Integral mikrosxemalarning asosiy tushunchasi va klassifikatsiyasi

|
Integral mikrosxemalarning asosiy tushunchasi va klassifikatsiyasi
|
bet | 6/77 | Sana | 27.12.2023 | Hajmi | 23,18 Mb. | | #128710 |
Bog'liq Ўзбекистон республикаси ахборот технологиялари ва коммуникациялаIntegral mikrosxemalarning asosiy tushunchasi va klassifikatsiyasi
Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar.
IMS larning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinardi.
IMS lar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMS ning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo‘lib, yagona hisoblanadi. IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMS larning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMS lar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. IMS ning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.
Dielektrik asosli IMS larda elementlar uning sirtida joylashadi. YArim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyasiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.
Pardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi.
Parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra yupqa pardali IS(parda qalinligi 1 – 2 mkm gacha) va qalin pardali IS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo‘linadi.
Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va h.z.) dan tashkil topadi.
|
| |