サイモン・ジィー

サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 -）は、中国系アメリカ人の電気工学者。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。

経歴
中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと（ダウォン・カーンとともに）を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られる。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』(Physics of Semiconductor Devices)を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Awardを受賞した<ref>[http://www.ieee.org/portal/pages/society/eds/awards/ebers.html Electron Devices Society J.J. Ebers Award], web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.</ref>。

著書
 Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ; 2nd ed., 1981, ; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, .
 Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze.  Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; .
 Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze.  New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ; 3rd ed., 2012, .

 VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ; 2nd ed., 1988, .
 Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze.  New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, .

出典

1936年生
アメリカ合衆国の工学者
存命人物
国立台湾大学出身の人物
ベル研究所の人物
全米技術アカデミー会員
中国の発明家
南京出身の人物
ワシントン大学出身の人物
スタンフォード大学出身の人物
国立交通大学の教員
中国工程院の院士