இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு

இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு (Scandium nitride) என்பது  ScN என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இசுக்காண்டியம் நேர்மின் அயனியும் நைட்ரைடு எதிர்மின் அயனியும் சேர்ந்து உருவாகும் இந்த இருமச் சேர்மம்  III-V மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி குறைக்கடத்தியாக வகைப்படுத்தப்படுகிறது. தங்குதன் படலத்தின் மீது பதங்கமாதல் மற்றும் மறு ஒடுக்கம் மூலம் இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு படிகங்களாக வளர்கிறது. 0.451 நானோமீட்டரின் அடுக்கு குணக மாறிலியுடன்  0.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளியும் 2 முதல் 2.4 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு வரையான நேரடி ஆற்றல் இடைவெளியும் கொண்ட ஒரு பாறை-உப்பு படிக அமைப்பை இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு கொண்டுள்ளது. நைட்ரசன் வாயுவை இண்டியம்-இசுக்காண்டியம் உருகல் மூலம் கரைத்து இந்த படிகங்களை தயாரிக்க முடியும். மேக்னட்ரான் தெறிப்புப்பூச்சு போன்ற பிற படிவு முறைகளிலும் இப்படிகங்களை தயாரிக்க முடியும். சிலிக்கான் டை ஆக்சைடு (SiO2) அல்லது ஆபினியம் டை ஆக்சைடு (HfO2) அடி மூலக்கூறில் உள்ள குறைக்கடத்திகளுக்கு இசுக்காண்டியம்  நைட்ரைடு ஒரு பயனுள்ள நுழைவாயிலாகும்.

மேற்கோள்கள்

இசுக்காண்டியம் சேர்மங்கள்
நைட்ரைடுகள்