Katta kuchaytirish olish uchun Oklar ikki yoki uch bosqichli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlari asosida quriladi

|
Katta kuchaytirish olish uchun Oklar ikki yoki uch bosqichli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlari asosida quriladi
|
bet | 4/5 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 72,91 Kb. | | #239733 |
Bog'liq Differensial Kuchaytirgich11Katta kuchaytirish olish uchun Oklar ikki yoki uch bosqichli o‘zgarmas tok kuchaytirgichlari asosida quriladi
Oklarda kirish bosqichi sifatida differensial kuchaytirigich qo‘llaniladi, bu kuchaytirish dreyfini maksimal kamaytirishga va ancha yuqori kuchaytirish olishga imkon yaratadi. U bilan kuchaytirgichning yuqori kirish qarshiligi, sinfaz signallarga sezgirlik va siljish kuchlanishi aniqlanadi. Oraliq (muvofiqlashtiruvchi) bosqichlar kerakli kuchaytirishni ta’minlaydilar va differensial kuchaytirgich chiqishidagi kuchlanish siljishini nolga yaqin qiymatgacha kamaytiradi. Oraliq bosqichlarda differensial kuchaytirgichlar kabi, bir bosqichli kuchaytirgichlar ham qo‘llaniladi. Chiqish bosqichlari Okning kichik chiqish qarshiligi va katta chiqish quvatini ta’minlashi kerak. Chiqish bosqichlari sifatida odatda AV rejimda ishlaydigan komplementar emitter qaytargich qo‘llaniladi.
Birinchi avlod operatsion kuchaytirgichlari, masalan K140UD1, uch bosqichli tuzilmasi sxema asosida n–p-n tranzistorlarda bajarilgan. Birinchi kuchaytirish bosqichi klassik differensial kuchaytirgichda bajarilgan (DK rasmiga qarang). Ikkinchi bosqich ham differensial kuchaytirgichda bajarilgan bo‘lib, bu bosqichda BTG qo‘llanilmaydi. Chiqish bosqichi A rejimida ishlaydi, ya’ni emitter qaytargich vazifasini bajaradi. Mazkur operatsion kuchaytirgichlarninng kamchiligi bo‘lib uncha katta bo‘lmagan kuchaytirish koeffitsiyenti (KU0=300÷4000) va kichik kirish qarshiligi (RKIR4 kOm) hisoblanadi.
Nurlanuvchi diodlar— bitta p-n o‘tishga ega bo’lgan, elektr energiyani nokogerent yorug’lik nuriga o’zgartuvchi yarimo’tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir. Nurlanuvchi diodlarda elektron-kovak juftliklarining rekombinatsiyalashuvi natijasida yorug’lik nuri paydo bo’ladi. Agar p-n o’tish to ‘g ‘ri yo’nalishda siljitilgan bo’lsa rekombinatsiya sodir bo’ladi. Nurlanuvchi rekombinatsiya to’g’ri zonali deb ataluvchi yarimo’tkazgichlarda hosil bo’ladi. Bunday y arim o’tkazgich sifatida arsenid galliyni keltirish m um kin. Nurlanayotgan yorug’likning to’lqin uzunligi Я energiyasi taxminan yarimo’tkazgich taqiqlangan zonasi kengligiga mos keluvchi kvant energiyasi bilan aniqlanadi. Arsenid galliy asosida tayyorlangan nurlanuvchi diodlarning to’lqin uzunligi = 0,9—1,4 mkm ni tashkil etadi. Ko’rinuvchi nurlar diapazonidagi nurlanuvchi diodlar fosfid galliy, karbid kremniy va boshqalar asosida tayyorlanadi. Zamonaviy nurlan uvchi diod larda galliyning azot va aluminiy bilan birikmalaridan foydalaniladi.
Nurlanuvchi diodlarning energetik xarakteristikasi sifatida kvant chiqishi(samaradorlik) dan foydalaniladi. Kvant chiqishi boshqaruv zanjiridan o’tayotgan har bir elektronga nurlanuvchi diod chiqishida nechta nurlanish kvanti to’g’ri kelishini ko’rsatadi. Gom oo’tishli nurlanuvchi diodlar uchun odatda kvant chiqishi 0,01—0,04 ni tashkil etadi. Geteroo’tishli nurlanuvchi diodlar hosil qilish uchun binar va uch kom ponentali yarim o ‘tk azg ich birikm alardan foydalaniladi, ular uchun kvant chiqishi ancha yuqori qiymatni (0,3 gacha) tashkil etadi, lekin hamma vaqt birdan kichik bo’ladi. VAXlari, oddiy diodlarnikidek, eksponensial bog’lanish bilan ifodalanadi. Nurlanuvchi diodning qayta ulanish vaqti s ni tashkil etadi.
|
| |