Ishlash rejimlari - 1. Bipolyar tranzistorlarning ulanish sxemalari Dinistor tuzilmasi va ishlash mexanizmi

|
1. Bipolyar tranzistorlarning ulanish sxemalari Dinistor tuzilmasi va ishlash mexanizmi
|
bet | 3/5 | Sana | 22.05.2024 | Hajmi | 476,76 Kb. | | #250556 |
Bog'liq 4 mustaqil ishsIshlash rejimlari
Ikkala p-n birikmasi ham oldinga yo'naltirilgan (ikkalasi ham ochiq). Emitent va kollektor p-n o'tish joylari oldinga yo'nalishda tashqi manbalarga ulangan bo'lsa, tranzistor to'yinganlik rejimida bo'ladi. Emitent va kollektor birikmalarining diffuziya elektr maydoni tashqi manbalar Ueb va Ucb tomonidan yaratilgan elektr maydoni tomonidan qisman zaiflashadi. Natijada, asosiy zaryad tashuvchilarning tarqalishini cheklaydigan potentsial to'siq kamayadi va emitent va kollektordan poydevorga teshiklarning kirib borishi (in'ektsiya) boshlanadi, ya'ni oqimlarning emitent va kollektori orqali o'tadi. tranzistor, emitentning to'yingan oqimlari deb ataladi ( I E. biz ) va kollektor ( I K. biz ).
Kollektor-emitterning to'yinganlik kuchlanishi (U KE. us ) - ochiq tranzistorda kuchlanishning pasayishi ( R SI ning semantik analogi. ochiq maydon tranzistorlari). Xuddi shunday, bazaviy emitentning to'yinganlik kuchlanishi (U BE. us ) - ochiq tranzistorda tayanch va emitent orasidagi kuchlanishning pasayishi.
O'chirish rejimi
To'siq rejimi
Asosiy sozlamalar
- Joriy uzatish koeffitsienti.
- Kirish empedansi.
- Chiqish o'tkazuvchanligi.
- Teskari kollektor-emitter oqimi.
- Yoqish vaqti.
- Asosiy oqim uzatish nisbatining cheklash chastotasi.
- Teskari kollektor oqimi.
- Maksimal ruxsat etilgan oqim.
- Umumiy emitentli zanjirda oqim o'tkazish.
- Koeffitsientining kesish chastotasi .
Xulosa
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
Umumiy ma’lumotlar. Dinistor tuzilmasi va ishlash mexanizmi
VAXida manfiy differensial qarshilik mavjud bo‘lgan, uch va undan ortiq p-n o‘tishlarga ega ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich asbob tiristor deb ataladi.
Tiristorning S-simon VAXida tok ortishi bilan kuchlanish kamayadigan AV soha mavjud.
Tiristor ishlaganda ikkita muvozanat holatda bo‘lishi mumkin. Berk holatda tiristor katta qarshilikka ega va undan kichik tok oqadi. Ochiq holatda tiristor qarshiligi kichik va undan katta tok oqadi. Shundan yarimo‘tkazgich asbobning nomi (tira – eshik) qo‘yilgan. Tiristorlar radiolokatsiyada, radioaloqa qurilmalarida, avtomatikada manfiy o‘tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgich asbob sifatida hamda tok boshqaruvchi kalitlar, energiya o‘zgartgichlarning bo‘sag‘aviy elementlari sifatida yoki boshlang‘ich holatda ener-giya iste’mol qilmaydigan asbob – triggerlar sifatida keng ishlatiladi.
Tiristorlar chiqishlari soniga qarab diodli (dinistor), triodli (trinistor) va tetrodli tiristorlarga bo‘linadi va to‘rt qatlamli p-n-p-n tuzilmadan mos ravishda chiqarilgan ikki, uch va to‘rt chiqishga ega bo‘ladi. Tuzilma chekkasidagi r – qatlam anod (A), n – qatlam esa katod (K) deb nomlanadi. Anod va katod orasidagi n – va r – sohalar baza deb ataladi, ularga o‘rnatilgan elektrodlar esa boshqaruvchi elektrodlar deb ataladi. Diodli va triodli tiristorlar tokni faqat bir tomonlama o‘tkazadi. Bu o‘z navbatida, tiristorlarning o‘zgaruvchan tokni boshqarish imkoniyatini cheklaydi. O‘zgaruvchan tok zanjirlarida ikki tomonlama kalit sifatida simistor (simmetrik tiristor) ishlatiladi. Simistor triak deb ham ataladi. Simistor p-n-p-n-p tuzilmaga va bir yoki ikki boshqaruvchi elektrodga ega.
|
| |