유기 전계효과 트랜지스터

유기 전계효과 트랜지스터(, OFET)는 트랜지스터의 채널에 유기 반도체 기술을 사용한 전계효과 트랜지스터이다. 유기 전계효과 트랜지스터는 작은 분자의 진공 증착법이나 중합체의 용액 주형법으로 제조할 수 있다. 유기 전계효과 트랜지스터는 큰면적 전자제품을 낮은 가격으로 제조하기 위해서 개발되었다. 유기 전계효과 트랜지스터는 다양한 소자 구조로 제조된다. 가장 일반적으로 사용되는 소자 구조는 아래 게이트와 위쪽 드레인-소스 전극이다. 왜냐하면 게이트 유전체로 열증착 Si/SiO2를 사용한 박막 트랜지스터와 비슷하기 때문이다. (메타크릴산 메틸) 폴리 (아크릴 유리)처럼 유기 중합체도 유전체로 사용될 수 있다.

2007년 5월에, 소니는 유기물 박막 트랜지스터와 유기물 화소로 만들어진 풀컬러 플렉서블 플라스틱 디스플레이를 발표했다. 2008년 2월 5일에, 포스텍은 화학공학과 조길원 교수 연구팀이 고성능 유기박막 트랜지스터를 개발하는 데 성공했다고 발표했다.

재료 
유기 전계효과 트랜지스터 물질의 공통된 특징은 방향족성 혼합물이나 혹은 궤도파동함수의 비편재화를 쉽게하는 공액 전하 시스템이다. 전자를 끄는 그룹이나 주는 그룹은 전자홀이나 전자가 이동하기 쉽게 붙일 수 있다. 유기 전계효과 트랜지스터는 활성 반도체층으로 다양한 방향족성과 결합성 물질을 사용한다. 활성 반도체층은 루브렌, 테트라센, 펜타센, 전하 이동 착체 (TCNQ)나 다양한 중합체같은 소형 분자가 포함되어 있다. 이 영역의 연구는 매우 활발하며, 새롭게 합성되고 실험한 화합물은 어드밴시드매트리얼스, 미국 화학회지, 캐미스트리오브매트리얼, 앙케완테케미같은 유명한 주간 학술지에 발표된다. 학술지는 이런 물질의 개발에 대한 다양한 기사가 기록되어 있다.

유기 발광 전계효과 트랜지스터 
온되었을 경우에 전류가 트랜지스터를 통과하기 때문에, 유기 전계효과 트랜지스터는 내부의 전류 변화와 빛방출에 따라서 발광 소자로 사용될 수 있다. 2003년에, 독일 그룹은 세계최초로 유기 발광 전계효과 트랜지스터 (OLET)를 발표했다. 유기 발광 전계효과 트랜지스터의 구조는 서로 맞물린 금 소스-드레인 전극과 다결정 테트라센 박막으로 구성된다. 양전하 (정공)와 음전하 (전자)는 금단자로 주입되어, 테트라센이 전계 발광하게 된다.

참조

같이 보기 
 유기 발광 다이오드
 플렉서블 디스플레이
 말 수 있는 디스플레이

반도체
트랜지스터
분자 일렉트로닉스