مدل دیل-گروو

مدل دیل-گروو از نظر ریاضی رشد یک لایه اکسید در سطح یک ماده را توصیف می‌کند. به طور خاص، از آن برای پیش بینی و تفسیر اکسایش حرارتی سیلیکون در ساخت ادوات نیم‌رسانا استفاده می‌شود. این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۵ توسط بروس دیل و اندرو گروو از فرچایلد سمیکانداکتر منتشر شد،  کار بروی غیرفعال‌سازی سطح سیلیکون محمد عطاالله با استفاده از اکسایش حرارتی در آزمایشگاه‌های بل در اواخر دهه ۵۰ ساخته شد. این به عنوان گامی در توسعه ادوات سیماس و ساخت مدارهای مجتمع بکار رفته است .

فرضیات فیزیکی 

این مدل فرض می‌کند که واکنش اکسیایش در واسط بین لایه اکسید و ماده زیرلایه بیشتر از حدِ بین اکسید و گاز محیط رخ می‌دهد. بنابراین، سه پدیده که گونه‌های اکسیدکننده در معرض آن قرار دارند را در نظر می‌گیرد: 
 واپخشی از انباشتن گاز محیط به سطح. 
 واپخشی از طریق لایه اکسید موجود به رابط اکسید-زیرلایه. 
 واکنش با زیرلایه.

منابع

کتابشناسی - فهرست کتب

پیوند به بیرون 
 ماشین‌حساب برخط شامل فشار، آلایش و اثرات اکسید نازک

مهندسی شیمی
نانوالکترونیک
نانومواد
فناوری ساخت ادوات نیم‌رسانا