Вопрос: Диффузионным током является перемещение
(*ответ*) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода
 неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода
 основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода
 неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода
Диффузия дырок из слоя р в слой n имеет место в
(*ответ*) контактирующих слоях полупроводника
 неконтактирующих слоях полупроводника
 контактирующих слоях проводника
 выпрямляющем электрическом переходе
Диффузия электронов из слоя n в слой р имеет место в
(*ответ*) контактирующих слоях полупроводника
 неконтактирующих слоях полупроводника
 контактирующих слоях проводника
 выпрямляющем электрическом переходе
Для полевого транзистора выделяют схемы включения с общим(ей)
(*ответ*) затвором
(*ответ*) истоком
(*ответ*) стоком
 базой
Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании берется исходный материал с
(*ответ*) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
 большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
 малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью
 большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью
Для уменьшения обратного тока в полупроводниках необходимо снижать
(*ответ*) концентрацию примесей
 напряжение источников питания
 диффузную емкость
 размеры полупроводника
Для участка вольт-амперной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно
(*ответ*) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока
 значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока
 незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока
 значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока
Дрейфовым током является перемещение
(*ответ*) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
 одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода
 неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
 основных носителей против поля р-n перехода
Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, велик, то
(*ответ*) лавинный пробой перейдет в тепловой
 лавинный пробой перейдет в туннельный
 резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода
 резко увеличится прямое напряжения на переходе
Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то
(*ответ*) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя
 участок электрического пробоя практически отсутствует
 диффузионная емкость перехода равна нулю
 процесс рекомбинации замедлен
Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _ характеристикой p-n-перехода
(*ответ*) вольт-амперной
 вебер-амперной
 кулон-вольтной
 внешней
Затвором называют
(*ответ*) общий электрод от контактов областей
 контакт, через который носители заряда вытекают
 контакт, через который носители заряда входят в канал
 часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
Зоной проводимости называется свободная зона, в которой
(*ответ*) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть
 электронов нет ни при каких температурных условиях
 электроны присутствуют всегда
 при нормальных условиях электронов нет
Категория: разное
Ответы:
Правильные ответы указаны по тесту
тест прошел проверку)