전력 반도체 소자

전력 반도체 소자(Power semiconductor device)는 전력 장치용의 반도체소자이다. 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있어서, 전력 전자공학의 핵심 소자이다. 일반적인 반도체소자에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화된 것이 특징이다. 일반적으로 전원 장치(Power device)라고도 하며, 정류 다이오드, 전력 MOSFET, 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터, 게이트 턴 오프 사이리스터 (GTO), 트라이액()등으로 알려져 있다.

통전 제어의 가부에 관계 없이 한방향으로 손실 없이 전류를 흘릴 수 있는 소자를, 밸브 장치라고 부르며, 전력 반도체소자는 그 안에 포함되어 반도체 밸브 장치라고도 불린다.

정격 전압, 정격 전류는 용도나 소자의 구조에 따라 다르지만, 정격전압은 220 볼트 전원선과 440 볼트 전원선에 대응한 600 볼트와 1200 볼트가 일반적이고, 정격전류는 1 암페어에서 1 킬로암페어 이상으로 폭이 크다.

다중의 소자를 하나의 패키지에 모듈화한 전력 모듈이나, 제어 회로, 구동 회로, 보호 회로 등도 포함하여 모듈화한 다기능 전력 모듈도 있다.

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반도체 소자
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