Fotorezist qatlamini ishlab chiqish

|
Fotorezist qatlamini ishlab chiqish
|
bet | 5/7 | Sana | 01.02.2024 | Hajmi | 274,29 Kb. | | #149979 |
Bog'liq 1-labaratoriyaFotorezist qatlamini ishlab chiqish . Ko'rinish, ishlatiladigan fotorezistning turiga qarab, ochiq yoki ochiq joylarni olib tashlashdan iborat bo'lib, natijada substrat yuzasida himoya relefi qoladi - kerakli konfiguratsiyaning fotorezist niqobi.
Salbiy fotorezistlar uchun ishlab chiquvchilar organik erituvchilardir: toluol, benzol, oq spirt, trikloretilen, xlorbenzol va boshqalar.
Ijobiy fotorezistlarni ishlab chiqish uchun ishqorlarning kuchsiz suvli va suv-glitserin eritmalari qo'llaniladi: 0,3-0,6% KOH eritmasi, 1-2 % trinatriy fosfat eritmasi.
Salbiy fotorezistlarni ishlab chiqishda asosiy omillar ta'sir qilish paytida fotorezist polimerizatsiya reaktsiyasining to'liqligi va ishlab chiquvchining turi, ijobiy bo'lganlar uchun esa - ishlab chiqaruvchining kontsentratsiyasi va rivojlanish vaqti.
Bundan tashqari, ishlab chiquvchining pH qiymati va harorati fotorezistlarni ishlab chiqishda muhim omillardir. Agar pH foizning o'ndan biriga o'zgarsa, relyef naqsh elementining o'lchami 10% ga o'zgarishi mumkin. Harorat ko'tarilgach, rivojlanish tezligi (fotorezistning ishlab chiquvchida eriydigan tezligi) oshadi va rivojlangan hududlarning hajmi oshadi.
Mahalliy musbat fotorezistlar uchun odatiy rivojlanish vaqti 30-40 s ni tashkil qiladi, bu fotolitografiya liniyalarining alohida bloklari ishini muvofiqlashtirish va rivojlanish jarayonini katta aniqlik bilan boshqarish imkonini beradi.
Salbiy fotorezistlarning rivojlanish mexanizmi quyidagi jarayonlarga asoslanadi:
ishlab chiquvchi molekulalarning fotorezist qatlamining ochiq va ochiq joylariga tarqalishi;
fotorezist qatlamining ochiq bo'lmagan joylari va qisman ochiq joylari shishishi;
ochiq joylarning erishi va polimer molekulalarining ishlab chiquvchi hajmiga o'tishi;
dizayn elementlarining relyefini shakllantirish;
ta'sirlanmagan joylardan fotorezist qoldiqlarini olib tashlash;
ishlab chiquvchining fotorezistning ochiq joylari hajmidan bug'lanishi va dizayn elementlarining asl geometrik o'lchamlarini tiklash.
Salbiy fotorezistlar uchun ishlab chiquvchi, bir tomondan, fotorezistning asl polimer materialiga nisbatan yaxshi erish qobiliyatiga ega bo'lishi kerak, boshqa tomondan, qatlamning ochiq joylariga minimal ta'sir ko'rsatishi kerak. Bundan tashqari, ishlab chiquvchi ochiq joylarning minimal shishishi va shuning uchun dizayn elementlarining geometrik o'lchamlarining eng kam buzilishiga olib kelishi kerak. Ochiq joylarning shishishi asosan o'zaro bog'lanishlar soniga va o'zaro bog'langan polimer molekulalarining xususiyatlariga bog'liq.
Etarlicha ta'sir qilmasa, nurlangan joylar butunlay eriydi yoki shishib ketadiki, fotorezist qatlami substrat yuzasidan chiqib ketishi yoki hajmni shunchalik oshirishi mumkinki, naqshning qo'shni elementlari bir-biriga bog'lanadi. Shuning uchun salbiy fotorezistlar uchun ishlab chiquvchini to'g'ri tanlash nafaqat dizayn elementlarining minimal o'lchamlarini olish zarurligiga, balki ochiq joylarning shishish darajasiga ham bog'liq.
Salbiy fotorezistler püskürtme yoki quyish orqali ishlab chiqilgan . Ushbu usullar toza jarayon, reaksiya mahsulotlarini yaxshi olib tashlash va yuqori mahsuldorlikni ta'minlaydi, shuningdek, ishlab chiqarish, yuvish va santrifüj quritish operatsiyalarini bitta o'rnatishda bir tsiklda birlashtirish imkoniyatini beradi.
Ijobiy fotorezistlarni ishlab chiqish mexanizmi kimyoviy reaksiya jarayonida eriydigan birikmalarning shakllanishi bo'lib, ular rivojlanish jarayonida yuviladi. Bunday reaksiyaning strukturaviy diagrammasi quyida keltirilgan:
I II III
Nurlanganda fotorezistning bir qismi bo'lgan ortonaftokinon diazid (I) bo'linadi, natijada indenkenten (II) hosil bo'ladi, u suvni intensiv ravishda so'rib, indenkarboksilik kislota (III) hosil qiladi. Indenkarboksilik kislotada -COOH guruhining mavjudligi ishlab chiqarish uchun mos bo'lgan eritmalarni tanlashni belgilaydi (ishqoriy, ammiak va boshqalar), bu kislota suvda oson eriydigan tuzlarni hosil qiladi, ular rivojlanish jarayonida yuviladi. Ijobiy fotorezistlar ishlab chiqilganda, eritma odatda binafsha-jigarrang rangga aylanadi.
Rasm 5
To'lqin uzunligi 100 dan 240 nm gacha bo'lgan uzoq ultrabinafsha nurlanish, rentgen nurlari yoki elektronlar yoki ionlar nurlari bilan ta'sirlanganda, zanjir depolimerizatsiyasiga qodir bo'lgan polimerlarga asoslangan oddiyroq bir komponentli musbat qarshiliklar qo'llaniladi (asosiy zanjir emas, balki yon bog'larni buzish). , masalan, polimetil metakrilat (PMMA), shakl. 5. Ishlab chiqaruvchi sifatida metil izobutil ketonning izopropanoldagi 1:3 nisbatdagi eritmasi ishlatiladi.
|
| |