Презентація на тему «Полупроводники. Электрический ток в полупроводниках»

Полупроводники. Электрический ток в полупроводниках
Подготовила
ученица 11-У класса
Романенкова Дарья
Физические свойства полупроводников
		Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
		
 Хорошо проводят электрический ток
 К ним относятся металлы, электролиты, плазма …
Наиболее используемые проводники – Au, Ag, Cu, Al, Fe …
 Практически не проводят электрический ток
 К ним относятся пластмассы, резина, стекло, фарфор, сухое дерево, бумага …
Занимают по проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками
Si, Ge, Se, In, As
Полупроводники в природе
Физические свойства полупроводников


R (Ом)
t (0C)

R0

металл
полупроводник
	 Проводимость полупроводников зависит от температуры. В отличие от проводников, сопротивление которых возрастает с ростом температуры, сопротивление полупроводников при нагревании уменьшается. 	Вблизи абсолютного нуля  полупроводники имеют свойства диэлектриков.
Электрический ток в полупроводниках
Полупроводниками называют вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры

К полупроводникам относятся кремний, германий, селен и др.

Связь между атомами – парноэлектронная, или ковалентная

При низких температурах связи не разрываются

ПОЛУПРОВОДНИКИ
Собственная проводимость полупроводников
	При обычных условиях (невысоких температурах)  в полупроводниках отсутствуют свободные заряженные частицы, поэтому полупроводник не проводит электрический ток. 

Si
Si
Si
Si
Si




-
-
-
-
-
-
-
-
«Дырка»
		При нагревании кинетическая энергия электронов увеличивается и самые быстрые из них покидают свою орбиту. Во время разрыва связи между электроном и ядром появляется свободное место в электронной оболочке атома. В этом месте образуется условный положительный заряд, называемый «дыркой».
     
Si
Si
Si
Si
Si



-
-
-

+
дырка
+
+
свободный  электрон
-
-
-
-
Примесная проводимость полупроводников
Дозированное введение в чистый проводник примесей позволяет целенаправленно изменять его проводимость.
Поэтому для увеличение проводимости в чистые полупроводники внедряют примеси, которые бывают донорные и акцепторные
Примеси
Акцепторные
Донорные
Полупроводники
 p-типа
Полупроводники
 n-типа
Дырочные полупроводники (р-типа)

In




+
  
Si
Si
Si
Si
-
-
-
-
-
-
-
Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. 
В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
Электронные полупроводники (n-типа)
As




Si
Si
Si
Si
-
-
-
-
-
-
-
-
-

Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными.
Проводимость полупроводников




Донорные примеси  - это примеси, отдающие лишний валентный электрон
Полупроводники с донорными примесями обладают электронной проводимостью и называются полупроводниками n–типа.



Акцепторные примеси – это примеси, у которых не достает электронов для образования полной ковалентной связи с соседними атомами.
Полупроводники с акцепторными примесями обладают дырочной проводимостью и называются полупроводниками p-типа.

Собственная проводимость полупроводников
		Валентный электрон соседнего атома, притягиваясь к дырке, может перескочить в нее (рекомбинировать). При этом на его прежнем месте образуется новая «дырка», которая затем может аналогично перемещаться по кристаллу. 
Собственная проводимость полупроводников
Если напряженность электрического поля в образце равна нулю, то движение освободившихся электронов и «дырок» происходит беспорядочно и поэтому не создаёт электрического тока.
 Под  воздействием электрического поля электроны и дырки начинают упорядоченное (встречное) движение, образуя электрический ток. Проводимость при этих условиях называют собственной проводимостью полупроводников. При этом движение электронов создаёт электронную проводимость, а движение дырок – дырочную проводимость.
Диод
Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). 
В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода. 
Впервые диод изобрел Джон Флемминг в 1904 году.
Типы и применение диодов
Диоды применяются в:
 преобразовании переменного тока в постоянный
 детектировании электрических сигналов 
 защите разных устройств от неправильной полярности включения 
 коммутации высокочастотных сигналов
 стабилизации тока и напряжения
 передачи и приеме сигналов



Диод выпрямительный, столб выпрямительный 
Транзистор
Электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. 
Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. 
В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор.
Транзистор типа p-n-p 
Транзистор типа n-p-n 
Схематическое обозначение
Спасибо за внимание 