1-Mustaqil ish topshirdi: tershirdi: samarqand-2024 mavzu: kontakt hodisalari reja: Yarimo' tkazgichlarda

|
1-Mustaqil ish topshirdi: tershirdi: samarqand-2024 mavzu: kontakt hodisalari reja: Yarimo' tkazgichlarda
|
bet | 1/5 | Sana | 15.05.2024 | Hajmi | 335,47 Kb. | | #235513 |
Bog'liq fizika ma\'ruza
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TA’LIM TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
SAMARQAND FILIALI
1-Mustaqil ish
TOPSHIRDI:
TERSHIRDI:
SAMARQAND-2024
MAVZU:KONTAKT HODISALARI
REJA:
1.Yarimo' tkazgichlarda kontakt hodisalar
2.Ko'p yarimo'tkazgich asboblar
Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o‘tkazuvchanlik turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo‘ladigan o‘tkinchi qatlam elektr o‘tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish debataluvchi elektr o‘tishdan keng foydalaniladi. Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan birxil yarimo‘tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi elektr o‘tishlar gomoo‘tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarim o‘tkazgichlar asosidagi o‘tishlar esa getero o‘tish deb ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo‘lmagani sababli getero o‘tishlarning xususiy holiga mos, metall — yarimo‘tkazgich deb ataluvchi elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo‘lIaniladi. Ko‘p yarimo‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o‘tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. Muvozanat holatda p-n o‘tish Yarimo‘tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarim o‘tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo‘lmagan yarimo‘tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli, boshqa sohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo‘tkazgichning p -va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron — kovak o‘tish yoki p-n o‘tish hosil bo‘ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p — turli yarimo‘tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n – turli yarimo‘tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud bo‘lganligi sababli elektronlaming p - sohaga,kovaklaming n –sohaga diffuziyasi boshlanadi.
2.1-rasm. Termodinamik muvozanat holatidagi p-n o‘tish. Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlar konsentratsiyasi qo‘zg‘almas musbat donor ionlari konsentratsiyasida kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo‘zg‘almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). Natijada, chegaradan ikki tomonda qo‘sh elektr qatlam hosil boiadi. Rasmda musbat va manfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda donor va akseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo‘lgan qo‘sh elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. Ushbu qatlamda harakatchan zaryad tashuvchilar bo‘lmaydi. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p -va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo‘ladi.
Adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i-soha deb ataladi. p - va n - sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiy zaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo‘Igani sababli p-n o‘tish sohasida kuchlanganligi Ё bo‘lgan ichki elektr maydon hosil qiladi.Ushbu maydon qo‘sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaryad tashuvchilar uchun tormozlovchi ta’sir qilib, ulaming p-n o‘tish orqali qo‘shni sohaga o‘tishiga qarshilik ko'rsatadi. Potensialning p-n o‘tish yuzasiga perpendikular bo‘lgan X yo‘nalishda o'zgarishi 2.1b-rasmda ko‘rsatilgan. Bu yerda p - va n - sohalar chegarasidagi potensial nol potensialga teng deb qabul qilingan.
|
| |