B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení

3B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení
3B001 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů, jak jsou dále uvedeny a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů “řízená uloženým programem”:
1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;
2. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;
3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
b. Zařízení “řízená uloženým programem” konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
1. Urychlují napětí větší než 1 MeV;
2. Jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV;
3. Schopnost přímého zápisu; nebo
4. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté podložky z polovodičového materiálu.
c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha, “řízená uloženým programem”, jak jsou dále uvedena:
1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e., a mající některé a dále uvedených charakteristik:
a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi (CVD) za podpory plazmatu “řízené uloženým programem”:
1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a mající některou z dále uvedených charakteristik:
a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e. a mající některé z dále uvedených charakteristik:
a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
b Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);
e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním “řízené uloženým programem”, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a
2. Jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuovém prostředí pro sekvenční pracování mnoha destiček;
Poznámka: 3B001. e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.
f. Litografická zařízení “řízená uloženým programem”, jak jsou dále uvedena:
1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací (scanner) zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití foto-optických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo
b. Schopná exponovat obrazce s velikostí ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ 0,5 mikrometrů nebo menší;
Technická poznámka:
Velikost ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ se vypočítává podle následujícího vzorce:
MRF = vlnová délka světelného zdroje v mikrometrech x K
číselná apertura
kde K faktor = 0, 7
MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku
2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo “laserového” paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Stopu paprsku menší než 0,2 mikrometru;
b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 mikrometr; nebo
c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 mikrometru (3 sigma);
g. Masky nebo optické mřížky konstruované pro integrované obvody specifikované ve 3A001;
h. Vícevrstvé masky s vrstvou působící fázový posun.
3B002 Zkušební zařízení “řízená uloženým programem”, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek dále uvedených a speciálně konstruované součásti a příslušenství pro ně:
a. Pro zkoušení S-parametrů transistorových součástek při kmitočtech větších než 31 GHz;
b. Pro zkoušení integrovaných obvodů, která jsou schopna provádět funkční zkoušení podle pravdivostní tabulky při ’rychlosti testovacích vzorků’ větší než 333 MHz;
Poznámka: 3B002 nekontroluje zkušební zařízení speciálně konstruované pro zkoušení:
1. “Elektronických sestav” nebo řad pro použití v domácnosti nebo zařízeních pro zábavu;
2. Nekontrolovaných elektronických součástek, “elektronických sestav” nebo integrovaných obvodů.
Technická poznámka:
Pro účely této položky je ’rychlost vzorku’ definována jako maximální možná frekvence v číslicové operaci zkoušeče. Je proto ekvivalentem nejvýše možné rychlosti dat, kterou zkoušeč může poskytnout. Vztahuje se také na rychlost zkoušení, maximální číslicovou frekvenci nebo maximální číslicovou rychlost.
c. Pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů specifikovaných v 3A001.b.2.
3C Materiály
3C001 Hetero-epitaxní materiály sestávající z “podložky” mající více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
a. Křemíku;
b. Germania; nebo
c. Sloučenin galia nebo india typu IIIIV.
Technická poznámka:
Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Menděljevovy periodické tabulky (arzenid galia, arzenid galio - hlinitý, fosfid india).
3C002 Rezistní materiály (rezisty) dále uvedené a “podložky” potažené kontrolovanými rezisty:
a. Pozitivní rezisty vyvinuté pro polovodičovou litografii optimalizované pro použití expozičního světla s vlnovou délkou pod 350 nm;
b. Všechny rezisty vyvinuté pro použití s elektronovými paprsky nebo iontovými paprsky, o citlivosti 0,01 mikrocoulombu/mm2 nebo lepší;
c. Všechny rezisty pro použití s rentgenovými paprsky, o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší;
d. Všechny rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně ’silylátovaných’ rezistů.
Technická poznámka:
’Silylační’ techniky jsou definovány jako procesy používající oxidaci povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.
3C003 Organo-anorganické sloučeniny:
a. Organo-kovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (vztaženo na kov) lepší než 99,999 %;
b. Organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu a čistotě (vztaženo na anorganickou složku) lepší než 99,999 %.
Poznámka: 3C003 kontroluje jen ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
3C004 Hybridy fosforu, arzénu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodou.
Poznámka: 3C004 nekontroluje hybridy, které obsahují 20 molárních procent nebo více inertních plynů nebo vodíku.
3D Software
3D001 “Software” speciálně určený pro “vývoj” nebo “výrobu” zařízení uvedených ve 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
3D002 “Software” speciálně určený pro “užití” v zařízeních “řízených uloženým programem” uvedených ve 3B.
3D003 “Software” pro počítačem zpracované konstrukce (CAD) určený pro topografii polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů, který má některou z dále uvedených charakteristik:
a. Zahrnuje pravidla pro navrhování nebo pravidla pro ověřování obvodů;
b. Simuluje fyzikální uspořádání obvodů; nebo
c. Obsahuje ’simulátory litografického zpracování’ ve fázi návrhu.
Technická poznámka:
’Simulátor litografického zpracování’ je sada programů používaná ve fázi návrhu pro definováni sledu litografických, leptacích a depozičních kroků, které transformují obrazce masek do specifických topografických obrazců ve vodičích, dielektrickém nebo polovodičovém materiálu.
Poznámka 1: 3D003 nekontroluje “software” speciálně určený pro vstup schémat, logickou simulaci, rozmísťování a propojování (elektrických spojení) ověřování návrhu nebo generaci pásky obrazců.
Poznámka 2: Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se pokládají za “technologii”.
3D101 “Software” speciálně určený nebo upravený pro “užití” zařízení uvedených ve 3A101.b.
3E Technologie
3E001 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii (General Technology Note) pro “vývoj” nebo “výrobu” zařízení nebo materiálů uvedených v 3A, 3B nebo 3C.
Poznámka: 3E001 nekontroluje “ technologii” pro “vývoj” nebo “výrobu”
a. Mikrovlnných transistorů pracujících při kmitočtech pod 31 GHz;
b. Integrovaných obvodů uvedených v 3A001.a.3. až 3A001.a.12., mající všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Používají “ technologii” s rozlišením 0,7 mikrometru nebo větším; a
2. Nemají ’vícevrstvé struktury’.
Technická poznámka:
Výraz ’vícevrstvé struktury’ v poznámce b.2. k 3E001 nezahrnuje dílce s nejvýše dvěma kovovými vrstvami a dvěma vrstvami polykrystalického křemíku.
3E002 Jiné “technologie” pro “vývoj” nebo “výrobu”:
a. Vakuových mikroelektronických součástek;
b. Heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou transistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární transistory (HBT) součástky využívající kvantových jevů (quantum well) nebo součástky se supermřížkami;
c. Supravodivých elektronických součástek;
d. Podložek z diamantových vrstev pro elektronické součástky;
e. Křemíkových podložek s izolátorem pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
f. Podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
g. “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii jiné než ty, které jsou uvedeny v 3E001 pro “vývoj” nebo “výrobu” “mikroprocesorových mikroobvodů”, “mikropočítačových mikroobvodů” a mikrokontrolových mikroobvodů majících “složený teoretický výkon” (“CTP”) 530 milionů teoretických operací za sekundu (Mtops) nebo více a aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více.
Poznámka: Poznámka k 3E001 platí také pro 3E002.g.
3E101 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “užití” zařízení nebo “softwaru” jak jsou uvedeny v 3A001.a.1. nebo 2., 3A101 nebo 3D101.
3E102 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “vývoj” “softwaru” uvedená v 3D 101.
3E201 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “užití” zařízení uvedených v 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 až 3A233.
KATEGORIE 4 - POČÍTAČE
Poznámka 1: Počítače, jejich příslušenství a “software” vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce “lokálních sítí” se musí také hodnotit podle charakteristik výkonu v kategorii 5, Část 1 (Telekomunikace).
Poznámka 2: Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky “ hlavní paměti” nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsané v kategorii 5, Část 1 (Telekomunikace).
POZN.: Ke kontrolnímu režimu “softwaru “ speciálně navrženému pro přepojování paketů viz 5D001.
Poznámka 3: Počítače, jejich příslušenství nebo “software” vykonávající šifrovací funkce kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele, nebo které omezují elektromagnetickou kompatibilitu (EMC), se musí rovněž vyhodnocovat podle charakteristik v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”).
4A Systémy, zařízení a součásti
4A001 Elektronické počítače a jejich příslušenství uvedené dále a “elektronické sestavy” a speciálně konstituované součásti:
Viz také 4A101
a. Speciálně konstruované, aby měly některou z dále uvedených charakteristik:
1. Určené pro práci při okolní teplotě pod 228 K (-45 °C) nebo nad 358 K (85 °C);
Poznámka: 4A001.a.1. neplatí pro počítače speciálně konstruované pro aplikaci v civilních automobilech a vlacích.
2. Jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
a. Celková radiační dávka 5 x 103 Gy (křemík);
b. Narušení při rychlosti dávky 5 x 106 Gy (křemík)/s; nebo
c. Narušení způsobené jednorázovým dějem 1 x 10-7 chyb/bit/den;
b. Mají charakteristiky nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”)
Poznámka: 4A001 nekontroluje elektronické počítače a jejich příslušenství, které má jejich uživatel pro osobní potřeby.
4A002 “Hybridní počítače” uvedené dále a jejich “elektronické sestavy” a speciálně konstruované součásti:
Viz také 4A102
a. Obsahující “číslicové počítače” specifikované v 4A003;
b. Obsahující analogově číslicové nebo číslicově analogové převodníky, které mají obě dále uvedené charakteristiky:
1. 32 kanálů nebo více; a
2. Rozlišení 14 bitů (plus znaménkový bit) nebo větší, s převodní rychlostí 200000 převodů za sekundu nebo více.
4A003 “Číslicové počítače”, “elektronické sestavy”, jejich příslušenství uvedené dále a speciálně pro ně konstruované součásti:
Poznámka 1: 4A003 zahrnuje:
a. Vektorové procesory;
b. Procesorová pole;
c. Komunikační procesory;
d. Logické procesory;
e. Zařízení pro “zlepšení obrazu”;
f. Zařízení pro “zpracování signálů”.
Poznámka 2: Kontrolní status “ číslicových počítačů “ nebo jejich příslušenství popsaných v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
a. “Číslicové počítače” nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
b. “Číslicové počítače”nebo jejich příslušenství nejsou “hlavním prvkem” těchto jiných zařízení nebo systémů; a
POZN. 1: Kontrolní status “zpracování signálů” nebo “zlepšení obrazu” speciálně konstruovaných pro jiná zařízení s funkcemi omezenými na funkce vyžadované pro tato jiná zařízení je určen kontrolním statusem těchto jiných zařízení, i když se tak přestupuje kritérium “hlavního prvku”.
POZN. 2: Ke kontrolnímu statusu “číslicových počítačů” nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz Kategorie 5, Část 1 (Telekomunikace).
c. “Technologie” pro “číslicové počítače” a jejich příslušenství je uvedena ve 4E.
a. Konstruované nebo upravené pro “poruchovou odolnost”;
Poznámka: Pro účely 4A003.a. se “číslicové počítače” nebo jejich příslušenství nepokládají za konstruované nebo upravené z hlediska “poruchové odolnosti”, pokud používají:
1. Algoritmy detekce nebo korekce chyby v “hlavní paměti”;
2. Propojení dvou “číslicových počítačů” takové, že v případě selhání aktivní základní jednotky, může rezervní, ale zrcadlově pracující základní jednotka dále pokračovat v řízení funkcí systému;
3. Propojení dvou základních jednotek datovými kanály nebo použitím sdílené paměti, které dovoluje první základní jednotce provádět jinou práci po dobu, dokud druhá základní jednotka neselže, v kterémžto okamžiku první základní jednotka převezme řízení funkcí systému; nebo
4. Synchronizaci dvou základních jednotek pomocí “softwaru” tak, aby první základní jednotka rozpoznala selhání druhé základní jednotky a převzala její úkoly.
b. “Číslicové počítače”, které mají “složený teoretický výkon” (“CTP”) přesahující 6500 milionů složených teoretických operací za sekundu (Mtops);
c. “Elektronické sestavy” speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací “výpočetních prvků” (“CEs”) takové, že “složený teoretický výkon” agregátu přesahuje mez uvedenou ve 4A003.b.;
Poznámka 1: 4A003.c. se použije jen na “elektronické sestavy” a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené ve 4A003.b., když se dodávají jako nezabudované “elektronické sestavy”. Nepoužije se na “elektronické sestavy” vnitřně omezené svou konstrukcí pro užití jako příslušenství pro zařízení specifikovaná v 4A003.d nebo 4A003.e.
Poznámka 2: 4A003.c. nekontroluje “elektronické sestavy” speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené ve 4A003.b.
d. Grafické akcelerátory nebo grafické koprocesory překračující “rychlost třírozměrových vektorů” 3000000;
e. Zařízení provádějící analogově číslicové převody překračující meze uvedené v 3A001.a.5.;
f. Nevyužito;
g. Zařízení speciálně konstruovaná tak, že umožňují externí propojení “číslicových počítačů” nebo připojených zařízení, která dovolují komunikace s rychlostí dat překračující 80 Mbyte/s.
Poznámka: 4A003.g. nekontroluje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky, sběrnice), pasivní propojovací zařízení, “řadiče přístupu do sítě” nebo “řadiče komunikačních kanálů”.
4A004 Počítače uvedené dále a jejich speciálně konstruované příslušenství, “elektronické sestavy” a součásti:
a. “Systolické počítače”;
b. “Neuronové počítače”;
c. “Optické počítače”.
4A101 Analogové počítače, “číslicové počítače” nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než specifikované ve 4A001.a.1 které jsou vybaveny pro práci ve ztížených podmínkách a konstruovány nebo upraveny k použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v 9A104.
4A102 “Hybridní počítače” speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v 9A004 nebo sondážních raket uvedených v 9A104.
Poznámka: Tato kontrola se provede pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se “softwarem”specifikovaným ve 7D103 nebo 9D103.
4B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení
Žádné
4C Materiály
Žádné
4D Software
Poznámka: Kontrolní status “softwaru” pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení popsaných v jiných Kategoriích je uveden vždy v příslušné Kategorii. Kontrolní status “softwaru” pro zařízení popsaná v této Kategorii je popsán v tomto odstavci.
4D001 “Software” speciálně určený nebo upravený pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení nebo “softwaru” uvedený ve 4A001 až 4A004 nebo 4D.
4D002 “Software” speciálně určený nebo upravený pro podporu “technologie” uvedené ve 4E.
4D003 Specifický “software”:
a. “Software” operačních systémů, nástroje pro vývoj “softwaru” a překladače speciálně určené pro zařízení na “zpracování vícenásobného toku dat” ve “zdrojovém kódu”;
b. “Expertní systémy” nebo “software” pro inferenční stroje “expertních systémů” poskytující současně:
1. Časově závislá pravidla; a
2. Zákonitosti (primitives) pro manipulaci s časovými charakteristikami pravidel a faktů;
c. “Software” mající charakteristiky nebo vykonávající funkce, které překračují meze v Kategorii 5, Část 2 (“Bezpečnost informací”);
Poznámka: 4D003.c. nekontroluje “software”, který doprovází uživatele a je určen pro jeho osobní potřeby.
d. Operační systémy speciálně konstruované pro zařízení se “zpracováním v reálném čase”, které zaručují “celkovou čekací dobu přerušení” menší než 20 mikrosekund.
4E Technologie
4E001 “Technologie” podle Všeobecné poznámky k technologii pro “vývoj”, “výrobu” nebo “užití” zařízení nebo “softwaru” uvedeného ve 4A nebo 4D.
TECHNICKÁ POZNÁMKA KE “SLOŽENÉMU TEORETICKÉMU VÝKONU” (“CTP”)
Zkratky používané v této technické poznámce
“CE” “výpočetní prvek” (typicky aritmeticko-logická jednotka)
FP pohyblivá řadová čárka
XP pevná řadová čárka
t doba výpočtu (provádění operací)
XOR logická funkce nonekvivalence
CPU základní (centrální) jednotka
TP teoretický výkon (jednoho “CE”)
“CTP” složený teoretický výkon (více “CE”)
R efektivní výpočetní rychlost
WL délka slova
L nastavení délky slova
* násobení
Doba výpočtu t se vyjadřuje v mikrosekundách, TP a “CTP” se vyjadřuje v milionech teoretických operací za sekundu (Mtops) a WL se vyjadřuje v bitech.
Shrnutí metod výpočtu “CTP”
“CTP” je mírou výpočetního výkonu udaného v Mtops. Při výpočtu “CTP” konfigurace výpočetních prvků (“CE”) se požadují následující tři kroky:
1. Vypočítejte efektivní výpočetní rychlost R pro každý výpočetní prvek “CE”;
2. Použijte nastavení délky slova (L) k výpočtu efektivní výpočetní rychlosti R a k získání teoretického výkonu (TP) pro každý výpočetní prvek (“CE”);
3. Je-li těchto výpočetních prvků (“CE”) více než jeden, teoretické výkony TP slučte a získáte složený teoretický výkon (“CTP”) pro konfiguraci.
Podrobnosti těchto kroků jsou vysvětleny v následujících odstavcích.
Poznámka 1: Pokud je konfigurace více “CE” taková, že některé z nich sdílejí paměťové subsystémy a další je nesdílejí, provádí se výpočet “CTP” hierarchicky ve dvou krocích: za prvé se sdružují skupiny “CE”, které sdílejí paměť; za druhé se počítají “CTP” skupin s použitím výpočetní metody pro násobné “CE”, které nesdílejí paměť.
Poznámka 2: Výpočetní prvky “CE”, jejichž funkce je omezena na funkce vstupu/výstupu a periferní funkce (např. řídicí jednotky disků, řadiče komunikačních a zobrazovacích jednotek) se nezahrnují do výpočtu “CTP”.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K “CTP”
Dále uvedená tabulka ukazuje způsob výpočtu efektivní výpočetní rychlosti R pro každý výpočetní prvek (“CE”):
Krok 1: Efektivní výpočetní rychlost R
Pro výpočetní prvky (“CE”) realizující:
Poznámka: Každý “CE” musí být
vyhodnocován nezávisle
|
Efektivní výpočetní rychlost R
|
Jenom XP
(Rxp)
Když se nevykonává sčítání, použijte:
Když se nevykonává ani sčítání ani násobení,
použijte nejrychlejší dostupnou aritmetickou operaci, a to:
Viz poznámky X & Z
Jenom FP
|
,
|
(Rfp)
|
Viz poznámky X & Y
|
Jak FP, tak XP
|
|
(R)
|
Vypočítejte Rxp, Rfp,
|
Pro jednoduché logické procesory
nevykonávající žádnou ze
specifikovaných aritmetických operací.
|
|
|
Kde tlog je doba výpočtu pro XOR nebo
nejrychlejší jednoduchá logická operace
u logického obvodu nerealizujícího XOR
Viz poznámky X& Z
|
Pro speciální logické procesory
nepoužívající žádnou ze specifikovaných
aritmetických nebo logických operací
|
R = R'*WL/64
kde R' je počet výsledků za sekundu, WL
je počet bitů, na kterých probíhá logická
operace, a 64 je normalizační faktor na
64-bitové operace.
|
TECHNICKÁ POZNÁMKA K “CTP”
Poznámka W Pro výpočetní prvky (“CE”) s postupným zpracováním toku dat (pipeline), které jsou schopny zpracovávat více než jednu aritmetickou nebo logickou operaci v každém strojovém cyklu poté, co jsou naplněny daty, může být zavedena specifická rychlost v režimu pipeline. Efektivní výpočetní rychlost (R) pro takové “CE” je pak maximum rychlosti v režimech využívajících i nevyužívajících pipeline.
Poznámka X Pro výpočetní prvky, které vykonávají více aritmetických operací konkrétního typu v jednom cyklu (např. dvě sčítání v jednom cyklu) je doba výpočtu t dána vztahem:
doba cyklu
t = –————–————–————–————–————
počet identických operací ve strojové m cyklu
Výpočetní prvky (“CE”), které vykonávají různé typy aritmetických nebo logických operací v jednom strojovém cyklu se pokládají za více samostatných výpočetních prvků, které pracují současně (např. výpočetní prvek provádějící sčítání a násobení v jednom cyklu se bere jako dva výpočetní prvky, z nichž první vykonává sčítání v jednom cyklu a druhý provádí násobení, rovněž v jednom cyklu).
Pokud jeden výpočetní prvek provádí skalární i vektorovou funkci, pak použijte hodnotu s kratší dobou výpočtu.
Poznámka Y Jestliže “CE” neprovádí žádné sčítání nebo násobení s pohyblivou řádovou čárkou (FP) ale provádí dělení s pohyblivou řádovou čárkou, pak:
Jestliže “CE” vykonává operaci převrácené hodnoty v pohyblivé řádové čárce, ale nevykonává FP sčítání, násobení nebo dělení, pak:
Nerealizuje-li se žádná ze specifikovaných instrukcí, je efektivní FP rychlost rovna nule.
Poznámka Z V jednoduchých logických operacích vykonává jedna instrukce jednu logickou manipulaci s ne více než dvěma operandy daných délek. Ve složitých logických operacích vykonává jedna instrukce více logických manipulací, aby vytvořila jeden nebo více výsledků ze dvou nebo více operandů.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K “CTP”
Rychlosti je třeba počítat pro všechny podporované délky operandů uvažujíce jak standardní režim zpracování tak “pipeline” (pokud přichází v úvahu) za použití nejrychlejší výkonné instrukce pro každou délku operandu v pořadí:
1. Pipelinové operace a operace registr - registr. Vypusťte extrémně krátké operační časy, které se mohou vyskytnout pro operace na předem určeném operandu nebo předem určených operandech (například násobení nulou nebo 1). Nerealizují-li se žádné operace registr - registr, pokračujte podle bodu (2).
2. Rychlejší z operací registr - paměť nebo paměť - registr; pokud tyto také neexistují, pokračujte podle bodu (3).
3. Paměť - paměť.
V každém výše uvedeném případě použijte nejkratší dobu operace zaručovanou výrobcem.
Krok 2: TP pro každou podporovanou délku operandu WL
Nastavte efektivní rychlost R (nebo R') pomocí nastavení délky slova L takto:
|