Вопрос: При запирающем напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе p-n-перехода и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика - это приводит к
 (*ответ*) увеличению толщины контактного слоя, обедненного основными носителями тока
 увеличению толщины контактного слоя, обедненного неосновными носителями тока
 увеличению толщины контактного слоя, обогащенного основными носителями тока
 уменьшению толщины контактного слоя, обогащенного неосновными носителями тока
При контакте металла с полупроводником р-типа запирающий слой образуется при Ам<А, так как в контактном слое полупроводника наблюдается избыток отрицательных ионов акцепторных примесей и недостаток основных носителей тока - _ в валентной зоне
 (*ответ*) дырок
 электронов
 фотонов
 фононов
При переходе химических элементов в сверхпроводящее состояние во внешнем магнитном поле скачком изменяются
 (*ответ*) теплопроводность
 (*ответ*) теплоемкость
 электроемкость
 сопротивление
При поглощении атомом активатора фотона с энергией h электрон с примесного уровня переводится в зону проводимости, свободно перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретится с ионом активатора и не рекомбинирует с ним, перейдя вновь на примесный уровень. _ сопровождается излучением кванта люминесцентного свечения
 (*ответ*) Рекомбинация
При появлении электрона в зоне проводимости в валентной зоне обязательно возникает
 (*ответ*) дырка
 положительный заряд
 отрицательный заряд
 энергия
 возбуждение
При температурах более высоких, чем критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние, в образце, помещенном во внешнее магнитное поле, как и во всяком металле индукция магнитного поля внутри будет
 (*ответ*) отлична от нуля
 стремиться к нулю
 близка к нулю
 существенна отлична от нуля
При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми
 (*ответ*) располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике
 располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем
 имеет тенденцию смещаться вниз к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника
 располагается посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем
Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются
 (*ответ*) акцепторами
 донорами
 реципиентами
 репродуцентами
Примесная проводимость обусловлена примесями, а также дефектами типа избыточных атомов и механическими дефектами - наличие в полупроводнике примеси _ его проводимость
 (*ответ*) существенно изменяет
 существенно не изменяет
 весьма существенно изменяет
 почти не изменяет
Принцип механического отталкивания положен в основу создания электрических машин, КПД которых благодаря свойствам сверхпроводников, близок к _%
 (*ответ*) 100
 90
 95
 99
Проводимость полупроводников всегда является возбужденной, т.е. появляется только под действием внешних факторов, а именно
 (*ответ*) температуры
 (*ответ*) облучения
 (*ответ*) сильных электрических полей
 квазичастиц
 валентной зоны
Категория: школьный раздел
Ответы:
Правильные ответы отмечены по тесту
тест прошел проверку)