Yarim oʻtkazgichlarning tuzilishi

|
Yarim oʻtkazgichlarning tuzilishi
|
bet | 16/16 | Sana | 19.01.2024 | Hajmi | 5,39 Mb. | | #140805 |
Bog'liq 11 bletYarim oʻtkazgichlarning tuzilishi
Misol uchun yarim oʻtkazgichning tipik vakili boʻlgan germaniyni qaraylik. Uning tartib nomeri 32 va toʻrtta elektron qobigʻi mavjud: 1-qobiqda 2 ta; 2-qobiqda 8ta, 3-qobiqda 18 ta, 4- qobiqda esa 4 ta elektron joylashgan. Uchta ichki qobiqdagi elektronlar turgʻun boʻlib, kimyoviy reaksiya-larda ishtirok etmaydi. Oxirgi toʻrtinchi qobiqdagi elektronlar esa atom yadrosi bilan juda kuchsiz bogʻlangan. Aynan shu elektronlar elementning boshqa atomlarining nechtasi bilan kimyoviy bogʻlanishga kira olish qobiliyatini koʻrsatib, mazkur elementning valentligini aniqlaydi. Shuning uchun ham oxirgi qobiqdagi elektronlarga tashqi yoki valentli elektronlar deyiladi. Tashqi qobigʻida toʻrtta elektroni mavjud boʻlgan germaniyning valentligi toʻrtga teng. Mazkur atomga boshqa atomlar yaqinlashganida valent elektronlar boshqa atomning valent elektronlari bilan oson taʼsirlashadi va kimyoviy bogʻlanish hosil qiladi. Atom qobigʻiga maʼlum energiya berilganda atomnig ionlashuvi roʻy berishi mumkin. Aynan soʻnggi qobiqdagi elektronni ozod qilish uchun eng kam energiya taqozo qilinadi. Germaniy, kremniy va yarim oʻtkazgichlarning boshqa bir qancha vakillari kristall moddalar hisoblanadi. Ularning atomlari maʼlum qonuniyatlarga muvofiq joylashgan boʻladi.
3. MDYA-tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida, p-kanali induksiyalangan MDYA-tranzistor tuzilmasi,
: Kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorlar
p – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 15.4 a –rasmda va uning shartli belgisi 15.4 b- rasmda keltirilgan.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.
Stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita p–n o‘tish hosil qilganligi sababli, USI kuchlanishining biror qutblanishida bu o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo‘ladi. Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U0 ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi p- turdagi kanal shakllanadi. bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki IS ortadi
|
| |