Schottkyho dióda

Schottkyho dióda je polovodičová dióda využívajúca existenciu potenciálovej bariéry na priechode kov-polovodič (Schottkyho bariéra) a z toho vyplývajúce usmerňovacie vlastnosti priechodu.

Pomenovaná je po nemeckom fyzikovi Walterovi Schottkym (* 1886 – † 1976), ktorý v roku 1938 vypracoval teóriu, popisujúcu usmerňovacie vlastnosti priechodu kov-polovodič.

Vlastnosti 
Oproti bežným diódam s PN priechodom majú Schottkyho diódy nižší úbytok napätia v priepustnom smere (UF: ~0,3 V oproti ~0,7 V pri Si diódach s PN priechodom), sú však schopné odolávať nižším napätiam v závernom smere (UR: ~10150 V) a majú vyšší záverný prúd (IR), ktorý navyše exponenciálne rastie so stúpajúcou teplotou, čo môže viesť k teplotnej nestabilite a ďalej nepriamo limituje praktickú veľkosť napätia v závernom smere.

Ďalšia charakteristická vlastnosť Schottkyho diód je veľmi krátka doba záverného zotavenia (reverse recovery time, trr v rádoch len ~100 ps pri malých signálových diódach).

Tieto vlastnosti ich predurčujú okrem iného na spínacie aplikácie v rýchlych analógových aj digitálnych obvodoch a usmerňovacie aplikácie vo vysokofrekvenčných obvodoch a spínaných zdrojoch.

Galéria

Referencie

Iné projekty 

Diódy