R2 rezistor orqali zaryadlanadi. R2

|
R2 rezistor orqali zaryadlanadi. R2
|
bet | 5/14 | Sana | 08.01.2024 | Hajmi | 86,56 Kb. | | #132699 |
Bog'liq Mustaqil ishi-2 Mavzu Asinxron sanoq qurilmalari tarkibi va ko’-fayllar.orgR2 rezistor orqali zaryadlanadi. R2 ning qiymati katta bo‘lganligi sababli, zaryadlanish vaqti doimiysi r 7 — R2 -C sezilarli bo‘ladi. ME chiqish sathi U° bo'lganda yuklama sig‘imi to'yingan VT1 tranzistor orqali razryadlanadi. Tok uzatish koeffitsienti kata bo‘lmaganligi sababli, razryadlanish vaqti doimiysi rp ham kichik qiymatga ega bo‘ladi.
Ko‘rib o'tilgan kamchiliklar tufayli, 12.1-rasmda keltirilgan sxema keng qo‘llanilmaydi. Bu sxema asosan tashqi indikatsiya elementlarini ulash uchun ochiq kollektorli mikrosxemalarda (12.2-rasm) qo'llaniladi.
Murakkab invertorli TTM sxemasi (12.3-rasm) amaliyotda keng
qo‘llaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar,
Mavzu: Bir turdagi MDYA - tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va 0 ‘KIS integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar keng qo‘llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi, ammo iste’mol quw ati va o‘lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik va o‘rta integratsiya darajasiga ega boMgan IMSlar yaratishdagina qo‘llaniladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (S i0 2) MDYA - tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo‘lganda, MDYA - tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik o‘lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo‘ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlaming asosiy kamchiligi - tezkorlikning kichikligidir. Yana bir kamchiligi - katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u MDYA ISlami ВТ ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega b o ig an va kichik tok iste’mol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qoilaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan b oiib, bir kristallda yuz minglab va undan ko‘p komponentlar joylashishi mumkin. MDYA - tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA - tranzistorlar (1 1.6-paragrafda ko‘rib oiilgan) asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlaming ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n - yoki p - kanali induksiyalangan MDYA - tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n - kanalli tranzistorlar qoilaniladi, chunki elektronlaming harakatchanligi kovaklamikiga nisbatan yuqori boiganligi sababli mantiqiy IMSlaming yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n - MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxemalar bilan to iiq muvofiqlikka ega. Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS ME sxemalari 12.12- rasmda keltirilgan. 321 Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VTO tranzistorlar doim ochiq holatda boMadi, chunki ulaming zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 2HAM-EMAS sxemada (12.12a-rasm) pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma-ket, 2YOKI-EMAS sxemada esa (12.12b-rasm) - parallel ulanadi. О +Ем no VT1 VT2 X I X 2 VT2 12.12-rasm. n - MDYA tranzistorli mantiq elementlar sxemalari. 2HAM-EMAS ME ishini ko‘rib chiqamiz. Agar qayta ulanuvchi tranzistorlar birining kirishidagi potensial bo‘sag‘aviy potensial U0 dan kichik boMsa, ya’ni Ukjr < U0 (mantiqiy 0) boMsa, u holda bu tranzistor berk boMadi. Bu vaqtda yuklamadagi VTO tranzistor stok toki ham nolga teng boMadi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba kuchlanishi EM qiymatiga yaqin boMgan, ya’ni mantiqiy birga mos kuchlanish o‘matiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos ( U 1 k ir > Щ musbat potensial berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 ( U ° c h iq < U o ) o‘matiladi. 2YOKI -EM AS elementda (12.12-b rasm) biror kirishga yuqori sath kuchlanishi ( U ' k ir> U 0) berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2 tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 { i f c h iq < Щ o ‘matiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk boMadi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — mantiqiy 1 o‘matiladi. i f c h iq < U o boMishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YuT nikidan kichik boMishi kerak. Invertor statik rejimi va oMish jarayonlar tahlili shuni ko‘rsatdiki, 322 tezkorlik va iste’mol quw ati nuqtayi nazaridan EM = (2^3)[/0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi. Demak, (/y = 1,5 3 V bo‘lganda EM = 4 ,5 -h 9 V boiadi. MDYATM elementlarda real V°chiq qiymati i f = UqOL ~ 0,2 -s- 0,3 V dan katta emas, U 1 chiq qiymati esa U Chiq ~ EmMos ravishda mantiqiy o‘tish =EM- U QOLn E M • MDYATM elementning yana bir afzalligi - xalaqitbardoshligi yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi ( l - 2 ) t / \ ya’ni 0,7-4,4 V bolganda, MDYATM da i f x ^ = U0 - i f ~ I,5 3 V boiadi. HAM-EMAS elementida kirishlar soni ortgan sari xalaqitbardoshlik kamayadi, chunki bir vaqtda barcha tranzistorlaming qoldiq kuchlanishlari Uqql ortadi. Shu sababli HAM-EMAS elementlarda kirishlar soni 4 tadan ortmaydi, YOKI-EMAS elementlarda esa 10-12 tagacha yetadi. Amalda YOKI-EMAS elementlar ko‘p qoilaniladi, HAM-EMAS elementlar esa faqat IS seriyalari ning funksional toliqligi uchun ishlatiladi. MDYA sxemalaming yuklama qobiliyati katta, chunki kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilmaydi. Demak, ish jarayonida zanjirdagi barcha MElar bir-biriga bogliq bolm agan holda ishlaydi, i f va U 1 sathi esa yuklamaga bogliq bolm aydi. MDYA - tuzilma elementlari tezkorligi esa kirish va chiqish zanjirlarini shuntlovchi siglm lam ing qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish yolidagi barcha urinishlar boshqa kamchiliklami yuzaga keltirdi. Masalan, tezkorlikni ortishi yuklamadagi siglm lam i qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga olib keladi. Lekin bu usul iste’mol quvvatini va chiqishdagi mantiqiy sathlar nobarqarorligini ortishiga olib keladi. Ko‘rsatilgan qarama-qarshiliklar turli olkazuvchanlikka ega (komplementar) tranzistorli kalitlar yordamida, sxemotexnik usulda bartaraf etilishi mumkin. 1 2 .5 . K o m p le m e n ta r M D Y A - t r a n z i s t o r l a r a s o s iy d a g i m a n tiq e le m e n tla r Komplementar MDYA-tranzistorli elektron kalitlaming afzalliklari II.6 paragrafda ko‘rib chiqilgan edi. Bu kalitlaming statik rejimda q u w at iste’moli o‘nlarcha nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGs va undan yuqori chastotalarda ishlashga imkon beradi. MDYA - tranzistorli RISlar ichida komplementar MDYA-tranzistorli MElar 323 (KMDYATM) yuqori xalaqitbardoshlikka ega bo‘lib, kuchlanish manbai qiymatining 10^-45%ni tashkil etadi. Yana bir afzalligi - kuchlanish manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki mantiqiy o‘tish deyarli kuchlanish manbai qiymatiga teng. Demak, RISlar kuchlanish manbai qiymatining o‘zgarishiga sezgir emas. KMDYA-tranzistorli M Eda kirish va chiqish signallari qutblari va sathlari mos tushadi, bu esa o‘z navbatida MElami o‘zaro bevosita ulash imkoniyatini beradi (sath siljitish qurilmasi talab etilmaydi). KMDYA-tranzistorlarda HAM-EMAS va YOKI-EMAS mantiqiy amallar oson tashkil etiladi. HAM-EMAS mantiqiy amali kirish tranzistorlarini ketma-ket ulash yo‘li bilan, YOKI-EMAS mantiqiy amali esa - ulami parallel ulash yo‘li bilan amalga oshiriladi. Bu vaqtda har bir kirish uchun kalit-invertomi hosil qiluvchi ikkita tranzistor talab qilinadi. Yuklamadagi p - kanalli va qayta ulanuvchi n - kanalli tranzistorlaming bunday kombinatsiyasi KMDYA - tranzistorlaming asosiy xossasi - statik rejimda ixtiyoriy kirish signalida tok iste’mol qilmaslik shartini saqlab qoladi. 2HAM-EMAS sxemada yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistorlar bir-biriga parallel ulanadi (12.13a-rasm), 2YOKI-EMAS sxemada esa - ketma-ket (12.13b-rasm). Bunday prinsip yordamida faqat ikki kirishli elementlar emas, balki kirishlar soni katta boMgan sxemalar ham tuziladi. a) b) X I XI o12.13-rasm. KMDYA tranzistorlar asosidagi 2HAM-EMAS (a) va 2YOKI-EMAS (b) mantiq elementlaming sxemasi. 2HAM-EMAS sxema (12.13a-rasm) quyidagicha ishlaydi. Sxema kirishlariga i f kir < l^Bs kuchlanish berilsa, barcha qayta ulanuvchi (n - kanalli tranzsitorlar) ochiq bo‘lib, chiqish kuchlanishi if' ga teng 324 boiadi. Kirish signallarining boshqa kombinatsiyalarida ketma-ket ulangan qayta ulanuvchi tranzistorlardan biri berkiladi. Bu vaqtda chiqish kuchlanishi U1 = EM ga teng boiadi. 2YOKI-EMAS sxema (12.13b-rasm) quyidagicha ishlaydi. Sxema kirishlariga i f k ir < Ifno'S kuchlanish berilsa, qayta ulanuvchi n - kanalli tranzistorlar berk boiadi, chunki ularda kanal induksiyalanmaydi. p - kanalli tranzistorlarda esa kanal induksiyalanadi, chunki ulaming zatvorlari asosga nisbatan manfiy potensialga ega boiadi. Bu potensial qiymati i f k i r - EM ~ - EM b oiib, bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymatidan katta boiadi. Lekin kanallardan berk tranzistorlaming juda kichik toklari oqib o‘tadi. Shu sababli kanallardagi kuchlanish pasayishi deyarli nolga teng boiadi va chiqish kuchlanishi U1 = EM b o iib mantiqiy 1 ga mos keladi. Agar qayta ulanuvchi tranzistorlardan birining zatvoridagi kirish kuchlanishi bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymatidan katta b o isa l / kir > I f bo's, bu tranzistorda kanal induksiyalanadi. Unga mos keladigan yuklama tranzistorida esa kanal yo‘qoladi, ya’ni tranzistor berkiladi. Sxema chiqishidagi kuchlanish qoldiq kuchlanish qiymatiga teng, ya’ni deyarli nol boiadi. Shu sababli, uni mantiqiy 0 sath i f = 0 deb hisoblash mumkin. Demak, mantiqiy o‘tish UM=EMn\ tashkil etadi. Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar q u w at iste’mol qilmaydi, chunki tranzistorlaming bir gumhi berk bo‘lib, deyarli tok iste’mol qilmaydi. Bu vaqtda ulardan berk tranzistorlaming juda kichik toki oqib oiadi. Shu sababli RIS iste’mol qilayotgan q u w at minimal b o iib , asosan sigim lam i qayta zaryadlash uchun sarflanayotgan q u w at bilan aniqlanadi. KMDYATM elementlaming tezkorligi MDYATM elementlar tezkorligiga nisbatan sezirlarli daraja yuqori. Bu holat, KMDYATM elementlarida kanal kengligiga cheklanishlar qo‘yilmaganligidan kelib chiqadi. Chunki parazit sigim lar qayta zaryadlanadigan ochiq tranzistorlarda yetarli oikazuvchanlikni ta’minlash maqsadida kanal kengligi ancha katta olinadi. Sanoatda KMDYA-tranzistorlar asosida yaratilgan MElar bir necha seriyada ishlab chiqariladi: 164, K176, K564, 764,765. Bu seriyalar funksional va texnik toiiqlikka ega, ya’ni ixtiyoriy arifmetik va mantiqiy amallami hamda saqlash, yordamchi va maxsus funksiyalami bajaradi.
|
| |