O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari ba kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari ba kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari
O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI BA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Kafedra Elektronika va radiotexnika
Fan Elektronika va sxemalar 1
LABORATORIYA ISHI – 12
Mavzu: Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнингнинг статик Вольт-ампер характеристикаларини тадқиқ этиш
Bajardi: 830-19-guruh talabasi
Samadov Yo`ldosh
Tekshirdi: Sobir Ulashov
Toshkent-2020
Ишдан мақсад: Умумий эмиттер уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш.
Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
12.1. Лаборатория ишини бажариш олдидан уинг паспорт кўрсатмаларини ёзиб олинг.
12.2. Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчашда 12.1-расмда келтирилган принципал схемани йиғинг, схемани ўлчашда қўлланиладиган ўлчов асбоблари билан танишиб чиқинг.
12.1-расм. Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалар оиласини ўлчаш схемаси
12.2-расм. Яримўтказгичли стабилитронни ВАХ ўлчаш схемасининг
УЛСда бажарилиш тартиби
BT markasi 2N5655 R1=22kOm
12.3-расм. УЭ уланиш схемасидаги БТнинг КХО ва ЧХОсини ўлчаш схемасини NI.MultiSim муҳитида йиғилган кўриниши
12.1 – жадвал. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг
кириш характеристикалари оиласи
Uke=0V
|
IB(mkA)
|
0
|
20
|
40
|
60
|
80
|
100
|
120
|
140
|
160
|
180
|
200
|
UBE(V)
|
0
|
0,476
|
0,503
|
0,517
|
0,527
|
0,534
|
0,54
|
0,545
|
0,549
|
0,553
|
0,556
|
Uke=2V
|
IB(mA)
|
0
|
20
|
40
|
60
|
80
|
100
|
120
|
140
|
460
|
480
|
200
|
UBE(V)
|
0
|
0,553
|
0,572
|
0,577
|
0,579
|
0,581
|
0,582
|
0,583
|
0,585
|
0,586
|
0,587
|
IB=(mkA)=40
|
UKE(V)
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
18
|
20
|
|
IK(mA)
|
0
|
0,868
|
1,622
|
1,658
|
1,694
|
1,765
|
1,836
|
1,907
|
1,979
|
2,05
|
2,122
|
2,193
|
2,263
|
IB(mkA)=80
|
UKE(V)
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
18
|
20
|
|
IK(mA)
|
0
|
0,891
|
1,86
|
2,818
|
3,275
|
3,326
|
3,533
|
3,672
|
3,809
|
3,948
|
4,086
|
|
|
IB(mkA)=120
|
UKE(V)
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
18
|
20
|
|
IK(mA)
|
0
|
0,899
|
1,876
|
2,855
|
3,828
|
4,91
|
5,11
|
5,311
|
5,511
|
5,511
|
|
|
|
12.2 – жадвал. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг
чиқиш характеристикалари оиласи
12.3. 12.1 ва 12.2-жадваллар асосида олинган ўлчаш натижалари асосида кириш характеристикалари оиласи (яъни УКЭ=cонст бўлганда, IБ=f(UБЭ)) ва чиқиш характеристикалари оиласи (яъни IБ=cонст бўлганда, IК=f(UКЭ)) боғликлик графиклар чизилади ва h-параметрларни кириш ва чиқиш хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (h11Э ва h12Э – кириш характеристикалар оиласидан, h21Э ва h22Э – чиқиш характеристикалар оиласидан):
Ряд1 Uke=0V; Ряд2 Uke=2V
12.4-расм. УЭ уланиш схемасидаги БТ нинг кириш характеристикалари оиласи
Ряд1 Ib=40mkA; Ряд2 Ib=20mkA; Ряд3 Ib=120mkA;
Ряд1 Ib=40mkA; Ряд2 Ib=20mkA; Ряд3 Ib=120mkA;
h11e=∆Ube/Ib=(0,531-0,523)/(150*10-6-132*10-6)=444,4
Uke=const
h12e=∆Ube/Uke=(0,588-0,55)/(2-0)=0,019
Ib=const
h21=∆Ik/∆Ib=(5,25*10-3- 1,97*10-3)/(120*10-6-40*10-6)=41
Uke=const
h22e=∆Ik/Uke=(0,386*10-3-0,361*10-3)/(12-8,8)=0,00001136
Ib=const
Xulosa:
Men bu labaratoriya ishida umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy static xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq qildim. Shuningdek matematik hisob kitoblar orqali va Multisim orqali amaliy jarayonlarni bajarib jadvallarni to`ldirdim. Jadvaldagi qiymatlar orqali ularning grafiklarini excel dasturida chizmalarini chizdim. Bu labaratoriya ishida o`zimga kerakli malumotlarni egalladim.
http://hozir.org
|