Вопрос: Основная особенность полупроводников - это
(*ответ*) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры
 возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры
 снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры
 независимость удельной электрической проводимости от температуры
Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие
(*ответ*) крутизна стокозатворной характеристики
(*ответ*) внутреннее дифференциальное сопротивление
(*ответ*) коэффициент усиления
 барьерная емкость р-n перехода
Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
(*ответ*) на основе толстопленочной технологии
(*ответ*) на основе тонкопленочной технологии
 по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки
 как вакуумные микродиодные и триодные структуры
По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
(*ответ*) тепловые
(*ответ*) фотоэлектрические
 электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
 содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы
(*ответ*) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем
 с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов
 с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
 усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током
Полевые транзисторы могут работать при температурах
(*ответ*) близких к абсолютному нулю
 до 200 С
 от 200 С до 300 С
 от 100 С до 400 С
Полевые транзисторы предназначены для
(*ответ*) усиления мощности и преобразования электрических колебаний
 усилительных устройств, для малых переменных токов
 усиления на высоких и сверх высоких частотах
 импульсных переключающих устройств
Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с
(*ответ*) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
 одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами
 двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами
 одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами
Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем - это
(*ответ*) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
 наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
 значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики
 значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики
Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем - это
(*ответ*) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
 значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики
 значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики
 наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры, _ интегральные схемы
(*ответ*) сверхбольшие
 малые
 средние
 большие
Категория: разное
Ответы:
Правильные ответы указаны по тесту
тест прошел проверку)