YarimУсилители сигнала с Y-образными римским проводником kuchaytirgichlar

|
YarimУсилители сигнала с Y-образными римским проводником kuchaytirgichlar
|
bet | 3/3 | Sana | 18.01.2024 | Hajmi | 0,57 Mb. | | #140312 |
Bog'liq Намуна отработка учун3. YarimУсилители сигнала с Y-образными римским проводником kuchaytirgichlar.
Усилители с Y-образными римским o’tkazgichli kuchaytirgichlar yarim проводом состоят из полупроводниковых triodlardan триодов. Такие триоды часто tranzistor называют транзисторами yuritiladi. Yаrim o’tkazgichli структура римских tuzilishi yarim o’tkazgichlarda bo’ladigan aralashma elektron проводящих триодов основана на свойстве электронной проводимости смеси, присутствующей в полупроводниках. xossasiga asoslanadi Mendeleev davriy sistemasining IV gruppasiga Полупроводник, относящийся к IV группе периодической таблицы Менделеева yarim o’tkazgich germaniy Ge moddasidan yasalgan yupqa plastinaning ikki при покрытии термической обработкой с двух сторон тонкой пластины из германиевого вещества GE III gr ga tegishli In определенного количества вещества in, относящегося к III GR ma’lum miqdori termik ishlov berish yo’li bilan qoplansa(рис.4)ular orasida zaryadlar , происходит смещение зарядов между ними yuz beradi, , в результате yarim чего в полупроводниковом сплаве образуются три p-n-p сферы hosil bo’ladi. Germaniy plastinasining Слева и справа от германской пластины tomonida накапливаются отверстия, то есть положительный P(Positivus)to’planadi. Bunday zaryadlarning В результате диффузии таких зарядов natijasida germaniy plastinasi на границах соприкосновения германской пластины с moddasi tutashgan chegaralarda индийским веществом возникают два типа потенциальных барьеров P-n и N-P.vujudga keladi(Рис. 4). Undagi Первый s внем называется oha-эмиттером, средний sназывается oha-базой va , а правыйsi- называется i - коллектором ataladi. Bunday triodning К эмиттерно-базовой цепи такого триода подключен источник ээ , а к коллекторно-базовой цепи manba Ee подключен источник ээsС а, при определенных условиях входящий малый сигнал signal UK bir necha o’n marta katta bo’lgan chiquvchi sможет стать выходным сигналом s u CH, который в несколько десятков раз больше Uch ga aylanishi mumkin.
Из-за того, что полюса источника ээ соответствуют переходу p-n, сопротивление потенциального барьера P-NB очень мало, и напряжение источника ээ также соответствует небольшой величине. Поскольку полюса источника En соединены с N-P переходом в обратном направлении ( - - ), потенциальный барьер N-P имеет большое сопротивление, из-за чего напряжение источника En и мощность также должны быть большими . Усиление сигнала происходит за счет источника (En). В этом случае ток коллектора, который проходит через Rn, принадлежит источнику IK к En, который контролируется током эмиттера IE.
В соответствии со схемой электронного усилителя (рис.4,в) эмиттерный переход (р-р) соединен с полюсами напряжения источника в прямом направлении, а некоторый коллекторный переход соединен с En в обратном направлении. Принцип работы усилителя сигнала можно объяснить следующим образом:
Если перемычки K1 k2 разомкнуты (не соединены), то в результате диффузии электронов и дырок в границах, где полупроводники соединены германиевой пластиной с индийским элементом (1 и 2), возникает потенциальный барьер из-за постоянных зарядов с переходами R-P и P-R и их полюсами. Если подключен только прерыватель K1, входное сопротивление Rn коллектора K и ток через базовую цепь не проходят. Это вызвано потенциальным препятствием, заключающимся в том, что полюса P-R находятся в направлении, противоположном полюсам источника En. Если к1 к2 подключен, то ток эмиттера, пропорциональный напряжению источника ээ, смещается в сторону базы-коллектора под действием напряжения источника ээ (тока зарядов), и, преодолевая потенциальный барьер р-р, ток коллектора становится ИК. Такой переход эмиттерного тока через базу в коллектор называется “впрыском”. Ток эмиттера (поток положительных зарядов через отверстия) не может полностью пройти в коллектор. Часть этого тока не проходит через коллектор из-за рекомбинаций, которые происходят с электронами в основании и с электронами отрицательного полюса источника, когда он проходит от эмиттера к основанию, и возвращается к отрицательному полюсу источника (ee) в качестве тока основания. Базовый ток Ib составляет 1-8% тока эмиттера Ie.
Коллекторный ток I равен вычитанию базового тока IB с током эмиттера IE. IK =IE-IB; следовательно, его можно записать как: IK=K1 IE, где k1= коэффициент усиления общей базовой схемы триода 0,92-0,99.
Выходной сигнал от усилителя
Uq = икра= K1Рюи= ки (4)
Поскольку ток эмиттера пропорционален току эмиттера, ток эмиттера контролируется через Ie.
4. Магнитный усилитель сигнала.
Принцип действия магнитных усилителей сигнала основан на том,что ферромагнитные материалы обладают свойством магнитного насыщения, в силу чего их намагничивающая характеристика изменяется в большом диапазоне кривизны V=f(n) и индуктивного сопротивления цепи XL. Принципиальная схема простейшего магнитного усилителя показана на рисунке 5. Он состоит из трех стальных дроссельных заслонок с длинным ходом.Нагрузка на его выход zanjirdagiподключается к источнику переменного тока U WN магнитов в цепи. Напряжение выходного сигнала от усилителя на концах сопротивления нагрузки Rn равно три=Rn In. Входящий в усилитель сигнал Uk или управляющий ток IB cho’lg’am Wb создает магнитный поток F B, который изменяет насыщение дроссельной заслонки в чугуне W Bb, что приводит к изменению поглощающей PN стального сердечника и индуктивности чугуна WN на L, а также индуктивного сопротивления цепи xn=WL. Это, в свою очередь, изменяет выходной сигнал на три или Rn In. Таким образом, небольшое изменение управляющего тока IB изменяет ток In в цепи нагрузки на большую величину. С целью эффективного использования в усилителе сигнала прямолинейной области характеристики дроссельной0 ni ma’lum miqdorda o’zgarmas tok I0 заслонки достигается, что рабочая точка находится между прямолинейной частью характеристики м,обеспечивая заданную величину переменного тока I 0 (рис.5, б).
Основной магнитный поток, образующийся при WN дроссельной заслонки в цепи нагрузки, не проходит через средний стальной сердечник F-дроссельной заслонки. Принцип работы магнитного усилителя сигнала также можно понять по формуле тока в цепи нагрузки.
In = I~= U~/√Rn 2 + (tshl)2 (5)
Здесь yerda
Rn-полное сопротивление актива цепи нагрузки;
wL-индуктивное сопротивление WN катушки в цепи нагрузки;
L = (Wn2см)/индуктивность катушки индуктивности в цепи нагрузки I,
S и 1-поперечное сечение и средняя длина дроссельной заслонки;
м-магнитная поглощающая способность стального сердечника.
Из Формулы (5) видно, что изменение тока нагрузки в катушки индуктивности WN напрямую связано с L или поглощающей способностью железного сердечника дроссельной заслонки M. При увеличении индуктивности или поглощения ток нагрузки в уменьшается, и наоборот, при уменьшении L или M в увеличивается. Для осуществления такого управления используется контроллер chulam WB. bУправляющий ток, проходящий через катушку W Bb, создает дополнительный магнитный поток FB в сердечнике дроссельной заслонки I B, а индукция магнитного поля дроссельной заслонки из-за насыщения железного сердечника изменяется по кривой v=f(n) характеристике. Это изменяет поглощающую способность железного сердечника M =n V /n N и индуктивность магнитного поля L=M (WN2s)/I. Соответственно, выходной ток от усилителя равен In или выходное напряжение три=in Rn, что соответствует величине управляющего (намагничивающего) тока in.
Ток нагрузки в с управляющим током Ib в график взаимосвязи показан на рисунке 5,В.
Коэффициент усиления магнитного усилителя по мощности (R) выражается следующим образом:
Кб=(∆х∆Великобритания)(∆В /∆Я)=∆рН/∆рб (6)
Здесь yerda
∆Три =n в РП выходной сигнал,
∆Uk-входной сигнал.
Магнитные усилители обладают следующими преимуществами. Коэффициент полезного действия (фик) выше, чем у электронных усилителей,коэффициент усиления по мощности достигает до 10000 на один каскад, время службы длительное надежное, время срабатывания короткое, чем у электронного усилителя. Вот почему усилители magtin широко используются в системах автоматического управления, регулировки и управления.
Ссылки:
1. Юусупбеков Н.R. и брови головы. boshqalar ”Texnologik Системы управления технологическими процессамиqarish sistemalari",-Ташкент, 1997.
2. Юусупбеков Н.R. и брови головы. boshqalar "Автоматизация процессов автоматизации и разработки.Avtomatika va ishlab chiqarish jarayonlarini avtomatlashtirish-Ташкент, 1982.
3. Мансуров Х.N. ”Автоматика и ishlab chiqавтоматизация производственных jarayonlarini процессов",-Ташкент 1987 г.
4. Майзел М.М ” автоматики и автоматизации основы автоматики процессови автоматизации производственных процессов", - Ташкент, 1964
|
| |