أكسدة موضعية للسيليكون

الأكسدة الموضعية للسيليكون  هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO2 أخفض من باقي سطح السيليكون.

طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف .

 طالع أيضاً 
 موسفت
عازل كهربائي هاي كي

 هوامش 
  اختصاراً LOCOS من LOCal Oxidation of Silicon

 المراجع 

تصنيف:تقانة أشباه الموصلات
تصنيف:تقانة مايكروية