DDR SDRAM

DDR-SDRAM או בקיצור DDR (ראשי תיבות של Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory; בעברית: זיכרון גישה אקראית דינמי סינכרוני בעל קצב העברת נתונים כפול) הוא זיכרון מחשב המאפשר את שיפור הביצועים של זיכרון SDRAM רגיל על ידי שליחת נתונים פעמיים בכל מחזור שעון – בעלייה ובירידה של אות השעון (תכנון דו־פאזי או יוני). כל קריאה וכתיבה היא של שתי מילות מידע במקום אחת לכל מחזור שעון. כך עבור תדר שעון של 100Mhz, למשל, ניתן לקבל קצב העברת נתונים מקסימלי של 1,600 MB/s. הדור הראשון של DDR (DDR1) שיצא בשנת 1998, צורך מתח חשמל של 2.5V ומהירותו היא 200-400MHz.

דורות 
 DDR2 – דומה ל־DDR1 אך מכפיל בשנית את קצב הקריאה וכתיבה המינימלי ל־4 מילים עוקבות. כמו כן פרוטוקול אפיק הנתונים פושט כדי לאפשר פעולות בביצועים גבוהים יותר (בפרט הפקודה burst terminate נמחקה). הדבר מאפשר להכפיל את קצב אפיק הנתונים בלי להגדיל את קצב השעון של פעולות ה־RAM הפנימיות. במקום זאת, פעולות פנימיות מבוצעות ביחידות רחבות פי 4 מ־SDRAM. כמו כן נוסף חיבור כתובת בנק נוסף המאפשר תמיכה ב־8 בנקים. קצבי השעון הנפוצים של ה־DDR2 הם 200, ⅔266 ,⅓333 ו־400 מגה-הרץ (2.5 ,1.5,1.875 ו-1.25 ננו-שניות למחזור) הידועים כ־DDR2-667, DDR2-533, DDR2-400 ו־DDR2-800, בהתאמה. ה־DIMMs הם PC2-3200 עד PC2-6400. ה־DDR2 המהיר ביותר הניתן לרכישה הוא DDR2-1250 וה־DIMM שלו הוא PC2-10000. מכיוון שקצב השעון לפעולות הפנימיות הוא בחצי מקצב השעון, DDR2-400 הוא בעל זמן המתנה גדול יותר מזה של DDR-400. יצא בשנת 2004, צורך מתח חשמל של 1.8V, מהירות 400-800MHz גודל נפח אחסון 256M-4Gbits.
 DDR3 – מכפיל גם כן את קצב הקריאה והכתיבה ל־8 מילים עוקבות. הדבר מאפשר הכפלה נוספת של רוחב הפס וקצב ה־bus החיצוני בלא שינוי לקצב השעון בפעולות פנימיות אלא רק לרוחבן, במטרה לשמור על 800 מגה העברות בשנייה (העלייה והירידה של שעון 400 מגה-הרץ) ה־RAM הפנימי צריך לבצע 100 מגה פעולות בשנייה. גם בהכפלה זו החיסרון הוא זמן ההמתנה המוגבר. קצבי השעון הראשוניים היו 400 ו־533 מגה-הרץ ב־DDR3-800 ו־DDR3-1066 המתאימים ל־PC3-6400 ו־PC3-8500) אך כעת זמינים גם 667 ו־800 מגה-הרץ ב־DDR3-1333 ו־DDR3-1600 המתאימים ל־PC3-10600 ו־PC3-12800. יצא בשנת 2007, צורך מתח חשמל של 1.5V/1.35V מהירות 800-2,133MHz, גודל נפח אחסון 512M-8Gbits.
 DDR4 – יצא לשוק בספטמבר 2014. פועל במתח חשמל של 1.2V או 1.0V, מהירות: 1600-2667 MHz. גודל נפח אחסון: 1-16 Gbits.
 DDR5 – צפוי לצאת לשוק ב־2019–2020. מהירותו כפולה משל ה־DDR4.

ראו גם 
 מונחים בחומרה
 GDDR

קישורים חיצוניים

הערות שוליים

התקני זיכרון אלקטרוניים