Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I

|
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I
|
bet | 9/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantFan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
Kriogen texnikasi
Kriogen texnikasi - kriogen temperaturalar, yaʼni 120°K dan past temperaturalar hosil qilish, toʻtib turish va ulardan foydalanish texnikasi. Kriogen texnikasi vositalari: kriostat va shunga oʻxshash boshqa qurilmalar; suyultirilgan va qattiq holatga keltirilgan gazlar (kislorod, azot, geliy va boshqalar) ishlab chiqaradigan qurilma va apparatlar; bu gazlarni saqlash va tashish uchun idishlar; oʻta past temperaturalardan foydalanib izotop va gaz aralashmalariga ajratuvchi qurilmalar. Boʻlardan tashqari, kriogen vakuum vasoslari, oʻta oʻtkazuvchan kriogen generatorlar, dvigatellar va gazli sovitish mashivasi asosidagi solenoidlar, mikrosovitkichlar va boshqalar Kriogen texnikasi ning vositalari boʻlib xizmat qiladi. Kriogen texnikasi vositalari va usullardan energetikada, kriogen elektronikada, metallurgiya, atom, kosmik va raketa texnikasida, shuningdek, tibbiyotda (kriojarrohlik asboblari), biol.da (kriobiologiya), qishloq xoʻjaligi, oziq-ovqat sanoati va boshqalarda foydalaniladi. Kriogen temperaturalarni fan va texnikaning koʻp sohalarida qoʻllash natijasida Kriogen texnikasi ning bir necha mustaqil yoʻnalishlari, mas, krioelektronika, kriobiologiya va boshqa paydo boʻldi
p-n o’tish hodisasida to’siq sig’im
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim
o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich
bir sohasi p–turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarining ajralish
chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr
maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb
ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash
printsipi p-n o‘tish xossalariga asoslangan.
17
P-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n–
sohadagi elektronlar va p– sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har
bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori
mavjud. Xona temperaturasida p–turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy
ionlarining kontsentratsiyasi N
a
kovaklar kontsentratsiyasi p
r
ga, n–turdagi yarim
o‘tkazgichda donor musbat ionlarining kontsentratsiyasi N
d
elektronlar
kontsentratsiyasi n
n
ga teng bo‘ladi. Demak, p- va n–sohalar o‘rtasida elektronlar va
kovaklar kontsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar
birlashtirilganda elektronlarning p –sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi
boshlanadi.
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar kontsentratsiyasi musbat
donor ionlari kontsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana
boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida p-soha chegarasidagi kovaklar kontsentratsiyasi
kamayib boradi va u aktseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari
hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (8a–rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar
mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami p-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam
harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning
solishtirma qarshiligi p- va n–soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi
adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi.
Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va p-n o‘tishda kuchlanganligi
E
ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun
bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni p-n o‘tish bo‘ylab erkin
harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 8 b-rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar
bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potentsial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potentsial
sifatida chegaraviy soha potentsiali qabul qilingan.
Maydonli (unipolyar) transistor
|
| |