Bajardi: Abdumuminov T. F qabul qildi: Nizamov A. N samarqand – 2024 Variant №1

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
SAMARQAND FILIALI
KOMPYUTER INJINIRINGI
FAKULTETI
Eliktronika va sxemalar fanidan
Mustaqil ish 3
Guruh: KI22_01
Bajardi:Abdumuminov T.F
Qabul qildi: Nizamov A.N
SAMARQAND – 2024
Variant №1
Mavzu: IMS tuzishda tarkibiy tranzistorlar.
Reja:
Kirish qismi
IMS ning asos elementlari
Raqamli mikrosxemalarning seriyalari va rusumlash tizimi.
Shmitt triggerining tarkibiy ishlash tamoyili.
Raqamli integral sxemalarning rusumlash va belgilash tizimlari.
Raqamli integral sxemalarning g’iloflari.
Xulosa
Foydalanilgan adabiyo
Rezistorlar. Rezistorlaming ishlash prinsipi materiallaming ulardan o‘tayotgan elektrtokiga qarshilik qilish xususiyatiga asoslangan. Rczistorlar vazifasiga ko'ra umumiy, pretsizion, yuqori chastotali, yuqori megaomli, yuqori voltli va maxsus. ishlatilish xususiyatlariga ko‘ra esa harorat va namlikka bardoshli. vibratsiyaga va zarbga сhidamli. yuqori darajada ishonchli bo'lishi mumkin. Rezistorlar qarshilikning o’zgarish xarakteriga ko’ra. o'zgarmas yoki o’zgaruvchan. shu jumladan. sozlanuvchi bo‘ladi (1-rasm).
l-rasm. Rezistorlaming eleklr sxemalarda shartli belgilanishi: o'zgarmas (a), o'zgaruvchan (b). sozlanuvchi (d). termistor (e) va varistor (J).
O'zgarmas rczistorlar radioelektron apparat (REA)larni vig ish. sozlash va ishlatishda o‘z qarshiligini o'zganirmaydi. o‘zgaruvchi va sozlanuvchi qarshilikli rezistorlarda esa. mos ravishda, maxsus moslama (burama yoki chervyakli o’qqa mahkamlangan kontakt surilgich)lari bo'ladi. IMSlar rezistorlarini yasashda ularninggcomctrik o‘lchamlarining kichikligi sababli mo'ljallangan qarshilikni olish imkoniyati bo'lmaydi. Shuning uchun mexanik usullar bilan yoki lazer nuri yordamida lining geometrik oMchamlarim qisqartirib, rezistor qarshiligi talab etilgan nominalga kcltiriladi. Yarimo‘tkazgichli integral sxemalarning barcha elementlari (tranzistorlar. diodlar. rezistorlar va kondensatorlar) kremniy, arsenid galliyning p-n o'tishlari baza«ida epitaksiya va diffuziya usuli bilan yaratiladi.
2-rasm. Unuimiy maqsadlarda qo'llaniladigan o'zgarmas rezistorlar.
3-rasm. Umumiy maqsadlarda qo'llaniladigan o'zgaruvchan simsiz rezistorlar.
Yarimo’tkazgichli sxemalar rezistorlari baza sohasida hosil qilinadi va ularning qarshiligi soha qarshiligi bilan bclgilanadi hamda 25 Om dan bir necha kiloomlargacha bo'lgan oraliqda bo'ladi. Maxsus ishlarga moMjallangan yupqa pardali mikrosxemalar mikroelektron lexnikada keng qoMlaniladi. Hozirda ular asosida yirik gibrid integral sxemalar yaratilmoqda. Bunga sababi shuki. yupqa pardali texnologiya elementlarning nominal qiymati chegaralarini kengavtirishga va yanada yuqori aniqlikka. barqarorlikka va ishonchlilikka erishishga imkon beradi.
4-rasm. Pretsizion rezistorlar.
5-rasm. O'zgaruvchan (sozlanuvchi) pretsizion rezistorlar.
Kondensatorlar. Kondcnsatorlarning ishlash prinsipi ularning qoplamalariga potensiallar farqi berilganda, ularda elektr zaryad to'planish xususiyatiga asoslanadi.
7-rasm. Meandr turidagi yupqa pardali rezistor geometriyasi: (,,, va b — rezistorning o'rtacha uzunligi va.kengligi: I. a. L va В — mos ravishda, meandrning qadami, bo‘g‘inlari onisidagi masofa, uzunligi va kengligi.
Integral mikrosxemalar strukturlarining elektrofizik parametrlari Integral mikrosxemalar ishchi qatlamlari, p-n o‘tishlar solishtirma baryer sig‘imi, p-n o‘tish teshilish kuchlanishi, qatlamlar solishtirma elektr qarshiligi, emitter tokining baza qatlamida emitter qatlami bilan chegaralangan siqib chiqarish effekti (n-p-n tranzistorlar faol baza sohasi), p-n o‘tishlar issiqlik toklari. Integral yarimo‘tkazgichli mikrosxemalar bipolyar tranzistorlari va diodlarini loyihalash Integral n-p-n tranzistorlar spesifikasi, n-p-n tranzistorlarni loyihalash, n-p-n tranzistor uzatish koeffisiyentini hisoblash, p-n-p tranzistorlarni loyihalash, p-n o‘tishlar asosidagi integral diodlami loyihalash, Shotki baryerli diod va tranzistorlarni loyihalash, ko‘p emitterli n-p-n tranzistorlarni loyihalash. Yarimo‘tkazgichIi bipolyar integral mikrosxemalar passiv elementlarini loyihalash DifTuzion kondensatorlami loyihalash, rezistorlami loyihalash Mdya mikrosxemalar elementlarini loyihalash MDYA kondensatorlami loyihalash, MDYA tranzistorlarni loyihalash, zaryad bog'lanishli asboblami loyihalash, elementlararo ulashlami loyihalash. Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarni loyihalash Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, MDYA tranzistorlar asosidagi raqamli mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, chiqishida differesial kaskadi bo‘lgan analogli integral mikrosxemalar topologiyasini loyihalashning o‘zga xosliklari, Integral injeksion mantiq, integral mikrosxemalami konstruktiv bezash, integral mikrosxemalar hujjatlari.
|