Elektronikaning - bet 3

|
Elektronikaning
|
bet | 3/4 | Sana | 03.07.2024 | Hajmi | 168,96 Kb. | | #266506 |
Bog'liq elektronika sxemalar 2у = х1·х2
у = х1+ х2 у = х
у = х|
“2ЁКИ” амалини бажарувчи МЭ функцияси
у = х1+ х2 у = х1·х2 y=x
y=x|
Elektronika fanida nima o‘rganiladi?
Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xususiyatlari, Yarimo‘tkazgichli diodlar, bipolyar va maydoniy tranzistorlarning ishlash prinsipi, integral mikrosxemalar va operatsion kuchaytirgichlar o‘rganiladi
Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xususiyatlari, Yarimo‘tkazgichli diodlar,transformatorlar va ularning ishlash prinsiplari, bipolyar va maydoniy tranzistorlarning ishlash prinsipi, optik tolali kabellar va ularning xususiyatlari, integral mikrosxemalar va operatsion kuchaytirgichlar o‘rganiladi
Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xususiyatlari, Yarimo‘tkazgichli diodlar, bipolyar va maydoniy tranzistorlarning ishlash prinsipi, uzgaruvchan va uzgarmas tok parametrlari, elegtrodvigatelь, generatorlar va ularni ishlash prinsiplari, integral mikrosxemalar va operatsion kuchaytirgichlar o‘rganiladi
Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xususiyatlari, elektr kattaliklar va elektr zanjirlarning asosiy element va parametrlari, Yarimo‘tkazgichli diodlar, bipolyar va maydoniy tranzistorlarning ishlash prinsipi, integral mikrosxemalar va operatsion kuchaytirgichlar o‘rganiladi
Elektronikaning rivojlanish bosqichlari to‘g‘ri keltirilgan javobni toping.
a) elektrotexnik asboblar, rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, rele va shunga o‘xshash passiv elementlarning yaratilishi va A.S Popov tomonidan simsiz telegraf - (radioni) ixtiro qilinishi; b)1906 yili Forest tomonidan birinchi aktiv elektron asbob, triod elektron lampasini ixtiro kilinishi; v)kattik jismli, bipolyar tranzistorni yaratilishi; g) integral mikrosxemalar asosida qurilma va tizimlar yaratilishi.
a) elektrotexnik asboblar, rezistorlar,induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, rele va shunga o‘xshash passiv elementlarning yaratilishi va A.S Popov tomonidan simsiz telegraf (radioni ) ixtiro qilinishi; b) qattiq jismli, bipolyar tranzistorni yaratilishi; v)1906 yili Forest tomonidan birinchi aktiv elektron asbob, triod elektron lampasini ixtiro qilinishi; g)integral mikrosxemalar asosida qurilma va tizimlar
a)1906 yili Forest tomonidan birinchi aktiv elektron asbob, triod elektron lampasini ixtiro qilinishi; b) elektrotexnik asboblar, rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, rele va shunga uxshash passiv elementlarning yaratilishi va A.S Popov tomonidan simsiz telegraf - (radioni) ixtiro qilinishi; v) kattik jismli, bipolyar tranzistorni yaratilishi; g) integral mikrosxemalar asosida qurilma va tizimlar
a) qattik jismli, bipolyar tranzistorni yaratilishi; b)1906 yili Forest tomonidan birinchi aktiv elektron asbob, triod elektron lampasini ixtiro qilinishi; v) A.S Popov tomonidan simsiz telegraf - (radioni) ixtiro qilinishi; g) integral mikrosxemalar asosida qurilma va tizimlar
Nanoelektronikaga izoh bering.
Nanoelektronika o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan Yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy – kimyo va Yarimo‘tkazgichlar elektronikasining so‘nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi.
Nanoelektronika o‘lchamlari 0,1nm dan 100 mm gacha bo‘lgan Yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy – kimyo va Yarimo‘tkazgichlar elektronikasining so‘nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi.
Nanoelektronika o‘lchamlari 0,1mm dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U yorug‘lik fizikasi, optoeektronika va kvant elektronikasi, fizikaviy – kimyo va Yarimo‘tkazgichlar elektronikasining so‘nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi.
Nanoelektronika o‘lchamlari 0,1mm dan 100 mm gacha bo‘lgan Yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U Yarimo‘tkazgichlar elektronikasining so‘nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi.
Bioelektronikaga izoh bering
Bioelektronika bu- fan va texnikaning sohasi bo‘lib, yuqori, ishonchli va intellektual hisoblash vositalarni yaratish maqsadida tirik organizmlar bilan axborotga ishlov berish usullari va prinsiplarini o‘rganadi.
Bioelektronika bu - qattiq jismlarda yuqori chastotali (20 kGs dan yuqori bo‘lgan) biologik va akustik to‘lqinlarni elektr maydoni va elektronlar bilan o‘zaro ta’sirini qo‘llash jarayonlarini o‘rganadigan fan va texnikaning sohasidir.
Bioelektronika bu - magnit jarayonlar, hodisalar, o‘zaro ta’sirlar va texnikada ular yordamida qo‘llanadigan asboblar, qurilmalar, sxemalarni o‘rnanadigan fan va texnikaning bo‘limi.
Bioelektronika bu - elektronikaning bir yunalishi bo‘lib, ananaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog‘liq elektronikaning turi.
Qaysi javobda akustoelektronikaga ta’rif to‘g‘ri berilgan?
Akustoelektronika bu - qattiq jismlarda yuqori chastotali (20 kGs dan yuqori bo‘lgan) akustik to‘lqinlarni elektr maydoni va elektronlar bilan o‘zaro ta’sirini qo‘llash jarayonlarini o‘rganadigan fan va texnikaning sohasidir.
Akustoelektronika bu - elektronikaning bir yo‘nalishi bo‘lib, ananaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, biologik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog‘liq elektronikaning turi.
Akustooelektronika bu- fan va texnikaning sohasi bo‘lib, yuqori, ishonchli va intellektual hisoblash vositalarni yaratish maqsadida tirik organizmlar bilan axborotga ishlov berish usullari va prinsiplarini o‘rganadi. "
Akustoelektronika bu - magnit jarayonlar, hodisalar, o‘zaro ta’sirlar va texnikada ular yordamida qo‘llanadigan asboblar, qurilmalar, sxemalarni o‘rnanadigan fan va texnikaning bo‘limi.
"
Qaysi javobda Integral mikrosxema va uning elementiga ta’rif to‘g‘ri berilgan.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelement (ERE) funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘lagiga aytiladi.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kup quvvat iste’mol qiladigan, fakatgina signallarni kuchaytirish kobiliyatiga ega radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan aloxida bo‘lgan, elektroradioelement (ERE) funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
Integral mikrosxema (IMS) o‘ta ixcham, o‘ta pishiq, kichik tannarxga ega bo‘lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan uzgaruvchan elektr tokini o‘zgarmas tokga aylantiruvchi radioelement yasash yo‘lidagi urinishlar mahsulidir. IMS elementi deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelement (ERE) funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
Integral mikrosxemalarning tavsiflanishi
IS lar quyidagi kriteriyalar (mezonlar) bo‘yicha quyidagi guruhlarga bo‘linadi, integratsiya darajasi bo‘yicha-kristalda joylashtirilgan elementlar soni bo‘yicha - kichik, o‘rta , katta , o‘ta katta va giga katta, qayta ishlanayotgan signal turi bo‘yicha- raqamli, analogli va analog-raqamli, tayyorlanish texnologik turiga ko‘ra - yarimutkazgichli, pardali va gibrid IMSlar, aktiv elementiga ko‘ra bipolyar va maydoniy tranzistorli.
IS lar quyidagi kriteriyalar (mezonlar) bo‘yicha quyidagi guruhlarga bo‘linadi, integratsiya darajasi bo‘yicha-kristalda joylashtirilgan elementlar soni bo‘yicha - kichik, o‘rta , katta; qayta ishlanayotgan signal turi bo‘yicha- raqamli, analogli va analog-raqamli, tayyorlanish texnologik turiga ko‘ra -yarimutkazgichli, pardali va gibrid IMSlar, aktiv elementiga ko‘ra bipolyar tranzistorli.
IS lar quyidagi kriteriyalar (mezonlar) bo‘yicha quyidagi guruhlarga bo‘linadi, integratsiya darajasi bo‘yicha-kristalda joylashtirilgan elementlar soni bo‘yicha - kichik, o‘rta , katta, o‘ta katta va giga katta, qayta ishlanayotgan signal turi bo‘yicha-raqamli, analogli va analog-raqamli, tayyorlanish texnologik turiga ko‘ra -yarimutkazgichli, pardali va gibrid IMSlar; aktiv elementiga ko‘ra MDYA tranzistorli va maydoniy tranzistorli.
IS lar quyidagi kriteriyalar (mezonlar) bo‘yicha quyidagi guruhlarga bo‘linadi, integratsiya darajasi bo‘yicha-kristalda joylashtirilgan elementlar soni bo‘yicha - kichik, o‘rta , katta, o‘ta katta va giga katta, qayta ishlanayotgan signal turi bo‘yicha-raqamli, analogli va raqamli, tayyorlanish texnologik turiga ko‘ra - yarimutkazgichli, pardali IMSlar;, aktiv elementiga ko‘ra maydoniy tranzistorli.
Legirlash jarayoni nima?
Legirlash - Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish hamda zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlash - IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyasiyani amalga oshirish.
Legirlash - Yarimo‘tkazgich, uning sirti jarayonidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoni.
Legirlash - Yarimo‘tkazgich hajmidan kiritmalarni chiqarish jarayoni. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish hamda zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak.
Barqaror tok generatorining ( BTG) vazifasi
BTG vazifasi- kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish toki qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladi. BTG vazifasi - bu uzidan muntazam, Barqaror tok ishlab chikuvchi past chastotali generator bulib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar.
BTG- ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish kuchlanish qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar.
BTGning vazifasi kirish toki va yuklama qiymati o‘zgarganda, chiqish toki chastotasi kiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar.
Analog integral mikrosxemalar ...
Analog IMS lar uzluksiz funksiya qonuni bo‘yicha o‘zgarayotgan signallarni o‘zgartirish (aylantirish) va signallarga (axborotlarga) ishlov berish uchun mo‘ljallangan. Analog IMS lar diskret funksiya qonuni bo‘yicha o‘zgarayotgan signallarni o‘zgartirish (aylantirish) va signallarga (axborotlarga) ishlov berish uchun mo‘ljallangan. Analog IMS lar raqamli signallarni analog signallarga aylantiruvchi elektron qurilma bo‘lib, (axborotlarga) ishlov berish uchun mo‘ljallangan.
Analog IMS lar analog signallarni rakamli signallarga o‘zgartirish (aylantirish) va signallarga (axborotlarga) ishlov berish uchun mo‘ljallangan.
Barqaror tok generatori deb …
chiqish toki, yuklama qarshiligi va kuchlanishiga bog‘liq bo‘lmagan elektron qurilmaga aytiladi. chiqish toki, yuklama qarshiligi va kuchlanishiga bog‘liq bo‘lgan elektron qurilmaga aytiladi. chiqish kuchlanishi, yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘lmagan elektron qurilmaga aytiladi.
kirish toki va kuchlanishi yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘lmagan elektron qurilmaga aytiladi. "
Quyidagi keltirilgan sxema qanday qurilma sxemasi?
"
Sodda barqaror tok generatori sxemasi.
Uilson tok kuzgusi sxemasi.
Darlington juftligi sxemasi.
Kuchlanish buyicha kuchaytirgich sxemasi.
Tarkibiy tranzistor bu-
tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentini oshirish maqsadida ikkita va undan ortiq tranzistorlarning ulamasi (birlashmasi). kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentini oshirish maqsadida ikkita va undan ortiq tranzistorlarning ulamasi (birlashmasi). zanjirda tok mikdorini Barqaror ushlab turish maqsadida ikkita va undan ortiq tranzistorlarning ulamasi (birlashmasi).
zanjirda kuchlanish xamda tok mikdorini muntazam va Barqaror ushlab turish maqsadida ikkita va undan ortiq tranzistorlarning ulamasi (birlashmasi). "
Quyidagi sxema – bu
"
n-p-n turdagi tarkibiy tranzistor. p-n-p turdagi Darlington juftligi. Uilson tok kuzgusi.
Sodda Barqaror tok generatori.
Tarkibiy tranzistorlarning afzalliklari.
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentining yuqoriligi.
Ulanish zanjirining soddaligi.
Kuchlanish buyicha kuchaytirish koeffitsentining yuqoriligi. Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentining yuqoriligi.
"
Quyidagi sxema – bu
"
Bipolyar tranziztor asosidagi tok ko'zgusi sxemasi. Maydoniy tranzistor asosidagi tok ko'zgusi sxemasi. Darlington juftligi sxemasi.
Tarkibiy tranzistorlar sxemasi.
O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxemani vazifasi.
O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema - bu ko‘p kaskadli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish bo‘yicha o‘zaro muvofiqlashtirishda keng qo‘llaniladi. O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema - ko‘p kaskadli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni chiqish tokini barqarorlashtirish uchun keng qo‘llaniladi.
O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema - kuchlanish buyicha kuchaytirsh kaskadlarida, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentini keskin oshirish maqsadida keng qo‘llaniladi. O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema - ko‘p kaskadli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlarda, tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsentini keskin oshirish maqsadida keng qo‘llaniladi.
|
| |