Herbert Kroemer

Herbert Kroemer ( sebagai Herbert Krömer) adalah Profesor Teknik Elektro dan Komputer di Universitas California, Santa Barbara, menerima Ph.D. dalam fisika teoretis tahun 1952 dari Universitas Gottingen, Jerman, dengan disertasi pada efek elektron panas pada transistor yang saat itu masih baru, mengatur langkah untuk karier dalam penelitian fisika peralatan semikonduktor.

Ia bekerja di sejumlah laboratorium penelitian di Jerman dan Amerika Serikat dan mengajar teknik elektro di Universitas Colorado dari tahun 1968 hingga 1976. Ia bergabung dengan staf pengajar UCSB pada tahun 1976, memfokuskan program riset semikonduktornya pada teknologi semikonduktor campuran yang saat itu muncul daripada teknologi silikon yang utama.

Kroemer, anggota National Academy of Engineering, selalu memilih bekerja pada masalah yang mendahuluo teknologi yang utama. Pada tahun 1950-an, ia menemukan transistor arus dan menjadi orang pertama yang menyatakan bahwa keuntungan dapat peroleh di sejumlah peralatan semikonduktor dengan memasukkan heterojunction ke dalam peralatan itu. Paling terkemuka, pada tahun 1963 ia mengajukan konsep laser heterostruktur ganda, konsep pusat dalam bidang laser semikonduktor. Kroemer menjadi perintis awal dalam epitaksi sinar molekul, berkonsentrasi pada penerapan teknologi itu pada bahan baru yang belum dicoba.

Pada tahun 2000, ia dan Zhores I. Alferov dianugerahi seperempat Hadiah Nobel Fisika "untuk pengembangan heterostruktur semikonduktor yang digunakan dalam elektronik kecepatan tinggi dan optoelektronik". Hadiah itu juga diterima oleh Jack S. Kilby untuk prestasi yang berbeda.

Pranala luar 

 Not Just Blue Sky
 Halaman Nobelprize.org 
 Personal Homepage USCB 
 Freeview video Interview with Herbert Kroemer by the Vega Science Trust
 U.S. Patent 5067828 Transferred electron effective mass modulator (Herbert Kroemer)
 U.S. Patent 5013683 Method for growing tilted superlattices (Herbert Kroemer)
 Herb’s Bipolar Transistors IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001 PDF
 Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices PDF
 Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits PDF

Fisikawan Jerman
Pemenang Hadiah Nobel dalam bidang fisika
Tokoh Jerman pemenang Hadiah Nobel