基板工程

基板工程またはフロントエンド（front-end-of-line、FEOL）とは半導体デバイス製造の最初の部分である。
基板工程では、それぞれのデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗など）が半導体にパターンとして形成される。 

 使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。
 素子分離（LOCOSやシャロートレンチアイソレーション）
 ウェル形成
 ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極)
 サイドウォールスペーサー形成
 ソース・ドレイン形成
 キャパシタ形成（DRAM、FeRAMの場合）

関連項目
配線工程（BEOL）
集積回路

引用

参考文献
"CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation" Wiley-IEEE, 2010. . pages 177-178 (Chapter 7.2 CMOS Process Integration); pages 180-199 (7.2.1 Frontend-of-the-line integration)

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