-QISM  
VARIANT - Texnalogiyallar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universite ti

2-QISM
VARIANT
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш
Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC548C транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
BC548C транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
1-жадвал
UКЭ=0В
|
UКЭ=10В
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
25
|
541
|
25
|
687
|
50
|
562
|
50
|
709
|
75
|
575
|
75
|
722
|
100
|
584
|
100
|
732
|
125
|
591
|
125
|
739
|
150
|
596
|
150
|
744
|
175
|
601
|
175
|
749
|
200
|
605
|
200
|
754
|
250
|
612
|
250
|
761
|
300
|
618
|
300
|
766
|
350
|
622
|
350
|
771
|
400
|
626
|
400
|
775
|
Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз
BC548C транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги
УЭ схемасига асосан BC548C транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади
Ib = const
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.
BC548C транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ)
2-жадвал
UКЭ
|
IБ=25 мкА бўлганда
IК
|
IБ=50мкА бўлганда
IК
|
IБ=75 мкА бўлганда
IК
|
IБ=100мкА бўлганда
IК
|
IБ=125 мкА бўлганда
IК
|
IБ=150мкА бўлганда
IК
|
0
|
0,10455
|
0,33189
|
0,61697
|
0,94184
|
1,29704
|
1,67662
|
0,5
|
2,313
|
5,446
|
8,315
|
10,914
|
13,301
|
15,5
|
1,0
|
2,319
|
5,462
|
8,34
|
10,948
|
13,342
|
15,549
|
2,0
|
2,333
|
5,494
|
8,39
|
11,014
|
13,423
|
15,643
|
3,0
|
2,346
|
5,527
|
8,441
|
11,085
|
13,503
|
15,737
|
4,0
|
2,36
|
5,56
|
8,491
|
11,156
|
13,585
|
15,831
|
5,0
|
2,382
|
5,593
|
8,545
|
11,222
|
13,666
|
15,927
|
6,0
|
2,398
|
5,624
|
8,594
|
11,289
|
13,747
|
16,021
|
7,0
|
2,412
|
5,659
|
8,642
|
11,355
|
13,829
|
16,116
|
8,0
|
2,427
|
5,693
|
8,693
|
11,424
|
13,911
|
16,21
|
9,0
|
2,442
|
5,725
|
8,745
|
11,489
|
13,991
|
16,307
|
10
|
2,455
|
5,757
|
8,795
|
11,557
|
14,071
|
16,398
|
15
|
2,524
|
5,924
|
9,049
|
11,889
|
14,477
|
16,872
|
20
|
2,601
|
6,087
|
9,305
|
12,225
|
14,886
|
17,348
|
30
|
2,728
|
6,416
|
9,805
|
12,886
|
15,689
|
18,289
|
40
|
2,871
|
6,075
|
10,317
|
13,543
|
16,506
|
19,241
|
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз
BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги
“А” нуқтанинг координаталри: Iбс=50 мкА, Uбэ.сок= 709 мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=687 мВ, Uбэ2=722мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:
.h11э параметрини график усулда аниқлаш
BC548C транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. BC548C транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=709мВ – 562 мВ=147мВ
.h12э параметрни график усулда аниқлаш
h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
BC548C транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) (Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбс = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Ек = 20В, Rк = 300 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 66,6 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 20В қийматини ажратиб оламиз.
.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =30,8 мА, Uкэ=9,8В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.
Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА
Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:
ΔIк = Iк2 – Iк1=33,3 мА – 2,3 мА = 31 мА
h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
BC548C транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:
h22э параметрини график усулда аниқлаш
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 9,8В – 0,7В = 9,1В
Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:
ΔIк=Iк4 – Iк3=30,3мА – 28мА = 2,3мА
У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:
1.3. BC548C транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:
1.4. BC548C транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:
|