ইলেক্ট্ৰনিকছ

ইলেক্ট্ৰনিকছ বা অণুবিদ্যুৎ হৈছে এটা বৈজ্ঞানিক আৰু অভিযান্ত্ৰিক শাখা যিয়ে পদাৰ্থ বিজ্ঞানৰ নীতিসমূহ অধ্যয়ন আৰু প্ৰয়োগ কৰি ইলেক্ট্ৰন আৰু অন্যান্য বৈদ্যুতিক আধানযুক্ত কণাসমূহক হেঁচা মাৰি ধৰা যন্ত্ৰৰ ডিজাইন, সৃষ্টি আৰু পৰিচালনা কৰে। ই পদাৰ্থ বিজ্ঞান আৰু বৈদ্যুতিক অভিযান্ত্ৰিকীৰ এটা উপক্ষেত্ৰ যিয়ে বৈদ্যুতিক প্ৰবাহৰ প্ৰবাহ নিয়ন্ত্ৰণ আৰু বৃদ্ধি কৰিবলৈ আৰু ইয়াক এটা ৰূপৰ পৰা আন এটা ৰূপলৈ ৰূপান্তৰিত কৰিবলৈ সক্ৰিয় যন্ত্ৰ যেনে ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ, ডাইঅ'ড আৰু সংহত বৰ্তনী ব্যৱহাৰ কৰে, যেনে বিকল্প প্ৰবাহ (AC) ৰ পৰা প্ৰত্যক্ষ বিদ্যুৎ প্ৰবাহ (DC) বা এনালগ সংকেতৰ পৰা ডিজিটেল সংকেতলৈ। 


ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰই আধুনিক সমাজৰ বহু দিশৰ বিকাশত যথেষ্ট প্ৰভাৱ পেলাইছে, যেনে দূৰসংযোগ, মনোৰঞ্জন, শিক্ষা, স্বাস্থ্যসেৱা, উদ্যোগ, আৰু নিৰাপত্তা। ইলেক্ট্ৰনিকছৰ উন্নতিৰ আঁৰৰ মূল চালিকা শক্তি হৈছে অৰ্ধপৰিবাহী উদ্যোগ, যিয়ে বিশ্বব্যাপী চাহিদাৰ প্ৰতি সঁহাৰি জনাই নিৰন্তৰভাৱে অধিক অত্যাধুনিক ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰ আৰু বৰ্তনী উৎপাদন কৰে। অৰ্ধপৰিবাহী উদ্যোগটো বিশ্ব অৰ্থনীতিৰ অন্যতম বৃহৎ আৰু লাভজনক খণ্ড, ২০১৮ চনত বাৰ্ষিক ৰাজহ ৪৮১ বিলিয়ন ডলাৰতকৈ অধিক।

 ইতিহাস আৰু বিকাশ 

১৮৭৪ চনত কাৰ্ল ফাৰ্ডিনাণ্ড ব্ৰাউনে প্ৰথম অৰ্ধপৰিবাহী যন্ত্ৰ স্ফটিক ডিটেক্টৰৰ বিকাশ আৰু ১৮৯৭ চনত ছাৰ জোচেফজন থমছনে ইলেক্ট্ৰন চিনাক্তকৰণৰ লগতে পৰৱৰ্তী সময়ত সৰু বৈদ্যুতিক সংকেত বৃদ্ধি আৰু শুধৰণি কৰিব পৰা ভেকুৱাম টিউবৰ আৱিষ্কাৰে ইলেক্ট্ৰনিকছ আৰু ইলেক্ট্ৰন যুগৰ ক্ষেত্ৰখন উদ্বোধন কৰে।https://www.uni-marburg.de/de/uniarchiv/unijournal/urvater-der-kommunikationsgesellschaft.pdf ব্যৱহাৰিক প্ৰয়োগ আৰম্ভ হয় ১৯০০ চনৰ আৰম্ভণিতে এম্ব্ৰ'জ ফ্লেমিংৰ দ্বাৰা ডাইঅ'ড আৰু লি ডি ফৰেষ্টে ট্ৰাইঅ'ডৰ আৱিষ্কাৰৰ পৰা, যাৰ ফলত সৰু বৈদ্যুতিক ভল্টেজ, যেনে ৰেডিঅ' এণ্টেনাৰ পৰা ৰেডিঅ' সংকেত ধৰা পেলোৱাটো ব্যৱহাৰিক হৈ পৰে। 

ভেকুৱাম টিউব (থাৰ্মাইনিক ভালভ) আছিল প্ৰথম সক্ৰিয় ইলেক্ট্ৰনিক উপাদান যিয়ে ব্যক্তিগত ইলেক্ট্ৰনৰ প্ৰবাহক প্ৰভাৱিত কৰি বিদ্যুৎ প্ৰবাহৰ প্ৰবাহ নিয়ন্ত্ৰণ কৰিছিল আৰু এনে সঁজুলি নিৰ্মাণ কৰিবলৈ সক্ষম কৰিছিল যিয়ে কাৰেণ্ট এম্প্লিফিকেশন আৰু ৰেক্টিফিকেচন ব্যৱহাৰ কৰি আমাক ৰেডিঅ', টেলিভিছন, ৰাডাৰ, দীৰ্ঘ দূৰত্বৰ টেলিফোনি আৰু বহুতো প্ৰদান কৰিছিল। ইলেক্ট্ৰনিকছৰ প্ৰাৰম্ভিক বৃদ্ধি দ্ৰুতগতিত হৈছিল আৰু ১৯২০ চনৰ ভিতৰত বাণিজ্যিক ৰেডিঅ' সম্প্ৰচাৰ আৰু দূৰসংযোগৰ প্ৰচলন হৈছিল আৰু ইলেক্ট্ৰনিক এম্প্লিফায়াৰসমূহ দীৰ্ঘ দূৰত্বৰ টেলিফোনি আৰু সংগীত ৰেকৰ্ডিং উদ্যোগৰ দৰে বৈচিত্ৰ্যময় প্ৰয়োগত ব্যৱহাৰ কৰা হৈছিল। 

ইয়াৰ পিছৰ ডাঙৰ প্ৰযুক্তিগত পদক্ষেপটোৰ আবিৰ্ভাৱ হ'বলৈ কেইবা দশক সময় লাগিছিল, যেতিয়া ১৯৪৭ চনতজন বাৰ্ডিন আৰু ৱালটাৰ হাউচাৰ ব্ৰেটেইনে বেল লেবত প্ৰথমটো কাম কৰা পইণ্ট -কণ্টাক্ট ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ উদ্ভাৱন কৰে। তেতিয়াৰ পৰাই কঠিন অৱস্থাৰ যন্ত্ৰই সম্পূৰ্ণৰূপে ঠাই লৈছে। ভেকুৱাম টিউব এতিয়াও কিছুমান বিশেষ প্ৰয়োগ যেনে উচ্চ শক্তিৰ আৰ এফ এম্প্লিফায়াৰ, কেথ'ড-ৰে টিউব, বিশেষজ্ঞ অডিঅ' সঁজুলি, গীটাৰ এম্প্লিফায়াৰ আৰু কিছুমান মাইক্ৰৱেভ ডিভাইচত ব্যৱহাৰ কৰা হয়।

১৯৫৫ চনৰ এপ্ৰিল মাহত আই বি এম ৬০৮ হৈছে কোনো ভেকুৱাম টিউব নথকা ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ চাৰ্কিট ব্যৱহাৰ কৰা আই বি এমৰ প্ৰথমটো সামগ্ৰী আৰু বাণিজ্যিক বজাৰৰ বাবে নিৰ্মাণ কৰা প্ৰথমটো সম্পূৰ্ণ ট্ৰেঞ্জিষ্টৰযুক্ত কেলকুলেটৰ বুলি বিশ্বাস কৰা হয়। ৬০৮ ত ৩,০০০ তকৈ অধিক জাৰ্মেনিয়াম ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ আছিল। থমাছ জে ৱাটছন জুনিয়ৰে ভৱিষ্যতে আই বি এমৰ সকলো সামগ্ৰীৰ ডিজাইনত ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ ব্যৱহাৰ কৰিবলৈ নিৰ্দেশ দিছিল। সেই সময়ৰ পৰা ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ প্ৰায় একান্তভাৱে কম্পিউটাৰ লজিক চাৰ্কিট আৰু পেৰিফেৰেল ডিভাইচৰ বাবে ব্যৱহাৰ কৰা হৈছিল। কিন্তু আৰম্ভণিৰ জংচন ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ তুলনামূলকভাৱে ডাঙৰ যন্ত্ৰ আছিল যিবোৰ গণ উৎপাদনৰ ভিত্তিত নিৰ্মাণ কৰাটো কঠিন আছিল, যাৰ বাবে ইহঁতক কেইবাটাও বিশেষ প্ৰয়োগত সীমাবদ্ধ কৰি ৰখা হৈছিল।

১৯৫৫ চনৰ পৰা ১৯৬০ চনৰ ভিতৰত বেল লেবত MOSFET উদ্ভাৱন কৰা হৈছিল। ইয়াৰ সুবিধাসমূহৰ ভিতৰত আছে উচ্চ স্কেলেবিলিটি,  ব্যয়সাধ্যতা,  কম শক্তি খৰচ আৰু উচ্চ ঘনত্ব। ই ইলেক্ট্ৰনিকছ উদ্যোগত বৈপ্লৱিক পৰিৱৰ্তন আনিছিল,  বিশ্বৰ আটাইতকৈ বেছি ব্যৱহৃত ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰ হিচাপে পৰিগণিত হৈছিল। বেছিভাগ আধুনিক ইলেক্ট্ৰনিক সঁজুলিৰ মূল উপাদান হৈছে MOSFET।

বৰ্তনীৰ জটিলতা বাঢ়ি অহাৰ লগে লগে সমস্যাৰ সৃষ্টি হ’ল। এটা সমস্যা আছিল বৰ্তনীৰ আকাৰ। কম্পিউটাৰৰ দৰে জটিল বৰ্তনী এটা গতিৰ ওপৰত নিৰ্ভৰশীল আছিল। যদি উপাদানবোৰ ডাঙৰ আছিল, তেন্তে ইহঁতক আন্তঃসংযোগ কৰা তাঁৰবোৰ দীঘল হ’ব লাগিব। বৈদ্যুতিক সংকেতবোৰ বৰ্তনীটোৰ মাজেৰে যাবলৈ সময় লাগিছিল, যাৰ ফলত কম্পিউটাৰটো লেহেমীয়া হৈছিল। জেক কিলবি আৰু ৰবাৰ্ট নয়েছে সংহত বৰ্তনীৰ আৱিষ্কাৰে অৰ্ধপৰিবাহী পদাৰ্থৰ একেটা ব্লক (একক)ৰ পৰা সকলো উপাদান আৰু চিপ তৈয়াৰ কৰি এই সমস্যা সমাধান কৰে। বৰ্তনীবোৰ সৰু কৰিব পৰা যাব, আৰু নিৰ্মাণ প্ৰক্ৰিয়াটো স্বয়ংক্ৰিয় কৰিব পৰা যাব। ইয়াৰ ফলত সকলো উপাদান একক-স্ফটিক চিলিকন ৱেফাৰত সংহতি কৰাৰ ধাৰণা আহিল, যাৰ ফলত ১৯৬০ চনৰ আৰম্ভণিতে ক্ষুদ্ৰ পৰিসৰৰ সংহতি (SSI) আৰু তাৰ পিছত ১৯৬০ চনৰ শেষৰ ফালে মধ্যম পৰিসৰৰ সংহতি (MSI) হয়, তাৰ পিছত VLSI . ২০০৮ চনত কোটি কোটি ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ প্ৰচেছৰ বাণিজ্যিকভাৱে উপলব্ধ হয়।

ডিভাইচ আৰু উপাদানসমূহ

ইলেক্ট্ৰনিক উপাদান হৈছে ইলেক্ট্ৰনিক ব্যৱস্থাৰ যিকোনো উপাদান সক্ৰিয় বা নিষ্ক্ৰিয়। উপাদানসমূহ একেলগে সংযোগ কৰা হয়, সাধাৰণতে প্ৰিণ্টেড চাৰ্কিট বৰ্ড (PCB) ত ছল্ডাৰ কৰি, এটা বিশেষ কাৰ্য্যৰ সৈতে ইলেক্ট্ৰনিক চাৰ্কিট সৃষ্টি কৰিবলৈ। উপাদানসমূহক এককভাৱে, বা অধিক জটিল গোটসমূহত সংহত বৰ্তনী হিচাপে পেকেজ কৰিব পাৰি। নিষ্ক্ৰিয় ইলেক্ট্ৰনিক উপাদানসমূহ হ'ল কেপাচিটৰ, ইণ্ডাক্টৰ, ৰেজিষ্টৰ, আনহাতে সক্ৰিয় উপাদানসমূহ হ'ল অৰ্ধপৰিবাহী যন্ত্ৰ; ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ আৰু থাইৰিষ্টাৰ, যিয়ে ইলেক্ট্ৰন স্তৰত বিদ্যুৎ প্ৰবাহ নিয়ন্ত্ৰণ কৰে।

বৰ্তনীৰ প্ৰকাৰ
ইলেক্ট্ৰনিক বৰ্তনীৰ ফলনক দুটা কাৰ্য্য গোটত ভাগ কৰিব পাৰি: এনালগ আৰু ডিজিটেল। এটা বিশেষ যন্ত্ৰ এনে বৰ্তনীৰে গঠিত হ'ব পাৰে য'ত দুয়োটা প্ৰকাৰৰ এটা বা মিশ্ৰণ থাকে। এনালগ বৰ্তনী কম সাধাৰণ হৈ পৰিছে, কাৰণ ইয়াৰ বহুতো কাৰ্য্য ডিজিটেলাইজ কৰা হৈছে। 

এনালগ বৰ্তনী
ডিজিটেল বৰ্তনীত ব্যৱহৃত বিচ্ছিন্ন স্তৰৰ বিপৰীতে এনালগ বৰ্তনীয়ে সংকেত প্ৰক্ৰিয়াকৰণৰ বাবে ভল্টেজ বা কাৰেণ্টৰ এক অবিৰত পৰিসৰ ব্যৱহাৰ কৰে। ৰেডিঅ' ৰিচিভাৰ আৰু ট্ৰেন্সমিটাৰৰ দৰে যন্ত্ৰত প্ৰথম বছৰবোৰত সমগ্ৰ ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰ এটাত এনালগ বৰ্তনী সাধাৰণ আছিল। ডিজিটেল প্ৰচেছিং উন্নত নোহোৱালৈকে অবিৰত চলকসমূহৰ সমস্যা সমাধানৰ বাবে এনালগ ইলেক্ট্ৰনিক কম্পিউটাৰ মূল্যৱান আছিল। 

অৰ্ধপৰিবাহী প্ৰযুক্তিৰ বিকাশৰ লগে লগে এনালগ বৰ্তনীৰ বহুতো কাৰ্য্য ডিজিটেল বৰ্তনীয়ে গ্ৰহণ কৰে আৰু সম্পূৰ্ণ এনালগ আধুনিক বৰ্তনী কম সাধাৰণ; ইহঁতৰ কাৰ্য্যসমূহক হাইব্ৰিড পদ্ধতিৰে সলনি কৰা হয় যিয়ে, উদাহৰণস্বৰূপে, এটা এনালগ সংকেত গ্ৰহণ কৰা এটা ডিভাইচৰ সন্মুখৰ মূৰত এনালগ বৰ্তনী ব্যৱহাৰ কৰে, আৰু তাৰ পিছত মাইক্ৰ'প্ৰচেছৰ কৌশল ব্যৱহাৰ কৰি ডিজিটেল প্ৰচেছিং ব্যৱহাৰ কৰে। 

কেতিয়াবা কিছুমান বৰ্তনীৰ শ্ৰেণীবিভাজন কৰাটো কঠিন হ’ব পাৰে যিবোৰৰ ৰৈখিক আৰু অৰৈখিক দুয়োটা কাৰ্য্যৰ মৌল থাকে। উদাহৰণস্বৰূপে ভল্টেজ তুলনাকাৰী যিয়ে ভল্টেজৰ এটা অবিৰত পৰিসৰ গ্ৰহণ কৰে কিন্তু ডিজিটেল বৰ্তনীৰ দৰে দুটা স্তৰৰ এটাহে আউটপুট কৰে। একেদৰে, এটা অভাৰড্ৰাইভন ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ এম্প্লিফায়াৰে এটা নিয়ন্ত্ৰিত চুইচৰ বৈশিষ্ট্য ল'ব পাৰে, মূলতঃ দুটা স্তৰৰ আউটপুট থাকে। 

এনালগ চাৰ্কিট এতিয়াও সংকেত পৰিবৰ্ধনৰ বাবে ব্যাপকভাৱে ব্যৱহাৰ কৰা হয়, যেনে মনোৰঞ্জন উদ্যোগত, আৰু এনালগ চেন্সৰৰ পৰা সংকেত কণ্ডিচনিং কৰিবলৈ, যেনে উদ্যোগিক জোখ-মাখ আৰু নিয়ন্ত্ৰণত। 

ডিজিটেল চাৰ্কিট
ডিজিটেল বৰ্তনী হৈছে বিচ্ছিন্ন ভল্টেজ স্তৰৰ ওপৰত ভিত্তি কৰি বৈদ্যুতিক বৰ্তনী। ডিজিটেল বৰ্তনীসমূহে বুলিয়ান বীজগণিত ব্যৱহাৰ কৰে আৰু ই সকলো ডিজিটেল কম্পিউটাৰ আৰু মাইক্ৰ’প্ৰচেছৰ ডিভাইচৰ ভিত্তি। ইয়াৰ ভিতৰত সৰল লজিক গেটৰ পৰা আৰম্ভ কৰি বৃহৎ ইণ্টিগ্ৰেটেড চাৰ্কিটলৈকে, এনে লাখ লাখ গেট ব্যৱহাৰ কৰা হয়। 

ডিজিটেল বৰ্তনীসমূহে লজিকেল অৱস্থা সূচাবলৈ "0" আৰু "1" লেবেলযুক্ত দুটা ভল্টেজ স্তৰৰ সৈতে এটা বাইনাৰী ব্যৱস্থা ব্যৱহাৰ কৰে। প্ৰায়ে লজিক "0" এটা কম ভল্টেজ হ'ব আৰু ইয়াক "নিম্ন" বুলি কোৱা হয় আনহাতে লজিক "1"ক "উচ্চ" বুলি কোৱা হয়। কিন্তু, কিছুমান ব্যৱস্থাপ্ৰণালীয়ে বিপৰীত সংজ্ঞা ব্যৱহাৰ কৰে ("0" হৈছে "উচ্চ") বা বৰ্তমান ভিত্তিক। যথেষ্ট সঘনাই লজিক ডিজাইনাৰজনে এই সংজ্ঞাসমূহক এটা বৰ্তনীৰ পৰা আন এটা বৰ্তনীলৈ উলটিব পাৰে, যিদৰে তেওঁলোকে নিজৰ ডিজাইন সহজ কৰি তুলিব পাৰে। স্তৰসমূহৰ সংজ্ঞা "0" বা "1" হিচাপে ইচ্ছাকৃত।

টেৰ্নেৰী (তিনিটা অৱস্থাৰ সৈতে) যুক্তিৰ অধ্যয়ন কৰা হৈছে, আৰু কিছুমান প্ৰ'ট'টাইপ কম্পিউটাৰ নিৰ্মাণ কৰা হৈছে, কিন্তু কোনো উল্লেখযোগ্য ব্যৱহাৰিক গ্ৰহণযোগ্যতা লাভ কৰা হোৱা নাই।. সৰ্বজনীনভাৱে কম্পিউটাৰ আৰু ডিজিটেল সংকেত প্ৰচেছৰসমূহ ইলেক্ট্ৰনিক লজিক গেটত থকা MOSFET ৰ দৰে ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ ব্যৱহাৰ কৰি বাইনাৰী অৱস্থা সৃষ্টি কৰিবলৈ ডিজিটেল বৰ্তনীৰ সৈতে নিৰ্মাণ কৰা হয়। 

লজিক গেট
এডাৰছ
ফ্লিপ-ফ্লপ
কাউণ্টাৰ
পঞ্জীয়ন
মাল্টিপ্লেক্সাৰ
শ্বমিটে ট্ৰিগাৰ কৰে

অতি সংহত ডিভাইচসমূহ:

মেমৰি চিপ
মাইক্ৰ'প্ৰচেছৰ
মাইক্ৰ’কণ্ট্ৰ’লাৰ
প্ৰয়োগ-নিৰ্দিষ্ট সংহত বৰ্তনী (ASIC)
ডিজিটেল সংকেত প্ৰচেছৰ (DSP)
ফিল্ড-প্ৰগ্ৰেমেবল গেট এৰে (FPGA)
ফিল্ড-প্ৰগ্ৰেমেবল এনালগ এৰে (FPAA)
চিপ অন চিষ্টেম (SOC)

ডিজাইন
ইলেক্ট্ৰনিক চিষ্টেম ডিজাইনে জটিল ইলেক্ট্ৰনিক ডিভাইচ আৰু চিষ্টেম, যেনে মোবাইল ফোন আৰু কম্পিউটাৰৰ বহু-বিষয়ক ডিজাইনৰ সমস্যাসমূহৰ সৈতে জড়িত। ইলেক্ট্ৰনিক ব্যৱস্থাৰ ডিজাইন আৰু বিকাশৰ পৰা আৰম্ভ কৰি ইয়াৰ সঠিক কাৰ্য্যকলাপ, সেৱা জীৱন আৰু নিষ্কাশন নিশ্চিত কৰালৈকে বিষয়টোৱে এক বহল বৰ্ণালী সামৰি লৈছে। ইলেক্ট্ৰনিক ব্যৱস্থাৰ ডিজাইন সেয়েহে ব্যৱহাৰকাৰীৰ নিৰ্দিষ্ট প্ৰয়োজনীয়তা পূৰণ কৰিবলৈ জটিল ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰৰ সংজ্ঞা আৰু বিকাশৰ প্ৰক্ৰিয়া। 

ইলেক্ট্ৰনিকছ তত্ত্বৰ জটিল প্ৰকৃতিৰ বাবে পৰীক্ষাগাৰৰ পৰীক্ষা-নিৰীক্ষা ইলেক্ট্ৰনিক যন্ত্ৰৰ বিকাশৰ এক গুৰুত্বপূৰ্ণ অংশ। এই পৰীক্ষাসমূহৰ সহায়ত অভিযন্তাৰ ডিজাইন পৰীক্ষা বা পৰীক্ষা কৰা হয় আৰু ভুল ধৰা পেলোৱা হয়। ঐতিহাসিকভাৱে ইলেক্ট্ৰনিক্স লেবসমূহ এটা ভৌতিক স্থানত অৱস্থিত ইলেক্ট্ৰনিক্স ডিভাইচ আৰু সঁজুলিৰে গঠিত, যদিও শেহতীয়া বছৰবোৰত ইলেক্ট্ৰনিক্স লেব চিমুলেচন চফ্টৱেৰৰ দিশত প্ৰৱণতা হৈছে, যেনে চাৰ্কিটলজিক্স, মাল্টিচিম, আৰু পিএছপাইচ। 

কম্পিউটাৰ সহায়ক ডিজাইন
আজিৰ ইলেক্ট্ৰনিক্স অভিযন্তাসকলে পূৰ্বতে নিৰ্মিত বিল্ডিং ব্লক যেনে শক্তি যোগান, অৰ্ধপৰিবাহী (অৰ্থাৎ অৰ্ধপৰিবাহী যন্ত্ৰ, যেনে ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ), আৰু সংহত বৰ্তনী ব্যৱহাৰ কৰি বৰ্তনী ডিজাইন কৰাৰ ক্ষমতা আছে। ইলেক্ট্ৰনিক ডিজাইন অটোমেচন চফ্টৱেৰ প্ৰগ্ৰেমসমূহৰ ভিতৰত আঁচনিমূলক কেপচাৰ প্ৰগ্ৰেম আৰু প্ৰিণ্টেড চাৰ্কিট বৰ্ড ডিজাইন প্ৰগ্ৰেম অন্তৰ্ভুক্ত। ইডিএ চফট্ ৱেৰ জগতৰ জনপ্ৰিয় নামসমূহ হ'ল এন আই মাল্টিচিম, কেডেন্স (ORCAD), ইগল পিচিবি আৰু আঁচনি, মেণ্টৰ (PADS PCB আৰু LOGIC Schematic), আলটিয়াম (Protel), LabCentre Electronics (Proteus), gEDA, KiCad আৰু বহুতো। 

নেতিবাচক গুণ
তাপ ব্যৱস্থাপনা
ইলেক্ট্ৰনিক বৰ্তনীৰ দ্বাৰা উৎপন্ন তাপ তাৎক্ষণিক বিকলতা ৰোধ কৰিবলৈ আৰু দীৰ্ঘম্যাদী নিৰ্ভৰযোগ্যতা উন্নত কৰিবলৈ অপচয় কৰিব লাগিব। তাপ অপচয় বেছিভাগেই নিষ্ক্ৰিয় পৰিবাহী/সংবহনৰ দ্বাৰা সম্ভৱ হয়। অধিক অপচয় লাভ কৰাৰ উপায়সমূহৰ ভিতৰত বায়ু শীতল কৰাৰ বাবে হিট ছিংক আৰু ফেন, আৰু কম্পিউটাৰ শীতল কৰাৰ অন্যান্য ধৰণৰ যেনে পানী শীতল কৰা আদি অন্তৰ্ভুক্ত। এই কৌশলত তাপ শক্তিৰ সংবহন, পৰিবাহী আৰু বিকিৰণ ব্যৱহাৰ কৰা হয়। 

হুলস্থূল
ইলেক্ট্ৰনিক শব্দক সংজ্ঞায়িত কৰা হয়IEEE Dictionary of Electrical and Electronics Terms  এটা উপযোগী সংকেতৰ ওপৰত ৰখা অবাঞ্চিত বিঘিনি যিয়ে ইয়াৰ তথ্যৰ বিষয়বস্তু অস্পষ্ট কৰি পেলোৱাৰ প্ৰৱণতা থাকে। শব্দ আৰু বৰ্তনীৰ ফলত হোৱা সংকেত বিকৃতি একে নহয়। শব্দ সকলো ইলেক্ট্ৰনিক বৰ্তনীৰ সৈতে জড়িত। শব্দ বিদ্যুৎচুম্বকীয় বা তাপীয়ভাৱে উৎপন্ন হ’ব পাৰে, যিটো বৰ্তনীৰ কাৰ্য্যকৰী উষ্ণতা হ্ৰাস কৰিলে হ্ৰাস কৰিব পাৰি। আন ধৰণৰ শব্দ, যেনে শ্বটৰ শব্দ আঁতৰাব নোৱাৰি কাৰণ সেইবোৰ ভৌতিক ধৰ্মৰ সীমাবদ্ধতাৰ বাবে হয়। 

পেকেজিং পদ্ধতি
বছৰ বছৰ ধৰি উপাদানসমূহ সংযোগ কৰাৰ বহুতো ভিন্ন পদ্ধতি ব্যৱহাৰ কৰা হৈছে। উদাহৰণস্বৰূপে, প্ৰাথমিক ইলেক্ট্ৰনিকছত প্ৰায়ে ব্যৱহৃত পইণ্ট টু পইণ্ট তাঁৰযুক্ত কাঠৰ ব্ৰেডবৰ্ডত সংলগ্ন উপাদানৰে বৰ্তনী নিৰ্মাণ কৰা হয়। কৰ্ডউড নিৰ্মাণ আৰু তাঁৰৰ মেৰিয়াই লোৱা আন পদ্ধতি আছিল। আধুনিক যুগৰ বেছিভাগ ইলেক্ট্ৰনিকছত এতিয়া FR4, বা সস্তা (আৰু কম কঠিন) চিন্থেটিক ৰেজিন বণ্ডেড পেপাৰ (SRBP, যাক Paxoline/Paxolin (ট্ৰেডমাৰ্ক) আৰু FR2 বুলিও কোৱা হয়) – ইয়াৰ বাদামী ৰঙৰ দ্বাৰা নিৰ্মিত প্ৰিণ্টেড চাৰ্কিট বৰ্ড ব্যৱহাৰ কৰা হয়। ইলেক্ট্ৰনিকছ সমাবেশৰ সৈতে জড়িত স্বাস্থ্য আৰু পৰিৱেশৰ চিন্তাই শেহতীয়া বছৰবোৰত অধিক মনোযোগ লাভ কৰিছে, বিশেষকৈ ইউৰোপীয় বজাৰলৈ যোৱাৰ নিয়তিত সামগ্ৰীৰ বাবে। 

বৈদ্যুতিক উপাদানসমূহ সাধাৰণতে নিম্নলিখিত ধৰণে মাউণ্ট কৰা হয়:

থ্ৰু-হোল (কেতিয়াবা ‘পিন-থ্ৰু-হোল’ বুলিও কোৱা হয়)
ছাৰ্ফেচ মাউণ্ট
চেছিছ মাউণ্ট 
ৰেক মাউণ্ট
এলজিএ / বিজিএ / পিজিএ চকেট

উদ্যোগ
ইলেক্ট্ৰনিকছ উদ্যোগটো বিভিন্ন খণ্ডৰে গঠিত। সমগ্ৰ ইলেক্ট্ৰনিকছ উদ্যোগৰ আঁৰৰ কেন্দ্ৰীয় চালিকা শক্তি হৈছে অৰ্ধপৰিবাহী উদ্যোগ খণ্ড, যাৰ বাৰ্ষিক বিক্ৰী ২০১৮ চনলৈকে ৪৮১ বিলিয়ন ডলাৰৰ ওপৰত ফিল্ড-ইফেক্ট ট্ৰেঞ্জিষ্টৰ (MOSFET), ১৯৬০ চনৰ পৰা ২০১৮ চনৰ ভিতৰত প্ৰায় ১৩টা ছেক্সটিলিয়ন MOSFET নিৰ্মাণ কৰা হৈছে। কিন্তু ১৯৮০ চনৰ ভিতৰত আমেৰিকাৰ নিৰ্মাতা কোম্পানীসমূহে অৰ্ধপৰিবাহী বিকাশ আৰু সমাবেশৰ ক্ষেত্ৰত বিশ্বৰ আগশাৰীৰ স্থান লাভ কৰে।

কিন্তু ১৯৯০ চনৰ ভিতৰত আৰু তাৰ পিছত উদ্যোগটো অতিশয় পূব এছিয়ালৈ স্থানান্তৰিত হয় (১৯৭০ চনত তাত মাইক্ৰ’চিপ গণ উৎপাদনৰ প্ৰাৰম্ভিক গতিবিধিৰ পৰা আৰম্ভ হোৱা এই প্ৰক্ৰিয়া), কাৰণ তাত প্ৰচুৰ পৰিমাণে, সস্তীয়া শ্ৰম আৰু ক্ৰমান্বয়ে প্ৰযুক্তিগত কৌশলগততা বহুলভাৱে উপলব্ধ হ’ল।Shih, Willy (Harvard Business School): "Congress Is Giving Billions To The U.S. Semiconductor Industry. Will It Ease Chip Shortages?" Forbes, August 3, 2022. Archived at https://web.archive.org/web/20230703102256/https://gum.criteo.com/syncframe?origin=publishertag&topUrl=www.forbes.comLewis, James Andrew: "Strengthening a Transnational Semiconductor Industry", Center for Strategic and International Studies (CSIS), June 2, 2022. Archived at https://web.archive.org/web/20220913013518/https://www.csis.org/analysis/strengthening-transnational-semiconductor-industry

তিনি দশকৰ ভিতৰত আমেৰিকাৰ অৰ্ধপৰিবাহী উৎপাদন ক্ষমতাৰ বিশ্বব্যাপী অংশীদাৰিত্ব ১৯৯০ চনত ৩৭%ৰ পৰা ২০২২ চনত ১২% লৈ হ্ৰাস পায়।

সেই সময়লৈকে টাইৱান উন্নত অৰ্ধপৰিবাহীৰ বিশ্বৰ আগশাৰীৰ উৎস হৈ পৰিছিল — তাৰ পিছত দক্ষিণ কোৰিয়া, আমেৰিকা, জাপান, ছিংগাপুৰ আৰু চীন।

গুৰুত্বপূৰ্ণ অৰ্ধপৰিবাহী উদ্যোগৰ সুবিধাসমূহ (যিবোৰ প্ৰায়ে অন্য ঠাইত ভিত্তি কৰি আগশাৰীৰ উৎপাদকৰ সহযোগী কোম্পানী) ইউৰোপ (উল্লেখযোগ্যভাৱে নেদাৰলেণ্ড), দক্ষিণ-পূব এছিয়া, দক্ষিণ আমেৰিকা আৰু ইজৰাইলতো আছে।

তথ্যসূত্ৰ
শ্ৰেণী:প্ৰযুক্তি