قائمة الرموز الرسومية لأجهزة أشباه الموصلات

هذه قائمة الرموز الرسومية لأجهزة أشباه المُوصِلات ، وهي جزء من معيار معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات المُسمّى: "رموز رسومية للمخططات الإلكترونية والكهربائية"، والمعروف اختصاراً بالاسم الرمزي "IEEE 315".IEEE 315, p. 1 بشكل عام، الرموز الرسوميّة في الهندسة الكهربائية هي طريقة اختزال تستعمل لإظهار وظيفة أو اتصال بيني لدارة ما بشكل رسومي، وقد يُمثل الرمز الرسومي دالة لجزء من دارة. أما شبه المُوصِل، أو نصف الناقل، فهو مادة صلبة لها موصلية تقع بين موصلية العازل وموصلية أكثر المعادن، إما بسبب إضافة شائبة أو بسبب تأثيرات الحرارة.

اعتمد معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات المعيار الأصيل في العام 1975م، ثم أعيد تنسيقه وتوسيعه في العام 1993 ليصبح بشكله الحالي. في هذا المعيار، تبدأ فهارس جميع الرموز الرسومية لأجهزة أشباه الموصلات بالرقم 8، وتضم قائمة الرموز الظرفية 11 عائلة فرعية من الرموز، ويشير الرقم الثاني في الفهرس إلى عائلة الرموز الفرعية التي ينتمي إليها الرمز.IEEE 315, p. 111-131

بالإمكان الاطلاع على تطبيق عملي لهذه الرموز في وثيقة المعهد الأمريكي للمعايير القومية المعنونة: "مخططات كهربائية وإلكترونية"، والتي نُشرت في العام 1966م تحت الاسم الرمزي "USAS Yl4.l5-1966".

 معلومات عامة عن كيفية قراءة القائمة: 
 الرموز كلها مُرقّمة ترقيماً مُفهرساً. قُسِّم الفهرس إلى 22 قسماً، تمثل 22 مجموعة من الرموز الرسوميّة، ثُمّ جُزئ كل قسم إلى عوائل فرعيّة بحسب نوع الرموز فيه.
 الفهارس المكتوبة على خلفية بنفسجية، تشير إلى الرموز المُعتمدة من طرف اللجنة الكهروتقنية الدولية."IEC 60617:2012 DB Graphical symbols for diagrams", 2012. 
 الأسماء المكتوبة بالخط مائل: مثال، تشير إلى التسمية المعتمدة في دليل تصنيف المُعرّفات اليدوي الفيدرالي .
 التعبير: مثال تطبيقي، يعني أن الرمز يجمع بين رمزين أو أكثر من رموز المعيار. لا يضّم المعيار جميع الاحتمالات الممكنة للأمثلة التطبيقيّة، ومن الممكن بناء أمثلة تطبيقية أخرى غير موجودة في هذا المعيار.

 معلومات عامة عن كيفية استعمال الرموز الرسومية: 
 ما لم يُذكر خلاف ذلك، يمكن تطبيق الانعكاس المرآتي على رموز الرسوم من غير أن يؤثر ذلك على دلالتها، وفي هذه الحالة لا يُطبَّق الانعكاس على الأحرف والأرقام.
 لا تؤثر ثخانة الخطوط على معنى الرمز، ولكن قد يستخدم خط أكثر ثخانة في بعض الحالات لتعزيز مفهوم ما.
 لا تؤثر زوايا تقاطع الخطوط على وظيفة الرمز الرسومي ما لم يُشر لذلك صراحة.
 جميع الرموز مرسومة على لوحة ذات أبعاد (100x100) بكسل، وثخانة خط الرسم هي 1 بكسل.
 يمكن رسم رموز عناصر أصغر أو أكبر بحسب الحاجة، ويمكن أيضاً، في مخطط ما تصغير أو تكبير بعض الرموز بالنسبة للبقية، ومن المستحسن استعمال قياسين للرموز فقط لا غير ضمن مخطط واحد.
 جميع رموز العناصر مرسومة بأبعاد نسبية متناسبة، ويجب الحفاظ على هذه الأبعاد النسبية عند تكبير أو تصغير الرموز.
 يوجد شكلان من رؤوس الأسهم في هذا المعيار، الأسهم ذات الرؤوس المفتوحة (🡐) والأسهم ذات الرؤوس المغلقة (🠘).
 أجهزة أشباه الموصلات: الترانزستور، ثنائي المساري 

 تُعرض رموز أشباه المُوصِلات في هذه القائمة حسب ثلاث أساليب للتمثيل:IEEE 315, p. 111

 الأسلوب 1: الرموز مكونة من رموز العناصر الرئيسة التي تظهر البنية الداخلية للجهاز. الأسلوب 1 هو أسلوب التمثيل الافتراضي،أي إذا لم يُذكر الأسلوب، فهو الأسلوب الأول.
 الأسلوب 2: تمزج الرموز (خاصةً أجهزة ثنائيات المساري) رموز الميزات الخاصة مع رموز العناصر الرئيسة، وذلك عوضاً عن إظهار رمز الميزة الرئيسة إلى جانب رمزٍ ممثل بالأسلوب 1.
 الأسلوب 3: تتكون الرموز من رموز عناصر تُمثِّل وظيفة الجهاز بغض النظر عن الطريقة التي تؤدَّى بها هذه الوظيفة.

 لا يهدف استعمال الأرقام أو الحروف الموجودة بين أقواس إلى تحديد النهايات الطرفية، ولكنه يُستعمل لإظهار الروابط بين الرسوم المستعملة في القائمة.
 لا يغير اتجاه الرمز من معناه، ولا يتغير المعنى لو عُكس الرمز انعكاساً مرآتياً.
 لو وُجد تتابع ما عند رسم عناصر الرمز، فيلزم الحفاظ عليه لإظهار وظيفة الجهاز إظهاراً واضخاً.

 رموز عناصر أجهزة أشباه الموصلات 

 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.2.1 100بك  منطقة شبه موصل مع تلامس أومي وحيد  Semiconductor region with one ohmic connection   
 الخط الأفقي هو منطقة شبه الموصل و الخط الشاقولي هو التلامس الأومي.
 لا يُحبَّذ رسم الخط الذي يمثل التلامس الأومي في النهاية الطرفية القصوى للخط الذي يمثل منطقة شبه الموصل. 8.2.1.1  100بك  منطقة شبه موصل مع تلامسات أومية متعددة  Semiconductor region with a plurality of ohmic connections  تُظهر الأمثلة تلامسين. 100بك 100بك 8.2.2 
 يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.
 يُحبَّذ أن يكون المثلث متساوي الأضلاع مملوءاً وأن يمس منطقة الأساس شبه الموصل. 8.2.2.1  100بك  وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة P ومنطقة N  Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، P region N region  - 100بك  - 8.2.2.2  100بك  وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة N ومنطقة P  Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، N region P region  - 100بك  - 8.2.3 100بك  منطقة شبه موصل من النوع المحسن مع تلامسات أومية متعددة ووصلة تقويم  Enhancement-type semiconductor region with plurality of ohmic connections and a rectifyingele junction   
 يُحبَّذ أن تُرسم أجزاء خط القناة المتقطِّع الذي يضم تلامسات أومية أطول بوضوح مقارنةً مع قسم القناة المركزي. 
 يُحبَّذ أن تكون فجوات القناة متساوية الطول ومساوية تقريباً لطول القناة المركزي. 8.2.4 
 يُمثِّل الخطُ المائل ذو السهم الباعثَ. يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم في رموز البواعث من النوعين N و  P مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.
 يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر الباعث بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل. 8.2.4.1 100بك  باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصلية، باعث من النوع P على منطقة من النوع N  Emitter on region of dissimilar-conductivity type, P emitter on N region  - 8.2.4.1.1 100بك  بواعث P متعددة على منطقة N   Plurality of P emitters on N region  - 8.2.4.2 100بك  باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه في الموصلية، باعث N على منطقة P  Emitter on region of dissimilar-conductivity type, N emitter on P region  - 8.2.4.2.1 100بك  بواعث N متعددة على منطقة P   Plurality of N emitters on P region  - 8.2.5 100بك مُجمِّع على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصلية  Collector on region of dissimilar-conductivity type  
 يُمثِّل الخطُ المائل المُجمِّع.
 يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر المُجمِّع بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل. 8.2.5.1 100بك  مُجمِّعات مُتعدِّدة على منطقة ذات نوع غير متشابه معها في الموصلية   Plurality of collectors on region of dissimilar-conductivity type  - 8.2.6 100بك  انتقال بين مناطق ذات أنواع غير متشابهة في الموصلية، إما P إلى N أو N إلى P   Transition between regions of dissimilar-conductivity types, either P to N or N to P  
 يُحدِّد الخط القصير المائل النقطة التي يحصل فيها التغيير على الخط الأفقي من P إلى N أو من N إلى P. 
 لا يُحبَّذ عمل أي تلامسات مع الخط القصير المائل.
 يُحبَّذ أن تُرسم رموز عناصر الانتقال بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.
 يُحبَّذ أن تكون الخطوط القصيرة المستعملة في رموز الانتقال أقصر قصراً ملحوظاً من رمزي المُجمِّع أو الباعث. 8.2.7 
 منطقة ذاتية حملة الشحنات بين منطقتين
 تقع المنطقة الذاتية بين الخطين المائلين المتصلين. 8.2.7.1 100بك  بين منطقتين ذات نوعين غير متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIN  أو NIP   Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIN or NIP  - 8.2.7.2 100بك  بين منطقتين ذات نوعين متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIP  أو NIN   Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN  - 8.2.7.3 100بك  بين مجمع ومنطقة ذات نوع غير متشابه مع في الموصلية، أي إما PIN أو NIP   Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN  يُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول. 8.2.7.4 100بك  بين مجمع ومنطقة ذات نوع متشابه معه الموصلية، أي إما PIP أو NIN   Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN  يُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول. 8.2.8 
 بوابة معزولة.
 يُرسم عنصر البوابة المعزولة على شكل حرف L اللاتيني، ويُفصل بفراغ عن القناة الواصلة بين التلامسات الأومية ويكون موازياً لها.
 تُرسَم زاوية عنصر البوابة في مقابل تلامس المنبع الأومي المُفضَّل. 8.2.8.1 100بك  بوابة واحدة   One gate  - 8.2.8.2 100بك  بوابات مُتعدِّدة   Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN  
 تظهر بوابتان في المثال.
 تُرسم عناصر البوابات المعزولة بأي طول مناسب كافٍ لإظهار البوابة.
 يُرسم عنصر البوابة المعزولة مقابلاً للمنبع المُفضَّل بصفته بوابةً رئيسة، أما البوابات الإضافية، فهي بوابات ثانوية. 8.2.9 
 بوابة، مسرى تحكُّم كهربائي.
 تُستعمل حصراً مع رموز الأسلوب 3.
 يُحبَّذ أن يُرسم عنصر البوابة بزاوية قرابة 30 درجة مع محور رمز ثنائي المساري، ويُحبّّذ أن تلمس المِصعد أو المهبط في نقطة تقع تقريباً في منتصف الخط الواصل بين الخط المركزي للرمز ورمز النهاية الطرفية للمصعد أو للمهبط. 8.2.9.1 
بوابة (تلامس خارجي). 8.2.9.1.1 100بك  عام   General  رمز عام 8.2.9.1.2 100بك  ذات ميزة إيقاف  Having a turn-off gate  
يُحبَّذ أن تُحدد الميزة الخاصة بواسطة خط قصير يقطع سلك البوابة. 8.2.9.2 100بك  بوابة (من غير تلامس خارجي)  Gate (no external connection)  
لا يُحبَّذ أن يمتد السلك إلى غلاف الرمز، إن وُجد، لغياب التلامس الخارجي مع البوابة.

 مؤشرات لميزات خاصة 
 تُحبَّذ، لو كان ضرورياً الإشارة إلى ميزة خاصة، أو وظيفة، جوهرية لعمل الدارة بإحدى طريقتين:IEEE 315, p. 116
 بواسطة رمز إضافي يوضع ضمن المُغلَّف أو بجانب الرمز، كما في رموز الأسلوب 1.
 يُضمَّن بصفته جزءاً من الرمز، كما في رموز الأسلوب 2.
 إن اتجاهية المؤشرات للميزات الخاصة في الأسلوب 1 بالنسبة للرمز الأساس ذات دلالة، ويؤدي تغييرها إلى تغيير في معنى الرمز.
 الرموز في هذا القسم متوافقة مع الأسلوب 1.
 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.3.1 100بك   انهياري   Breakdown  لا يُدوَّر ولا يُستعمل في أشكال منعكسة مرآتياً. 8.3.2 100بك  نفقي   Tunneling  - 8.3.3 100بك  عكسي   Backward  - 8.3.4 100بك سعوي   Capacitive  -

 قواعد رسم الرموز وفقاً للأسلوب الأول 

 يُبدأ، عند رسم رمز جهاز ما، من المسرى الكهربائي الذي تكون قطبيته معلومة، وغالباً ما يكون الباعث، ثُمَّ تتواصل العملية لعرض مناطق الجهاز منفصلة، وتضاف التلامسات الأومية في المرحلة الأخيرة.
 ترتبط الحروف والأرقام والكلمات الموجودة بين أقواس بالشروح في المعيار، ولا يُقصد بها ترقيم نهاية الأجهزة الطرفية أو تعريفها، وهي ليست جزءاً من الرمز.

+ أسماء النهايات الطرفية ورموزهاIEEE 315, p. 117 اسم النهاية الطرفية  الاسم الإنكليزية  الحرف   اسم النهاية الطرفية  الاسم الإنكليزية  الحرف  مِصعَد  Anode  A   قاعدة  Base  B  مُجمِّع  Collector  C   مَصرِف  Drain  D  باعث  Emitter  E   بوابة  Gate  G  مِهبَط  Cathod  K   مَنبَع  Source  S  نهاية طرفية رئيسة  Main Terminal  T  مِصعَد  Substrate (bulk)  U

 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.4.1 100بك  ترانزستور PNP   PNP Transistor  مثال عن جهاز ثلاثي العناصر. 8.4.1  100بك  
 مثال عن جهاز ثلاثي العناصر.
 إنشاء الرمز باستعمال الرموز 8.2.1 و8.2.4.1 و8.2.5 تتابعاً. 8.4.2 100بك  جهاز PNINIP   PNINIP device   مثال عن جهاز معقد متعدد البواعث ومتعدد القواعد. 8.4.2 100بك  
 مثال عن جهاز معقد متعدد البواعث ومتعدد القواعد.
 إنشاء الرمز باستعمال الرموز 8.2.1.1 و8.2.4.1.1 و8.2.7.2 و8.2.7.3 تتابعاً.

 أمثلة لتطبيقات 
 ثنائية النهايات الطرفية 

 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.5.1 100بك    ثنائي مساري شبه مُوصِل، ثنائي مساري مُقوِّم شبه مُوصِل، مُقوِّم فلزي   Semiconductor diode; semiconductor rectifier diode; metallic rectifier - 8.5.2  100بك  ثنائي مساري سعوي (متغير السعة)  Capacitive diode (varactor)  - 8.5.2  100بك  - 8.5.3 100بك  ثنائي مساري مرتبط بدرجة الحرارة   Temperature-dependent diode  - 8.5.4  
ثنائي مساري ضوئي 8.5.4.1 100بك  النوع المُستشعِر للضوء  Photosensitive type  - 8.5.4.2 100بك  النوع الباعث للضوء  Photoemissive type  - 8.5.4.3  
ثنائي مساري ضوئي ثنائي الاتجاه، ثنائي مساري ضوئي مزدوج - (النوع المُستشعِر للضوء) 8.5.4.3.1 100بك  النوع NPN  NPN type  - 8.5.4.3.2 100بك  النوع PNP  PNP type  - 8.5.4.4 100بك  النوع المُستشعِر للضوء: قطعتان، مع سلك مهبط مشترك  Photosensitive type - 2-segment, with common cathode lead  - 8.5.4.5 100بك  النوع المُستشعِر للضوء: أربع ثنائيات مساري مع سلك مهبط مشترك  Photosensitive type - 4-quadrant, with common cathode lead  - 8.5.5 100بك  ثنائي مساري تخزين  Storage diode  - 8.5.6  
ثنائي مساري انهياري، ماص للجهد الفائض 8.5.6.1  100بك  ثنائي مساري وحيد الاتجاه، مُنظِّم جهد  Unidirectional diode; voltage regulator   الأسلوب 1. 100بك   الأسلوب 1. 100بك   الأسلوب 2. 8.5.6.2  100بك  ثنائي مساري ثنائي الاتجاه  Bidirectional diode   الأسلوب 1. 8.5.6.2 100بك   الأسلوب 2. 8.5.6.3  
ثنائي مساري انهياري سالب المقاومة وحيد الاتجاه 8.5.6.3.1 100بك  النوع NPN  NPN-type  - 8.5.6.3.2 100بك  النوع PNP  PNP-type  - 8.5.4.3  
ثنائي مساري انهياري سالب المقاومة ثنائي الاتجاه 8.5.6.4.1 100بك  النوع NPN  NPN-type  - 8.5.6.4.2 100بك  النوع PNP  PNP-type  - 8.7.1  
ثنائيات مساري نفقية وعكسية 8.5.7.1  100بك  ثنائي مساري نفقي  Tunnel diode   الأسلوب 1. 8.5.7.1  100بك   - 8.5.7.1  100بك   الأسلوب 2. 8.5.7.2  100بك   ثنائي عكسي، مُقوِّم نفقي  Backward diode; tunnel rectifier   الأسلوب 1. 100بك   - 100بك   الأسلوب 2. 8.5.8  
المِقداح (ثايرستور)، من نوع ثنائي المساري عكسي المنع 8.5.8.1  100بك  عام  General   الأسلوب 1. 8.5.8.1  100بك   - 8.5.8.1  100بك   الأسلوب 3. 8.5.8.2  100بك  النوع المُفعَّل ضوئياً  Light-activated type  الأسلوب 1. 8.5.8.2  100بك   - 8.5.8.2  100بك   الأسلوب 3. 8.5.9 100بك    مِقداح (ثايرستور): من النوع ثنائي المساري وثنائي الاتجاه، مفتاح ثنائي  Thyristor, bidirectional diode-type; bi-switch - 8.5.10  100بك   ترانزستور ضوئي (النوع NPN)   Phototransistor (NPN-type) من غير تلامس خارجي للقاعدة. 8.5.11  100بك  مُقوِّم تيار   Current regulator - 8.5.12  100بك  ثنائي مساري من النوع PIN   PIN-type diode - 8.5.13  100بك ثنائي مساري مُعوِّض خطوة  Step recovery diode regulator -

 ثلاثية الأطراف أو أكثر 
 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.6.1 100بك   ترانزستور PNP    PNP transistor  أيضاً ترانزستور PNIP، إذا كان إهمال منطقة حملة الشحنات الذاتية لن يسبب غموضاً. 8.6.1.1 100بك  -   -  مثال تطبيقي: ترانزستور PNP يلامس أحد مساريه الكهربائية مغلف الإحاطة (مسرى المُجمِّع في هذه الحالة). 8.6.2 100بك   ترانزستور NPN   NPN transistor  أيضاً ترانزستور NPIN، إذا كان إهمال منطقة حملة الشحنات الذاتية لن يسبب غموضاً. 8.6.2.1 100بك  -  -  مثال تطبيقي: ترانزستور NPN مع بواعث متعددة (تظهر 4 بواعث). 8.6.3 100بك  ترانستور NPN مع قاعدة مستعرضة التحييز  NPN transistor with transverse-biased base  - 8.6.4 100بك  ترانزستور PNIP مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنة  PNIP transistor with ohmic connection to the intrinsic region.  - 8.6.5 100بك  ترانزستور NPIN مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنة  NPIN transistor with ohmic connection to the intrinsic region  - 8.6.6 100بك  ترانزستور PNIN مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنة PNIN transistor with ohmic connection to the intrinsic region  - 8.6.7 100بك  ترانزستور NPIP مع تلامس أومي للمنطقة ذاتية حوامل الشحنة NPIP transistor with ohmic connection to the intrinsic region  - 8.6.8 100بك  ترانزستور وحيد الوصلة مع قاعدة من النوع N Unijunction transistor with N-type base  - 8.6.9 100بك  ترانزستور وحيد الوصلة مع قاعدة من النوع P Unijunction transistor with P-type base  - 8.6.10  
ترانزستور الأثر الحقلي مع قناة N (بوابة وصل وبوابة معزولة) 8.6.10.1 100بك بوابة وصل ذات قناة من النوع N N-channel junction gate  - 8.6.10.1 100بك  عنصر بوابة الوصل في مقابل المنبع المُفضَّل 8.6.10.2 100بك   جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) غير فعَّالة N-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, passive-bulk (substrate) three-terminal device  - 8.6.10.3 100بك  جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة تنتهي داخلياً إلى المنبع N-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) internally terminated to source, three-terminal device  - 8.6.10.4 100بك  جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبع N-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device  - 8.6.10.4.1 100بك  - -   مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة N مُفتقِر النوع. 8.6.10.5 100بك  جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة N مُحسَّن النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبع N-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device  - 8.6.10.5.1 100بك  - -   مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة N مُحسَّن النوع. 8.6.11  
ترانزستور الأثر الحقلي مع قناة P (بوابة وصل وبوابة معزولة) 8.6.11.1 100بك بوابة وصل ذات قناة من النوع P P-channel junction gate  - 8.6.11.1 100بك  عنصر بوابة الوصل في مقابل المنبع المُفضَّل. 8.6.11.2 100بك   جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) غير فعَّالة P-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, passive-bulk (substrate) three-terminal device  - 8.6.11.3 100بك  جهاز ثلاثي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة تنتهي داخلياً إلى المنبع P-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) internally terminated to source, three-terminal device  - 8.6.11.4 100بك  جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مفتقر النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبع P-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device  - 8.6.11.4.1 100بك  - -   مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة P مُفتقِر النوع. 8.6.11.5 100بك  جهاز رباعي الطرفيات ذو بوابة معزولة ذات قناة P مُحسَّن النوع، ووحيد البوابة، بركيزة (أساس) فعّالة، تنتهي خارجياً إلى المنبع P-channel insulated-gate, depletion-type, single-gate, active-bulk (substrate) externally terminated, four-terminal device  - 8.6.11.5.1 100بك  - -   مثال تطبيقي: جهاز خماسي الطرفيات ذو بوابتين معزولتين ذات قناة P مُحسَّن النوع. 8.6.12  
مقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، ذو بوابة من النوع N، أو مقوم متحكم به شبه موصل ذو بوابة من النوع N. 8.6.12.1 100بك عام General  الأسلوب 1. 8.6.12.1 100بك  الأسلوب 3. 8.6.12.2 100بك  ذو بوابة إيقاف Gate turn-off type  الأسلوب 3. 8.6.13  
مقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، ذو بوابة من النوع P، أو مقوم متحكم به شبه موصل ذو بوابة من النوع P. 8.6.13.1 100بك عام General  الأسلوب 1. 8.6.13.1 100بك  الأسلوب 3. 8.6.13.2 100بك  ذو بوابة إيقاف Gate turn-off type  الأسلوب 3. 8.6.14 100بك  المقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري عكسي المنع، مفتاح مُتحكَّم به من مادة شبه موصلةThyristor, reverse-blocking triode-type, semiconductor controlled switch الأسلوب 1. 8.6.14 100بك  الأسلوب 3. 8.6.15 100بك  المقداح (ثايرستور)، من النوع ثلاثي المساري ثنائي الاتجاه، ثلاثي المساري للتيار المتردد (ترياك)، مفتاح ذو بوابة Thyristor, bidirectional triode-type, gated switch  الأسلوب 3. 8.6.16 100بك  ترانزستور ضوئي (النوع PNP) Phototansistor (NPN-type)  - 8.6.17 100بك  ترانزستور دارلينغتون (النوع NPN) Darlington (NPN-type)  -

 الخلايا الحساسة للضوء 
 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.7.3 100بك  محول كهرضوئي، خلية ضوئية حاجزة، خلية طبقة المنع، خلية شمسية   Photovoltaic transducer; barrier photocell; blocking-layer cell; solar cell  -

 أشباه الموصلات المقترنة حرارياً 
 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.8.1 100بك  قياس الحرارة   Temperature-measuring  - 8.8.2 100بك  قياس التيار  Current-measuring  -

 عنصر هول 

 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.9 100بك  عنصر هول، مُولِّد هول   Hall element, Hall generator  
 W وX هما نهايتا التيار وY وZ هما نهايتا خرج الجهد. استعملت الحروف للشرح وهي ليست جزءاً من الرمز.
 إذا أظهرت رموز القطبية، فيلزم تحديد اتجاه الحقل المغناطيسي.

 العوزال المقترنة ضوئياً 

 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.10.1 100بك  عام   General  
 T هو المُرسِل  وR هو المُستقبل . تستعمل الحروف  للشرح وهي ليست جُزءاً من الرمز.
 يُحبذ إضافة معلومات لشرح عمل الدارة. 8.10.2 100بك  عازل مُكتمِل   Complete Isolator  
 T هو المُرسِل  وR هو المُستقبل . تستعمل الحروف  للشرح وهي ليست جُزءاً من الرمز.
 يُحبذ إضافة معلومات لشرح عمل الدارة.
 النوع مفرد الغلاف. 8.10.3 100بك  -   -  مثال تطبيقي: مصباح مُشع حراري ومُحوِّل مُوصِل ضوئي متناظر. 8.10.4 100بك  -   -   مثال تطبيقي: ثنائي مساري باعث للضوء وترانزستور ضوئي.

 ثايرترون الحالة الصلبة 
 الرقم التسلسليأيقونة الرمز  الاسم باللغة العربية  الاسم باللغة الإنكليزية  ملاحظات 8.11.1 100بك  متوازن   Balanced  - 8.11.2 100بك  غير متوازن   Unbalanced  -

 الهوامش 
. يُستعمل هذا الرمز مع الثايرستورات ثنائية الاتجاه. تُميَّز النهايات الطرفية بترقيم الركائز وجعل الأرقام أدلةً سفلى للنص، مثلاً: T1.

 . أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية، أي 100x100 بكسل، وهي 100x118 بكسل.

 .أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية وهي 100x130 بكسل.

 . أبعاد هذا الرسم مغايرة للأبعاد القياسية وهي 100x135 بكسل.

 المراجع 
فهرس المراجع العربية

فهرس المراجع الأجنبية

المعلومات الكاملة عن المراجع 


 وصلات خارجية 
 صفحة المعيار على موقع معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات.

تصنيف:قوائم رموز العناصر الإلكترونية