R1=10кОм ва R2=90кОм бўлганда инверсламайдиган ОК нинг кучайтириш коэффиценти Uk ни аниқланг

|
R1=10кОм ва R2=90кОм бўлганда инверсламайдиган ОК нинг кучайтириш коэффиценти Uk ни аниқланг
|
bet | 19/22 | Sana | 20.12.2023 | Hajmi | 0,55 Mb. | | #124948 |
Bog'liq Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичл-fayllar.orgR1=10кОм ва R2=90кОм бўлганда инверсламайдиган ОК нинг кучайтириш коэффиценти Uk ни аниқланг.
. ОК нинг қўлланиш соҳалари.
ОКнинг асосий характеристикалари бўлиб унинг амплитуда (узатиш) характеристикалари ҳисобланади. Характеристиканинг қия (чизиқли) соҳаси ишчи соҳа ҳисобланади, унинг оғиш бурчаги КU0 қиймати билан аниқланади. UЧИҚ,max - максимал чиқиш кучланиши бўлиб, манба кучланиши Е қийматидан озгина кичик бўлади. ОКнинг частота хоссалари унинг АЧХсида акс эттирилади. Бу характеристикани қуришда КU0 дБларда ифодаланади, частота эса логарифм масштабида горизонтал ўқ бўйлаб ўрнатилади.
Мантиқий элемент (МЭ), мантиқ алгебраси тушунчалари.
Мантиқий элемент (МЭ) деб кириш сигналлари устида аниқ бир мантиқий амал бажарадиган электрон қурилмага айтилади. Улар негиз МЭлар деб аталади. Ишлаш принципига кўра барча МЭлар икки синфга бўлинадилар: комбинацион ва кетма-кетли. Бу тушунчаларни иккилик саноқ тизимидаги рақамлар билан боғлаш учун “рост” ифодани 1 (мантиқий бир) белгиси билан, “ёлғон” ифодани 0 (мантиқий нол) белгиси билан белгилаб оламиз. Улар Буль алгебраси константалари деб аталади.
Мантиқий элементларининг турлари.n ўзгарувчининг рухсат этилган барча мантиқий функцияларини учта асосий амал ёрдамида ҳосил қилиш мумкин:- мантиқий инкор (инверсия, ЭМАС амали), мос ўзгарувчи устига “–” белги қўйиш билан амалга оширилади; - мантиқий қўшиш (дизъюнкция, ЁКИ амали), “+” белги қўйиш билан амалга оширилади; - мантиқий кўпайтириш (конъюнкция, ҲАМ амали), “·” белги қўйиш билан амалга оширилади.
80. МЭнинг амплитуд узатиш характеристикаси (АУХ).
МЭнинг асосий статик характеристикаси бўлиб чиқиш кучланишининг кириш кучланишига боғлиқлиги ҳисобланади. Бу характеристика амплитуда узатиш характеристикаси (АУХ) деб аталади. АУХ кўриниши МЭда қўлланилган электрон калит турига боғлиқ бўлади. Кичик кириш сигналларига юқори чиқиш сигналлари мос келадиган элемент, инверслайдиган, кичик кириш сигналларига кичик чиқиш сигналлари мос келадиган элемент - инверсламайдиган деб аталади. АУХ МЭ қандай қилиб мантиқий 0 ва 1 стандарт сингналлар, уларнинг амплитуда қийматлари ҳамда халақитбардошлиги шаклланишини кузатиш имконини беради. РИСларда асосан инверслайдиган МЭлар кўлланилади.
81. МЭларнинг статик параметрлари.
Норматив – техник хужжатларда барча РИС турлари (комбинацион ва кетма - кетли) учун қуйидаги ягона статик параметрлар тизими ва уларни аниқлаш қоидалари ўрнатилган:
- мантиқий 0 ва мантиқий 1 чиқиш ва кириш кучланишлари;
- мантиқий 0 ва мантиқий 1 чиқиш ва кириш бўсағавий кучланишлари;
- мантиқий 0 ва мантиқий 1 чиқиш ва кириш токлари;
- мантиқий 0 ва мантиқий 1 ҳолатлардаги истеъмол токлари;
- истеъмол қуввати;
- мантиқий 0 га ўзгариш соҳа бўсағаси;
- мантиқий 1 га ўзгариш соҳа бўсағаси;
- минимал мантиқий ўзгариш.
82. МЭларнинг динамик параметрлари.
МЭларнинг асосий динамик параметрларига, кириш ва чиқиш импульслари осцилограммаларидан аниқланадиган қуйидаги параметрлар киради:
t1,0 – мантиқий 1 ҳолатидан мантиқий 0 ҳолатига ўзгариш вақти;
t0,1 – мантиқий 0 ҳолатидан мантиқий 1 ҳолатига ўзгариш вақти;
t1,0кеч – уланишни кечикиш вақти;
t0,1кеч – узилишни кечикиш вақти;
t1,0тарқ.кеч – уланганда сигнал тарқалишини кечикиш вақти;
t0,1тарқ.кеч – узилганда сигнал тарқалишини кечикиш вақти.
83. Транзистор-транзисторли мантиқ (ТТМ) тушунчаси ва ТТМ ибораси.
Transistor-tranzistor mantiq — TTM, TTM) - bipolyar tranzistorlar va rezistorlar asosida qurilgan raqamli mantiqiy chiplar. Tranzistor-tranzistor nomi tranzistorlar mantiqiy funktsiyalarni bajarish uchun (masalan, va, yoki) va chiqish signalini kuchaytirish uchun (qarshilik-tranzistor va diod-tranzistor mantiqdan farqli o'laroq) ishlatilganligi sababli paydo bo'ldi.
TTMNING eng oddiy asosiy elementi mantiqiy operatsiyani amalga oshiradi va asosan chiplarning DTM strukturasini takrorlaydi va ayni paytda ko'p elimli tranzistorni qo'llash orqali diod va tranzistorli kuchaytirgichning xususiyatlarini birlashtiradi, bu esa ishlash va energiya sarfini oshirish, quvvat sarfini kamaytirish va chip ishlab chiqarish texnologiyasini takomillashtirish imkonini beradi.
|
| |