Nazorat savollar - Elektronika va avtomatika

|
Elektronika va avtomatika
|
bet | 7/10 | Sana | 16.11.2023 | Hajmi | 1,1 Mb. | | #99615 |
Bog'liq МЕТОДИЧКА НОРМУРОДОВNazorat savollar
1. TTM 4VA –YOQ standart elementlarini sxematexnik tuzilishini ishlash tamoyilini tushuntiring.
2. TTM 4YOKI – YOQ standart elementlarini sxematexnik tuzilishini ishlash tamoyilini tushuntiring.
3. murakkab invertorli TTM TME strukturasini ishlash tamoyilini tushuntirish.
4. Shottki diodili TTM TME strukturasini ishlash tamoyilini tushintiring.
5. boshqarish signaliga ega bo’lgan 3 ta holatli TTM TME sxemalarini ishlash tamoyilini tushintiring.
6. erkin kollektrli ushta holatga ega bo’lgan TTM TME sxemasini ishlash tamoyilini tushintiring.
7. TTM TME ning halaqitga chidamliligini tahlil qiling.
8. turli hildagi TTM TME turli hillarini xaraktiristikalarini solishtirishni o’tkazing.
2. ESM MANTIQLI RAQAMLI INTEGRAL SXEMALARNI TAYANCH ELEMENTLARINI QURILISHI
Emitter bog’lanishli mantiq (EBM) tayanch mantiqiy elementlari ham TTM elementlari kabi Bi quqtubli tranzistorlar asosida qurilgan, ammo boshqa sxematexnik yechimlardan foydalanib, bu bilan eng yuqori tez ishlashga erishdilar, buni sababi quyidagilar: BME ni asosi bo’lib emitterlari bog’langan ikkita tranzistorli tokli kalit hisoblanadi; ochiq tranzistor faol rejimda ishlaydi, shuning uchun kechikish bo’lmaydi to’yingan tranzistorni ortiqcha zaryadlarini so’rilishi bilan bog’liq bo’lgan (TTM dagi kabi); ichki simmetriya iste’mol qilinayotgan tokni o’zgarishini yo’qligi sababli taminlanadi uzib ulanishida va u bilan bog’liq bo’lgan taminot zanjirlaridagi kuchlanishlarni oshishi bilan, bu ichki halaqitlarni pas darajasi deb sinflarga ajratadi, ular mantiqiy darajalarni tushuvini kamaytirish imkonini beradi va o’tish jarayonlarini zararli sig’imlar bilan qayta zaryadlanishi uzunligini kamaytiradi tez ishlashni oshishini bahosi bo’lib yuqori iste’mol quvvati deb hisoblanadi, chunki tokni uzib ulovchi tayanch tranzistori har doim faol rejimda bo’ladi, shuningdek ularni tashqi halaqitlar bo’lgan vaqtda halaqitga chidamliligi pastroq bo’ladi.
Tokni uzib -ulagichi EBM elementi asosida iborat bo’ladi va simmetrik sxemaga ega, unga berilgan tok I0 uzib ulagichni malum qismi orqali oqadi Ub potensialni kirishlaridan biriga bog’liq ravshda (rasm 17). boshqa kirishdagi potensial o’zgarmas kattalikga ega tok uzib ulagichida boshqarish tok bilan emas kuchlanish tomonidan boshqariladi.
Agar UB=E bo’lsa ikkala tranzistor ham ochiq va tok I0 har bir tarmoq uchun ikkiga bo’linadi agar bazani potensialini o’zgartirsak shunda o’zgarmas potensialda T1 tranzistorini toki kamayadi va u yopiladi, T2 tranzistori orqali esa to’liq tok oqadi. Bazani potensiali oshsa emitterni potensiali ham oshadi bu esa T2 tranzistori orqali oqayotgan tokni kamaytiradi va u yopiladi, shunda butun tok T1 tranzistori orqali oqadi shunday qilib E o’rtacha kattaligi atrofidagi baza potensialini tushishi va tokni bitta tranzistori boshqasiga uzib ulanishi taminlanadi.
Rasm 17. Tok uzib ulagichi
Rasm18 da EBM ning 2YOKI/2YOKI – YOQ EBM sxemasi keltirilgan. Generator ro’lini tok beruvchi RE rezistr bajaradi. Barcha tranzistorlarning emitterlari bitta nuqtaga ulangan. Sxemada ikkita emitter takrorlagichi ko’zda tutilgan va ular T1 va T2 tranzistorlari va REP rezistrlarida ado etilgan TME ikkita chiqishga ega: invers chiqish YOKI – YOQ funksiyasini ado qiladi ikkinchi chiqish – to’g’ri unga YOKI mantiqiy funksiyasi mos keladi. EBM uchun uzatish xaraktiristikasi rasm19 da keltirilgan.
UVX=Uo < - UOP kuchlanishda kirish tranzistorlari yopiq tayanchi esa ochiq invers chiqishdagi kuchlanish U1=-0,8 V ga teng. Yani emitter takrorlagichini tranzistorida kuchlanishni tushuvi bilan aniqlanadi, kirish tranzistorlarini kollektriga ulangan va BK – E diode kabi ishlaydigan to’g’ri yo’nalishga siljigan. U1 qiymat tranzistorni kollektr zanjiridagi rezistrdagi kuchlanishni tushuvi bilan aniqlanadi chiqish toki yuklamaga oqganida. To’g’ri chiqishda tayanch tranzistori ochiq bo’lganligi sababli -0,8 V ni tashkil qiladi. RK murakkab rezistrni tanlangan qarshiligida, shuningdek emitter takrorlagichida qo’shimcha kuchlanishni siljishi hisobiga UBE=0,7 V, kuchlanishni darajasi EBM uchun mantiqiy 0 darajaga mos keladi Uo=-1,5 V.
Rasm18. 2YOKI – YOQ EBM ni TME sxemasi
Rasm19. EBM elementlari uchun uzatish xaraktiristikalari
UVX=U1 kuchlanishlarda bitta yoki bir nechta kirishlarda tegishli kirish tranzistorlari ochiq tayanch tranzistori esa yopiq, jarayonlar yuqorida ko’rib chiqilgan simmetrik jarayonlar kabi o’tadi. Invers chiqishda UVIX1=U0 bu pas darajadagi kuchlanish kirish kuchlanishi oshganida kamayadi (rasm 19), chunki Ie toki oshadi shunda to’g’ri chiqishda UVIX2=U1, emitter takrorlagichni tranzistoridagi kuchlanishni tushuvi aniqlanadi, yopiq tayanch tranzistoriga ulangan va BK – E diode kabi ishlaydigan, to’g’ri yo’nalishga siljigan.
EBM TME sini funksional imkoniyatlarini kengaytirish oddiy sxematexnik yo’llar bilan erishdilar: bir necha mantiqiy elementlarni chiqishlarini birgalikda umumiy yuklamaga emitter takrorlagichi orqali ulanishi ko’p yarusli tok uzib ulovchilari tomonidan ulanish.
Birinchi yo’l eng oddiy integratsiyani yuqori darajada ushlab turiladi bunda emitter takrorlagichlarini chiqish kuchlanishlarini yuqori darajasini ushlab turish hossasidan foydalaniladi, agar parallel ulangan tranzistorlardan bittasi bo’lsada ulangan bo’lsa (rasm 20). mantiqiy funksiyalar bunda kengayadi: ikkita kirishli elementlarni to’g’ri chiqishlarini ulanishida – 4YOKI, ikkita ikki kirishli elementlari invers chiqishlari ulanganida – 2YOKI – 2VA – YOQ. Shunday qilib agar ikki kirishli TME kirishlari birlashtirilgan bo’lsa shunda 2VA – YOQ mantiqiy amal ado etiladi.
Rasm 20. EBM li bir necha mantiqiy elementlarni chiqishlarini birgalikdagi umumiy yuklamaga emitter takrorlagichi orqali ulanishi.
Ikkinchi yo’l (ketma-ket ko’p yarusli) tok uzib ulagichlarini asoslanadi (rasm.2.21). ko’p yarusli ulanishda tranzistorning pastki yarusi yuklama elementi sifatida foydalaniladi qo’shimcha tokli uzib ulagichning, u sxemani keying yarusini hosil qiladi. Tok uzib ulagichini birinchi yarus sxemasida tayanch kuchlanish VT4 tranzistori VT4 va VT7 kam bo’lishi kerak ikkinchi yarusning ikkita tok uzib ulagichlarini tayanch kuchlanishidan VT2, VT3 va VT5, VT6 tranzistorlarida yeg’ilgan shuning uchun birinchi yarusni tayanch tranzistoridan u R8 va R9, rezistrlarida yeg’ilgan kuchlanish bo’lgichlari orqali beriladi. Kirish kuchlanishlarini darajalarini muvoffiqlashtirish uchun tok uzib ulagichini birinchi va ikkinchi yaruslarida VT1 tranzistorlarida yeg’ilgan emitter takrorlagichida foydalaniladi.
Rasm 21. Tok uzib- ulagichini ikki yarusli ulanishi
Ikkala kirishga ham mantiqiy 0 potensiali berilgan bo’lsa shunda VT3, VT5, Vt7, tranzistorlari ochiq bo’ladi va tok R6 qarshiligi orqali va ochiq tranzistorlar VT5 VT7 orqali oqadi yani faqat VT10 tranzistorda yeg’ilgan emitter takrorlagichini chiqishida mantiqiy 0 ni potensial darajasi mavjud bo’ladi boshqa chiqishlarda esa mantiqiy 1 darajasi bo’ladi. Birinchi kirishga mantiqiy 1 potensali berilganda V2 Vt6 tranzistorlari ochiladi VT3 VT5 tranzistorlari yopiladi VT7 tranzistori ochiq bo’lib qolganligi sababli tok R7 rezistri orqali VT6 VT7 ochiq tranzistorlari orqali oqadi yani faqat VT11 tranzistorda yeg’ilgan emitter takrorlagichini chiqishida faqat mantiqiy 0 ni darajasini potensiali mavjud bo’ladi sxemani qolgan chiqishlarida esa mantiqiy 1 darajasi. Shunga o’xshab agar ikkinchi kirishga mantiqiy 1 potensialini bersak shunda VT9 tranzistorida yeg’ilgan emitter takrorlagichini faqat chiqishida mantiqiy 0 darajasidagi potensial bo’ladi. Qolgan sxemalarni chiqishida esa mantiqiy 1 darajasi. Ikkala kirishga ham mantiqiy 1 potensali berilganda faqat VT8 tranzistorida yeg’ilgan emitter takrorlagichini chiqishini faqat mantiqiy 0 ni potensial darajasi mavjud bo’ladi sxemani qolgan chiqishlarida esa mantiqiy 1 daraja. Shunday qilib sxemani to’rtinchi chiqishida 2VA – YOQ mantiqiy amal ado etiladi. Bundan tashqari ikki yarusli tok uzib ulagichi sxema yuqorida bayon etilgan ishlash tamoyilida kelib chiqib deshivrator funksiyasini ado etadi. Bundan kelib chiqib oddiyroq sxema termik sarf harajatlar bo’yicha solishtirganda TTM da murakkabroq mantiqiy funksiyalarni ado etishi mumkin, bu esa tayanch matritsali kristallar asosida maxsus tez ishlovchi bis larini ishlab chiqilishida qo’llanilmoqda.
EBM li TME larni tez ishlashini oshirishga erishish mumkin yuqori chastotaga ega bo’lgan tranzistorlardan foydalanilganda Di elektrik izalatsiyaga ega bo’lgan va yuqori stabil tok manbayiga ega bo’lgan quyidagi ikkita yo’l bilan: sxemani kollektr qismidagi kirish va jami sig’imni kamaytirish, bu esa E2BM elementlarida ado etilgan ularda chiqishda emitter takrorlagichlari yo’q (rasm 22); taminot kuchlanishini mantiqiy tushuvini kamaytirish, bu EBM ni kichik signallisida (KEBM) ado etilgan. Jadval 4. da turli hildagi EBM li TME larni nisbiy xaraktiristikalari keltirilgan.
Rasm 22. EBM li TME larda tez ishlaydigan chiqish emitter takrorlagichlarini kirish zanjiriga ko’chirilganini sxemasi.
Jadval 4.
|
| |