IIM MEningishlashprinsipi

. IIM MEningishlashprinsipi.
Elementning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan I2M elementlar zanjiri 15.1-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchlanish U0KIR<U* bo‘lsa, u holda, qayta ulanuvchi VT2 tranzistorning ikkala o‘tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan tok IM, qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi.
a) b)
v)
15.1-rasm. I2M negiz elementning sxemasi (a),
topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (v).
Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qaytaulanuvchi VT2/ tranzistoriningto‘g‘ri siljitilgan p-n o‘tishi kuchlanishiga teng bo‘ladi, ya’ni U1ChIQ = U* ≈ 0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish U1KIR>U* bo‘lsa, u holda, qaytaulanuvchi VT2tranzistor ochiladi. p2 sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to‘yinish rejimiga o‘tadi. p2 soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistorning emitter-baza o‘tishi to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi va elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. Kollektorga kelayotgan elektronlar p2 sohadan kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada, kollektor potensiali pasayadi va baza potensialidan kichik bo‘lib qoladi. VT2 tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi va element chiqishida to‘yingan tranzistor kuchlanishiga teng bo‘lgan kichik sathli kuchlanish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 0,1÷0,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz ME uchun quyidagi munosabatlar haqiqiydir: U0 = 0,1÷0,2 V; U1 = 0,6÷0,7 V. Bundan I2M negiz ME uchun mantiqiy o‘tish UMO‘ = 0,4÷0,6 V ekanligi kelib chiqadi.
15.2-rasm. I2M ME zanjiri.
15.1-rasmdagi sxemadan foydalanib 2VA-EMAS va 2YOKI-EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin. Masalan, 15.3-rasmda ikkita invertorni metall o‘tkazgichlar bilan tutashtirish yo‘li bilan 2YOKI-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1 tranzistorda hosil qilingan yagona ko‘p kollektorli (ikki kollektorli) injektordan ta’minlanadi. Keltirilgan sxemadan ko‘rinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi o‘zgaruvchilarga nisbatan umumiy nuqtaga parallel ulansa YOKI-EMAS mantiqiy amal bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa VA amali bajariladi. Shuni ta’kidlash kerakki, invertorlarning ikkinchi kollektorlari yordamida qo‘shimcha kirish signallarini inkor etish mantiqiy amalini ( ) bajarish mumkin, bu esa, o‘z navbatida ME imkoniyatlarini kengaytiradi.
I2M sxemalar tezkorligi injeksiya toki II ga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda AQUozgina ortadi va4÷0,2 pDjni tashkil etadi. Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2 tartibga kichik bo‘ladi. Mantiqiy o‘tish kichikligi tufayli I2M elementining halaqitbardoshligi VA kichik (20÷50 mV) bo‘ladi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va O‘KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qo‘llaniladi.
15.3-rasm. YOKI-EMAS amalini I2M mantiqiy elementlar asosidatashkil etish sxemasi.
I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba EM dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. Bu kamchilikni 15.1-jadvalda keltirilgan komplementar BT (KBT)larda tuzilgan invertor sxemalar yordamida bartaraf etish mumkin (15.4-rasm). KBTlarda injeksiya – voltaik rejimda ishlovchi ikki (n-p-n va p-n-p) turli BTlar ketma-ket ulanadi.
15.1-jadval
MDYa – va BTlar asosidagi invertorlarni taqqoslash
№
|
MDYa – tranzistorlar asosidagi invertor sxemalari
|
BTlar asosidagi invertor
sxemalari
|
1
|
|
|
3
|
|
|
15.4 rasm. I2M (1) va KBT (2) invertorlarning
amplituda uzatish xarakteristikalari.
15.5-rasm. «4VA-EMAS» ME sxemasi.
Jadvaldan I2M invertori n-MDYa tranzistorli, n-p-n dinamik yuklamali p-n-p BTda bajarilgan invertor esa p-MDYa tranzistorli invertor analogi ekanligi ko‘rinib turibdi.
KBTlarda bajarilgan «4VA-EMAS» ME 15.5-rasmda va «4YOKI-EMAS» ME 15.6-rasmda ko‘rsatilgan.
|