Lanying Lin

Lanying Lin (treslliteración 林兰英)), foi una científica china nel campu de la inxeniería de materiales.Guo, Kemi (1998). "Lanying Lin".  Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Ye considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació nuna familia prestixosa, fondamente influyida pola creencia de que la muyer nun precisaba una educación. Por ello, nun asistió a la escuela primaria. Pero ella lluchó contra la so familia por un cambéu y consiguió la posibilidá d'empecipiar una educación formal. Graduar pola Universidá cristiana de Fujian, con un grau de B.A. en Física."Fukien Christian University".  A los trenta años, asistió a la Dickinson University y ganó otru grau en matemátiques. En 1955, recibió'l doctoráu en Física del estáu sólidu pola Universidá de Pennsylvania, convirtiéndose na primer persona china en cien años en ganar el doctoráu nesa universidá. En 1957, tornó a China y foi asignada pa ser investigadora nel Institutu de Física CAS. Depués camudóse al Institutu de Semiconductores CAS y ocupó tola so vida con investigaciones nesa institución.

 Opiniones sobre asuntos de xéneruGuo, Kemi (1998).  
Mientres la so vida, encaró munches dificultaes por ser muyer. Dempués de volver d'EEXX, xunir a la Federación de Muyeres de China.Chen, Chen (1996).  Dio munches conferencies y falaba sobre asuntos de xéneru. Creyó que nel campu de la ciencia, muyeres y homes son iguales.

 Atribuciones y honores 
 1957: fixo'l primera xermaniu monocristalino (N-estilu y P-estilu) en China, sentando les bases pal desenvolvimientu de la radio a transistores.
 1958: fabrica'l antimoniuro de galio monocristalino
 1958: payares, fabricáu'l primera siliciu cristalino
 1959: fixo'l sulfuru de cadmiu cristalín 
 1960: fixo los materiales estensos pal siliciu *
1962: fabrica'l primer fornu monocristalino llamáu TDK en China *
1962: fabrica'l primer siliciu monocristalino ensin malposición en China *
1962: produzse'l primera antimoniuro d'indiu monocristalino cola mayor purificación
 1962: primer arseniuro de galio monocristalino 
 1963: fabrica'l primera láser semiconductor en China *
1963: fabrica siliciu altamente purificado y recibe el segundu premiu de los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía 
 1964: Diseña'l procesu de faer siliciu con baxa malposición y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
 1974: fabrica'l primera arseniuro de galio monocristalino ensin malposición
 1978: recibe'l CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
 1981: fabrica'l circuitu integráu y recibe el CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
 1986: realiza'l circuitu integráu SOS-CMOS y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía
 1989: investigación sobre l'estensu material GaInAsSb/InP y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía 
 1989: realizó con ésitu l'esperimentu de fundir el arseniuro de galio en satélites artificiales y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
 1990-1991: recibió'l tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía cuatro vegaes
 1991: fixo un satélite con cinco circuitos distintos del circuitu integráu SOS-CMOS
 1992: fixo'l fosfuro d'indiu monocristalino 
 1998: fixo célules solares de arseniuro de galio licuando los materiales estensos
 1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y plantegó la nueva teunoloxía de crecedera en materiales d'alta temperatura

 Actividaes polítiques 
 1962: vicepresidenta de la Federación Xuvenil de toa China *
1964: avientu, diputada al congresu de la Tercer Asamblea Popular Nacional y miembru permanente de la Comisión del congresu de l'Asamblea Popular Nacional
 1975: xineru, diputada al congresu de la Cuarta Asamblea Popular Nacional
 1978: febreru, diputada al congresu de l'Asamblea Popular Nacional
 1978: hasta setiembre de 1983, miembru de la federación de Muyeres de toa China (ACWF)
 1978: miembru del comité del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
 1979: xunetu, direutora xestora del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
 1980: abril, segunda vicepresidenta de l'Asociación China pa la Ciencia y Teunoloxía (CAST)
 1981: mayu, direutora xestora del departamentu de teunoloxía de l'Academia china de Ciencia (CAS)
 1982: setiembre, delegada de la Docena Conferencia Nacional del Pueblu celebrada pol Partíu Comunista de China (CCP)
 1983: mayu, diputada al congresu de La Sexta Asamblea Popular Nacional
 1986: tercer vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
 1988: marzu, diputada na Séptima Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
 1988: Direutora honoraria del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
 1991: cuarta vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
 1993: marzu, diputada na Octava Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
 1996: Direutora del Llaboratoriu Nacional Clave en microgravedad

 Delles publicacionesLin, Lanying (1992).  
 Dislocations Y Bastia en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónicu Abrahams-Buiocchi AguafuerteChen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01). 
 Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAs Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01). 
 Interfaz Roughness Espardiendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado HeterostructuresYang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26). 
 Crecedera de GaAs Cristales Solos en Gravedá AltaZhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01). 
 Meyora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecíu so MicrogravityLin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15). 
 Magnetospectroscopy D'Atáu Phonons en Pureza Alta GaAsChen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15). 
 Influencia de #DX centros nel AlxGa12xAs barrera na densidá de temperatura baxo y movilidá del gas d'electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructureYang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13). 
 Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma nel Schottky barrera na capa activa Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29). 
 Backgating Y Sensibilidá Llixera en GaAs Metal-Transistores d'Efeutu de Campu de Semiconductor Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01). 
 Dependencia d'Enerxía del fotón de SW Efeutu en α-Si:H PelículesTian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films". 
 Irradiación de neutrón-Métodu de Midida Basáu Infrarroxu pa Interstitial Osíxenu en Fuertemente Boro-Siliciu DopadoWang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01). 
 Propiedaes y Aplicaciones de GaAs el cristal Solu Crecíu so Microgravity CondicionesLin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions". 
 Resultaos preliminares de GaAs Crecedera de Cristal Solu so Condiciones de Gravedá AltaZhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tau, F. (1992-04-02). 
 Distribuciones espaciales d'Impureces y Defectos en Te-y Si-dopó GaAs Crecíu nuna Redolada de Gravedá Amenorgáu Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment". 
 Microdefects Y uniformidá llétrica de InP annealed en fósforu y fierro phosphide ambiancesZhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01). 
 Formación, estructura y fluorescencia de CdS grupos nun mesoporous zeolitaChen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01). 
 Fabrication De novel doble-hetero-epitaxial SOI estructura Si/γ-Al2O3/SiTan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01). 
 Photostimulated Luminiscencia de grupos de plata en zeolita-YChen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Lin, Jianhua; El so, Mianzeng (1997-08-04). 
 Carauterización de defectos y uniformidá d'oblea entera de annealed undoped semi-aislante InP obleesZhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30). 
 Bien embaxo-presión VLP-CVD crecedera calidable alta γ-Al2O3películes enriba siliciu por multi-proceso de camínTan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01). 
 Dalguna observación nueva na formación y propiedaes óptiques de CdS grupos en zeolita-YChen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01). 
 Absorción spectra de Segrupos de 8 aniellos en zeolita 5UnLin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15). 
 Crecedera de GaSb y GaAsSb na rexón de fase sola por MOVPELu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01). 
 Crecedera y propiedaes de pureza alta LPE-GaAsLanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs". 
 Centros de color nuevu y photostimulated luminiscencia de BaFCl:Eu2+Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; El so, Mianzeng (1998-01-01). 
 Channeling Analís de self-enllantáu y recrystallized siliciu enriba zafiruRenyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin. 
 Semi-Aislante GaAs crecíu n'espaciu esteriorChen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01). 
 Irradiación de neutrón indució photoluminescence de cristal de siliciu crecío n'hidróxenu ambientalLei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin. 
 La influencia de grosez en propiedaes de GaN buffer capa y fuertemente Si-dopó GaN crecíu por metalorganic vapor-fase epitaxyLiu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15). 
 La dependencia d'índiz de crecedera de GaN buffer capa enriba parámetros de crecedera por metalorganic vapor-fase epitaxyLiu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15). 
 Self-Organización del InGaAs/GaAs puntos cuánticos superlatticeZhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01). 
 Thermoluminescence De CdS grupos en zeolita-Y

 Referencies 

 Enllaces esternos 

Categoría:Científicos y científiques de China
Categoría:Políticos y polítiques de China
Categoría:Escritores de China
Categoría:Miembros del Partíu Comunista de China