Bipolyar tranzistor - O’zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent...

|
O’zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalar universiteti qarshi filiali kompyuter injinering fakulteti ki 4 22 guruh elektronika va sxemalar fanidan mustaqil ish
|
bet | 2/2 | Sana | 14.05.2024 | Hajmi | 1,7 Mb. | | #232623 |
Bog'liq inshaalloh oxirgisi 3 Bipolyar tranzistor - uch elektrodli yarimo'tkazgichli qurilma, tranzistorlar turlaridan biri. Yarimo'tkazgich strukturasida ikkita p-n birikmasi hosil bo'ladi, ular orqali zaryad o'tkazish ikki qutbli tashuvchilar - elektronlar va teshiklar tomonidan amalga oshiriladi. Shuning uchun qurilma maydon (unipolyar) tranzistoridan farqli o'laroq, "bipolyar" (ingliz tilidan. Bipolyar) deb nomlangan tranzistor . U elektr tebranishlarini kuchaytirish yoki yaratish uchun elektron qurilmalarda, shuningdek, kommutatsiya elementida (masalan, TTL davrlarida) foydalaniladi. Bipolyar tranzistor o'zgaruvchan turdagi nopoklik o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan uchta yarimo'tkazgich qatlamidan iborat: emitent ("E", inglizcha E bilan belgilanadi), tayanch ("B", inglizcha B) va kollektor ("K", inglizcha C) . Qatlamlarning almashinish tartibiga qarab n-p-n (emitter - n-yarimo'tkazgich, asos - p-yarim o'tkazgich, kollektor - n-yarim o'tkazgich) va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Supero'tkazuvchilar to'g'rilanmaydigan kontaktlar qatlamlarning har biriga ulanadi.
.
Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish uchun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. MT larda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. MTlarda tok hosil bo‗lishida faqat bir turli — asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba‘zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda :asosiy zaryad tashuvchilarni harakatlantiruvchi elektrod-istok ( tok manbai), asosiy zaryad tashuvchilar boradigan elektrod - stok, o'rtadagi boshqaruvchi elektrod esa - zatvor deyiladi.Istok bilan stok oralig'idagi qatlam kanal deyiladi. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlari: xarakteristika tikligi S, differensial (ichki qarshiligi) , µ kuchaytirish koeffitsienti hisoblanadi. Maydoniy tranzistorlarning bir necha afzalliklari: 1. Katta kirish qarshiligiga ega. ( p-n o'tishli maydonli tranzistorlarda , zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlarda bo'ladi.).
9-variant
Xulosa:
Men bugun bu mustaqil ishlardan kerakli tushunchalarga ega buldim masalan tranzistorlar, bipolyar tranzistorlar, maydoniy tranzistorlar oid tushunchalarni bilib oldim Xulosa urnida shuni aytish joizkki elektronika va sxemalar fanidan
urganayotgan bilimlarimiz bizning kelajak poydevor uchun xizmat qiladi.
Mustaqil ish davomida undan tashqari turli xil tranzistorlarni va har xil bilim kunikmalarni bilib oldik.Ushbu mustaqil ishni bajarish davomida organib oldim.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1 қисм. Дарслик.-T.: “Фан ва технологиялар” 2017.- 296 б.
2. Демирчан К.С., Нейман Л.Р., Коровкин Н.В., Чечурин В.Л. Теоретические основы электротехники. –СПб.: Питер, 2003. -462 с.
3. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи: Учебник для вузов.-М.: Гардарики, 2006.- 701 с. 4.
John Bird. “Electrical and Electronic Principles and Technology” LONDON AND NEW YORK, 2014.-455 p.
5. Абдуллаев Б.А., Бегматов Ш.Э. Электротехника и основы электроники. Методическое электронное пособие к выполнению виртуальных лабораторных работ. -Ташкент: ТГТУ, 2005
. 6. Abdullaev B.A, Begmatov Sh.E., Xalmanov D. Elektrotexnika va elektronika asoslari virtual laboratoriya ishlari,Uslubiy ko‘rsatmalar. – Toshkent: ToshDTU, -2016.-86 b.
7. Begmatov Sh.E.«Elektrotexnika va elektronika» fanidan virtual laboratoriya ishlarini bajarishga uslubiy qo‘llanma.-T.: TDTU, 2018.-115 b
E’TIBORINGIZ UCHUN RAHMAT
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O’zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalar universiteti qarshi filiali kompyuter injinering fakulteti ki 4 22 guruh elektronika va sxemalar fanidan mustaqil ish
|