Xulosa - 1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial...

Xulosa: Umumiy emitter sxemasini chizdim va ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchashni o’rgandim.
BTda yasalgan UE kuchaytirgich xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
Kirish va boshqarish xarakteristikalari
YeB
|
V
|
5
|
UBE
|
V
|
4.999
|
IB
|
mkA
|
4.999
|
IK
|
mA
|
7.996
|
Tranzistor chiqish xarakteristikalari
IB, mkA
|
4.999
|
8v
|
uKE
|
V
|
7.96v
|
|
iK
|
mA
|
7.96mA
|
10v
|
uKE
|
V
|
9.99V
|
|
iK
|
mA
|
9.99mA
|
15v
|
uKE
|
V
|
14.99V
|
|
iK
|
mA
|
14.99mA
|
va h.z.
|
|
|
|
R1= (5–10 ) kOm va R2=(510-1000) Om.
2.2. = 5 V o’zgarmas kuchlanish qiymatida tranzistorning kirish va boshqarish xarakteristiklarini o’lchang.
2.3. Chiqish xarakteristiklar oilasini o’lchang:
Chiqish xarakteristiklar oilasini baza tokining iB=0 mkA qiymatidan boshlab har 50 mkA qiymatlari uchun o’lchang
3. O’lchash natijalarini ishlash:
3.1. Kirish, boshqaruv va chiqish xararteristikalar oilasi grafigini quring.
uKE =5 V, iB =100 mkA nuqtada tranzistor parametrlarini aniqlang
, ,
3.2. Baza toki 100 mkA bo’lganda chiqish xararteristikasini quring. Chiziqli – bq’lak approksimatsiyani amalga oshirib , , , larni hisoblang.
Xulosa: BTda yasalgan UE kuchaytirgich xarakteristikalarini tadqiq etishni o’rgandim.
BTda yasalgan UB kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish
Ishnining maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) emitteri umumiy (UE), bazasi umumiy (UB), kollektori umumiy (UK) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish.
Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu xollarda BTning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o‘zgaruvchan tok) bo‘yicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE)li, umumiy baza (UB)li, umumiy kollektor (UK)li deb nomlangan (3.1-rasm).
UE li sxemada (3.2-rasm) S1 va S2 kondensatorlar kuchaytirgich kaskadini signal manbai va yuklama bilan o‘zgaruvchan tok bo‘yicha bog‘laydi hamda BTning sokinlik rejimiga (o‘zgarmas tok bo‘yicha ishchi nuqtasiga) signal manbai va yuklamaning ta’sirini bartaraf etadi.
R1, R2, R3 rezistorlar BTning tanlangan sokinlik rejimini ta’minlaydi. S3 kondensator UEli sxemada R3 rezistorni yoki UB li sxemada esa baza zanjirida R1, R2 rezistorlar xosil qiluvchi kuchlanish bo‘lgichi ishlashini mustasno etib, bloklovchi (shuntlovchi) kondensator vazifasini o‘taydi.
Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog‘langanligini, ya’ni uning volt-amper xarakteristikasi (VAX)ni bilish zarur.
UE li sxemalarni tahlil qilishda 3.3-rasmda keltirilgan kirish va chiqish xarakteristikalari oilalaridan foydalanish qulay.
Analog signallar energiyasini kuchaytiruvchi sxemalarda BT ning aktiv rejimi qo‘llaniladi. Aktiv rejimda BTning emitter o‘tishi to‘g‘ri, kollektor o‘tishi esa teskari siljitiladi.
Kuchaytirgichning parametrlarini “kichik signal” rejimida baholash uchun uning prinsipial sxemasi o‘zgaruvchan tok bo‘yicha chizilgan sxemaga keltiriladi. Rasmda past chastotalar uchun UEli ulanishga ega bo‘lgan kuchaytirgich kaskadi elementlarining o‘zgaruvchan tok bo‘yicha ulanish sxemasi keltirilgan. Bu yerda BT T-simon ekvivalent sxemada ko‘rsatilgan.
Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qo‘yidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffitsienti Kr, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti KU, tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K1, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oralig‘idagi kirish qarshiligi RKIR va chiqish qarshiligi RChIQ. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BTning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsientini va r-n o‘tishlar parazit sig‘imlarning chastotaviy o‘zgarishlari hisobga olinmaydi. S1, S2 va S3 kondensatorlar sig‘imlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa bo‘ladi. Bu elektr ta’minlash manbai YeK ga ham tegishli chunki Sf kondensator elektr manbai o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlanadi.
3.1-rasmdagi R1 va R2 rezistorlar, RK va RYu rezistorlardek parallel ulangan va ular 3.4-rasmdagi ekvivalent sxemada R11=R1 R2 hamda RKYu=RK RYu bilan ko‘rsatilgan.
Xulosa: Sxemalarda bipolyar tranzistor BT emitteri umumiy UE, bazasi umumiy UB, kollektori umumiy UK qilib bajardik, kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qildik, yuklama qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rgandik.
http://fayllar.org
|