Amaliy qism - Elektronika va avtomatika

|
Elektronika va avtomatika
|
bet | 3/10 | Sana | 16.11.2023 | Hajmi | 1,1 Mb. | | #99615 |
Bog'liq МЕТОДИЧКА НОРМУРОДОВAmaliy qism
Ko’p emitterli tranzistorlar Multisim modelida alohida tranzistorli sxemalardan foydalanib. ado etilishi mumkin
1. TTM mantiqli bazi tayanch elementni VA – YOQ ekvivalent sxemasini yeg’ing ko’p emitterli tranzistor asosida va uni ishga yaroqliligini tekshiring.
Foydalanadigan kompanentlar va uskunalar:
raqamli sxemalar uchun 5 V taminot manbayi (VCC);
ikkita kirishga uzib ulagich (SPDT Switch);
mantiqiy sinagich (Digital Probe);
yer (Ground);
Bi qutubiy tranzistorlar (BJT NPN);
Rezistrlar (Resistor);
Osstilogrif (Oscilloscope.
3VA – YOQ tayanch elementini rasm 1 ga mos ravshda sxemani modeli unda kirish signallari mantiqiy 0 va 1 darajadagi shinalarni berilishiga o’xshagan, J1 – J3, kalitlar yordamida beriladi, kirish va chiqish signallari 4 karali osstilogrif yordamida nazorat qilinadi u rasm 2 da keltirilgan. Mantiqiy darajani kirish va chiqish kuchlanishlarini osstilogrammalari rasm 3 da keltirilgan va u 3VA – YOQ tayanch mantiqiy elementning chinlik jadvalini tasdiqladi.
Rasm 2. 3VA – YOQ tayanch elementni tatqiq qilish uchun modul.
Rasm 3. VA – YOQ tayanch elementining kirishi va chiqishidagi kuchlanish osstilogrammalari.
Keltirilgan TTM sxemani kamchilikdan biri bo’lib uning kichik yuklama hususiyati va sekin ishlashi hisoblanadi. Bunga sabab bo’lib tranzistorlarni to’yinishi hisoblanadi.
Tez sihlashini oshirish uchun murakkab invertorli sxemadan foydalaniladi (rasm 4).
Murakkab invertorda T1 va T3 tranzisotrlar Darlington sxemasi bo’yicha ulangan, shuning uchun ularni bir butun deb ko’rib chiqish mumkin; ular birgalikda yopiladilar va ochiladilar. R2 qarshiligini borligi tamoyilli emas: u orqali Ie1 tokni bir qismi tarmoqlanadi, bu esa IBE tokini kamaytirish imkonini beradi yani T3 tranzistorini to’yinish darajasini.
Rasm 4. Murakkab invertorli 3VA – YOQ TTM tayanch elementi.
T2 va T3 tranzistorlar yig’indisini ikki taktli chiqish koskadini variant kabi qarash mumkin, ularda tranzistorlar navbati bilan ishlaydi: T2 S kondensatorni zaryadlaydi (I1 toki) T3 esa razryadlaydi (I2 toki). Diod D T3 ochiq bo’lganida va to’yinganida T2 tranzistorni yopilishini taminlaydi, R2 rezistr esa usha intervallar orasida tokni chegaralaydi, qachonki T2 ochilsa T3 esa yana yopiladi.
2. TTM mantiqining tayanch elementi ekvivalent sxemasini yeg’amiz 3 VA – YOQ murakkab invertiri bilan va uni ishga yaroqliligini tekshiradi. Sxema asosi uchun rasm 2 da ko’rsatilgan model olingan unda oddiy invertor ikki taktli chiqish koskadi bilan almashtirilgan.
Tez ishlashni oshirish uchun boshqa yondashuv bo’lib shottki diodili sxema hisoblanadi (rasm 5) – tranzistorni bazasi va kollektri orasiga shottki diodi ulanadi. Bu tranzistor tranzistor shottki diodili (TTMSH), yaratilishiga olib keldi, uni asosiy hususiyati bo’lib shottki kontaktini juda kichik deffuzyon sig’imi hisoblanadi va chegaraviy kuchlanish kamayadi UPOR=0,4 V. Shottki diodi bilan “kollektr – baza” o’tishini cheklanishi to’yinishdan qochish imkoniyatini beradi bu o’z navbatida “baza emitter” o’tishdagi kuchlanishni tushuvini oshishiga olib keladi. Bu iste’mol tokini statik rejimda kamaytiradi bundan kelib chiqib sxema iste’mol qiladigan quvvatni, tez ishlashni oshiradi ammo Uvix chiqishda mantiqiy 0 darajasini oshiradi UVIX=0,4 V.
Rasm 5. Shottki diodili tranzistor – tranzistor mantiqi:
A – shottki diodili bi qutubiy tranzistorda ishlagan kalit;
B – murakkab invertorli 3VA – YOQ TTMSH tayanch elementi
3. VA YOQ mantiqli TTMSH tayanch elementni ekvivalent sxemasini yeg’ing va uni ishga yaroqli ekanligini tekshiring. Nominal rezistorlarni tayanch elementlarni chiqishidagi mantiqiy 0 darajaga tasirini tatqiq qiling.
|
| |