– laboratoriya ishi - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

4 – laboratoriya ishi
5 – laboratoriya ishi
6 – laboratoriya ishi
7 – laboratoriya ishi
ILOVA
tatdiq etiladigan elektron asboblar haqidagi ma’lumotlar
I1. To‘g‘rilovchi, impulsli va yuqori chastota diodlar
Diod turi
|
Tuzilishi
|
Ito‘g‘ cheg, mA
|
Utesk cheg, V
|
fmax, kGs
|
tikl., mks
|
D2 Ye
|
Ge, nuqtaviy
|
16
|
50
|
|
3
|
D2 J
|
Ge, nuqtaviy
|
8
|
150
|
|
3
|
D7 G
|
Ge, qotishmali
|
300
|
200
|
2,4
|
|
D7 J
|
Ge, qotishmali
|
300
|
400
|
2,4
|
|
D9 Ye
|
Ge, nuqtaviy
|
20
|
30
|
|
3
|
D104
|
Si, mikroqotishmali
|
30
|
100
|
150
|
0,5
|
D226
|
Si, qotishmali
|
300
|
200
|
1,0
|
|
KD503 A
|
Si, planar -epitaksial
|
20
|
30
|
|
0,01
|
D312
|
Ge, diffuzion
|
50
|
75
|
|
0,7
|
I2. Stabilitronlar va stabistorlar
Diod
turi
|
Tuzilishi
|
Ust, V
|
Ict min, mA
|
Ict max, mA
|
rD, Om
|
D814 B
|
Si, qotishmali
|
8...9,5
|
3
|
36
|
10
|
D814 D
|
Si, qotishmali
|
11,5...14,0
|
3
|
24
|
18
|
KS156 T
|
Si, diffuzion-qotishmali
|
5,6
|
1
|
22,4
|
100
|
D219 C
|
Si, mikroqotishmali stabistor
|
0,57
|
1
|
50
|
|
KC113 A
|
Si, diffuzion-qotishmali stabistor
|
1,17...1,8
|
1
|
100
|
80
|
I3. Bipolyar tranzistorlar
Tranz. turi
|
Tuzilishi
|
h21E
|
fh21E(fT), MGs
|
Ik.cheg, mA
|
Uk.cheg, V
|
Rk cheg, mVt
|
k, mks
|
Sk
(10V), pF
|
MP37B
|
n-r-n, Ge, qotishmali
|
20-50
|
1,0
|
20
|
15
|
150
|
|
40
|
MP39B
|
r-n-r, Ge, qotishmali
|
20-50
|
0,5 1,5
|
20
|
20
|
150
|
|
40
|
KT315B
|
n-r-n, Si, planar -epitaksial
|
50-350
|
(250)
|
100
|
20
|
150
|
0,5
|
7
|
KT361B
|
r-n-r, Si, planar -epitaksial
|
50-350
|
(250)
|
50
|
20
|
150
|
0,5
|
9
|
(TR 2) MP 37 (TR 27) KT 315
MP 39 KT 361
I4. Maydoniy tranzistorlar
Tranz. turi
|
Tuzilishi
|
Ic cheg
(Ic boshl.)
|
Usi cheg,
V
|
Rs cheg, mVt
|
Szi, pF
|
Szs, pF
|
Ssi, pF
|
rk,
Om
|
Uberk, V
|
KP103I
|
n-r o‘tishli
r-kanalli
|
(0,8-1,8)
|
12
|
21
|
20
|
8
|
-
|
30
|
0,8-3
|
KP103E
|
n-r o‘tishli
r-kanalli
|
(0,4-1,5)
|
10
|
7
|
20
|
8
|
-
|
50
|
0,4-1,5
|
KP103M
|
n-r o‘tishli
r-kanalli
|
(5-7,5)
|
10
|
120
|
20
|
8
|
-
|
60
|
3-5
|
KP301B
|
r-MDYa, kanali
indutsiyalangan
|
15
|
20
|
200
|
3,5
|
1
|
3,5
|
100
|
-4
|
KP305D
|
n-MDYa, kanali qurilgan
|
15
|
15
|
150
|
5
|
0,8
|
5
|
80
|
-6
|
(TR 67) KP 103 (TR 69) KP 305 (TR 71) KP 301
I5. Integral mikrosxemalar
Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan barcha mikrosxemalar 201.14.1-201.14.9 turdagi 14 chiqishli 2 qator qilib joylashtirilgan to‘g‘ri burchakli plastmassa yoki sopol qobiqda bajarilgan (maxsus belgisi 1-chiqish yaqinida nuqta ko‘rinishida bajarilishi mumkin).
201.14.1-201.14.9 korpus (yuqoridan ko‘rinishi)
K140UD20. Ikkilangan operatsion kuchaytirgich
1 (7) – OK inverslovchi kirishi
2 (6) – OK inverslamaydigan kirishi
4 – “-Up” manba ulash uchun chiqish
12 (10) – OK chiqishi
13 (9) - “+Up” manba ulash uchun chiqish
(Qavs ichidagi raqamlar shu kristallda
joylashtirilgan ikkinchi OKga
tegishli)
K553UD2; KR1408UD1 Operatsion kuchaytirgichlar
Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan OK asosiy parametrlari
OK turi
|
Kyv 103
|
Usm, mV
|
Ikir, mkA
|
Ikir, mkA
|
f1, MGs
|
Ucheg.chiq, v/mks
|
Kta sf dB
|
Ukir, V
|
Ukir sf, V
|
Um, V
|
K553UD2
|
20
|
7,5
|
1,5
|
0,5
|
1
|
0,5
|
70
|
10
|
10
|
+(6-15)
|
K140UD20
|
50
|
5
|
0,2
|
0,05
|
0,55
|
0,3
|
70
|
12
|
11
|
+(6-15)
|
K176LP1 KMDYa tuzilishli universal mantiqiy element (mos keluvchi kommutatsiyada uchta EMAS elementi, katta tarmoqlanish koeffitsientiga ega bo‘lgan EMAS elementi, 3HAM-EMAS elementi, 3YoKI-EMAS elementi va triggerli yacheyka sifatida qo‘llanilishi mumkin).
Asosiy elektr parametrlari
Kuchlanish manbai Um=9V+5%,
Mantiqiy signal sathlari U0ChIQ 0,3V; U1ChIQ 8,2V;
iste’mol qilinayotgan tok: 0,3 mA dan katta emas;
signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqti 200 ns
Ishlash qobiliyati manba kuchlanishi 5Vgacha pasayguncha saqlanadi. Kirish signallarining ruxsat etilgan diapazoni (0dan Um gacha).
FOYDALANILGAN ADABIYoTLAR
1. A.G. Morozov. Elektrotexnika, elektronika i impulsnaya texnika. – M.: Vыsshaya shkola, 1987.
2. A.G, Aleksenko, I.I. Shagurin. Mikrosxemotexnika. – M.: Radio i svyaz, 1990.
3. D.V. Igumnov, G.V. Korolev, I.S. Gromov. Osnovы mikroelektroniki. – M.: Vыsshaya shkola, 1991.
4. Yu.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya elektronika. – M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.
5. Stepanenko I.P. Osnovы mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. – 2-ye izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovыx Znaniy, 2001.
6. Yu.L. Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F. Fedorova. Elektronnыe, kvantovыe priborы i mikroelektronika: Uchebnoe posobie dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.
O‘quv nashri
2007-2008 o‘quv yili
Xayrulla Kabilovich Aripov
Axmed Mallaevich Abdullaev
Nodira Batirdjanovna Alimova
ELEKTRONIKA
VA
SXEMOTEXNIKA
5521900 “Informatika va axborot texnologiyasi”
5523600 “Elektron tijorat”
5523500 “Axborot xavfsizligi”
5522200 “Telekommunikatsiya”
5522100 “Televidenie, radioaloqa va radioeshittirish”
5522000 “Radiotexnika”
5140900 “Kasb ta’limi” (telekommunikatsiya)
5521900 “Kasb ta’limi” (informatika va axborot texnologiyalari)
yo‘nalishlarida ta’lim olayotgan bakalavrlar uchun
o‘quv qo‘llanma
|
Nashrga ruxsat berildi
Ofset qog‘ozi. Buyurtma № Bosma.
Tiraj nusxa
|
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
(TATU Ilmiy – uslubiy kengashining
dagi № - sonli bayonnomasi)
tomonidan nashrga tavsiya etilgan
javobgar muxarrir
|