nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Qamtıp alıw koeffitsientiniń tańlaw hám keńeytirilgen anıqsızlıqtı bahalaw boyınsha ámeliy mısallar

|
Qamtıp alıw koeffitsientiniń tańlaw hám keńeytirilgen anıqsızlıqtı bahalaw boyınsha ámeliy mısallar
|
bet | 72/83 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 5,5 Mb. | | #144225 |
Bog'liq Anıq emes ólshewler7.3. Qamtıp alıw koeffitsientiniń tańlaw hám keńeytirilgen anıqsızlıqtı bahalaw boyınsha ámeliy mısallar
1-mısal
Tartıwdıń jıyındı standart anıqsızlıǵı kalibırlaw menen baylanıslı bolǵan standart anıqsızlıqtıń úlesi, hám bes qaytaldan gúzetiwlerdiń standart shetlesiwi ne tiykarlanǵan. Keńeytirilgen anıqsızlıqtı esaplań.
Sheshim
Jıyındı standart anıqsızlıqtı tómendegi formula tiykarında bahalaymız
Erkinlıq dárejesi v=n-1=5-1=4 ne teń.
Soǵan kóre, k Styudent bólistiriliwdiń eki tárepleme t mánisine teń dep qabıl qılınıwı kerek. t nıń bul mánisi toʼrt erkinlik dárejesi hám 95 % isenimlilik biyikligi ushın, kestege muwapıq (А qosımsha) halda 2,8 ge teń. Bunnan, k nı 2,8 ge teń dep qabıl etiledi.
Keńeytirilgen anıqsızlıqtıń mánisin anıqlaymız
Juwap
Keńeytirilgen anıqsızlıqtıń mánisi ga teń.
2 mısal
Úsh parellel sınaw ótkiziw nátiyjesinde tómendegi nátiyjeler alındı: ; standart shetlesiwge tiykarlanǵan anıqsızlıq ;kalbirovka menen baylanıslı bolǵan anıqsızlıq .
Sheshim
Jıyındı standart anıqsızlıqtı tómendegi formula tiykarında bahalaymız
Joqarıdaǵı qaǵıydalarǵa tiykarlanıp, Styudent kriteriyasınıń eki tárepleme mánisine tiykarlanıp А-qosımshadan paydalanǵan halda qamtıp alıw koeffitsientiniń mánisi ge teń. Erkinlik dárejesi sanı v=n-1=3-1=2 ge teń.
Keńeytirilgen anıqsızlıqtıń mánisin anıqlaymız
|
| |
-qosımsha - Tizimlarining

|
Tizimlarining Pdf ko'rish
|
bet | 122/128 | Sana | 26.01.2024 | Hajmi | 3,84 Mb. | | #146275 |
Bog'liq Kompyuter sistemalarınıń dástúriy támiyinleniwi Otepova Gulxatiysha Sarsenbay qizi6-qosımsha
Bahalaw
kriteriyaları
Orınlanatuǵın wazıypa
5 baha
Ótilgen tema boyınsha atqarǵan jumısınıń teoriyalıq hám
ámeliy áhmiyetin, maqseti hám wazıypasın hár
tárepleme túsingen bolsa;
Ótilgen tema boyınsha berilgen wazıypanı ǵárezsiz
ózbetinshe jandasıp atqarǵan bolsa;
Ótilgen tema boyınsha texnologiyalıq model izbe-izligin
tuwrı islep shıqsa, bántlerin belgilengen tártipte ańlatsa;
Ótilgen tema boyınsha berilgen tapsırmalardı
belgilengen múddette hám puqta tayarlap tapsırsa.
4 baha
Ótilgen temanı teoriyalıq hám ámeliy áhmiyetin, maqseti
hám wazıypasın túsingen bolsa;
Ótilgen temanıń wazıypasın ózbetinshe atqara alsa;
Ótilgen tema boyınsha texnologiyalıq model izbe-izligin
tuwrı islep shıǵıw hám
bántlerin belgilengen rejimin ańlatıwda ayırım
kemshiliklerge jol qoysa;
Ótilgen
tema
boyınsha
berilgen
tapsırmalardı
belgilengen múddette tapsırsa.
3 baha
Ótilgen temanı teoriyalıq hám ámeliy
áhmiyetin, maqseti hám wazıypası haqqında ulıwma
túsinikke iye bolsa;
Ótilgen temanı ózbetinshe atqara almay,
ayırım járdemlerge mútáj bolsa;
Ótilgen tema boyınsha texnologiyalıq model izbe-izligin
derlik tuwrı atqarǵan biraq túsintirip jetkeriwde
qáteliklerge jol qoysa;
Ótilgen tema boyınsha berilgen tapsırmalardı orınlawda
ayırım kemshilikler bolsa hám belgilengen múddette
tapsırılmasa.
2 baha
Ótilgen temanı teoriyalıq hám ámeliy áhmiyetin, maqseti
hám wazıypası haqqında ulıwma túsinikke iye bolmasa;
Ótilgen temanı járdem berilse de ózbetinshe orınlay
almasa;
Ótilgen tema boyınsha texnologiyalıq model izbe-izligin
derlik tuwrı, aytıwda
qáteliklerge jol qoysa;
Ótilgen tema boyınsha berilgen tapsırmalardı orınlawda
kemshilikler
bolsa
hám
belgilengen
múddette
tapsırılmasa.
|
| |
-súwret. Tosınarlı funktsiya hám shamanıń waqıtqa salıstırǵanda ózgeriwi

|
-súwret. Tosınarlı funktsiya hám shamanıń waqıtqa salıstırǵanda ózgeriwi
|
bet | 19/83 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 5,5 Mb. | | #144225 |
Bog'liq Anıq emes ólshewler2.1.2-súwret. Tosınarlı funktsiya hám shamanıń waqıtqa salıstırǵanda ózgeriwi
Máselen, atmosfera basımın (Pi) ólshewdi mısal eteyik. Kóp márte tájriybeler ótkiziwde biz barometrdiń kórsetken túrli mánislerin alamız
Tosınarlı bahanı waqıtqa salıstırǵanda ózgeriwin tómendegi 2.1.2-súwrette súwretlengen.
mısal. Termojuplıq temperaturanı matematik xarakteristikasın túziw.
Tómende temperaturanı ólshewde matematik modelin kórip shıǵamız (2.1.3 - súwret).
|
|
2.1.3 – súwret. Zeebek effekti hám termojuplıq elektr júritiwshi kúshtiń payda bolıwı
|
Temojuplıqtıń matematik modeli 1821 jılda nemis fizigi Tomas Iogan Zeebek tárepinen oylap tabılǵan Zeebek effektine tiykarlanǵan hám ulıwma tómendegi kórinisinde sáwlelenedi:
bul jerde: U – termojuplıqtı suwıq ushları arasındaǵı elektr kúshleniw; T – kepserdi ólshenip atırǵan temperaturası; T0 - kalibırlaw ortalıǵın berilgen temperatura; αi (i=1…n) – Zeebek koeffitsientleri.
Kópǵana kontaktlar ushın 1 % dan kem anıqsızlıqtı alıw ushın shamaan sakkizta koeffitsientlerdı αi (i=1…n) qollaw talap qılınadı.
Termometrdi sızıqlı shkalasın alıw ushın, termojuplıqtı matematik modelinde jami bitta Zeebek koeffitsientiniń α1 qollaw zárúr. Usı jaǵdayda termojuplıqtı matematik modeli tómendegi kóriniske iye boladı:
Keyingi matematik ámellardı optimallashtirish hám ápiwayılastırıw maqsetinde То=0 qabıl etemiz hám onnan keyin termojuplıqtı matematik modeli tómendegi kóriniske iye boladı:
Termojuplıq hám voltmetrden ibárát termometr indikatorinıń kórsetiwi termojuplıqtı ańsatlastırılǵan modelinde tómendegi kóriniske iye boladı:
bul jerde φ - indikator kórsetiwi; k – termojuplıǵı kúshleniwdi oʼlchaydigan volьtmetrnıń ózgertiriw funktsıyası.
(2.1.5) matematik modelden paydalanǵan halda hám То=0 bahada termometrdiń kórsetiwi tómendegige teń boladı:
Termojuplıqtı matematik modelin ápiwayılastırıw nátiyjesinde kepserdiń temperaturasın ólshewde tómendegi bahadaǵı metodikalıq anıqsızlıq kelip shıǵadı:
Temperaturanı ólshengen mánisi T ni (2.1.8) ǵa qoyıp, tómendegi nátiyjeni alamız:
Dúzetiw kirgiziw nátiyjesinde ólshew nátiyjesıniń metodikalıq anıqsızlıǵınıń matematik modeli tómendegishe sáwlelenedi:
bul jerde φ – termojuplıqtıń ápiwayılastırılǵan matematik modelinen paydalanǵanda termometr menen temperaturanı ólshengen mánisi.
mısal. Silindr kesimi maydanın ólshewde matematik modeller.
Silindr maydanın ólshew zárúr bolıp, bunda ólshew obyektinıń úsh itimallıq variantları bar (2.1.4-súwret).
|
| |
Maǵlıwmatlardı kirgiziw hám redaktorlaw

hám tolıqtırıwshı bolǵan diapazondı atap ótiw ushın toltırıw dástegini tartıń.
Máslahát. Ósiw tártibinde izbe-izlikti kirgiziw ushın markerdi tómenge yamasa ońǵa
tartıń. Izbe-izlikti azayıw tártibinde kirgiziw ushın markerdi joqarıǵa
yamasa shepke
tartıń.
Kletkalar daǵı maǵlıwmatlardı qanday redaktorlaw múmkin?
1 usıl :
• Ashıq bet aynasında kerekli keteksheni eki ret basıń.
• Kletka ishinde tekst kirgiziw kursorı miltillaganda, jańa maǵlıwmatlardı kiritiń.
• Maǵlıwmatlardı
kirgizgennen keyin, kerek bolǵanda Enter, Shift+Enter, Tab,
Shift+Tab tuymelerinen yamasa formulalar panelindegi Enter tuymesinen paydalanıń.
2 usil:
• Ashıq bet aynasında kerekli keteksheni saylań hám klaviatura daǵı F2
funksiya
tuymechasini basıń.
• Keyin bul jollamanıń birinshi usılında bolǵanı sıyaqlı dawam etiń.
3- Tema: Qutilar hám olardıń mazmunın formatlaw. Keste dúzilisin ózgertiw.
Reje:
1.Qutilar hám olardıń mazmunın formatlaw
2.Keste dúzilisin ózgertiw
3.Kletkalardı birlestiriw hám ajıratıw
Ólshew diapazonı – - Uncertaint y

|
Uncertaint y
|
bet | 23/83 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 5,5 Mb. | | #144225 |
Bog'liq Anıq emes ólshewlerÓlshew diapazonı –
(0-10) kgf/cm2;
Bóliniw mánisi –
N=0,2 kgf/cm2;
Anıqlıq klası –
2.5;
Jumısshı temperatura –
(-10 оС ̶ +60 оС ǵa shekem aralıq;
Qorshaǵan ortalıq temperaturasına baylanıslı ráwishte manometr ózgeriwinıń koeffitsienti ; ;
2.3.1 – súwret. MTP túrindegi manometr hám onıń metrologiyalıq xarakteristikaları
|
Máseleniń shárti hám dáslepki aprior maǵluwmatlar.
Ólshew MTP 100/1-VUM túrindegi manometrde (2.3.1- súwret)Tikkeley bir márte ólshew ótkiziledi. Basımdı bir márte ólshewden alınǵan baha Р1=9 kgf/cm2. Ólshew qorshaǵan-ortalıq temperaturası Тi=40 oC bolǵan sharayıtda orınlanǵan.
ESAPLAW.
Manometr járdeminde Tikkeley bir mártebe alınǵan nátiyje hám basqa aprior maǵluwmatlar tiykarında esaplaw procesin oqıwshıǵa jánede túsinerli bolıwın táminlew maqsetinde basqıshpa-basqısh formasında alıp baramız.
1-basqısh.
Tiykarǵı absalyut qátelikti maksimal mánisin anıqlaymız:
bul jerde: - manometrdiń maksimal absalyut qáteligi; - manometrdiń anıqlıq klası; - manometrdiń ólshew diapazonı.
2- basqısh.
Usı basqıshda manometrdiń temperaturanı normal sharayıtdan shetlesiwi sebebi kelip shıǵatuǵın qátelikti muǵdarlıq mánisin anıqlaymız.
bul jerde: - temperaturanı normal bahadan shetlesiwi sebepli kelip shıqqan keltirilgen qátelik; - manometrdiń pasport maǵluwmatında keltirilgen temperaturalıq koeffitsient; - Tikkeley bir mártebe orınlanǵan tájriybeni normal (20 оС) ga salıstırǵanda algebraik parqı; - qosımsha temperaturalıq qátelik.
3- basqısh.
Usı basqıshda manometr kórsetiwinıń diskretligi, yaǵnıy strelkali asBAPlar ushın bóliniw mánisi menen baylanıslı qátelikti anıqlaymız. Diskret qátelik retinde bóliniw mánisiniń yarmi alınadı.
bul jerde: - manometrdiń diskret qáteligi; - manometrdiń bóliniw mánisi.
1, 2 hám 3 basqıshlarda Jıyındı standart anıqsızlıqtıń tiykarǵı payda qılıwshıların anıqladıq. Bul payda qılıwshılar 3 ew, yaǵnıy anıqsızlıqtıń tiykarǵı derekleri.
4- basqısh.
Usı basqıshda tekis bólistiriw nızamına tiykarlanıp standart anıqsızlıqlardı anıqlaymız. Аprior maǵluwmatlar tekis bólistiriw nızamına boysınıw jaǵdayında standart anıqsızlıq tómendegishe anıqlanadı:
|
(2.3.9)
|
|
(2.3.10)
|
|
(2.3.11)
|
bul jerde: - manometrdiń standart anıqsızlıǵı; - manometrdiń normal sharayıtına salıstırǵanda temperaturalıq qosımsha anıqsızlıǵı.
5- basqısh
Korrelyatsiya: usı jaǵdayda hesh bir kiriw shamaları bir-biri menen (óz-ara) qandaydur sezilerli dárejede korrelyatsiyalanbaǵan dep qaraladı.
6- basqısh.
Anıqlanǵan standart anıqsızlıqlar tiykarında Jıyındı standart anıqsızlıqtı anıqlaymız.
7- basqısh.
Basımdı ólshewde anıqsızlıq byudjeti dúziledi. Anıqsızlıq byudjeti bul arnawlı dúzilgen keste bolıp, onda bar kiriw shamaları, anıqsızlıqtıń bar derekleri hám mánisleri, standart anıqsızlıqlar, keńeytirilgen anıqsızlıq, aprior maǵluwmatlardıń bólistiriw nızamları qısqa hám anıq mánisler menen jetilistiriledi.
2.3.1 - keste.
Basımdı ólshew nátiyjeleriniń anıqsızlıq byudjeti
|
| |
Mavzu: Trigonometriya tarixi. Reja: Trigonometriya haqida umumiy ma’lumot

|
Mavzu: Trigonometriya tarixi. Reja: Trigonometriya haqida umumiy ma’lumot
|
bet | 1/3 | Sana | 02.10.2024 | Hajmi | 30,83 Kb. | | #273116 |
Bog'liq 4-mavzu
Mavzu: Trigonometriya tarixi.
Reja:
Trigonometriya haqida umumiy ma’lumot
Turli davrlarda trigonometriyaning rivojlanishi.
Trigonometriya (yunonchadan "trigon" - uchburchak, "metrezis" - o'lchash so'zlaridan olingan bo'lib, o'zbek tiliga "uchburchaklarni o'chash" deya tarjima qilinadi) - matematikaning asosiy bo'limlaridan biri hisoblanib, uchburchak tomonlari va burchaklari orasidagi bog'lanishlar, trigonometrik funksiyalarning xossalari va ular o'rtasidagi bog'lanishlarni o'rganadi.
Trigonometriya tarixi ajralmas bu qadimiy fan qiyinchiliklar kutib olish uchun, chunki, olimlar bir uchburchak turli parametrlarga munosabatlarni kashf boshladi, astronomiya bilan bog'liq.
Bugungi kunda trigonometriya yuritadigan qadriyatlar va uchburchak tomonlarining uzunligi o'rtasidagi munosabatni o'rganish, shuningdek, trigonometrik funktsiyalarning algebraik kamol tahlil bilan shug'ullanadigan, bir Micro-matematika hisoblanadi.
Trigonometriya tarixi ortiq ikki ming yillar muqaddam boshlagan. Dastlab, uning o'rni uchburchak va eng asl nisbati yuritadigan aniqlash zaruriyati bilan bog'liq edi. tadqiqotlar jarayonida bu munosabatlar matematik ifodasi dastlab ularning soni bir stol sifatida qilingan maxsus trigonometrik funksiyalarga ega, joriy talab aniq bo'ldi.
trigonometriya rivojiga matematika turtki bilan bir qancha hamkor fanlar uchun aniq tarixi edi. tadqiqot olimlari bilan bog'liq Kelib burchakka o'lchov birliklari (daraja) qadimgi Bobil, ko'plab amaliy fanlar ishlatiladigan, o'nlik zamonaviy tug'dirdi hisoblash oltmishlik tizimi asoslangan.
Bu dastlab trigonometriya astronomiya bir qismi sifatida mavjud, deb taxmin qilinadi. Shundan keyin u arxitektura foydalanish boshladi. Va vaqt davomida, inson faoliyatining turli sohalarida, bu ilm-fan foydaliligiga bor edi. Bu, xususan, astronomiya, dengiz va havo saytda harakatlanish, akustika, optika, elektronika, arxitektura va boshqalar.
|
| |
Data Collection Method - Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana

|
Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana
|
bet | 48/66 | Sana | 19.03.2017 | Hajmi | 2,14 Mb. | | #258 |
4.8 Data Collection Method
4.8.1 Types of Data Collected
There are two types of data: Secondary and Primary data (Yin.2003).
Primary Data: “primary data is a data originated by the researcher for the specific purpose of addressing the research problem” (Malhotra & Birks, 2007). It is basically what the researcher collects on his/her own based on the research purpose and questions through observation, interviews or questionnaires from the sample or target population. In this study, primary data were obtained from the questionnaire and the websites of the hotels.
Secondary Data: “Secondary data are data collected for some purpose other than the problem at hand.”(Malhotra & Birks 2007). Secondary data has to do with data that are collected from secondary source such as publications, personal records, census among others that have already been collected by other researchers for another purpose. In this study secondary data was collected from search engines, websites of hotels used for the study, online articles and journals. The data was used to develop the frame of reference, research question for the study.
|
| |
Dimensions of Internet Marketing Mix

|
Dimensions of Internet Marketing Mix
|
bet | 34/66 | Sana | 19.03.2017 | Hajmi | 2,14 Mb. | | #258 |
3.2.1 Dimensions of Internet Marketing Mix
Transformation of Product (VIS): According to Angehrn, (1997) simply creating a web site does little to stimulate interest, It only establishes contact. Thus the availability of static information on the hotel Web site is characterized as low sophistication aspect, whereas the remaining aspects represent high sophistication because they reflect the use of multimedia features as well as the use of customer information for providing customized interfaces and products/services (Angehrn, 1997).
Transformation of Pricing (VTS): The availability of prices on the hotel Web site is characterized as of a low sophistication aspect in the VTS. Whereas hotel websites that make provisions to regularly change their prices online depending on demand, guest profiles, and/or when customers could negotiate room rates online (i.e., bidding/auctions), are classified as high sophistication because they reflect the use of the networking and informalization (i.e., reach and richness) capabilities of the Internet (O’ Connor, 2002; Sigala et al., 2001 cited Sigala, 2003).
Transformation of Place (VDS): The two features of the VDS indicating unavailability of online booking options (i.e., bookings received by email requests) as well as the hotel website promoted on the Internet (e.g., through search engines, infomediaries) are characterized as low sophistication. The provisions of online bookings and secure payments indicates high sophistication aspects as their provision requires the use of higher and more complex technological functionality (Wen et al., 2001; Zott et al., 2000)
|
| |
Low sophistication - Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana

|
Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana
|
bet | 36/66 | Sana | 19.03.2017 | Hajmi | 2,14 Mb. | | #258 |
Low sophistication:
|
Low sophistication:
High sophistication:
-
The customization of online promotions
-
Links with other organizations in organizing online promotions
|
Transformation of Customer Relations
|
|
Low sophistication: NULL
High sophistication:
-
The provision of online customer service
-
The online identification and tracking of customers to provide customized services
-
The provision of online communications to customers
-
The creation of online communities for customers
-
The solicitation of online feedback from customers
|
|
Sources: Adapted from Sigala, (2003): The extended internet marketing mix
Transformation of Promotion (VCS): the features reflecting the use of the Internet for advertising and for the provision of online promotions characterized low sophistication use of Internet tools, whereas the last two aspects were characterized as of a high sophistication because they fully exploit the informalization and networking capabilities of the internet to customize promotions and allowing customers to customise promotions depending on customer profiles and preferences (Gretzel, et al., 2000; Rowley, 2001).
Transformation of Customer Relations: all the features of the customer relation dimension were characterized as high sophistication because to make use of them requires the exploitation of advanced technological tools.
|
| |
CHAPTER FOUR - Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana

|
Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana
|
bet | 37/66 | Sana | 19.03.2017 | Hajmi | 2,14 Mb. | | #258 |
CHAPTER FOUR
4.0 Research Methodology
This section provides a description and an outline of the methods that will be used in this research as well as the theoretical basis behind the approaches. It will also provide a clear understanding for readers as to how the research was carried out. It includes: General research perspective, data collection and brief discussion about validity of the study.
4.1 Research Perspectives
Research methodology is defined as the procedural framework within which the conduction of a research is guided (Remenyi, et al., 1998; Saunders, et al 2007). A methodology is largely dependent on the perspectives the researcher chooses to approach a study. According to Saunders et al (2007), the perspectives that usually shape a research work can be broadly grouped under five umbrellas as shown in Figure 4.1
|
| |
Sample Size - Investigating Internet Marketing Strategies among Hotels in Ghana

4.7.3 Sample Size
Decisions about sample size is an important issue because samples that are too large tend to waste time, resources and money whereas samples that are too small may lead to inaccurate results. According to Neuman, (2006) a researcher’s decision about the best samples size is guided by; (a) the degree of accuracy required (b) the degree of variability or diversity in the population and (c) the number of different variables examined simultaneously in data analysis. He also relates that everything being equal, large samples is needed if one wants high accuracy and is needed when the population has a greater deal of variability and there is the need to simultaneously analyse many data variables. In contrast to the former, smaller samples is sufficient when less emphasis is placed on accuracy and also when there is homogeneity in the population.
The issue of sample size can be addressed from two perspectives: one is to make assumptions about the population and use statistical equations about random sampling processes. A second method is a rule of thumb – a conventional or a commonly accepted amount (Neuman, 2006).
In this research a rule of thumb was used to select a suitable sample size because we rarely have the information required by the statistical method and the rule of thumb method gives sample sizes relatively close to those derived from statistical method. According to Neuman, (2006) for small populations (under 1,000), a researcher needs a large sampling ratio (about 30 percent) to give a higher degree of accuracy. Since our final sampling frame consisted of 206 hotels and falls under 1000, we chose a large sampling ratio of 50 percent representing a sample size of 103. We also believe that, with this sample size a higher degree of accuracy or representation will be achieved and the results could be generalized as in the case of most probability sampling. Moreover sample size of one hundred and three (103) respondents was selected because of cost and time constraints. Using all the 206 members in our sampling frame in this survey would require large financial resources which we could not afford. Again, the time limit within which the research was to be completed would not permit the use of larger sample size.
|
Low density polyethylene - Namangan muhandislik-texnologiya instituti

|
Namangan muhandislik-texnologiya instituti
|
bet | 4/4 | Sana | 21.02.2024 | Hajmi | 0,56 Mb. | | #159949 |
Bog'liq Oybek Low density polyethylene
Low density polyethylene (LDPE) is a high branched PE. Its high ramification confers a low density to the molecule as well as a lower hardness, stiffness and strength than high density polyethylene, but with higher ductility. It is semitransparent, and only thin foils can be transparent. That strong ramification hinders the packing of the molecules, diminishing the crystallinity of the material.
LDPE is widely used in packaging like foils, trays and plastic bags for both food and nonfood purposes. It is also used as protective film on paper, textiles and other plastics. For instance, one of the most famous applications is in milk cartons, where it forms part of a system of different plastic layers. Other applications are wrapping foil for packaging, plastic bags (the soft type that does not crackle), garbage bags, tubes or ice cube plastic bags.
LDPE Homopolymer
Low density polyethylene polymers are called homopolymers because they are produced with only one monomer (ethylene). The branching controls the polymer density. The free radical process allows both LCB and SCB to be incorporated into the polymer molecule (Fig. 2-16). The SCB creates a defect when the polymer molecule crystallizes, forcing smaller lamella to form (which lowers density).
Linear low-density polyethylene (LLDPE) is a substantially linear polymer (polyethylene), with significant numbers of short branches, commonly made by copolymerization of ethylene with longer-chain olefins. Linear low-density polyethylene differs structurally from conventional low-density polyethylene (LDPE) because of the absence of long chain branching. The linearity of LLDPE results from the different manufacturing processes of LLDPE and LDPE. In general, LLDPE is produced at lower temperatures and pressures by copolymerization of ethylene and such higher alpha-olefins as butene, hexene, or octene. The copolymerization process produces an LLDPE polymer that has a narrower molecular weight distribution than conventional LDPE and in combination with the linear structure, significantly different rheological properties.
A polyolefin is a type of polymer produced from a simple olefin as a monomer. For example, polyethylene is the polyolefin produced by polymerizing the olefin ethylene. Polypropylene is another common polyolefin which is made from the olefin propylene.
1-Octene is an organic compound with a formula CH2CHC6H13. The alkene is classified as a higher olefin and alpha-olefin, meaning that the double bond is located at the alpha (primary) position, endowing this compound with higher reactivity and thus useful chemical properties. 1-Octene is one of the important linear alpha olefins in industry. It is a colourless liquid.
Plastic milk containers are plastic containers for storing, shipping and dispensing milk. Plastic bottles, sometimes called jugs, have largely replaced glass bottles for home consumption
|
| |
Mavjudligi - Axborot xavfsizligi

Mavjudligi
Ushbu prinsipga ko‘ra, ma’lumotlar kerak bo‘lganda vakolatli shaxslarga taqdim etilishi lozim. Axborot tizimlarining mavjudligiga ta’sir qiluvchi asosiy omillar bu DoS-hujumlar (xizmatni rad etish Denial of Servicedan Andoza:Tr ), to‘lov dasturi hujumlari va sabotaj. Bundan tashqari, nazorat yoki kasbiy tayyorgarlikning yetishmasligi tufayli tasodifan yuzaga keladigan inson xatolari foydalanish imkoniyatiga xavf soluvchi tahdidlar manbai hisoblanadi va quyidagi oqibatlarni
yuzaga keltiradi: ma’lumotlar bazalaridagi fayllar yoki yozuvlarning tasodifiy o‘chirilishi, noto‘g‘ri tizim sozlamalari; ruxsat etilgan quvvatdan oshib ketishi yoki uskunalar resurslarining etishmasligi, shuningdek, aloqa tarmoqlarining ishdan chiqishi natijasida xizmat ko‘rsatishni rad etish; apparat yoki dasturiy ta’minotni yangilashning muvaffaqiyatsizligi; elektr ta’minotidagi uzilishlar tufayli tizimlarning yopilishi. Tabiiy ofatlar: zilzilalar, tornadolar, bo‘ronlar, yong‘inlar, toshqinlar va boshqalar ham foydalanish imkoniyatini buzishda muhim rol o‘ynaydi. Barcha holatlarda oxirgi foydalanuvchi o‘z faoliyati uchun zarur bo‘lgan ma’lumotlarga kirish huquqini yo‘qotib, majburiy ishlamay qoladi. Tizimning foydalanuvchi uchun muhimligi va uning butun tashkilotning omon qolishi uchun ahamiyati ishlamay qolish vaqtining ta’sirini aniqlaydi. Noto‘g‘ri xavfsizlik choralari zararli dasturlar, ma’lumotlarni yo‘q qilish, bosqinchilik yoki DoS hujumlari xavfini oshiradi. Bunday hodisalar tizimlarni oddiy foydalanuvchilar uchun imkonsiz holga keltirishi mumkin [58].
„Rad etmaslik“ atamasi (inglizcha: Non-Repudiation, ba’zan birgalikda Nonrepudiation tarzida ishlatiladi) birinchi marta 1988–yilda „Ochiq tizimlar o‘zaro aloqasi xavfsizligi“ (ISO 7498-2) xalqaro standartida paydo bo‘lgan. Odatda anglo-sakson qonunining ikki asosiy talqinga ega bo‘lgan ,,rad etish” atamasiga qarama-qarshi ma’noda tushuniladi. Bunda masalan, qog‘oz hujjatdagi imzo soxta bo‘lsa yoki asl imzo noqonuniy (firibgarlik yo‘li bilan) ravishda olingan bo‘lsa, qonuniy asosdagi bitim bo‘yicha majburiyatlarni bajarishni rad etish tushunchasi taraflarning asosiy huquqini anglatadi [59]. Shu bilan birga, imzoning haqiqiyligini isbotlash yuki unga tayangan tomon zimmasiga tushadi [60]. Boshqa bir talqin – majburiyatlardan nohaq voz kechish. Kompyuter xavfsizligi nuqtai nazaridan, bu, masalan, tomonlardan birining elektron xabarni jo‘natish, qabul qilish, mualliflik qilish yoki mazmunini rad etishi bo‘lishi mumkin. Axborot xavfsizligi kontekstida „rad etmaslik“ deyilganda ma’lumotlarning yaxlitligi va asl kelib chiqishini tasdiqlash tushuniladi, soxtalashtirish ehtimoli bundan mustasno. Uchinchi shaxslar tomonidan istalgan vaqtda tasdiqlanishi yoki identifikatsiya natijasida uni yuqori darajadagi ishonchlilik bilan haqiqiy deb hisoblash mumkin va uni rad etib bo‘lmaydi [60].
|
STM tomonidan tunnel kontaktli volt-amper xarakteristikasi o'lchovi

3.3. STM tomonidan tunnel kontaktli volt-amper xarakteristikasi o'lchovi
STM yordamida volt-amper xarakteristikasi sirtning turli nuqtalarida olinishi mumkin. Bu namunaning mahalliy o'tkazuvchanligini aniqlash imkonini beradi va elektronlarning energiya spektridagi holatlarning mahalliy zichligini o'rganish mumkin.Tunnel kontaktining volt-amper xarakteristikasini qayd qilish uchun STMda quyidagi operatsiya bajariladi. Sirtning STM tasvirida namunada ma'lum bir nuqta tanlanadi. Zond skaner yordamida bu nuqtaga yaqinlashtiriladi. Kontaktning VAX ni olish uchun teskari aloqa qisqa vaqt ichida uziladi va tunnel bo'shlig'iga chiziqli ortib borayotgan kuchlanish qo'llaniladi. Bir vaqtning o'zida tunnel kontaktidan o'tadigan oqim kuchlanish o'zgarishi bilan qayd etiladi. Teskari aloqa bo'lmasa, skaner elektrodiga teskari aloqa uzilgan paytda
potentsial beriladi. Tunnel bo'shlig'ining volt-amper xarakteristikasi 3.9-rasmda keltirilgan sxema bilan belgilanadi.
Har bir nuqtada bir nechta VAX chiziladi, keyin ular
3.9-rasm. STM bilan tunnel diapazonida VAXni yozish sxemasi
o'rtacha va yakuniy VAX aniqlanadi. Bu o'rtacha tunnel oralig'ida shovqin ta'sirini minimallashtirishga imkon beradi.
3.3.1. Metall-metall kontaktining volt-amper xarakteristikasi
Yuqorida ko'rsatilgandek, kichik kuchlanishlarda tunnel oqimi kuchlanishga lineer bog'liq; va tunnel kontaktining o'tkazuvchanligi asosan potentsial to'siqning parametrlari bilan belgilanadi
jt
j0(V )e
4
h
2m* Z
Juda yuqori kuchlanishlarda to'siqning shakli kuchli o'zgarishlarga uchraydi va oqim Fauler-Nordxaym formulasi bilan aniqlanadi. 10-rasmda ikkita metall o'rtasidagi tunnel kontaktining odatiy VAX ko'rsatilgan. Ko'rinib turibdiki, bu holda VAX chiziqli bo'lmagan va qoida tariqasida simmetrikdir
3.10-rasm. Metall-metall tunnel aloqasining volt-amper xarakteristikasi
|
AFM ning kvazistatik usullariga murojaat qiling

|
AFM ning kvazistatik usullariga murojaat qiling
|
bet | 30/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor3.8.2. AFM ning kvazistatik usullariga murojaat qiling
AFM yordamida sirt relefi va xossalarini o'rganish usullari ikki guruhga bo'linadi:
1. Kvazistatik usullar bilan aloqa qilish. 2. Kontaktsiz raqs usullari.
Kontaktli kvazistatik usullarda probning uchi to'g'ridan-to'g'ri sirtga tegadi va namuna tomonidan ta'sir qiladigan jozibali va itaruvchi kuchlar konsolning elastik kuchi bilan muvozanatlanadi. AFM ushbu rejimda ishlaganda, past qattiqlikdagi konsol ishlatiladi. Bu sezgirlikni oshiradi va probning namunaga kiruvchi ta'sirini kamaytiradi.
AFM ning kvazistatik rejimida o'rganilayotgan relyefning tasviri yoki zond va sirt o'rtasidagi o'zaro ta'sirning doimiy qiymatida yoki zond sensori va sirt orasidagi masofaning doimiy o'rtacha qiymatida hosil bo'ladi (2-rasm). 3.24, 3.25). Fz=const rejimida teskari aloqa tizimi orqali zond uchi bilan zond ostidagi sirt nuqtasi orasidagi masofa doimiy saqlanadi. Shunday qilib, konsolning har qanday daqiqada egilishi doimiy bo'lib qoladi, ya'ni prob va namuna o'rtasidagi o'zaro ta'sir kuchi doimiy bo'lib qoladi. Buning uchun qayta aloqa pallasida skanerning Z elektrodiga beriladigan nazorat kuchlanishi namuna yuzasi topografiyasiga proportsionaldir. Boshqacha aytganda, kuchlanishning o'zgarishi Z=f(x,y) sirt relyefiga mos keladi (3.24-rasm).
Nisbatan silliq sirtga ega bo'lgan namunalarni o'rganishda (bir nechta angstromlarning chiqishlari) skanerlash zond sensori asosi va sirt orasidagi masofaning doimiy qiymatida amalga oshiriladi (Zorta=const). Bu vaqtda zond sensori namuna ustida ma'lum bir Zorta balandligida harakatlanadi (3.25-rasm), va har bir nuqtada konsolning egilishi ΔZ qayd etiladi. Bu burilish namuna yuzasi tomonidan probga ta'sir qiladigan kuchga mutanosibdir. Bunday holda, AFM tasviri prob va sirt o'rtasidagi o'zaro ta'sir kuchining sirt ustida taqsimlanishini tavsiflaydi ׃
Fz=f(x,y).
3.24-rasm. Prob va namuna yuzasi o'rtasidagi o'zaro ta'sir kuchi doimiy bo'lgan holat (doimiy kuch usuli)
3.25-rasm. Doimiy balandlik usulining sxematik tasvir Ushbu kontaktli kvazistatik usulda namuna va prob o'rtasida mexanik o'zaro ta'sir mavjud bo'lib, bu probning sinishi va sirt shikastlanishiga olib keladi. Amaliy nuqtai nazardan, bu usul past mexanik kuchga ega bo'lgan namunalar uchun mos emas.
|
| |
Maxfiylik - Axborot xavfsizligi

Maxfiylik
Axborotning maxfiyligiga minimal zarur xabardorlik (inglizcha: need-to-know) tamoyiliga asoslanib, unga eng kam imtiyozlar bilan ruxsat berish orqali erishiladi. Boshqacha qilib aytganda, vakolatli shaxs faqat yuqorida aytib o‘tilgan shaxsiy daxlsizlikka qarshi jinoyatlar, masalan, shaxsni o‘g‘irlash, shaxsiy hayotning buzilishi kabi o‘z xizmat vazifalarini bajarishi uchun zarur bo‘lgan ma’lumotlarga ega bo‘lishi talab etiladi. Maxfiylikni ta’minlashning eng muhim chora- tadbirlaridan biri ma’lumotlarni qat’iy maxfiy yoki ommaviy, shuningdek, ichki foydalanish uchun mo‘ljallangan ma’lumotlarni tasniflash imkonini beradi. Axborotni shifrlash konfidensiallikni ta’minlash vositalaridan birining tipik namunasidir [56].
Yaxlitlik
Tashkilotda operatsiyalarni aniq amalga oshirish yoki to‘g‘ri qarorlarni qabul qilish faqat fayllar, ma’lumotlar bazalari yoki tizimlarda saqlanadigan yoki kompyuter tarmoqlari orqali uzatiladigan ishonchli ma’lumotlar asosidagina mumkin. Boshqacha qilib aytganda, ma’lumot dastlabki holatiga nisbatan qasddan, ruxsatsiz yoki tasodifiy o‘zgarishlardan, shuningdek saqlash, uzatish yoki qayta ishlash jarayonida har qanday buzilishlardan himoyalangan bo‘lishi lozim. Biroq, uning yaxlitligiga kompyuter viruslari va mantiqiy bombalar, dasturlash xatolari va zararli kod o‘zgarishlari, ma’lumotlarni soxtalashtirish, ruxsatsiz kirish, orqa eshiklar va boshqalar tahdid solmoqda. Qasddan qilingan harakatlarga qo‘shimcha ravishda, ko‘p hollarda nozik ma’lumotlarga ruxsatsiz o‘zgartirishlar texnik nosozliklar nazorat yoki professional tayyorgarlikning etishmasligi tufayli inson xatosidan kelib chiqadi. Masalan, yaxlitlikning buzilishi fayllarni tasodifiy o‘chirish, noto‘g‘ri qiymatlarni kiritish, sozlamalarni o‘zgartirish, oddiy foydalanuvchilar va tizim ma’murlari tomonidan noto‘g‘ri buyruqlarni bajarish kabi xatolarga olib keladi[56][57]. Axborotning yaxlitligini himoya qilish uchun axborot va uni qayta ishlash tizimlaridagi o‘zgarishlarni nazorat qilish va boshqarish bo‘yicha turli xil choralarni qo‘llash lozim. Bunday chora-tadbirlarning odatiy misoli faqat o‘z xizmat vazifalarini bajarish uchun bunday ruxsatga muhtoj bo‘lganlarni o‘zgartirish huquqiga ega bo‘lgan shaxslar doirasini cheklashdir. Shu bilan birga, hokimiyatlarning bo‘linishi tamoyiliga rioya qilish kerak. Unga ko‘ra ma’lumotlar yoki axborot tizimiga bir shaxs tomonidan o‘zgartirishlar kiritiladi, boshqa shaxs esa ularni tasdiqlaydi yoki rad etadi. Bundan tashqari, axborot tizimlarining hayotiy siklidagi har qanday o‘zgarishlar izchil bo‘lishi, axborot yaxlitligini ta’minlash uchun sinovdan o‘tkazilishi va tizimga faqat to‘g‘ri tuzilgan tranzaksiyalar orqali kiritilishi lozim. Dasturiy ta’minotni yangilash xavfsiz tarzda amalga oshirilishi kerak. O‘zgarishlarga olib keladigan har qanday harakatlar jurnalga yozilishi talab etiladi [56][57].
|
XULOSALAR - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

63
Epitaksial geterostruktura asosida yaratilgan optik va optoelektron
asboblarga yana bir misol sifatida yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va
geterolazerlarni keltirishimiz mumkin.
Hamda shu jumladan, suyuq epitaksiya jarayonida o’sish tezligi kichik
bo’lganligi sababli qatlam qalinligini yuqoriroq aniqlikda boshqarish imkonini
beradi. Bu usul diffuzion va boshqa shakllar hosil qiluvchilarga nisbatan ham bir
qancha marta ko’p afzaldir. Bu ayniqsa, ko’p qatlamli davriy tuzilmalarni
olishda ahamiyatlidir. Suyuq fazada epitaksiya usuli, taglikka nisbatan, qatlamda
dislokatsiya zichligi kamayishiga olib kelib, yorug’lik asboblarida yuz beradigan
nurlanishsiz rekombinatsiya jarayonlarini kamaytiradi.
Yana kuzatishimiz mumkinki, kremniy karbidi SiC epitaksiyasi yordamida
yorug’lik va to’g’rilagich diodlar, yuqori temperaturaga chidamli
tenzorezistorlar, yuqori energiyali zarrachalarni qayd qiluvchi asboblar va
boshqa turli asboblar tayyorlash mumkin. Bu material - yuqori mexanik qattiqlik
va mustahkamlikka ega. Uning elektr o’tkazuvchanligi turi va solishtirma
qarshiligi qiymatini boshqarish imkoni borligi ma’lum. Undan juda qiyin
sharoitlarda ishlashi mumkin bo’lgan qurilma va asboblar yaratish mumkin.
Atom qatlamli epitaksiya - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

42
Oxirgi bosqichda arsinning cho’kkan molekulalari fotoionlashuvi amalga
oshiriladi, vodorod ionlari reaktordan so’rib olinadi, o’suvchi sirt o’stirilayotgan
materialning bir molekulyar qatlami bilan qoplanadi. Shundan keyin jarayonni
takrorlash mumkin va shuning bilan molekulyar qatlamlarning to’liq soni
o’stiriladi.
Atom qatlamli epitaksiyaning afzalliklari:
1.
O’stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni;
2.
Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o’stirish imkoni;
Usulning kamchiligi:
1.
Atom qatlamlarni o’stirish juda ulkan , shuning uchun o’sish tezligi
juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas);
2.
Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo’llanilmaydi, shuning
uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo’ladi.
3.
Atom – qatlamli epitaksiya usuli hozirda keng qo’llanilmaydi va
faqat ayrim xususiy masalalarni yechish uchun qo’llaniladi.
4.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) texnologiyasi (hamda uning analogi –
metal organik bog`lardan suyuq fazali epitaksiya) kam sarf bilan, kam vaqt
ichida katta miqdorda strukturalar tayyorlash kerak bo’lganida qo’llaniladi.
Bunda uning sifatiga talab kuchli qo’yilmaydi. Yuqori sifatli epitaksial
strukturalar kerak bo’lgan hollarda ko’pincha shu talab etiladi ham molekulyar
dastaliepitaksiya (MDE) texnologiyasi afzal bo’ladi. Shulardan kelib chiqib,
quyida epitaksial texnologiyaning eng istiqbolli variantini ko’rib chiqamiz.
Molekulyar manbalar tuguni

45
So’rish sistemasi o’sish kamerasida ishchi vakuumga erishishni
ta`minlaydi. Katta hajmda o’ta yuqori vakuum hosil qilish uchun so’rishning 3
bosqichidan foydalanishga to’g`ri keladi. Birinchi bosqichda atmosfera bosimini
so’rib olishda mexanik forvakuum nasosdan foydalanishga to’g`ri keladi.
Atmosfera havosining asosiy massasi yo’q qilingach, forvakuum so’rish
to’xtatiladi va seolit yoki faollashgan ko’mir bilan to’ldirilgan kriogen
absorbsion
nasoslar
yoqiladi.
So’rishning
oxirgi
bosqichida
titanli
magnitorazryad nasos ulanib, u o’ta yuqori vakuumni hosil qiluvchi va ushlab
turuvchi asosiy nasos hisoblanadi. O’sish jarayonining ayrim bosqichlarida
yuzaga keluvchi ortiqcha gaz ajralishini kompensatsiya qilish uchun bir muncha
vaqt so’rish tezligini keskin oshirib beruvchi titanli getter nasosni qo’llash
mumkin.
Kriopanellar – suyuq azot bilan to’ldirilgan sig`imdan iborat, o’suvchi
modulning eng ko’p qizdirilgan elementlarini manipulyator va molekulyar
manbalarni o’rab olgandir. Bundan tashqari ayrim kriopanel getter nasosni
sovutadi, bu bilan uning adsorbsion xususiyatlarini oshiradi. Transport sistemasi
– vakuum qurilmalarda yukli kameradan tashuvchili taglikni o’suvchi modulga
masofadan siljitishni amalga oshirish va tashuvchini manipulyatorga
mahkamlsh, hamda o’stiruvchi moduldan o’stirilgan strukturalarni yo’qotish
uchun kerak.
- rasm - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

26
Epitaksial o’stirish texnologiyasi plastinkaga qo’yilgan talablardan kelib
chiqadi. Bu epitaksial qatlam qalinligi va legirlanish sath qiymatlari (aniqligi
±5÷10%) yomon bo’lmagan holda yechiladi. Epitaksial qatlam qalinligi talab
darajasidagi takroriylikka erishish uchun o’sish tezligining doimiyligini saqlash
kerak. Buning uchun esa
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
,
𝑆𝑖𝐻
2
asosiy moddalar konsentratsiya sathini, bu
jarayonda temperaturani o’zgarmas ushlab turish kerak. Epitaksial qatlam
solishtirma qarshiligining bir xil bo’lishligi uchun qizdirish tekis bo’lishi kerak.
Germaniy epitaksiyasi. Germaniy epitaksiyasiga qiziqish germaniyli kam
shovqinli o’ta yuqori chastotali tranzistorlar va integral mikrosxemalar yaratish
muhimligidan kelib chiqadi. Chunki, bu asboblar kremniyli integral
mikrosxemalarga nisbatan past temperaturalarda samaraliroq ishlaydi. Germaniy
epitaksial qatlamlarini o’stirishning xlorid usuli yaxshi o’rganilgan.
O’tqazish 800°C da bajariladi va germaniy tetraxloridi zichligi 0,2% ga
yaqin bo’ladi. Aralashma oqimi tezligi tanlangan qiymati reaktor tuzilishiga,
oqim berish usuliga bog’liq bo’lib, odatda tezlik kattaligi 20 sm/s dan oshmaydi.
Epitaksial qatlamning 800°C da o’sish tezligi 0,5 mkm/min ni tashkil qiladi.
Germaniy epitaksial qatlamlarni o’stirishning gidrid usulida olish vodorod
muhitida
𝐺𝑒𝐻
4
yordamida 700°C temperatura yaqinida va
𝐺𝑒𝐻
4
zichligi 0,1—
0,2% bo’lganida bajariladi. O’sish tezligi 800°C gacha oshib boradi, keyin gaz
fazada
𝐺𝑒𝐻
4
parchalanishi kamayadi.
𝐺𝑒𝐻
4
ning gaz fazali parchalanishini
kamaytirish uchun yuqori tezlikdagi gaz oqimidan foydalaniladi. Sanoat yetarli
darajada toza germaniy tetraxlorididan foydalanganligi uchun solishtirma
qarshiligi 15 Om
∙sm dan katta bo’lgan epitaksial qatlamni olish imkonini beradi.
Yana kamroq qo’llaniladigan usullardan biri yopiq havosi so’rilgan kvars
nayda olishdir. Nayda germaniy tetrayodidi
𝐺𝑒𝐼
4
bo’lib, bu zona 550–700°C
gacha qizdiriladi. Nayning ikkinchi zonasida germaniy taglik bo’lib, uning
temperaturasi 300–400°C ni tashkil qiladi. Birinchi zonada quyidagi reaksiya
ketadi:
𝐺𝑒𝐼
4
+ 𝐺𝑒 → 2𝐺𝑒𝐼
2
. Germaniy diodli taglikka diffuziyalanib, quyidagi
reaksiya sodir bo’ladi:
27
2𝐺𝑒𝐼
2
→ 𝐺𝑒𝐼
4
+ 𝐺𝑒 (2.8)
Natijada germaniy taglikka o’tiradi, bug’lari esa manba zonasiga diffuziyalanadi
va reaksiya yana qaytariladi.
-rasm. Suyuq epitaksiyada temperatura–vaqt rejimi

37
Gaz fazada SiC epitaksiyasi. Usui asosida inert gaz muhiti yoki vakuumda
oldindan sintezlangan SiC sublimatsion qayta kristallanishi yotadi. Jarayon
yuqori temperaturali pechkalarda, grafitli konteynerlarda o’tkaziladi (2.8-rasm).
Argon gazda epitaksiya sohasi temperaturasi o’rtacha 2000
÷2200°C ni
tashkil etsa, vakuumda jarayon ancha past temperatura (1800
÷1900°C) da
ketadi. Bunda 5 manba materiali qisman parchalanishi bilan bug’lanadi, material
bug’i yupqa grafit diafragma orqali 7 kristallanish zonasiga o’tadi, bu yerda 3
tagliklar joylashgan. Bu zonada temperatura manba temperaturasiga nisbatan
50
÷60°C kam. Bu yerda vujudga keltirilgan ozgina o’ta to’yingan bug’ (3÷4%)
epitaksial qatlam SiC o’sishi uchun yetarli. Gaz fazada kremniy karbidi
epitaksiyasini olishning boshqa ko’rinishi bir qancha kimyoviy usullarda olinib,
undan biri metiltrixlorsilan pirolizi usulidir.
(𝐶𝐻
3
)𝐶𝑙
3
𝑆𝑖 → 𝑆𝑖𝐶 + 3𝐻𝐶𝑙 (2.21)
Epitaksial SiC o’stirish 800°C dan boshlanib, 1200
÷1250°C larda kremniy
karbidi tagliklarida va kremniy tagliklarda jarayon paytida kremniy karbidi
monokristall qatlamlari olinadi. Gaz fazada epitaksiya usuli kamchiligi
kristallanish frontining to’la ochiqligidir. Bunda turli xildagi ta’sirlar
konteynerlarda yoki butun pechka hajmida yuz berishi mumkin.
Suyuq fazada SiC epitaksial o’sishida kristallanish fronti suyuq faza bilan
to’silgan va kristall bilan oziqlantirishga asoslangan. Ancha keng tarqalgan
usullardan biri harakatdagi erituvchi bo’lib, mazmuni quyidagicha: Vakuumda
purkash usuli bilan taglik va kristall - manba sirtiga erituvchi qatlam qoplanadi,
uning qalinligi ~100 mkm ni tashkil qiladi. Ikkala kristall ichida erituvchisi
bo’lgan «sendvich»ga joylashtiriladi.
Manba – erituvchi – taglik sistema temperatura gradienti (
T
m
> T
tag
)
bo’lgan holda grafit qizdirgichga joylashtiriladi. Moddaning manbadan taglikka
ko’chishi eritgich orqali diffuziya yo’li bilan ro’y beradi. Eritgichni tanlash katta
ahamiyatga ega boiib, u epitaksiya jarayonini va kinetik parametrlarini va
38
o’sgan qatlam xususiyatini aniqlaydi. Eritgichlar sifatida Co, Fe, Ni, Cr, Ag
lardan foydalanish mumkin. Biroq, ular epitaksial qatlamni ifloslantirishi ham
mumkin.
B. Yordamchi vakuumli modullar

46
qo’shimcha vakuum modellar ham ko’rib chiqiladi. Bunday modellar Oje-
spektroskopiya usullari bilan o’stirilgan strukturalar
tarkibini analiz qilish
imkonini beradi.
C. Texnologik kompleksni haydash sistemasi:
O’stiruvchi modul haydash sistemasi bilan bir qatorda texnologik
kompleksning qolgan vakuum qismlarining rivojlangan haydash sistemasi (ko’p
komponentali) mavjuddir. Unga forvakuumli
va adsorbsion nasoslar, ular
boshqa barcha vakuumli modellar bilan truba orqali bog`langan,
magnitorazryad nasoslar, ular har qaysi vakuumli modelda bo’ladi va
magnitorazryad nasoslarning elektr ta`minoti bloklari kiradi. Haydash sistemasi
izolyatsiya qilish imkonini beruvchi vakuumli ventillarning katta
miqdori bilan
ta`minlangan, kerak bo’lganida sistema elementining ixtiyoriysini ishlatish
mumkin.
D. Kriosistema:
Kriosistema o’suvchi modullar ishi jarayonida
ajrab chiquvchi ortiqcha
bosimni epitaksial komplekslarning ayrim variantlarida sovutish uchun
qo’shimcha tarzda suvli sovutishdan foydalaniladi. Kriosistema elementlari –
o’suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni
amalga oshiruvchi tashqi
qurilmalardir. Bunday qurilmalar konstruksiyasi turli texnologik komplekslarda
ancha farq qiladilar.
Metall - organik birikmali gazfazali epitaksiya (GFE)

41
o’suvchi materiallarning ifloslanishi ortadi. Bunday kontaktni kamaytirish uchun
reaktor gohida bufer gaz-vodorod yoki azot bilan to’ldiriladi.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning afzalliklari:
1. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) ga nisbatan soddaligi va o’sish
jarayonining mustahkamligi;
2. O’sish tezligi deyarli 10 marta katta (10mkm/soat atrofida);
3. O’suvchi materiallarning ancha arzonligi.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning kamchiliklari:
1. Texnologik jarayonning yuqori toza bo’lishiga erishib bo’lmaslik;
2. O’sish jarayonini to’g’ridan-to’g’ri kuzatib bo’lmaslik;
3. Qo’llanilayotgan materiallarning yuqori zaharli ekanligiga bog’liq
texnik qiyinchiliklar;
Molekulyar dastali epitaksiya texnologiyasi

43
5.
Nazorat – analitik asboblar;
6.
Texnologik jarayonni boshqarish sistemasi.
Quyida har bir element qurilmasi va vazifasi to’liq ko’rib chiqiladi:
A. Texnologik o’stiruvchi modul:
O’stiruvchi modul texnologik kompleksning asosiy elementidir. Unda
to’liq tarzda epitaksial strukturalar o’stirish jarayoni amalga oshiriladi.
O’stiruvchi modulning asosiy tugunlari:
- Vakuum kamerasi;
- Taglikni mustahkamlash tuguni;
- Molekulyar manbalar tuguni;
- So’rish sistemasi;
- Kriopanellar;
- Transport sistemasi;
44
- Nazorat – analitik aparatura.
Vakuum kamera – ikkita asosiy vazifani bajaradi: u o’suvchi bo’shliqni
atmosfera havosidan germetik izolyatsiyalaydi va shu bilan bir vaqtda o’suvchi
modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlash
uchun olib yuruvchi
kamera hisoblanadi. Vakuum kamera zanglamaydigan po’latdan tayyorlanadi va
silindrik yoki sharsimon shaklga ega. Zamonaviy texnologik komplekslarda
vakuum kamera yetarlicha katta o’lchamga ega: uning hajmi 0.5 m
3
gacha
yetishi mumkin.
Taglikni mahkamlash tuguni (manipulyator) – o’suvchi
modulning
murakkab tugunlaridan iboratdir. Taglikni mahkamlash va pretszion siljitishdan
tashqari bu tugun taglikni ishchi temperaturagacha qizdirish ishini amalga
oshiradi. Taglik juda nozik kristallar plastinkasidan iboratligidan u molibdendan
yasalgan metal disk tashuvchiga oldindan mahkamlab qo’yiladi,
u bilan birga
ko’chiriladi
va
manipulyatorga
mahkamlanadi.
Taglikni
tashuvchiga
mahkamlash yoki indiy bilan kavsharlash yo’li bilan yoki maxsus simli tutish
bilan amalga oshiriladi. Taglikni qizdirish uchun
manipulyatorga elektr pech
ulangan b`lib, u yupqa metal spiraldan iborat (meandr) bo’lib, bor nitrididdan
yasalgan keramik plastinkaga mahkamlangan. Bu
material yuqori issiqlikka
chidamliligi va yaxshi vakuum xususiyati bilan farq qilib,
kuchli qizdirishda
ham bu xususiyatlarni saqlaydi. Qizdirish temperaturasi termojuftlik bilan
nazorat qilinadi.
E. Nazorat va analiz asboblari

47
va taglik temperaturasi va manbada tiqinni ochish va yopish vaqti kiradi.
Sistema ishining asosiy tartibi – avtomatik bo’lib, unda o’sishning butun
texnologik
jarayoni
shaxsiy
kompyuter
bilan
dasturiy
boshqariladi.
Tayyorlangan o’sish oldi ishlari uchun mos parametrlarni qo’l bilan va yarim
avtomatik tarzda boshqarish ko’zda tutilgan. Shaxsiy
kompyuter bilan birga
boshqaruv sistemasiga periferiy mikroprotsessor qurilma, qizdirgichning
iste`mol bloki, tiqinlar kiradi.
MDE ning texnologik jarayoni:
Molekulyar dastali epitaksiya jarayoni asosiy o’stiruvchi
muolaja bilan
birga qator tayyorlangan muolajalarni o’z ichiga olib, ularsiz yuqori sifatli
epitaksial strukturalar olish mumkin bo’lmaydi.
Bu muolajalarga eng avvalo
tagliklarni o’stirishdan oldingi tayyorlash va o’stiruvchi modulni tayyorlashlar
kiradi. Quyida bu muolajalar xususiyatlari qisqa ko’rib chiqiladi:
A. Tagliklar yasash va tayyorlash:
Taglik katta monokristaldan kesib olingan GaAS plastinkasidan iboratdir.
Plastinkalarning standart qalinligi 0.4-0.6 mm, diametri 25-60 mmdir.
Plastinkalar, qoidaga ko’ra kristolografik tekislikka parallel qilib kesib olinadi,
biroq ayrim hollarda bu tekislikdan 1-3
0
ga og`ishga yo’l qo’yiladi.
Plastinkaning o’stiruvchi
sirti tekislanib, yuqori optik sifatga ega bo’lguniga
qadar sayqallanadi (ya`ni, yaxshi ko’zgu sirtni namoyon etadi), shundan keyin
kimyoviy ishlov beriladi. Ishlov berishdan ikki maqsad ko’zlanadi: ifloslanishni
yo’qotish va sirt sifatini yaxshilash. Ishlov berish ikki bosqichdan iborat:
1.
Moylardan xalos qilish (organik ifloslanishni yo’qotish);
2.
Nooraganik ifloslanishni yo’qotish va taglik sirtini tekislovchi
yedirish;
Moylardan xalos qilish organik erituvchilar: atseton, toluol, propil spirtida
qaynatish bilan amalga oshiriladi.
Yediruvchi tarkibi: xH
2
SO
4
+H
2
O
2
+H
2
O. X kattalik: 4olinadi. Ishlov berishning har bir bosqichidan keyin taglik
bidistillirlangan suv
oqimida yuviladi. Yedirishdan keying oxirgi yuvish taglik sirtida himoya
48
vazifasini bajaruvchi oksid plenka hosil bo’lishi bilan kuzatiladi. Shundan keyin
atseton bug`ida yoki tsentrifugada quritiladi. Toza taglik tashuvchida qotiriladi
va o’suvchi qurilmaga yuklanadi.