磷化銦

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。

製備 
磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備。

用途
磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學
在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學声子。

參考資料

外部連結
Extensive site on the physical properties of indium phosphide  (Ioffe institute)
InP conference series  at IEEE
Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier  (2005 news)

磷化物
铟化合物
无机磷化合物
光电子学
IARC第2A类致癌物质
III-V半導體材料