Çok geniş ölçekli tümleşim

Çok Geniş Ölçekli Tümleşim (VLSI), binlerce transistörün tek bir yonga üzerinde birleştirilmesi ile tümleşik devrelerin oluşturulması işlemidir. Çok Geniş Ölçekli Tümleşim, 1970'li yıllarda karmaşık yarı iletken ve iletişim teknolojilerindeki gelişmelerle başlamıştır. Günümüz teknolojilerinde birim alana sığdırılabilen transistör sayısının milyarlar seviyesine çıkması ile bu terim yerini ULSI(En Geniş Ölçekli Tümleşim) ifadesine bırakmaya başlamıştır.

İlk yarı iletken teknolojideki yonga 2 transistörden oluşmaktadır. Zamanla gerçekleşen ilerlemeler sayesinde birim alana çok daha fazla transistör eklenebilmiş ve bunun sonucunda daha fazla sayıda bağımsız fonksiyonların ve sistemlerin tümleşimi gerçekleştirilmiştir. İlk tümleşik devreler diyot, transistör, direnç ve kondansatör gibi devre elemanlarından çok az bir kısmını içerebilmekte ve ancak bir veya birkaç mantık kapısının tek bir araçta toplanabilmesine imkân vermekteydi. Daha eskilerden bilinen küçük ölçekli tümleşim (SSI) ve gelişen teknik bu mantık kapısı sayısının bir tasarımda yüzlerce sayıya kadar toplanabilmesini sağlamıştır. İlerleyen iyileştirmeler neticesinde Geniş Ölçekli Tümleşim(LSI)e yönelim gerçekleşmiş ve bunun neticesinde en az binler mertebesinde kapı bulunduran sistemler ortaya çıkmıştır. En son gelinen teknoloji çok daha ileri seviyede bulunmakta ve günümüz mikroişlemcileri milyonlarca kapı ve milyarlarca transistör içermektedir.

Geçmişte, çok geniş ölçekli tümleşim'den (VLSI) çok daha büyük tümleşimleri adlandırmak ve ayarlamak için çaba sarfedilmiş ve  en geniş ölçekli tümleşim (ULSI) terimi kullanılmaya başlanmıştır. Fakat zamanla büyük oranlı kapılar ve transistörlerin ortak sistemlerde kullanılabilmesi bu ayrımı tartışmalı hale getirdi. Çok geniş ölçekli tümleşimden daha ileri seviyedeki tümleşimleri öneren bu terimler artık yaygın kullanımda değildir. Çok geniş ölçekli tümleşim terimi eski bile olsa hala mikroişlemciler için yaygın varsayım tüm mikroişlemcilerin çok geniş ölçekli tümleşim ve onun daha ileri düzeydeki tümleşimi olduğudur.

Elektronik mühendisliği
Tümleşik devreler