Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom

Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (, skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre veľmi vysoké spínané výkony (rádovo niekoľko desiatok kW) a frekvenciu spínania do 20kHz. Už s názvu vyplýva, že IGBT využíva výhodu jednoduchého riadenia MOSFET a nízky odpor bipolárnych tranzistorov.

Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).

Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádu desiatok kW, pretože bipolárne tranzistory a hlavne tyristory boli síce výkonné, ale pomalé. Výkonové MOSFET so schopnosťou blokovať vysoké napätia mali zas veľmi veľký odpor v zopnutom stave a tým vznikali veľké výkonové straty, čo významne znižovalo účinnosť výkonových meničov.

Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.

Výhody:
 nízke straty v zopnutom stave
 nízky budiaci výkon
 vysoké spínacie frekvencie
 veľký rozsah pracovných napätí a prúdu

Pozri aj 
 Tranzistor
 MOSFET
 Tyristor

Iné projekty 

Tranzistory
Elektrické súčiastky