メモリスタ

メモリスタ (またはメモリスター。) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。

抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。

過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ () と名づけられた。

歴史 
メモリスタの存在は1971年にの論文で指摘されていたが、対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。しかし、2008年に米により二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタが開発され、第4の回路素子として注目を集めることとなった。

記憶素子としてはフラッシュメモリより高速・低消費電力であり、DRAMより安価で省電力であるという性質を持っていると言われ、両方を置き換える可能性がある。面積あたりの記憶容量もフラッシュメモリと比べて2倍にでき、また放射線による影響も受けないというメリットがある。

2010年4月には、メモリスタが論理演算装置としても使用できることを確認したとHPが発表。演算装置と記憶素子を単一のデバイスに統合できるため、より小型でエネルギー効率の良いデバイスを開発できる可能性が示された。

HPは2020年までの完全な形での商品化を目指している。

物理におけるメモリスタ 

メモリスタは、通過した電荷と端子間の磁束鎖交が非線形関数関係であるような素子と定義される。すなわち、と表わされる。磁束鎖交は、インダクタの回路特性から一般化される。ここでは磁場を表すものではなく、その物理的意味については以下で説明する。 記号はすなわち、電圧の時間積分と見なすことができる。

との関係において、一方の他方に対する導関数は、一方または他方の値に依存する。そしてそれゆえ、それぞれの導関数は電荷を伴なう磁束の変化の電荷依存率を述べるmemristance関数によって特徴づけられる。磁束を電圧の時間積分として、電荷を電流の時間積分として代入すると、より便利な形式が得られる:メモリスタを抵抗、キャパシタ、インダクタに関連付けるには、デバイスを特徴付ける項を分離し、常微分方程式として記述すると便利。

上記の表は、、、およびの微分の有意義な比率を全てカバーする。はの導関数であり、またはの積分であるため、をに、またはをに関連付けることができるデバイスはない。このことから、メモリスタは電荷に依存する抵抗であると推測できる。もしが定数の場合、オームの法則が得られる。ただし、が自明でない場合、とは時間とともに変化する可能性があるため、方程式は同等ではない。時間の関数として電圧を解くと、が得られる。この方程式はが電荷によって変化しない限り、メモリスタが電流と電圧の間で線形関係を定義することを示している。非ゼロ電流は時間変化する電荷を意味する。

脚注

関連項目 
 受動素子
相変化メモリ
 3D XPoint(Optane)
 スタンフォード・ロバート・オブシンスキー
FeRAM(強誘電体メモリ)
FFRAM(強誘電体浮遊ゲートメモリ)
MRAM(磁気抵抗メモリ)
STT-RAM(スピン注入メモリ)
 ReRAM(抵抗変化型メモリ)
ヒステリシス
パラメトロン

外部リンク 
 抵抗、コンデンサ、インダクタに次ぐ「第4の受動素子」をHP社が実現 2008年5月2日 EE Times Japan

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