林厳雄

林 厳雄（はやし いづお、1922年5月1日 - 2005年9月26日）は、日本の物理学者。東京府生まれ。半導体レーザーの実現に功績があった。

経歴 
東京大学理学部物理学科卒業。

東京大学原子核研究所助教授を経て、1963年に渡米。マサチューセッツ工科大学に滞在後、1964年から1971年までベル研究所研究員で勤務して1970年には室温での半導体レーザーの連続発振に成功した。1971年に帰国、日本電気中央研究所などで研究した。1976年IEEEフェロー選出。2001年にはベル研究所時代の同僚であるモートン・パニッシュとソビエトでレーザーの連続発振に成功したジョレス・アルフョーロフと共に京都賞先端技術部門を受賞した。

京都賞の賞金をもとに応用物理学会の光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）が設けられた。

受賞歴 
 1961年 藤原賞
 1974年 市村産業賞奨励賞　長寿命半導体レーザーの開発に対して
 1984年 IEEE J. J. Ebers Award
 1986年 朝日賞
 1988年 IEEEデービッド・サーノフ賞
 1993年 Marconi Fellowship賞
 2001年 京都賞先端技術部門

論文 
 Hayashi, I., M. Panish, and P. Foy. "A low-threshold room-temperature injection laser." IEEE Journal of Quantum Electronics 5.4 (1969): 211-212.
 Hayashi, I., et al. "Junction lasers which operate continuously at room temperature." Applied Physics Letters 17.3 (1970): 109-111.
 Panish, M. B., I. Hayashi, and S. Sumski. "DOUBLE‐HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS WITH ROOM‐TEMPERATURE THRESHOLDS AS LOW AS 2300 A/cm2." Applied Physics Letters 16.8 (1970): 326-327.
 Panish, M. B., S. Sumski, and I. Hayashi. "Preparation of multilayer LPE heterostructures with crystalline solid solutions of Al x Ga 1− x As: Heterostructure lasers." Metallurgical Transactions 2.3 (1971): 795-801.
 Hayashi, I., M. B. Panish, and F. K. Reinhart. "GaAs–Al x Ga1− x As Double Heterostructure Injection Lasers." Journal of Applied Physics 42.5 (1971): 1929-1941.

特許

脚注 

日本の物理学者
朝日賞受賞者
京都賞先端技術部門受賞者
日本のレーザー研究者
東京大学の教員
IEEEフェロー
高エネルギー加速器研究機構の人物
ベル研究所の人物
東京大学出身の人物
東京都出身の人物
1922年生
2005年没
藤原科学財団の藤原賞の受賞者
C&C賞の受賞者