laboratoriyasında işləmişdir. 1954-cü ildə həmin institutda prof. D. Nasledovun rəhbərliyi və məşhur alman fiziki V. Rentgenin tələbəsi olmuş akademik A.F.İoffenin sədrliyi altında müdafiə şurasında "Selenid düzləndiricilərdə baş verən fiziki proseslərin tədqiqi" mövzusunda doktorluq dissertasiyasını müdafiə etmişdir.

1957–1993-cü illərdə Azərbaycan EA Fizika İnstitutu direktoru vəzifəsində işləmişdir.

1955-ci ildə Azərbaycan EA-nın müxbir üzvü, 1967-ci ildə həqiqi üzvü seçilmişdir. 1968–1970-ci illərdə Azərbaycan EA Fizika-Riyaziyyat və Texnika bölməsinin akademik katibi olmuşdur. 1970–1983-cü illərdə Azərbaycan EA-nın Prezidenti olmuşdur. 1970-ci ildə SSRİ EA və RSFSR EA ümumi fizika və astronomiya bölməsinə "fizika" ixtisası üzrə müxbir-üzv seçilmişdir.

1970-ci ildə Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı, 1974-cü ildə əməkdar elm xadimi fəxri adına layiq görülmüşdür.

Həsən Abdullayev dəfələrlə SSRİ Ali Sovetinə deputat seçilmiş, orden və medallarla təltif olunmuşdur.

O, doğma Azərbaycan dili və rus dillərindən əlavə türk, alman və ingilis dillərini bilirdi.)

Ailəli olub, üç övladı və altı nəvəsi var.

 Elmi-pedaqoji fəaliyyəti 
300px|thumb|right|Bakıya dəvət olunmuş Nobel mükafatı laureatı professor Rudolf Mössbauer (birinci cərgədə, soldan ikinci), akademik Həsən Abdullayevin və Azərbaycan SSR Elmlər Akademiyasının Fizika İnstitutundan olan həmkarlarının arasında
Akademik H. Abdullayev ömrünün əlli ilindən çoxunu yarımkeçiricilər fizikasına və biofizikaya həsr etmişdir. İlk dəfə olaraq selenli cihazlarda selenin anomal hallarını aşkara çıxarmaqla onların idarə olunması yollarını göstərmişdir. Uzunmüddətli elektrik yaddaşlı cihazların hazırlanması və lazer üçün mürəkkəb kimyəvi tərkibli yarımkeçirici monokristalların alınması üçün bir sıra kompleks təcrübələr aparmışdır. H. Abdullayev tərəfindən yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin alınması üçün aparılan təcrübələr, elektrik yaddaşlı idarə olunan diodların yaradılmasına gətirib çıxarmışdır.

Selenin, tellurun, onların mürəkkəb birləşmələrinin və bunlar əsasında hazırlanan yarımkeçirici cihazların fizikası, selenin bioloji proseslərdə rolunun tədqiqi sahəsində əsaslı elmi nəticələri vardır. Onun rəhbərliyi ilə mürəkkəb yarımkeçiricilərdən bir sıra yeni cihazlar, o cümlədən yeni fiziki prinsiplə işləyən uzunmüddətli elektrik yaddaşlı cihazlar yaradılmışdır.

Abdullayev 1952-ci ildə ilk dəfə yarımkeçirici kristallarda p-n keçidin işləmə prinsipinin fiziki mahiyyətini ətraflı izahını vermişdi. Alim ömrünü yenilikçi texnologiyanın inkişafına, qlobal elmi və texnoloji tərəqqiyə əhəmiyyətli bir töhfə verən və güclü təsir göstərən fotoelementlər, günəş və termoelementlər kimi yaddaş elementləri, lazerlər, kibernetikada çip texnologiyası, alternativ enerji kimi elektronikanın tədqiqinə və inkişafına həsr edib.

Həsən Abdullayev in optik kvant generatorlarının yaradılması üçün kompleks kimyəvi tərkibli yeni yarımkeçirici monokristalların əldə edilməsi ilə bağlı işləri Sovet elminin 1964–1965-ci illərin ən mühüm nəticələri sırasına daxil olunmuşdu. O, 1952-ci ildə nəşr olunmuş Azərbaycan dilində yarımkeçiricilər fizikası ilə bağlı ilk fundamental əsərin müəllifidir. Azərbaycan dilində fizika üzrə ilk terminoloji lüğətin müəlliflərindən və baş redaktoru, Azərbaycanda "Xəbərlər" və "Elm və Həyat" akademik jurnallarının redaktoru kimi çalışıb. H. Abdullayevin Azərbaycan Elmlər Akademiyasında elektrokimya, biokimya, biofizika76, molekulyar biologiya, molekulyar genetika77,78 və digərləri kimi əlaqəli fundamental elm sahələrinin formalaşmasında və inkişafında böyük xidmətləri var.

O, termoelektrik çeviriciləri üçün yeni yarımkeçiricilərin alınmasını işləyib hazırlamışdır. Termoelektrik çevriciləri üçün aldığı yarımkeçirici materiala Amerika Birləşmiş Ştatları və Fransanın patentləri verilmişdir. Yüksəkixtisaslı elmi kadrlar hazırlanmasında böyük xidməti var. O, Azərbaycanda yarımkeçiricilər fizikası üzrə elmi məktəb yaratmışdır. Keçmiş SSRİ Elmlər Akademiyası "Yarımkeçiricilər fizikası və kimyası" elmi şurasının üzvü, respublika "Fizika problemləri" elmi şurasının və "Bilik" cəmiyyətinin sədri olmuşdur.

Həsən Abdullayevin elmi-təşkilati fəaliyyətini də qeyd etmək olar. Alim, indiyədək xeyli sayda fizika elmləri namizədi və fizika elmləri doktoru yetişdirmişdir. O, onlarla dissertasiyaya opponentlik etmişdir. Onun məşhur tələbələri arasında M. Kərimov, Y. Seyidov, E. Salayev, M. Şahtaxtinski, G. L. Belinki, K. Allahverdiyev, R. Süleymanov, H. Paşayev, A. Paşayev, B. Tağıyev, N. A. Quliyev, A. Z. Quliyev, R. Nani, S. Karimov (Tacikistan), Ş. Mavlonov, A. S. Babayev, V. B. Antonov, X. Məmmədov, M. Y. Bakirov, J. Abakarov (Özbəkistan), Y. V. Qorin, V. A. Sadıqov, F. M. Həşimzadə, S. Mehdiyeva, M. Əliyev, B. A. Əsgərov, Z. A. Əliyarova, S. Mehdiyeva, K. Ş. Qəhrəmanov, A. Ş. Feldman vardır.

 Elmi tədqiqat işləri və əsas nəticələri 
Beynəlxalq elmi müşavirələrdə iştirak və çıxış etmişdir. Amerika Birləşmiş Ştatlarında (1970), Türkiyədə (1974) yarımkeçiricilər fizikasına dair mühazirələr oxumuşdur. Yarımkeçirici maddə və cihazların tədqiqi və tətbiqinə dair bir sıra əsərlərin müəllifidir. "Elektron yarımkeçiricilərin və onların tətbiqi" (1952) kitabı yarımkeçiricilər fizikası sahəsində Azərbaycan dilində nəşr olunan ilk əsərdir.

O, 17 monoqrafiyanın, 1000-dən çox elmi məqalənin, 700 yaxın SSRİ şəhadətnaməli ixtiranın, 40 ədəd ABŞ, Fransa, Almaniya, İngiltərə, Türkiyədə, Rusiyada və d. xarici patentin müəllifi, 200-dən çox doktorluq və namizədlik dissertasiyasının rəhbəri olmuşdur.

 1953-ü ilə qədər yerinə yetirdiyi elmi işlər 
H. B. Abdullayev p-n keçidlərinin yaradılması və tədqiqində görkəmli nəticələr əldə edib. 1945-ci ildə ilk dəfə anodda dinamik potensial sıçrayışını və yüksək temperaturlarda katotda statik sıçrayış kəşf
edib. Hərtərəfli tədqiqatlar nəticəsində düzləndicilərdə lokal təbəqənin fiziki təbiəti və əmələ gəlmə proseslərini aydınlaşdırıb. Yerinə yetirdiyi elmi işlər yarımkeçiricilərin düzləndirmə dinamik nəzəriyyəsinin əsasını təşkil edib
və yarımkeçiricilərin xassələrinin bir sıra fiziki xüsusiyyətlərinin anlaşılmasına səbəb olub:
– selen elementlərinə əsaslanan ilk süni p-n keçidini yaratmışdır;

– düzlənmiş cərəyanın orta dəyərinin tezlikdən asılılığı üçün fiziki
mexanizm hazırlamışdır;

– diodun quruluşundakı super güclü sahələrdə keçiricilik üçün empirik
düstur əldə etmişdir:

Bu işlər yarımkeçiricilərin düzləndirmə nəzəriyyəsinin əsasını təşkil
etmişdir. H. Abdullayevin adı yarımkeçiricilər fizikasının – A3 B6 birləşmələrinin və onların daha mürəkkəb analoqlarının əsas anlayışları ilə əlaqələndirilir.

 Əsas elmi nəticələri 
Abdullayev tələbələri ilə
– eksperimental nəticələrə əsasən çoxqatlı klapan fotoelementlərin faydalı
iş əmsalını təyin etməyə imkan verən hesablama düsturu əldə etmişdir:

1959-cu ildə yaratmışlarından:
– Təbii galenid əsaslı termoelektrik generator;
– parametrləri artırılmış selen fotoelementləri.

Abdullayevin selenyuma dair əsərləri dünyada görkəmli sayılır. 1961-ci ildə selen, tellur, onların mürəkkəb birləşmələrinin kristallarının əldə edilməsi, fiziki xüsusiyyətlərinin hərtərəfli öyrənilməsi və yeni yarımkeçirici çevricilərin yaradılması ilə bağlı əsas işləri ilə geniş tanınmışdır. 1963-cü ilə qədər görülmüş termoelektrik işlərin döngüsü istilik çevrici üçün təsirli olan yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin yaranmasına səbəb
olub.
Həsən Abdullayevin rəhbərliyi altında:
– radioaktiv izotoplar metodu ilə selendə diffuziyanın kəmiyyət xüsusiyyətləri və diffuz atomun vəziyyəti müəyyən edilmişdir;
– ilk dəfə elektronoqrafik metodu ilə göstərilmişdir ki, düzləndiricilərdə və fotoelementlərdə düzləndirmə mexanizmi onlarda heterokeçidlərin əmələ gəlməsi ilə səciələnib;
– selen diod konstruksiyalarının istehsalı üçün mövcud texnologiyaların təkmilləşdirilməsi və yeni yüksək səmərəli texnologiyaların yaradılması üçün elmi əsaslar hazırlanmışdır;
– mənfi müqavimətli p-n keçidi əldə edilmişdir.
250px|thumb|left|Həsən Abdullayevi təşəbbüsü ilə yaradılmış, hazırda Milli Nüvə Tədqiqatları Mərkəzi
Abdullayev işçiləri ilə:
– selen və tellurun ikiqat və üçlü birləşmələrinin yeni qruplarını aşkar
etmişlər;
– spektrin görünən və infraqırmızı bölgələri üçün effektiv qəbulediciləri kimi A3
B6 qrupu analoqlarının çox sayda yeni daha mürəkkəb yarımkeçiriciləri proqnozlaşdırılmış və əldə edilmişdir (1962-ci il);
– A3B6 qrupunun elementlərinin mükəmməl monokristallarının alınması üçün texnologiya hazırlanmışdır (TlSe əldə edilmişdir – 1959-cu il);
– A3 B6 qrupu birləşmələrinə əsaslanan rentgen və neytron radiasiyasının detektorları müəyyən edilmişdir (1960-cı il);
– GaS təbəqəli selen diodlar əldə edilmişdir (1961-ci il);
– ilk dəfə GaSe-nin böyük monokristalları əldə edilmiş (1961-ci il), tək tutulmanın mövcudluğu aşkar edilmiş və GaSe-də daha dərin yapışma səviyyələrinin olması təyyin edilmişdir (1961-ci il);
– xüsusi təmizlikdə material Se 99,99999% əldə edilmişdir (1963-cü il);
– əldə edilmiş xüsusi təmizlikdə Selenin 99, 99999% monokristalları (ərimədən xlor və brom qarışığı ilə və 7x4x2 mm3 ölçüdə buxar fazasından yetişdirilmişdir, (1968-ci il);
– A3 B6 qrup birləşmələrin, onların bərk məhlulları və mürəkkəb analoqlarının elektron xüsusiyyətlərindəki dəyişikliklərin ümumi xarakteri təyyin edilmişdir;
– yarımkeçirici tensometriyanın imkanlarını əhəmiyyətli dərəcədə genişləndirməyə imkan verən piezofotoresistiv effekt aşkar edilmişdir (1971-ci il).

A3 B6 qrupunun yarımkeçiricilərinin optik xüsusiyyətləri və enerji quruluşunun öyrənilməsinə dair fundamental işlərin döngüsü yarımkeçirici elektronikanın imkanlarını xeyli genişləndirmişdir:
– müəyyən olunmuşdur ki, galyum selenid kristallarının bir çox parametrdə infraqırmızı İQ-bölgəsində mövcud olan digər qeyri-xətti kristalları əhəmiyyətli dərəcədə üstələdiyi və kvant elektronikası, qeyri-xətti optik və tənzimlənən şualanma tezliyinə malik generatorların yaradılması üçün perspektivlidir;
– lazer şüalanmasının tezlik modulyasiyasından istifadə edərək optik rabitə sistemi gəlişdirilmişdir. Rabitə sisteminin qəbuledici qurğusunda GaSe kristal əsaslı "Dekoder" tezlik-modulyasiya siqnallarının amplitüd-modulyasiyalı siqnallara çevrilməsi rolunu oynamışdı (1974-cü il).

Birinci və üçüncü qrupların (A1 B3) xalkogenidlərinin fiziki xüsusiyyətləri və onların diod quruluşlarındakı proseslərin tədqiqinə əsaslanaraq:
– müəyyən edilmişdir ki, birinci qrup xalkogenidlərinin yarımkeçirici kristallarında qütbdən asılı və qütbdən asılı olmayan keçid və yaddaş idarə olunan effektləri mis və gümüşün yüksəkyürüklü ionlarının injeksiyasına əsaslanır;
– idarə olunan elektrik (elektron) yaddaşlı diodlar hazırlanmışdır (1966-cı il);

A3 B6 qrupun birləşmələrinin monokristalları əsasında:
– yüksək müqavimət vəziyyətinin metal keçiriciliyinə sahib olduğu ideal bistable cihaz yaradılmışdır;
– elektrik sahəsi ilə idarə olunan, keçidlə və "üçlü" yaddaş ilə cihazlar yaradılmışdır (1962-ci il);
– nöqtəvi diodlar istehsal edilmişdir (1962-ci il);
– prinsipcə yeni yarımkeçirici idarə olunan diodlar (üçüncü elektrod olmadan) yaradılmışdır (1968-ci il);
– Cu2 S əsasında hazırlanmış nazik təbəqəli film açarları gəliştirilmiş və araşdırılmışdır(1972-ci il);
– Uinv kəmiyətinin kiçik dəyişən siqnalın tezliyindən asılılığını müəyyən edən empirik düstur alınmışdır (1972-ci il).

Birinci qrup xalkogenidlərinin (A1 B3) tədqiqatı nəticəsində:
– müəyyən edilmişdir ki, birinci qrup xalkogenidlərin bu yarımkeçirici kristalları defektli kristal quruluşa sahib olduğundan öz-özünə aşqarlanma effektinə səbəb olur.
Bu tədqiqatlar əsasında:
– yarımkeçirici mis tellurid (Cu2 Te) və gallium selen (GaSe) əsasında elektron informasiyanın daimi saxlama, yenidən yazılması üçün 256-bit olan informasiya saxlama cihazı və uzunmüddətli elektron yaddaşlı (sabit disk-ROM) keçid gelişdirilmiş, hazırlanmışdır (1974-cü il).

P-n keçidlərində elektron generasiya-rekombinasiya proseslərinin hərtərəfli tədqiqatı əsasında:
– p-n keçidlərində elektron generasiya-rekombinasiya proseslərinin əsas
parametrlərinin müəyyənləşdirilməsi üçün metod təklif edilmişdir;
– p-n keçidlərində volt-farad xüsusiyyətlərinin avtomatlaşdırılmış yazılması və reaktivliyin təbiətinin induktivə çevrilmə fenomeninin avtomatik qeyd edilməsi üçün cihaz gəliştirilmış və yaradılmışdır;
– mikroelektronika və lazer texnologiyası üçün perspektivli olan əvvəlcədən bilinməyən çoxsaylı üçlü və dördlü anizotrop yarımkeçirici birləşmələrin mövcudluğu proqnozlaşdırıb və ilk dəfə əldə edilmişdir;
– lazerlər və yaddaş elementləri üçün mürəkkəb kimyəvi tərkibli yarımkeçirici monokristalların alınması üçün hərtərəfli geniş çeşiddə işlər aparılmışdır.
– işıq yaddaşı fenomenləri və CdIn2 S4 monokristallarında keçid effekti aşkar edilmişdir, işıq istifadə edərək CdIn2
S4 monokristallarında keçid effektinə nəzarət etmək imkanı göstərilmişdir;
– ilk dəfə olaraq mürəkkəb yarımkeçiricilər əsasında keçid həddi elastik deformasiya ilə modulyasiya edilən və spektrin TlInSe, CdGaInS4 görünən bölgəsini işıqlandırılması ilə elektron yaddaşlı keçid cihazları əldə edilmişdir (1975-ci il);
– Si-SiO2
-Cu2 Te (Se, S) yaddaş elementləri əsasında tutumu 4 kbit olan mikrosxem gəlişdirilib hazırlanmışdır (1978-ci il);
– metal – oksid – yarımkeçirici konstruksiyalarda aşqarların elektrik ötürülməsi yolu ilə yarımkeçiricilərin lokal aşqarlaması ilə ekspress metod hazırlanmışdır, bunların əsasında inteqral sxemlərin (termostabil yaddaş açarı, proqramlaşdırıla bilən yaddaş elementi və diod matrisi) aktiv elementləri yaradılmışdır (1979-cu il);
– kompleks istifadəyə əsaslanan həssas elektroqrafik qatlar yaratmaq üçün texnologiya hazırlanmışdır;
– 1992-ci ildə təsbit edilmişdir ki optik şəffaflandırıcı təbəqələrini silikon günəş hüceyrələrinə yerləşdirildikdə bu elementlərin səmərəliliyi (f.i.ə.)19 və 27%-ə qədər artır, iki qatlı optik şəffaflandırıcı təbəqələrini isə tətbiq edildikdə, səmərəlilik (f.i.ə.) 33%-ə qədər artır. Elektron və qamma şüaları ilə şüalanmış cihazlar kosmosda işləmək üçün dizayn edilmişdir.

H. Abdullayev bir sıra xüsusi yarımkeçirici cihazların hazırlanması və tətbiqi və ölkədə istehsalı üçün müasir elmi-təcrübə və sənaye təməlinin yaradılması ilə bağlı çox iş görmüşdür.

 Molekulyar biologiya və biofizika sahəsində 
H. B. Abdullayevin birbaşa iştirakı ilə inkişaf etdirilən elm sahəsi bioloji fizikadır. Onun təşəbbüsü ilə, "Beyin Biofizikası"nın ilk laboratoriyaları, Bölmə, Sektor və Mikrobiologiya İnstitutu Azərbaycan Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutunun təməlində yaradılmış, biofizika və molekulyar biologiya geniş sahədə yayılmışdır.

Abdullayev Molekulyar biologiya və biofizika sahəsində orijinal bir tədqiqat istiqamətini yaradıb, radioizotop və digər metodlarla araşdırıldığı zamanı selenin bioloji obyektlərdə paylanması, fermentativ proseslərdəki və xüsusilə önemli olan görmə analizatorunun işıq həssaslığının artırılmasında rolu tədqiq edilmiş bir sıra mühüm məlumatlarını gəliştirimiş və əldə edilmişdir. Bu işlər gözün necə işlədiyini anlamaq üçün vacibdir:
– şua enerjinin elektrik enerjisinə çevrilmə mexanizmində iştirak edən selenin təsiri altında retinanın işıqla əlaqəli elektrik potensialının gücləndirilməsinin əvvəllər bilinməyən bir fenomeni təyin edilmişdir;
– ilk dəfə deoksiribonuklein turşusu (DNT) matrisi üzərində ribosomal ribonüklein turşusunun sintezini kataliz edən fermentin birinci formasının fəaliyyətinin selen tərəfindən seçici inhibe edilməsi faktı aşkar edilmişdir.

Abdullayev və onun bir qrup tələbəsi, yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin əldə edilməsi, istehsalı, bunlara əsaslanan müxtəlif cihazların yaradılması, habelə biofizika sahəsində – gözün görmə prosesində selenin rolununun müəyyənləşdirilməsi kimi bir sıra işlərinə görə 1972-ci ildə Azərbaycan Dövlət Mükafatına layiq görülmüşlər.

 Təltif və mükafatları 
 1970 — M. V. Lomonosov adına qızıl medal;
 1970 — S. İ. Vavilov adına medal;
 1970 — Fədakar Əmək Mükafatı;
 1972 — Azərbaycan SSR Dövlət mükafatı;
 1972 — Beynəlxalq Leypsik yarmarkasının (ADR) böyük qızıl medalı;
 1974 — Azərbaycan SSR əməkdar elm xadimi;
 1975 — "Qırmızı əmək bayrağı" ordeni;
 1978 — "Lenin" ordeni;
 Ümumittifaq "Bilik" Cəmiyyətinin Fəxri Fərmanı
 1988 — S. P. Korolyov adına qızıl medal
 1991 — SSRİ Kosmonavtika Federasiyasının K. E. Siolkovski adına qızıl medalı;
 1972, 1975, 1977 və 1978-ci illərdə SSRİ XTNS-nin qızıl medalları.

 Maraqlı faktlar 
250px|thumb|right|Həsən Abdullayevin təşəbbüsü ilə yaradılmış Batabat Astrofizika Rəsədxanasının giriş qapısı
Ümummilli lider Heydər Əliyevin respublikaya rəhbərliyi dövründə H. Abdullayev Azərbaycan elminin yüksəlişi və dünya arenasına çıxmasına yönəlmiş tələblərinə son dərəcə həssaslıqla yanaşmış, yüksək təşkilatçılıq və təşəbbüskarlıq göstərmişdir.

Həsən Abdullayevin gördüyü işlər nəticəsində keçmiş SSRİ-də selen tədqiq etmək üçün yüksək təmizlikdə selen və yeni yüksək effektiv selen çeviricilərinin və bunlara əsaslanan onlarla cihazın kütləvi istehsalı üçün böyük bir ixtisaslaşmış sənaye yaradılmışdır. Azərbaycanda respublika sənayesi üçün prinsipial olaraq yeni məhsul növləri – yarımkeçirici cihazların hazırlanması başlandı. Keyfiyyət kateqoriyasına görə bu cihazlar və qurğular dünya standartları səviyyəsində olduğlarına görə Sovetlər Dövləti tərəfindən "SSRİ keyfiyyət nişanı"na layiq görülmüşlər.

Onun ilk dəfə bir sıra anomal hadisələrin izahı verildiyi və onlara nəzarət üsullarının göstərildiyi selen və selen
cihazları fizikasıyla əlaqədar apardığı işlər dünyada çox məşhur oldu. Bu əsərlər SSRİ Elmlər Akademiyasının jurnallarında, beynəlxalq "Physical Review", "Chemical Physics", "Selenium and Tellurium Abstracts", "Japanese Journal of Applied Physics" fizika jurnallarında, A. İ. Qubanov, B. İ. Boltaks, D. M. Çijikov və V. P. Şastlivinin, İngilis-Amerikalı alim J. Ray Drabble, İngilis-Avstraliyalı alim H. Julian Goldsmid və başqalarının monoqrafiyalarında yüksək qiymətləndirilmişdir. Həsən Abdullayevin selenə dair işləri Nobel mükafatçıları N. Semenov (1956), A. Proxorov (1964), J. Alferov (2001), məşhur Amerika alimləri Kenneth Teegarden, Lütfi Zadə, Beynəlxalq Selenyum və Tellurium Fizikasının İnkişafı Dərnəyinin prezidenti – V. Charles Cooper, akademiklər N. Bogolyubov, D. Blokhintsev, E. Velikhov, R. Sagdeev və başqa alimlər tərəfindən görkəmli işlər olaraq qiymətləndirilib.

 Təşəbbüsü və rəhbərliyi altında yaradılan elmi mərkəzlər 
Həsən Abdullayevin təşəbbüsü və rəhbərliyi altında, Azərbaycanda akademik tədqiqat institutları nəzdində SSRİ-də birincilərindən biri – yarı kapitalist özünü dəstəkləyən elmi və texniki istehsal müəssisələri (texnoparkları) Xüsusi Konstruktor Büroları (XKB) və digər eksperimental elmi və texniki zavodlar yaradılmışdır. Tədqiqat işlərini aparmaqla yanaşı, Həsən Abdullayev digər bölgələrdə də elm- tədqiqat mərkəzləri yaratdı: Naxçıvanda (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının NaxçıvanBölməsi), Şəkidə (indiki Şəki Regional Elmi Mərkəzi), Gəncədə (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Gəncə Bölməsi), Lənkəranda bioloji laboratoriya (indiki AMEA Lənkəran Regional Elmi Mərkəzi).
 1959 — Astrofizika bölməsinin bazası əsasında Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası
 1965 — Hesablama mərkəzi əsasında Kibernetika İnstitutu
 1967 — Naxçıvanda Batabat Astrofizika Rəsədxanası
 1969 — Radiasiya tədqiqatları sektoru, sonradan Radiasiya Problemləri İnstitutu, indiki Milli Nüvə Tədqiqatları Mərkəzi
 1970 — NPO "Ulduz", "Nord", "Azon", "İskra", "Tellur", "Billur" (1968)
 1972 — Naxçıvan Elm Mərkəzi, hazırda AMEA-nın Naxçıvan Bölməsi
 1972 — Neftkimya prosesləri İnstitutunun nəzdində təcrübə-istehsalat zavodu
 1973 — Tətbiqi Fizika İnstitutunun filialı, hal-hazırda Fotoelektronika İnstitutu təcrübə zavodu ilə
 1973 — Şəki Zonal Elmi Bazası- hal-hazırda Şəki Reqional Elmi Mərkəzi
 1974 — Az. SSR EA nəzdində "Kaspi" Elm Mərkəzi, Hazırda 1992-ci ildən Azərbaycan Milli Aerokosmik Agentliyi
 1975 — Fizika İnstitutunda Yüksək Enerjilər fizikası laboratoriyası; Nüvə tədqiqatları İnstitutu (Dubna ş.) və Yüksək enerjilər fizikası İnstitutu (Serpuxov ş.) ilə birgə tədqiqatlar.
 1976 — Az. SSR EA Geologiya İnstitutunda Yer Fizikası bölməsi
 1976 — Mehdiabadda üzümçülük və şərabçılıq elmi-tədqiqat İnstitutu
 1978 — Yer kürəsi təbii sərvətlərin kosmik tədqiqatı İnstitutu
 1978 — "Kibernetika" XKB, CKTBM "Kristal" təcrübə zavodu ilə
 1978 — Təcrübə zavodu ilə birlikdə Darıdağ XK Texnoloji büro
 1979 — Xanlar regionunda Ağsu elmi- tədqiqat bazası
 1981 — "Selen" təcrübə zavodu, XKB "Registr", Reagent (1982), XKB
 "Kristal" (Bakı 1985).

 Ölümü 
Akademik H. Abdullayev 1993-cü il sentyabrın 1-də Bakıda vəfat etmiş, Fəxri Xiyabanda dəfn edilmişdir.

 Xatirəsi 
 2003-cü ildə Mehparə Nəcəfovanın rejissorluğu ilə həyatından bəhs edən "İnsan" filmi çəkilmişdir.
 2018-ci ildə Prezident İlham Əliyev akademik Həsən Abdullayevin 100 illik yubileyi haqqında sərəncam imzalayıb.
 25 dekabr 2018-ci ildə Azərpoçt tərəfindən Həsən Abdullayevin 100 illik yubileyi ərəfəsində üzərində onun rəsmi olan poçt markası buraxılıb. Markaya əlavə olaraq 200 ədəd "Birinci gün" zərfi də hazırlanıb..
 2023-cü ildə H. Abdullayevə həsr olunmuş "Qurucu Həsən Abdullayev: alim, elm təşkilatçısı, Elmlər Akademiyasının prezidenti" kitabı işıq üzü görüb.

 Monoqrafiyaları və əsərləri 
 Atomic Diffusion in Semiconductor Structures. G. Abdullaev, Gasan Mamed Bagir ogly Abdullaev. Harwood Academic Publishers, Jan 1, 1987 — Science — 340 pages. London-Paris-New York-Melbourn.
 "Elektron yarımkeçirilərdə anod polyarizasiyasının temperatur asılılığının tədqiqi". H. B. Abdullayev, Bakı, Azərb. SSR Elmlər Akademiyası Nəşriyatı, 1948
 Elektron yarımkeçiricilər və onların tətbiqi. H. B. Abdullayev, Bakı, Azərb. SSR Elmlər Akademiyası Nəşriyatı, 1952
 Sərbəst elektron və onun tətbiqinin fiziki əsasları. H. B. Abdullayev Azərb. SSR Elmlər Akademiyası, nəşriyatı Bakı, 1954
 Yarımkeçiricilər düzləndiricilər. H. B. Abdullayev Azərb. SSR Elmlər Akademiyası, nəşriyatı Bakı, 1958, 204 s.
 Физические процессы, происходящие в селене и селеновых приборах. Абдуллаев Г. Б., Баку., изд. АН Аз. ССР, 1959
 Вопросы металлургии и физики полупроводников. Абдуллаев Г. Б., Москва, изд. АН СССР, 1959
 Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Абдуллаев Г. Б., изд. Томск. ун-та. (Россия), 1964
 Радиоизотопы и их применение в физике полупроводников. Абдуллаев Г. Б. и др. изд. АН АзССР, Баку, 1964
 Исследование влияния подслоя Те на свойства селеновых вентилей. Абдуллаев Г. Б. и др.изд. ФИАН, Баку, 1964
 Селен,Теллур и их применение. Абдуллаев Г. Б. и др. изд. АН Азерб. ССР. Баку, 1965
 Полупроводниковые элементы в приборостроении (ТНТК). Абдуллаев Г. Б. и др. изд. Оптприбор, Москва, 1966
 Сложные полупроводники. Абдуллаев Г. Б. изд. АН Аз. ССР., Баку, 1966
 Спектроскопия твёрдого тела. Абдуллаев Г. Б. и др.изд. "Наука", Ленинград, 1969
 Некоторые вопросы физики электронно-дырочных переходов., Абдуллаев Г. Б. и др., Изд, "Элм", Баку, 1971
 Радиационная физика неметаллических кристаллов. Абдуллаев Г. Б. и др. "Наукова думка", Киев, 1971
 Селен и зрение. Абдуллаев Г. Б. и др.изд. "Элм", Баку, 1972
 Селеновые ограничители. Абдуллаев Г. Б. и др. изд. ИФАН, Аз,ССР, Баку, 1973
 Влияние селена на иммунологические особенности плазмы крови облучённых животных.(Радиобиология)Г. Б. Абдуллаев и др. изд. АН Азерб. ССР, 1973
 Исследования по физике полупроводников. Г. Б. Абдуллаев. Баку, "Элм", 1974
 Физические свойства селена и селеновых приборов. Г. Б. Абдуллаев и др. Баку., изд. Элм, 1974
 Селен в Биологии. Г. Б. Абдуллаев. Баку., Изд. "Элм", 1974
 Фриттер селеновый. Абдуллаев Г. Б. и др. изд. ИФАН Аз. ССР, Баку, 1974
 Физика Селена. Абдуллаев Г. Б. и др. Баку, "Элм", 1975
 Полупроводниковые преобразователи. Абдуллаев Г. Б., 1974, Изд. "Наука" АН Азерб. ССР.
 Физика селеновых преобразователей. Г. Б. Абдуллаев и др. Баку, Изд. "Элм", 1981
 Nizami Gəncəvinin Elm Dünyası. H. B. Abdullayev və b. Azərbaycan dövlət Nəşriyyatı, 1991
 Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниками типа А В. Г. Б. Абдуллаев и др. Баку., изд. "Элм", 1979
 H. B. Abdullayev. Fizikadan fəlsəfi söhbətlər. Bakı, "Elm".

 Ədəbiyyat 

 Храмов Ю. А. Абдуллаев Гасан Мамедбагир оглы // Физики : Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и доп. — М. : Наука, 1983. — С. 5. — 400 с. — 200 000 экз.
 Абдуллаев Гасан Мамед Багир оглы // Большая советская энциклопедия : [в 30 т.] / гл. ред. А. М. Прохоров. — 3-е изд. — М. : Советская энциклопедия, 1969–1978.
 "Akademik Həsən Abdullayev" Ön söz. 2008, Bakı, Azərbaycan nəşriyyatı, s.5–7.

 İstinadlar 

 Xarici keçidlər 

 h.abdullayev_AZ [751-765] 09.06.22GENIŞ AÇIQLAMA (REFERAT)
 Həsən Abdullayev
 Akademik H. Abdullayev adına Mükafat 
 Akademik Həsən Abdullayev 
 Həsən Abdullayev haqqında xatirələr 
 "Həsən Abdullayev xatirələrdə" filmi — AzTV (2007)
 Азербайджанский физик, сыгравший ключевую роль в создании микроэлектроники. Гасан Абдуллаев

Kateqoriya:Həsən Abdullayev
Kateqoriya:AMEA prezidentləri
Kateqoriya:Azərbaycan fizikləri
Kateqoriya:Azərbaycan ixtiraçıları
Kateqoriya:Poçt markalarında şəxslər
Kateqoriya:AMEA-nın həqiqi üzvləri
Kateqoriya:AMEA Fizika İnstitutunun alimləri
Kateqoriya:SSRİ EA-nın müxbir üzvləri
Kateqoriya:Ensiklopedik əhəmiyyəti təsdiqlənmiş alim məqalələri
Kateqoriya:Sov.İKP-nin XXV qurultayının nümayəndələri
Kateqoriya:SSRİ fizikləri
Kateqoriya:Rusiya Elmlər Akademiyasının müxbir üzvləri
Kateqoriya:Sov.İKP-nin XXIV qurultayının nümayəndələri
Kateqoriya:SSRİ Ali Sovetinin Millətlər Sovetinin VIII çağırış deputatları
Kateqoriya:SSRİ Ali Sovetinin Millətlər Sovetinin IX çağırış deputatları
Kateqoriya:SSRİ Ali Sovetinin Millətlər Sovetinin X çağırış deputatları