ナローギャップ半導体

ナローギャップ半導体（ナローギャップはんどうたい）とは、バンドギャップがケイ素に比べて比較的小さい（室温で1.11eVより小さい）半導体のこと。赤外線検出器や熱電変換素子などに用いられる。

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脚注

関連項目 

 半導体材料一覧
 ワイドバンドギャップ半導体

参考資料 

  Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.

 Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics 98,  (print)  (online)
 Nimtz, G. (1980), Recombination in Narrow-Gap Semiconductors, Physics Reports, 63, 265-300

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