ТТМ МЭ схемасининг таркиби - Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари

84. ТТМ МЭ схемасининг таркиби.
Tranzistor-tranzistor mantiq (TTМ) bilan integral mikrosxemalar eng keng tarqalgan mantiqiy davrlardan biri hisoblanadi. Ular bipolyar yarim o'tkazgich IMS bo'lib, ular p – n o'tishlarini izolyatsiya qilish bilan planar – epitaksiyal texnologiyaga muvofiq tizimli va texnologik tarzda ishlab chiqilgan. TTМto'yingan mantiqiy IMS, TTМSh – to'yinmagan. An'anaviy TTM davrlari bilan solishtirganda, Schottki to'siq (TTMSH) bilan tranzistor – tranzistor mantiq davrlari sezilarli darajada yaxshi xususiyatlarga ega.
85. Кўп эмиттерли транзистор (КЭТ) тузилмаси. Элемент иккита мантиқий киришга эга бўлиб, у кўп эмиттерли транзистор (КЭТ) асосида ҳосил қилинган ток қайта улагичи ва VT1 транзисторли электрон калит (инвертор)дан тузилган.
КЭТ ТТМ турдаги МЭларнинг ўзига хос компонентаси ҳисобланади. У умумий база ва умумий коллекторга эга бўлган транзисторли тузилмадир.
89. Интеграл-инжекцион мантиқ (ИИМ, И2М) тушунчаси.
ИИМ элементи резисторлардан ҳоли эканлигини инобатга олсак, яхлит элемент кристаллда ТТМдаги стандарт КЭТ эгаллаган ҳажмни эгаллайди. И2М МЭнинг Х киришига статик режимда мантиқий 1га мос кучланиш берилганда манба ЕМ дан энергия истеъмол қилиши, унинг камчилиги ҳисобланади.
90. ИИМ негиз элементнинг принципиал схемаси ва топология қирқими.
91. ИИМ негиз элементнинг принципиал схемасини изоҳлаб беринг.
Элемент VT1 (p1-n-p2) ва VT2 (n-p2-n+) комплементар БТлардан ташкил топган.
VT1 транзистор кириш сигналини инверсловчи VT2 транзистор учун база токи генератори (инжектори) вазифасини бажаради. VT2 транзистор одатда бир нечта коллекторга эга бўлиб, элемент мантиқий чиқишларини ташкил этади. ИИМ турдаги элементларда ҳосил қилинган мантиқий схемаларда, VT1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан R резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди. Бундай ток билан таъминловчи қурилма инжектор токи қийматини, кенг диапазонда ўзгартириб унинг тезкорлигини ўзгартиришга имкон беради. Амалда инжектор токи 1 нА ÷ 1 мАгача ўзариши мумкин, яъни VT1 транзистор ЭЎидаги кучланишни озгина орттириб (ҳар 60 мВда ток 10 марта ортади) ток қийматини 6 тартибга ўзгартириш мумкин.
92. Иккита кетма-кет уланган ИИМ элементлар занжири ва ИИМ негиз элементнинг шартли белгиланиши.
93. Иккита кетма-кет уланган ИИМ элементлар занжирига изоҳ беринг.
Схемадан фойдаланиб 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС мантиқий амалларини бажарувчи МЭларни тузиш мумкин. ИИМ схемалар тезкорлиги инжекция токи IИ га кучли боғлиқ бўлиб, ток ортган сари ортади. Бу вақтда АҚУ озгина ортади ва 4÷0,2 пДжни ташкил этади.Элемент қайта уланишининг ўртача кечикиш вақти 10÷100 нс, яъни ТТМ элементникига нисбатан бир неча марта катта. Аммо қувват истеъмоли 1-2 тартибга кичик бўлади. Мантиқий ўтиш кичиклиги туфайли ИИМ элементининг халақитбардошлиги ҳам кичик (20÷50 мВ) бўлади. Шунинг учун бу схемалар фақат КИС ва ЎКИСлар таркибида ва кичик интеграция даражасига эга мустақил ИСлар сифатида қўлланилади.
94. Эмиттерлари боғланган мантиқ (ЭБМ) тушунчасига изоҳ беринг.
Эмиттерлари боғланган мантиқ (ЭБМ) элементни яратилишига рақамли қурилмалар тезкорлигини ошириш муаммоси сабаб бўлган. ЭБМ элементда қайта уланувчи транзистор ёки берк, ёки очиқ бўлади ва базада қўшимча ноасосий заряд ташувчилар тўпланаётганда БТ тўйиниш режимида ишлайди. Транзисторни бир ҳолатдан иккинчисига ўтиши узоқ кечадиган жараён бўлганлиги сабабли, ТТМ элемент тезкорлиги чекланган. БТдаги калит инерциялилигини камайтириш мақсадида шундай схемалар яратиш керакки, унда қайта уланувчи транзистор очиқ ҳолатда актив режимда ишласин.
95. Ток қайта улагичи схемасига изоҳ беринг.
У иккита симметрик елкадан ташкил топган бўлиб, уларнинг ҳар бири транзистор ва резистордан иборат. Умумий эмиттер занжирида БТГ I0 ишлайди.
96. Ток қайта улагичида ток I0 қийматини аниқланг.
Киришлардан бири (VT2) таянч деб аталувчи доимий кучланиш манбаи U0 га уланган. Ток I0 қиймати транзисторнинг актив иш режимига мос келади ва ЭБМ негиз элементларида I0 = 0,5÷2 мА. БТГ мавжудлиги туфайли база потенциалларининг ихтиёрий қийматларида эмиттер ўтишларда автоматик равишда шарт ўрнатилади.
97. Ток қайта улагичида БТ база потенциаллари тенг бўлганда (UКИР=U0) ҳар бир елкадан оқиб ўтаётган токнинг қийматини анқланг.
Схема симметрик, шунинг учун иккала БТ база потенциаллари тенг бўлганда (UКИР = U0) ҳар бир елкадан оқиб ўтаётган ток I0 / 2 га тенг.
98. Ток қайта улагичида таянч кучланиш U0 = 1,2В. Агар UКИР қиймати Δ ≤ 0,1В га камайса. IЭ1 ва IЭ2токлар I0 га нисбатан қандай ўзгаришларини аниқланг.
Таянч кучланиш U0 = 1,2 В.
Агар UКИР қиймати Δ ≤ 0,1 В га камайса, у ҳолда IЭ1 ток I0 га нисбатан 1 % гача камаяди, IЭ2 ток эса 99 % гача ортади.
99. Ток қайта улагичида кириш сигнали U-КИР ≤ U0 – Δ (мантиқий 0) бўлганда VT1 ва VT2 транзисторларининг ҳолатини аниқланг.
кириш сигнали U-КИР ≤ U0 – Δ (мантиқий 0) бўлганда VT1 транзистор берк бўлади, VT2 транзистордан эса тўлиқ I0 токи оқиб ўтади.
100. Ток қайта улагичида агар UКИР қиймати Δ ≥ 0,1В га ортса IЭ1 ва IЭ2токлар I0 га нисбатан қандай ўзгаришларини аниқланг.
UКИР қиймати Δ ≥ 0,1 В га ортса, у ҳолда IЭ1 ток I0 га нисбатан 99 % гача ортади, IЭ2 ток эса 1 % гача камаяди.
101. Ток қайта улагичида кириш сигнали U+КИР ≥ U0 + Δ (мантиқий 1) бўлганда VT1 ва VT2 транзисторларининг ҳолатини аниқланг.
кириш сигнали U+КИР ≥ U0 + Δ (мантиқий 1) бўлганда VT2 транзисторни берк деб ҳисоблаш мумкин, VT1 транзистордан эса тўлиқ I0 ток оқиб ўтади.
|