n-p-n
turli tranzistor bazasi bir vaqtning о‘zida 
p-n-p

11.2.-rasm. IIM negiz elementning shartli belgilanishi
Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri
11.3.-rasm. Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri sxemasi
kо‘rinishi
Sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS mantiqiy amallarini
bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
IIM sxemalar
tezkorligi injeksiya toki
I
I
ga kuchli bog‘liq bо‘lib, tok ortgan
sari ortadi.
Bu vaqtda
A
QU
ozgina ortadi va
4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
Element qayta ulanishining о‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM
elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2
tartibga
kichik bо‘ladi.
Mantiqiy о‘tish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham
kichik (20÷50 mV) bо‘ladi.
Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va О‘KISlar
tarkibida va kichik
integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qо‘llaniladi.
I2M MEning
X
kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga
mos kuchlanish
berilganda manba
YEM
dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM) haqida tushuncha
Oddiy invertorli TTM. Murakkab invertorli va Shottki barerli TTM.
TTM tushunchasi
Murakkab raqamli elementlar tayanch elementlar asosida tuziladi. TTL
seriyadagi IMS ning tayanch elementi 10.1-rasmda keltirilgan. U uchta
kaskaddan tashkil topgan: kirish kaskadi, VTl tranzistorda; YOKI
funksiyasini amalga oshirish imkonini beruvchi faza bo‘luvchi kaskad, VT2
tranzistorda; chiqish kaskadi, VT3 va VT4 tranzistorlarda.
TTL seriyadagi elementning tayanch sxcmasi (a) va undagi ko‘p emitterli
tranzistoming ekvivalent sxemasi (b).
Tranzistor ishlash prinsipi
VTl tranzistor sifatida ko‘p emitterli tranzistordan foydalaailadi (bunday
tranzistor EWB dasturining bibliotekasida mavjud emas). Agar diodlar (A va
V kirishlar) yuqori kuchlanishli (4...5 V) shinaga ulansa tok R1 rezistor orqali
VT2 tranzistoming bazasidan o‘ta boshlaydi va u ochiladi. Diodlardan
birortasi YOKI ikkalasi VA massaga (umumiy shinaga) ulansa VTl tranzistor
ochiladi va o‘z navbatida bazasidan o’tayotgan tok kamayib VT2 tranzistor
yopiladi.
TTM seriyadagi elementning kirishga yuqori kuchlanish berilganda ishlashi
tayanch sxemasi.
Agar mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past
kuchlanish (mantiqiy nol signali) berilsa, VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa
yopiladi
Agar mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past kuchlanish
(mantiqiy nol signali) berilsa, VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa
yopiladi
Mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past kuchlanish
berilganda VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor yopiladi, VT3 tranzistor
ochiladi, VT4 tranzistor yopiladi va chiqishda S nuqtada yuqori kuchlanish
(mantiqiy bir) hosil bo‘ladi
TTM seriyadagi elementning kirishiga past kuchlanish berilganda ishlashi.
TTM larning har-xil seriyalarida har-xil sxemalardan foydalaniladi. Lekin
ularning barchasida R4 rezistor VT3 tranzistomi S chiqish "yerga" ulanib qolganda
himoya qilish uchun xizmat qiladi. 54/74 (155) - seriyalar tayanch elementining
sxemasi 10.3-rasmda keltirilgan. U yuqorida ko‘rib o‘tilgan sxemadan diodning
baza zanjiriga emas balki emitter zanjiriga ulanganligi bilan farq qiladi.
TTM larning har-xil seriyalarida har-xil sxemalardan foydalaniladi. Lekin
ularning barchasida R4 rezistor VT3 tranzistomi S chiqish "yerga" ulanib qolganda
himoya qilish uchun xizmat qiladi. 54/74 (155) - seriyalar tayanch elementining
sxemasi 10.3-rasmda keltirilgan. U yuqorida ko‘rib o‘tilgan sxemadan diodning
baza zanjiriga emas balki emitter zanjiriga ulanganligi bilan farq qiladi.
54/74 seriyalar tayanch elimentining sxemasi.
Sodda invertorli TTM ME sxemasi.
MElarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan holda, tahlilda
ochiq YOKI berk