ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون

ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون (HBT)  نوعی از ترانزیستور دوقطبی است که از نیم‌رساناهای متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوندناهمگون به وجود آمده‌است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می‌تواند در فرکانس‌های بسیار-بالا تا حدود چندصد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستورها معمولاً در مدارات نسل جدید بسیارسریع و فرکانس رادیویی که نیازمند بازدهی بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده می‌شود.

مواد 

تفاوت اصلی اچ‌بی‌تی‌ها با ترانزیستورهای معمولی استفاده از نیم‌رساناهای متفاوت در پیوند بیس-امیتر و بیس-کلکتور است که سبب جلوگیری از تزریق الکترون از بیس به امیتر می‌شود. در این حالت می‌توان با افزایش آلاینده ناحیه بیس، مقاومت آن را کم کرد و در عین حال بهره ترانزیستور را بالا برد. بدین منظور در ناحیه بیس این ترانزیستور از نیم‌رسانا با باند ممنوعه کم عرض مانند سیلیسیوم و گالیم آرسنید و در امیتر و کلکتور از نیم‌رسانا با باند ممنوعه عریض مثل گالیم نیترید استفاده می‌شود.

منابع 

انواع ترانزیستور
فناوری مایکروویو