R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilga

|
R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilga
|
bet | 3/3 | Sana | 17.12.2023 | Hajmi | 0,51 Mb. | | #121255 |
Bog'liq elektronika mustaqil ish4R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan - R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan
Kanalning o‗tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi , bu yerda - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‗lmaganda kanal uzunligi Sl - Kanalning o‗tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi , bu yerda - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‗lmaganda kanal uzunligi Sl
- bo‗ylab zatvor ostidagi kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir xil bo‗ladi. Berilgan qutblanishda zatvor va istok oralig‗iga tashqi kuchlanish berilsa UZI r–n o‗tish teskari yo‗nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‗ylab kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi ortadi, lekin chiqish toki IS = 0 bo‗ladi, chunki USI=0 (5.2 a - rasm).
Xulosa: - Xulosa:
- Xulosa o’rnida shuni aytish mumkinki, Bu mavzular elektronika, injiniring va kompyuter texnologiyalari sohasidagi muhim asboblar va texnologiyalarni o'rganishda va dasturlashda juda ahamiyatli. Bipolyar tranzistorlar, ko‘p qatlamli yarim o‘tkazgich asboblar, maydoniy tranzistorlar (MT), va integral mikrosxemalar texnologiyaviy rivojlanish va innovatsiyalarning muhim qismlarini tashkil etmoqda. Bu sohalardagi yangiliklar va rivojlanishlar, elektronika va kichik chipta asboblar sohasidagi mahsulotlarni yanada samarali va ko'p funksiyali qilishga olib kelmoqda.
FOYDANILGAN ADABIYOTLAR - FOYDANILGAN ADABIYOTLAR
- 1. Nigmatov X. Radioelektrronika asoslari. T.: «Uzbekiston», 1994.
- 2. Karimov A.S. va boshkalar. Elektrotexnika va elektronika asoslari. T.: «Ukituvchi», 1995.
- 3. Xonboboev A.I., Xalilov N.A. Umumiy elektrotexnika va elektronika asoslari. T.: «Uzbekiston» 2000 y.
- 4. Turdiev M.T. Elektrotexnika va elektronika asoslari. T.: «Ukituvchi» 2002 y.
- Qo‟shimcha adabiyotlar
- 1. Mirziyoev Sh.M. Erkin va farovon, demokratik O‗zbekiston davlatini birgalikda barpo etamiz. O‗zbekiston Respublikasi Prezidentining lavozimiga kirishish taitanali marosimiga bag‗ishlangan Oliy Majlis palatalarining qo‗shma majlisidagi nutqi. T.: ―O‗zbekiston‖ NMIU, 2016. 56 6.
- 3. Mirziyoev Sh.M. Buyuk kelajagimizni mard va oliyjanob xalkimiz bilan birga kuramiz. - T.: "Uzbekiston" NMIU, 2017. - 488 b.
- 4. Uzbekiston Respublikasini yanada rivojlantirish buyicha Harakatlar strategiyasi tugrisida. - T.:2017 yil 7 fevral, PF-4947-sonli Farmoni.
Elektron resurslar - 1. www.gov.uz - O‗zbekiston Respublikasi hukumat portali.
- 2. www.lex.uz -O‗zbekiston Respublikasi Qonun hujjatlari ma‘lumotlari milliy bazasi.
- 3. www. ziyonet.uz;
- 4. www.bilim.uz.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilga
|