Transistor pergerakan-elektron tinggi

Transistor pergerakan elektron tinggi (HEMT), juga disebut dengan FET struktur-taksejenis (HFET) atau FET terkotori-modulasi(MODFET). HEMT adalah sebuah transistor efek medan yang mencakup sebuah pertemuan antara dua bahan dengan celah-jalur yang berbeda (dengan kata lain, pertemuan tak sejenis) sebagai bahan kanal, bukannya daerah terkotori seperti pada MOSFET pada umumnya. Kombinasi bahan yang umum adalah Galium arsenid (GaAs) dengan Aluminium galium arsenid (AlGaAs), walaupun begitu ada berbagai variasi berbeda, tergantung pada penggunaan utama peranti. Peranti yang menggunakan lebih banyak indium menunjukkan performansi frekuensi tinggi yang lebih baik, sedangkan akhir-akhir ini penelitian untuk penggunaan galium nitrit sangat meningkat dikarenakan kemampuannya menangani daya tinggi.

Pada umumnya, untuk memungkinkan konduksi, semikonduktor harus dikotori dengan pengotor untuk menghasilkan elektron bebas pada lapisan. Namun ini menyebabkan elektron melambat karena bertabrakan dengan pengotor yang digunakan untuk menghasilkannya. HEMT adalah peranti pintar yang dirancang untuk menyelesaikan masalah ini.

Lihat pula 
 HBT

Pranala luar 
 Heterostructure Field Effect Transistors 
 Origin of the HEMT in Japan

Pergerakan-elektron tinggi