180 nm 공정

180 nm(나노미터) 공정 또는 0.18 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 180 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1999년에서 2000년 경 인텔, IBM, 텍사스 인스트루먼트, TSMC와 같은 회사가 달성하였다.

180 나노미터라는 값의 기원은 매 2 ~ 3년마다 반도체의 게이트 길이를 이전 세대의 공정에 비해 70% 수준으로 축소하는 것을 반영한 동향에서 나왔다. 180 나노미터의 공식적인 명칭은 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)에서 확정하였다.

인텔 펜티엄 III의 코퍼마인은 이 공정으로 제조된 최초의 CPU 중 하나이다. 이 CPU의 게이트 길이는 광석판인쇄(光石版印刷)에서 사용되는 공정보다 더 미세한 공정을 사용한 최초의 CPU이다. (광석판인쇄에서 사용되는 가장 미세한 공정은 193 나노미터이다.)

최근에도 이 공정 기술을 적용해 마이크로컨트롤러와 마이크로프로세서를 만드는데 값이 싸고, 기존의 장비를 업그레이드하지 않아도 되기 때문이다. 최근 생산되는 제품 중에는 PIC 마이크로컨트롤러, 패럴랙스 프로펠러(Parallax Propeller) 등이 있다.

180 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서 
 1999년 10월 생산된 인텔 코퍼마인.
 2002년 5월 생산된 인텔 셀러론 윌라멧.

국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드