Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor

|
Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
|
bet | 3/6 | Sana | 04.06.2024 | Hajmi | 0,97 Mb. | | #260058 |
Bog'liq BIPOLYAR TRANZISTORLAR ASOSIY PARAMETRLARIKanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi.
Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U0 ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi p- turdagi kanal shakllanadi.
bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki IS ortadi. 4 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor VAXsi keltirilgan.
Zatvorga ma’lum kuchlanish berilganda ning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va yetarlicha katta qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq.
Kanali qurilgan MDYa – tranzistor
6 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.
Agar UZI = 0 bo‘lganda USI kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta’sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar.
Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi.
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr maydoni ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.
Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 7 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: USI=const bo‘lgandagi IS= f (UZI) bilan ifoda-langan.
S, Ri va µ statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi yuqoridagi ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga ega. RZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‘lib 1012-1015 Om ni tashkil etadi. Elektrodlararo sig‘imlar qiymati SZI, SSI lar uchun -10 pF dan, SZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.
|
| |