電子抹除式可複寫唯讀記憶體

電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （，简称：或），是一種只读存储器（），可以通過電子方式多次複寫。相比EPROM， EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據， EEPROM 屬於SPD（串行存在檢測）技術的一種延伸。

EEPROM分为四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。而在編程寫入時，芯片会通過Vpp（一般+25V, 有时較新者會使用 +12V 或 +5V）獲得編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般為50ms）寫入數據。擦除時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線照射，便可以擦除指定地址中的內容。為保證寫入正確，每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。在民用的DDR SDRAM及其主流後續產品中，一般 EEPROM 主要用於保存內存的開發者信息、生產時間、內存信息、通訊協議、既定内存频率、供電電壓、供電電流、物理訊息以及內存XMP等訊息，且電腦會在开机自檢（Power-On Self-Test；POST）時會讀取這些訊息以保持電腦的正常开机。

快閃記憶體是EEPROM的後續延伸。

歷史 
1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技術的基礎上，改用薄的閘極氧化層，以便無需紫外光，晶片就可以用電氣方式抹除自身的位元，因而開發出型號為2816的16kbit EEPROM。Perlegos與一些同事後來離開Intel，創立 Seeq Technology 公司後，在晶片上內建電荷泵（charge pump）以提供燒錄時自身所需的高電壓，因而推出只需5V電壓的EEPROM，利於實施線上燒錄（In-System Programming，ISP 或稱 In-Circuit Programming，ICP）。

EEPROM 元件的類型 
有的 EEPROM 是包含於其他元件中，為該元件的一部份。 例如：MCU 中可能包含用來儲存程式或資料的 EEPROM、數位電位器（Digital Potentiometer）內也需要 EEPROM 來儲存目前的設定值。

單獨的 EEPROM 元件，其通信口通常可分為串行（serial）與并行（parallel）兩類。除電源線外，串行通信口只使用1~4隻接線來傳遞訊號，所需接腳較并行式少，通常用來儲存資料。執行用的程式則通常放在并行式的 EEPROM 中，以利存取。

序列式EEPROM 
 Microwire 通信口（4線）：型號為以 93 開頭的系列。例：93C46
 I2CTM 通信口（2線）：型號為以 24 開頭的系列。例：24LC02
 SPI 通信口（3線）：型號為以 25 開頭的系列。例：25LC08
 UNI/OTM通信口（1線）：由 Microchip 公司出品，型號為以 11 開頭的系列。
 1-Wire® 通信口（1線）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

並列式EEPROM 
型號通常為以 28 開頭的系列。

至於型號通常為以 29 或 49 開頭的系列，寫入須以較大的區塊為單位，此種記憶體一般會使用 Flash （閃存/快閃記憶體）來稱呼。至於能以較小單位(例如以位元組)擦除或寫入的則才以 EEPROM 稱呼，以作區別。

世界主要製造商 
 ON Semiconductor 安森美半導體
 Mitsubishi 三菱
 Atmel 愛特梅爾 
 Hitachi 日立
 Infineon 英飛凌
 Macronix 旺宏電子 （有生產 NOR/ NAND Flash）
 美信集成产品
 Maxwell Technologies 
 微晶片科技 微芯
 NXP Semiconductors 恩智浦半導體
 Renesas Technology 瑞萨科技
 Rohm 羅姆電子
 Samsung Electronics 三星電子
 STMicroelectronics 意法半導體
 Seiko Instruments 精工
 Toshiba Semiconductor 東芝
 Winbond 華邦電子

参考文献 

電腦記憶體
存儲媒體