2 – laboratoriya ishi Mavzu: btda yasalgan ue kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi

|
2 – laboratoriya ishi Mavzu: btda yasalgan ue kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi
|
bet | 1/2 | Sana | 16.05.2024 | Hajmi | 89,75 Kb. | | #237868 |
2 – laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.
Qisqacha nazariy ma’lumot:
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2 ta listga BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini asosiy bosqichlarini yozish va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatib berish.
2.1-rasm. UE sxemasidagi BTda bajarilgan
sodda kuchaytirgich bosqichi sxemasi.
Tranzistor aktiv rejimda ishlaydi. RB va RK rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha ish rejimini ta’minlaydilar. Bu vaqtda RB yordamida baza tokining o‘zgarmas tashkil etuvchisi o‘rantiladi.
, (2.1)
demak, kollektor toki ham
, (2.2)
RK rezistor kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini kuchlanish manbai orqali qisqa tutashuvdan himoya qiladi. RK>>RYU bo‘lishi tavsiya etiladi. Bir vaqtning o‘zida RK kattaligi kollektordagi kuchlanish o‘zgarmas tashkil etuvchisiga ta’sir ko‘rsatadi, chunki
. (2.3)
Berilgan EK va RK qiymatlarida o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor ishchi nuqtasi ikkita parametr bilan emas, balki bitta parametr IB (0) yoki IK(0) yoki UKE(0) orqali beriladi. O‘lchashda UKE(0) dan foydalangan qulay.
Signal manbai uG va YUklama o‘zgarmas tok rejimida tranzistorga ta’sir ko‘rsatmasligi uchun, UBE(0) ishchi diapazonda kichik qarshiliklarga ega bo‘lgan bo‘luvchi kondensatorlar SB va SK ulanishi kerak.
Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi formulalardan foydalanish mumkin:
; (2.4)
Bu erda ; .
Emitter zanjirida manfiy teskari aloqa YUzaga keltiruvchi RE rezistor mavjud bo‘lganda
; (2.5)
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. O‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish.
2.1.1. 3.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 3.1 – rasmda keltirilgan kuchaytirgich bosqichi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi).
2.2-rasm. Kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish.
E2 =10V
RK =3,3k
RB =10-56k o‘rnating.
O‘zgarmas , kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni ulang.
2.1.2. E1 kattalikni o‘zgartirib borib, (*) bo‘lgan hol uchun tranzistort ishchi nuqtasini tanlang.
kuchlanishni o‘lchang va o‘zgarmas tashkil etuvchilarini aniqlang.
Baza toki
(2.6)
kollektor toki (2.7)
va baza tokini statik uzatish koeffitsienti
(2.8)
(*) Real sxemalarda E1 = E2 qilib hamda mos RB kattaliklari tanlanadi
2.1.3. 2.1.2- banddagi o‘lchash va hisoblarni boshqa ikkita ishchi nuqta uchun takrorlang ( = 0,25E2 va = 0,75E2).
|
| |