Pardali va gibrid mikrosxemalar

|
Pardali va gibrid mikrosxemalar
|
bet | 4/11 | Sana | 10.09.2024 | Hajmi | 0,59 Mb. | | #270804 |
Bog'liq 8iHTfOddPYWpifDBRAJDQz5txOxy3dCkTWXU9Zxm7.3. Pardali va gibrid mikrosxemalar
Pardali IMS–bu dielektrik asos sirtida elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi.
Parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra yupqa pardali IMS (parda qalinligi 1-2 mkmgacha) va qalin pardali IMS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo‘linadi.
Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali IMSlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi.
Gibrid IMS (yoki GIS) – bu pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar. Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; keng nomenklaturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; MDYa (metall dielektrik yarim o‘tkazgichlar)– asboblar, diodli va tranzistorli matrisalar va yaroqli mikrosxemalar ishlab chiqilish darajasini yuqoriligi.
7.4. Yarim o‘tkazgichli integral mikrosxemalar
Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar va MDYa IMSlarga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMS lar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi rivojlanib bormoqda.
Ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli IMS lar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma-gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. Natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. Bir tranzistorning o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi. Alohida elementlarning izolyatsiyasi p–n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishi mumkin. Tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi.
Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va undan ko‘p) emitterdan tashkil topgan. Ular tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi.
Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral – injeksion mantiq (I2M) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi.
|
| |