Shottki to‘sig‘ili diodlar - 11 blet Одий электр жанжири иштрок еткан схемани чизинг ва иштрок этадигон елементлар...

|
11 blet Одий электр жанжири иштрок еткан схемани чизинг ва иштрок этадигон елементлар ва курилмаларга тариф бериб утинг
|
bet | 8/16 | Sana | 19.01.2024 | Hajmi | 5,39 Mb. | | #140805 |
Bog'liq 11 bletShottki to‘sig‘ili diodlar kuchlanish manbai qayta ulagichlarida keng tarqalgan, chunki ular qayta ulanish ishchi chastotasini 100 kGs va undan yuqoriga orttirishga, radioelektron apparatura og‘irligi, o‘lchamlarini kichraytirishga va kuchlanish manbai FIK oshirishga imkon yaratadilar. Shottki to‘sig‘i metallni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi. Yarim o‘tkazgich material sifatida ko‘p hollarda n–turdagi kremniy, metall sifatida esa Al, Au, Mo va boshqalar qo‘llaniladi. Bu vaqtda metall chiqish ishi kremniy chiqish ishidan katta bo‘lishi talab qilinadi. Bunday diodlarda diffuziya sig‘imi nolga teng, to‘siq sig‘imi esa 1 pF dan oshmaydi.
3. BTlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash usullari Gibrid IMS (yoki GIS, Pardalar hosil qilish. Fotolitografiya.
Integral mikrosxema (IMS) koʻp sonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi oʻtkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlashtirishni (konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot oʻzgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya); yagona texnologik siklda, bir vaqtning oʻzida sxemaning elektroradioelementlari (ERE) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan koʻp sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya) ni aks ettiradi. IMS, yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot oʻzgartirishda ma’lum funksiyani bajaruvchi oʻzaro elektr jihatdan ulangan ERElar majmuasidir. IMS elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni kuchaytirishi mumkin. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qoʻlda yigʻish zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avvalam bor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar birbiri bilan metallash yoʻli bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham, payvand ham qilinmaydi. Buning natijasida yigʻish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayyorlash usuli va bunda hosil boʻladigan tuzilmasiga koʻra IMSlarni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarimoʻtkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.
Element deb, konstruksiyasi boʻyicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot boʻlgan IMSning boʻlagiga aytiladi. Yigʻish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga oʻrnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik oʻlchamli induktivlik gʻaltaklari va boshqalar sodda komponentlarga, murakkab komponentlarga esa, 34 bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod yoki tranzistorlar yigʻmalari kiradi. Elementlari yarimoʻtkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar yarimoʻtkazgich IMS deb ataladi.
Gibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi. GISlarning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqamli mikrosxemalarning keng sinfini yaratish imkoniyatidan, keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining koʻpligidan iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish – uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OʻYUCH qurilmalarda va boshqalarda qoʻllaniladi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
11 blet Одий электр жанжири иштрок еткан схемани чизинг ва иштрок этадигон елементлар ва курилмаларга тариф бериб утинг
|