Вопрос: Аналоговые интегральные схемы предназначены для
(*ответ*) обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции
 для задержки сигналов
 программирования и хранения цифровых массивов
 обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
База биполярного транзистора - это
(*ответ*) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
 крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
 крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
 крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
Базой называется
(*ответ*) область, в которую инжектируются носители заряда
 область, из которой инжектируются носители заряда
 контакт металл - полупроводник
 электронно-дырочный переход
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор
(*ответ*) с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (или более) выводами
 с электрическим переходом и двумя (или более) выводами
 барьерная емкость р-n перехода которых изменяется при изменении обратного напряжения
 сконструированный на основе вырожденного полупроводника
В p-n переходе при обратном включении
(*ответ*) потенциальный барьер увеличится на напряжение U
(*ответ*) ток через p-n переход мал
 потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U
 дрейфовый поток уменьшается
В активном режиме зависимость тока коллектора от тока эмиттера
(*ответ*) практически линейна
 обратно пропорциональна
 квадратичная
 гиперболическая
В выпрямительных диодах используется свойство
(*ответ*) односторонней проводимости р-n перехода
 возможность работы на на низких частотах
 небольшого времени перезарядки емкости
 большой барьерной емкости р-n перехода
В диффузных биполярных транзисторах
(*ответ*) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
(*ответ*) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии
 концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
 дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
В дрейфовых биполярных транзисторах
(*ответ*) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
(*ответ*) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
 концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
 движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии
В комбинированных ИС используются
(*ответ*) биполярные и полевые транзисторы одновременно
 несколько транзисторов в одном корпусе
 усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором
 полевые транзисторы
В стабилитроне могут иметь место следующие типы электрического пробоя
(*ответ*) тоннельный
(*ответ*) лавинный
(*ответ*) смешанный
 тепловой
В схеме с ОБ
(*ответ*) нет усиления по току
 происходит усиление по току и по напряжению
 нет усиления по напряжению
 происходит усиление по току
В схеме с ОК
(*ответ*) происходит усиление по току и по мощности
 происходит усиление по напряжению
 нет усиления по току
 происходит усиление по напряжению и по мощности
Категория: разное
Ответы:
Правильные ответы указаны по тесту
тест прошел проверку)