三村高志

三村 高志（みむら たかし、1944年12月14日 - ）は日本の工学者。工学博士。富士通研究所名誉フェロー。独立行政法人情報通信研究機構客員研究員。超高速半導体素子、HEMTの発明者。大阪府出身。

高電子移動度トランジスタ　HEMTについて
HEMTは、高速・低雑音性の極めて高いトランジスタである。HEMTは現在、衛星放送受信機や携帯電話機、カーナビゲーション受信機、自動車レーダーなどに使われており、IT社会を支える基盤技術として幅広く使われる技術となっている。また、電波望遠鏡用の低雑音受信機として、未知の星間分子を発見するのに役立ち、天文学の研究を進歩させたり、半導体の薄膜成長技術の進展を加速させ、その後の、化合物半導体を用いた電子デバイス、光デバイス技術の発展に役立つなど、産業界だけでなく、学問・技術研究の分野にも大きな貢献を果たしている。また、アメリカのクリントン政権 が2000 年 1 月に発表した National Nanotechnology Initiative においては、ナノテクノロジーの成功例の一つに HEMT があげられている。

略歴
1967年　関西学院大学理学部物理学科卒業
1970年　大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了、富士通株式会社入社
1975年　富士通研究所
1982年　大阪大学より工学博士学位授与
1998年-2017年　富士通研究所フェロー
2006年-2016年　独立行政法人情報通信研究機構 ACT-G ミリ波デバイスプロジェクト 客員研究員
2016年- 独立行政法人情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括特別研究員
2017年- 富士通研究所名誉フェロー

表彰
1981年　科学技術庁長官賞
1982年　電子情報通信学会業績賞
1986年　伴記念賞
1990年　IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award
1992年　発明協会恩賜発明賞
1993年　IEEEフェロー
1998年　紫綬褒章、SSDM Award、ISCS Heinrich Welker Award
2001年　電子情報通信学会フェロー
2004年　応用物理学会業績賞
2007年　応用物理学会フェロー
2017年　京都賞先端技術部門

脚注

参考文献
HEMT開発史
超高速トランジスタHEMTの誕生とその発展(関西学院大学同窓会報誌 "Science Winds"３号 p2 2007年11月)
高電子移動度トランジスタ-HEMT-の発明（応用物理　第78巻　第7号　2009年）

外部リンク
富士通研究所 HEMTについて

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