Ishni bajarish uchun o‘quv topshirig‘i va uslubiy ko‘rsatmalar Umumiy emitterli bipolyar tranzistor asosida yaratilgan

|
Ishni bajarish uchun o‘quv topshirig‘i va uslubiy ko‘rsatmalar Umumiy emitterli bipolyar tranzistor asosida yaratilgan
|
bet | 6/7 | Sana | 18.12.2023 | Hajmi | 1,15 Mb. | | #122500 |
Bog'liq Multipleksor asosidagi universal mantiqiy modullar, sozlash usullari, piramidal strukturalariIshni bajarish uchun o‘quv topshirig‘i va uslubiy ko‘rsatmalar Umumiy emitterli bipolyar tranzistor asosida yaratilgan
kuchaytirgichni sinash
Topshiriq- Multisim laboratoriya majmuasini ishga tushiring va MS12 muhitning ish maydonida umumiy emitterli (UE) bipolyar tranzistorning kuchaytirgichni sinash uchun sxemani yig‘ing (4.8-rasm), sxema elementlarining parametrlarini hisoblash usullari bilan tanishing va ularni tuzuvchi (komponentlar)ning dialog derazalariga (okna) o‘rnating.
4.8-rasm Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich
Umumiy emitterli VT1 tranzistorli kuchaytirgich sxemasiga, (2N3906 turdagi va parametrlari: UK.max=40 V; IK.max =0,2 A; h21E=30…300; fmax
=300 MGz; PK=0,625 Vt bo‘lgan) R1 i Rk potentsiomerlar, Rs, Re va Rn
doimiy rezistorlar, S1…S3 sig‘imlar, A qayta ulagich va V kalit ulangan.
Energiya manbai sifatida EYuK E2=12 V bo‘lgan doimiy kuchlanish generatoridan foydalanilgan, kirish signalining manbai sifatida esa- E1 sinusoidal kuchlanish generatori ishlatilgan. Sinov natijalarini vizuallashtirish uchun sxemaga A1 va A2 ampermetrlar, V1 i V2 voltmetrlar, ikki kanallik XSC2 ossillograf va XVR1 plotter (kuchlanish kuchaytirgining AChX va FChX xarakteristikalarini tuzuvchi) lar kiritilgan.
Sxema elementlari parametrlarini hisoblashni quyidagi munosabatlar orqali amalga oshiramiz:
RK E2/IK.max=12/(0,2)=60 Om kollektorning qarshiligi (emitterning teskari aloqasisiz (A qayta ulagich o‘ng holatda turganda, V kalit ochiq holatda, 4.8-rasmga qarang));
UKp E2/2=6 B; IKp (E2 UKp)/RK= 6/60=100 mA sokin (tinch) holatdagi kollektordagi doimiy kuchlanish va tok;
IBp .IKp/h21=100/135 0,75 mA sokin holatda baza toki, bunda h21=135 2N3906 turdagi tranzistorning tok uzatish koeffitsientining o‘rtacha qiymati;
R1 (E1 UБп ) / IБп (12 0,65) / 0,75 103 15 кОмbaza zanjiridagi R1 rezistorning qarshiligi, bunda UBp 0,65 V kremniyli va UBp . 0,3 V germaniyli tranzistorlar uchun;
Re (0,1…0,2)E1/IEp=0,212/0,075=32 Om emitter zanjiridagi Re
qarshilik, IEp IKp 0,75 mA – Re rezistor ulangandagi kollektor toki.
R2=(0,3…0,5)R1 talab etilayotgan sokin kuchlanishni olish uchun, baza va kuchaytirgichning umumiy nol nuqtasi orasiga ulangan rezistorning qarshiligi:
UБЭп
E1R2 /(R1
R2 ) Re IЭп . (4.23)
Aytaylik: R2=6 kOm.
Umumiy emitterli va emitterli turg‘unlovchi (stabilizatsiey) uchun taklif etilayotgan rejim: UKp (2/3)E1=8 V va UEp (1/3)E1=4 V va buni R1, Rk potentsiometrlarning va Re rezistorning qarshiligini o‘zgartirish bilan o‘rnatish mumkin (4.8-rasmga qarang).
Salbiy teskari aloqa (OOS)ning o‘zgaruvchan tok tuzuvchiga ta’sirini yo‘qotish uchun Re rezistor C2 sig‘im bilan shuntlanadi (qisqa tutashtiriladi), kuchaytirilayotgan signalning past chastotali tuzuvchisi uchun sig‘im qarshiligi Re rezistor qarshiligidan bir tartibga kam bo‘lishi
lozim. C2=8 mF deb qabul qilsak, unda kondensatorning qarshiligi C2 XS2
20/f ga teng bo‘ladi .
Ish hisoboti varag‘iga 4.8-rasmdagi sxemaning nusxasini ko‘chiring.
Uvx kirish kuchlanishining chastotasi f=1 kGz, E1 manbaning kirish qarshiliklari Rs= 0 va Rs=100 Om, va yuklamaning qarshiliklari Rn
=1 MOm va Rn=1 kOm bo‘lganda Uchiq(Ukir) kuchlanish bo‘yicha amplituda xarakteristikalari oilasini (nuqtalar bo‘yicha) o‘lchang va tuzing. 4.1-jadvalga Ukir.kuchlanishning katta qiymatlarida chiqish kuchlanishining buzilish xarakterini ossillograf ekranida kuzatib, E1 manba EYuK ining bosqichma-bosqich o‘zgarishida, AC rejimda ishlayotgan V2 voltmetrning ko‘rsatkichlarini yozib oling.
E’tibor bering, VT1 tranzistorning kolektoridan olinayotgan Uchiq chiqish kuchlanishi, Ukir kirish kuchlanishiga qarama -qarshi fazada bo‘ladi (4.9-rasm).
4.1-jadval
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Ishni bajarish uchun o‘quv topshirig‘i va uslubiy ko‘rsatmalar Umumiy emitterli bipolyar tranzistor asosida yaratilgan
|