U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva - bet 38

108
mavjud bo’lib, ular dielektrik plyonkasining tarkibini buzadi. Sirtiy hollar zichligi va
xarakteri dielektrik plyonkaning hosil qilish texnologiyasiga bog’liq. Yarim o’tkazgich -
dielektrik chegarasidagi sirtiy holatlarning mavjudligi MDYaO’ – tranzistorlarning
parametrlariga yomon ta’sir qilishi mumkin. CHunki zatvor tagidagi yarim o’tkazgich
qismida qismida mavjud zaryadlar sirtiy holatlarda ushlanib qoladi. Maydoniy
tranzistorlarni qurishdagi muvaffaqiyatlarga kremniy oksidi
(
)
2
SiO plyonkasini olish
texnologiyasi mukammallashtirilgach erishildi. Kremniy – kremniy oksidi
(
)
2
SiO
Si −
chegarasida kam zichlikli sirtiy holat hosil qilinadi.
Ma’lum bo’ldiki, hamma vaqt kremniy oksidida «tirkalgan» musbat zaryadlar
mavjud bo’lar ekan. Bu «tirkalgan» zaryadlarning tabiati hozirgacha to’liq asoslangan
emas. Ushbu zaryadning qiymati oksid plyonkani hosil qilish bog’liq, ba’zi hollarda u
judda katta bo’lishi mumkin. Agar yostiqcha sifatida
−
p
kremniy olinsa, uning sirtida
zatvorning siljitish kuchlanishini nolь qiymatida ham inversion qatlam hosil bo’lib
qoladi. Inversion qatlam istok va stok o’rtasida bo’lsa, u o’tkazuvchanlik kanaliga ega
maydoniy tranzistorlar deb ataladi.
Bunday o’tkazuvchanlik kanaliga ega tranzistorlardan farqli o’laroq,
Si
n −
yoki
yuqori darajada aralashmaga ega
Si
p −
yostiqchalarda inversion qatlamni hosil qilish
uchun oksid
2
SiO
qatlamda juda katta zaryad talab qilinadi. SHuning uchun
o’tkazuvchanlik kanali zatvordagi
з
V
kuchlanishning ma’lum chegaraviy
чег
з
V
.
qiymatidan katta qiymatlarda hosil bo’ladi. Agar yostiqcha
mun
n −
bo’lsa, zatvordagi
kuchlanish manfiy,
mun
p −
bo’lsa – musbat bo’lishi kerak, o’shandagina birinchi holda
−
p
kanal, ikkinchi holda
−
n
kanal hosil bo’ladi.
Maydoniy unipolyar tranzistorlar sinfiga boshqariluvchi
−
−
n
p
o’tishga ega
tranzistorlar ham kiradi. Quyidagi 7.2.5– rasmda ushbu tranzistorlarning
strukturasi va
manbaga ulanishi sxematik tarzda keltirilgan. Yarim o’tkazgich, misol uchun, kremniy
yostiqcha yuzasida, agar u
mun
n −
bo’lsa,
−
p
qatlam, agar u
mun
p −
bo’lsa,
−
n
qatlam
hosil qilinadi. Ushbu qatlam rasmda ko’rsatilgandek yostiqchaning ikki tomonida
109
bo’lishi mumkin. U xolda rasmda ko’rsatilgan ikkinchi
−
p
soha sirtidagi omik
kantaktga ham huddi birinchi
−
p
sohaga ulangan manba qutbi ulanishi kerak. Ba’zida
ikkinchi qatlam hosil qilinmaydi, bu bilan tranzistor effektga zarar yetkazilmaydi. Eng
asosiysi yostiqcha yuzasida uning o’tkazuvchanligiga qarama – qarshi bo’lgan
o’tkazuvchanlik sohasi hosil qilinadi. SHunday qilib, yostiqchada
−
−
n
p
o’tish
quriladi. Ushbu tranzistorning ishlash printsipi bilan tanishib chiqamiz.
7.2.6-rasm. Qatlamlar.
Yostiqcha yuzasida hosil qilingan
−
p
qatlam (7.2.6 – rasm) sirtida omik kontakt
joylashtiriladi va u zatvor vazifasini bajaradi. Zatvor bilan
istok orasidagi manba har
doim teskari ulanadi. Ushbu kuchlanish ortirilgan sayin
−
−
n
p
o’tish kengayib,
yostiqchadagi o’tkazuvchanlik kanali torayadi, ya’ni zatvordagi kuchlanish orqali
o’tkazuvchanlik kanalining qarshiligi va shu orqali stok toki boshqariladi. Ta’kidlash
lozimki, yostiqcha qaysi tipdagi asosiy zaryad tashuvchilarga ega bo’lsa,
o’tkazuvchanlik kanalidagi tokni shu asosiy zaryad tashuvchilar hosil qiladi, ya’ni
tranzistor unipolyar bo’lib qolaveradi va u maydon aniqroq aytganda zatvordagi elektr
maydon yordamida boshqariladi. Agar zatvordagi, ya’ni
−
−
n
p
o’tishdagi
siljitish
kuchlanishi doimiy bo’lsa, istok – stok kuchlanishi ortishi bilan o’tkazuvchanlik kanali
stok tomonidan toraya boshlaydi va kuchlanishning ma’lum qiymatida stok toki
to’yinish holatiga yetadi.
−
−
n
p
o’tishdagi siljitish kuchlanishi qancha katta bo’lsa,
to’yinish tokining qiymati ham shuncha yuqori bo’ladi. Ushbu
−
−
n
p
o’tishga ega va
zatvori izolyatsiyalangan MOP maydoniy unipolyar tranzistorlarning chiqish volьt –