Laboratoriya ishi №7 bipolyar tranzistorni volt-amper xarakteristikasini olish

Laboratoriya ishi № 7
BIPOLYAR TRANZISTORNI VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI
OLISH.
Ishdan maqsad: Umumiy baza sxemasi bilan ulangan bipolyar
tranzistorning kirish
volt-amper xarakteristikalari turkumlarini olish va o‘rganish.
Ishning qisqacha nazariyasi
Bipolyar (biqutbiy) tranzistor deb ikkita o‘zaro ta’sirlashuvchi p - n
o‘tishdan tashkil topgan yarim o‘tkazgichli asbobga aytiladi. Tranzistorlar tuzilishi
va ishlash prinsipiga qarab bipolyar va maydon tranzistorlariga bo‘linadi. Bipolyar
trazistorning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, maydon tranzistorlarining ishlashi esa
bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichdagi tok
tashuvchilarning elektr maydoni yordamida boshqa-rishga asoslangan.
Bipolyar tranzistorlar strukturasiga qarab p-n-p va n-p-n tipli tranzistorlarga
bo‘linadi. 7.1-rasmda mazkur tranzistorlarning tuzilishi va sxemada belgilanishi
ko‘rsatilgan.
p-n-p va n-p-n tranzistorlarni ishlash prinsipi bir xil bo‘lib, faqat sxemaga
ulanganda manba qutblari almashtirilib ulanadi. p-n-p
tranzis-torda asosiy tok
tashuvchilar kovaklar, n-p-n tranzistorlarda esa elektronlar hisoblanadi.
Tranzistorlar radiosxemalarda ishlatilganda
uning elektrodlaridan biri
zanjirning kirish va chiqishi uchun umumiy bo‘lgan simga korpusga ulangan
bo‘ladi. Shunga ko‘ra tranzistorlarning uch xil ulanish sxemasi mavjud:
7.1-rasm. Bipolyar tranzistorlarning tuzilishi: a) to‘g‘ri tranzistor, b) teskari
tranzistor
1. Umumiy bazali ulanish sxemasi.-UB;
2. Umumiy emitterli ulanish sxemasi.-UE;
3. Umumiy kollektorli ulanish sxemasi.-UK.
UB sxema tranzistorlarning xususiyatlarini tekshirishda qulay hisoblanadi.
Shuning uchun tranzistorlarning xarakteristikalari ko‘pincha
shu sxema asosida
tekshiriladi va qolgan 2 ta ulanish sxemasiga tadbiq etiladi. 7.2-rasmda tranzistorni
uchta ulanish sxemasi ko‘rsatilgan.
7.2-rasm. tranzistorni uchta ulanish sxemasi
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib UKB = const
bo‘lgandagi IE= f (UEB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const
bo‘lgandagi IB=f(UBE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish
xarakteristikalarining
umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p - n bilan aniqlanadi. Shu
sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega.
Trazistorli sxemalarni hisoblash va tahlil qilish uchun tranzistor
xarakteristikalaridan foydalaniladi. Tranzistorning xarakteristikasi
deganda uning
kirish va chiqish zanjirlaridagi tok va kuchlanishlar orasi-dagi bog‘lanishlar
tushiniladi.
Tranzistorning UE ulanishi sxemasida kollektor kuchlanishi o‘zgar-mas
bo‘lganda baza tokining I
b
emitter-baza
orasidagi U
b-e
kuchlanishga bog‘liqligi
tranzistorning kirish xarakteristikasi deyiladi.
Tranzistorning statik kirish xarakteristikasini olish uchun kollektor
kuchlanishini ma’lum qiymati uchun baza kuchlanishini o‘zgartirib baza toki I
b
ni
qiymatlarini o‘lchab kirish xarakteristikasi olish mumkin.
Ishni bajarish tartibi:
1.Multisim dasturida quyidagi sxema yig‘ilsin:
7.3- rasm. Umumiy baza sxemasi bilan ulangan p-n-p bipolyar tranzistorning kirish
volt-amper xarakteristikalarini o‘rganish sxemasi.
2.Multisim dasturi kutubxonasidan tranzistor turi tanlab olinsin.
3.U
kb
kuchlanishining uchta har xil doimiy qiymatida I
e
va U
eb
kattaliklar qiymatlari
hisoblansin va quyidagi jadvallarga kiritilsin.
4.U
kb
=const bo‘lganda I
e
=f(U
eb
) bog‘liqlikning grafiklari Ukb ning uchta har xil
doimiy kattaliklarida chizilsin..
U1
DC 10M
Ueb