2-маъруза биполяр транзисторлар

|
2-маъруза биполяр транзисторлар
|
Sana | 25.05.2024 | Hajmi | 1,01 Mb. | | #253214 |
Bog'liq 3 МАЪРУЗА 3-МАЪРУЗА БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛАР Мирзаева Сарвиноз Эркиновна
Биполяр транзистор деб ўзаро таъсирлашувчи иккита р-n ўтиш ва учта электрод (ташқи чиқишлар)га эга бўлган ярим ўтказгич асбобга айтилади. Транзистордан ток оқиб ўтиши икки турдаги заряд ташувчилар - электрон ва ковакларнинг ҳаракатига асосланган.
Биполяр транзистор р-n-р ва n-р-n ўтказувчанликка эга бўлган учта ярим ўтказгичдан ташкил топган.Эндиликда кенг тарқалган n-р-n тузилмали биполяр транзисторни кўриб чиқамиз.
Транзисторнинг кучли легирланган чекка соҳаси (n+ - соҳа) эмиттер деб аталади ва у заряд ташувчиларни база деб аталувчи ўрта соҳага (р - соҳа) инжекциялайди. Кейинги чекка соҳа (n - соҳа) коллектор деб аталади. У эмииттерга нисбатан кучсизроқ легирланган бўлиб, заряд ташувчиларни база соҳасидан экстракциялаш учун хизмат қилади . Эмиттер ва база оралиғидаги ўтиш эмиттер ўтиш, коллектор ва база оралиғидаги ўтиш эса -коллектор ўтиш деб аталади.
«inkor»
UК
Т
R1
R2
R3
Т
UК
У
R2
R1
Д2
Д1
Т
R2
R1
Д1
Д2
&
У
Х1
Х2
UВ
UК
У
Х2
Х1
Х2
Х1
1
У
Х1
Х2
Х
У
Х
1
У
а)
b)
c)
«yoki»
«va»
У=Х1+Х2
У=Х1*Х2
У=Х
1
Биполяр транзисторнинг уланиш схемалари
Транзистор схемага уланаётганда чиқишларидан бири кириш ва чиқиш занжири учун умумий қилиб уланади, шу сабабли қуйидаги уланиш схемалари мавжуд: умумий база (УБ) (а-расм); умумий эмиттер (УЭ) (б-расм); умумий коллектор (УК) (в- расм). Бу вақтда умумий чиқиш потенциали нольга тенг деб олинади. Кучланиш манбаи қутблари ва транзистор токларининг йўналиши транзисторнинг актив режимига мос келади. УБ уланиш схемаси қатор камчиликларга эга бўлиб, жуда кам ишлатилади.
. Ulanish sxemasini aniqlash uchun unga uzatilayotgan kirish va kuchaytirilayotgan chiqishiga qarab aniqlanadi. Kirish va chiqishda ikkita elektrod ishtirok etsa, ishtirok etmagan elektrod umumiy hisoblanadi.
Tranzistor emitteridagi ko‘rsatkich (strelka) tok oqimini ko‘rsatadi, demak, p-n-p tipidagi transistor emitteriga + oziqlanish, kuchlanish uzatiladi, kollektordan olinadi, n-p-n tipidagi tranzistorga esa kollektoriga oziqlanish kuchlanishi uzatiladi, emitterdan olinadi. Bu tok oqib o‘tishi uchun bazaga kirish signali uzatilishi tranzistordan tok oqib o‘tadi, tranzistor bazasi 0,1 mv ochila boshlaydi. Bazaga kirish kuchlanishi ko‘payib borsa, undan oqib o‘tayotgan tok ham ortib boradi.
Umumiy emitterli sxemaning sharhi.
KT1 tranzistorining emitteriga ta’minotning musbat qutbi, kollektorga R2 kaskad yuklamasi orqali ta’minotning manfiy qutbi uzatiladi, kirish signali C1 ajratuvchi kondensatori orqali KT1 tranzistorining bazasiga uzatilgan kirish signali va tuzilish sxemasi p-n-p bo‘lgan tranzistorlar uchun bazaga manfiy kuchlanish uzatiladi. Bu kuchlanishning qiymati 01 V bo‘lsa, kifoya qiladi. Bunday vazifa R1 orqali amalga oshiriladi. Bazaga uzatilgan signal kollektordan kuchaytirilib olinadi. Emitter kirish va chiqish signali uchun umumiy hisoblanadi.
Umumiy emitterli sxemada yig‘ilgan kuchaytirgichlar universal kuchaytirgich bo‘lib, ulardan faza inventor kaskadlarida foydalaniladi. Kirish qarshiligi 200–2000 Ω Chiqish qarshiligi 10–100 k ΩSignalni: tok bo‘yicha 200 karra, kuchlanish bo‘yicha 100 karra, quvvat bo‘yicha 1000 karra kuchaytiradi.
|
| |