65 nm 공정

65 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 65 nm인 반도체를 다루는 CMOS 공정 기술 수준이다. 2007년 9월 경 인텔, AMD, IBM, 유나이티드 마이크로일렉트로닉스, 차터드, TSMC와 같은 반도체 기업들이 달성하였다.

예제: 후지쯔의 65 nm 공정 
 게이트 길이: 30 nm에서 50 nm까지
 코어 전압: 1.0 V
 11 Cu interconnect layers using nano-clustering silica as ultralow k dielectric (k=2.25)
 메탈 1 피치: 180 nm
 니켈 실리사이드 소스/드레인
 게이트의 산화물 두께: 1.9 nm (n형), 2.1 nm (p형)

65 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서 
 2006년 1월 16일 인텔 펜티엄 4 (시더밀)
 2006년 1월 16일 인텔 펜티엄 D 900-계열
 2006년 5월 28일 인텔 셀러론 D (시더밀 코어)
 2006년 1월 5일 인텔 코어
 2006년 7월 27일 인텔 코어 2
 2006년 3월 14일 인텔 제온 (소사만)
 2007년 2월 20일 AMD 애슬론 64 계열 (리마부터)
 2007년 5월 7일 AMD 튜리온 64 X2 계열 (테일러부터)
 AMD 페넘 계열
 2007년 11월 17일 IBM 셀 프로세서 - 플레이스테이션 3
 IBM z10
 2007년 9월 마이크로소프트 엑스박스 360 팔콘 CPU
 2008년 마이크로소프트 엑스박스 360 오퍼스 CPU
 2008년 10월 마이크로소프트 엑스박스 360 제스퍼 CPU
 2008년 10월 마이크로소프트 엑스박스 360 제스퍼 GPU
 2007년 10월 썬 마이크로시스템즈 UltraSPARC T2
 2008년 6월 AMD 튜리온 울트라
 2008년 2월 텍사스 인스트루먼트 OMAP 3 계열
 2008년 5월 비아 나노
 2009년 Loongson

각주

외부 링크 
  
  Engineering Sample of the "Yonah" core Pentium M, IDF Spring 2005, ExtremeTech
  

국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드