外延 (晶体)

磊晶（），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。

外延成長技術的種類
 化學氣相沉積
 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
 液相外延或稱液態外延（）的磊晶技術
 固相外延（）的磊晶技術

參考來源
文獻

 

引-{}-用

外部連結

 epitaxy.net: a central forum for the epitaxy-communities
 Deposition processes

半导体器件制造
半导体物理学