Yashash vaqti - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

|
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova
|
bet | 11/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaYashash vaqti . Zaryad tashuvchining yashash vaqti deganda uning generatsiyasidan rekombinatsiyasigacha bo‘lgan vaqt tushuniladi. Yarim o‘tkazgichning bu parametri yarim o‘tkazgichli asboblarni (bipolyar tranzistorlardagi baza kengligi, maydoniy tranzistorlarda kanal uzunligi) konstruksiyalashda katta ahamiyatga ega. Yashash vaqtida zaryad tashuvchining diffuziya harakati natijasida diffuziya uzunligi deb ataluvchi, o‘rtacha masofasi ma’lum Lga teng bo‘lgan masofani bosib o‘tadi.
Nazorat savollari
Yarim o‘tkazgichlarni o‘ziga xos xususiyatlarini aytib bering.
Yarim o‘tkazgich zona diagrammasini izohlab bering.
Erkin zaryad tashuvchi (EZT) deganda nimani tushunasiz ?
Valent zonadagi elektronlarning harakati qanday ifodalanadi ? Elektron va kovak o‘tkazuvchanlikka ta’rif bering.
Xususiy elektr o‘tkazuvchanlik nima ? Xususiy yarim o‘tkazgichdagi EZT konsentratsiyasi.
Yarim o‘tkazgich xarakteristikasiga qanday kiritmalar ta’sir ko‘rsatadi ?
Donor va akseptor kiritmalari nima ?
Elektron va kovak yarim o‘tkazgichlarga ta’rif bering.
Qanday EZT – asosiy va qaysilari – asosiy bo‘lmagan deb ataladi?
Temperatura o‘zgarganda yarim o‘tkazgichdagi EZT konsentratsiyasi nima sababli va qanday o‘zgarishini tushuntirib bering.
II BOB. ELEKTRON – KOVAK O‘TISh
(r-n o‘tish)
════════════════════════════════════════════
2.1. R -n o‘tishning hosil bo‘lishi
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi r–turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning r va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki r-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash prinsipi r-n o‘tish xossalariga asoslangan.
R-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n–sohadagi elektronlar va r– sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida r–turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining konsentratsiyasi Na kovaklar konsentratsiyasi rr ga, n–turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining konsentratsiyasi Nd elektronlar konsentratsiyasi nn ga teng bo‘ladi. Demak, r- va n–sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar konsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning r –sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar konsentratsiyasi musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida r-soha chegarasidagi kovaklar konsentratsiyasi kamayib boradi va u akseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (2.1 –rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami r-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi r- va n–soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi.
Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va r-n o‘tishda kuchlanganligi ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni r-n o‘tish bo‘ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 2.1 b-rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potensial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potensial sifatida chegaraviy soha potensiali qabul qilingan.
2.1 – rasm.
Rasmdan ko‘rinib turibdiki, r-n o‘tishda voltlarda ifodalanadigan kontakt potensiallar farqiga teng bo‘lgan potensial to‘siq yuzaga keladi. UK kattaligi dastlabki yarim o‘tkazgich material ta’qiqlangan zona kengligi va kiritma konsentratsiyasiga bog‘liq bo‘ladi. r-n o‘tish kontakt potensiallar farqi: germaniy uchun 0,35 V, kremniy uchun esa = 0,7 V.
R-n o‘tish kengligi l0 ga proporsional bo‘ladi va mkmning o‘nlik yoki birlik qismlarini tashkil etadi. Tor r-n o‘tish hosil qilish uchun katta kiritma konsentarsiyasi kiritiladi, l0 ni kattalashtirish uchun esa kichik kiritmalar konsentratsiyasi qo‘llaniladi.
|
| |