Rəqəm mikrosxemləri - Microsoft Word II -an imp.+

|
Microsoft Word II -an imp.+
|
bet | 126/142 | Sana | 27.05.2024 | Hajmi | 3,55 Mb. | | #255298 |
Bog'liq Microsoft Word II -an Rəqəm mikrosxemləri
Məntiq elementləri və onların strukturları. Xarici ədəbiyyatda qəbul olunmuş standartlara uyğun olaraq ən geniş yayılmış məntiq elementlərinin şərti qrafiki işarələnməsi şəkildə göstərilmişdir. Şəkildə elementlərin ingiliscə adları və mötərizədə isə azərbaycanca adları verilmişdir. Bununla yanaşı hər bir elementin yanında onun iş prinsipini əksetdirən həqiqət cədvəli verilmişdir (şək.8).
Şək. 8
Rəqəm mikrosxemləri bipolyar və ya sahə tranzistorlardan təşkil olunurlar və müəyyən sxemotexniki prinsiplərə görə qurulurlar. Mikrosxemlərin işlənib hazırlanması zamanı bir sıra prinsipial fərqlənən, realizə edilməsi üçün müəyyən texnoloji əməliyyatlar toplusu (yığımı) tətbiq olunan sxemotexniki həllər istifadə olunur. Hansı texnologiya üzrə hazırlanmağından mikrosxemin xassələri, və deməli həm də parametrləri asılıdır. Rəqəm mikrosxemlərini aşağıdakı texnologiyalar üzrə hazırlayırlar:
- tranzistor-tranzistor məntiqi – bipolyar tranzistorların və məntiq elementinin girişində çoxemitterli tranzistorun tətbiq olunduğu TTM- texnologiya. Bu, daha çox sınanmış, və geniş istifadə olunan texnologiya orta cəldliyə malik olan yüksək etibarlı mikrosxemlər almağa imkan verir.
Şottki keçidli tranzistor-tranzistor məntiqi – TTMŞ texnologiya, TTM – texnologiyanın təkmilləşmiş variantıdır, hansında ki, ya Şottki diodları, və ya
tranzistorları tətbiq olunurlar. Şottki effekti o vaxt alınır ki, p-n-keçidin daxili strukturasına, tranzistorun bazasındakı qeyri-əsas yükdaşıyıcıların sorulmasını onun dəyişməsi zamanı sürətləndirməyə və mikrosxemin cəldliyini artırmağa imkan verən nazik metal təbəqə daxil edirlər.
Emitter əlaqəli məntiq – EƏM-texnologiyası əsas xüsusiyyəti ondan ibarətdir ki, bipolyar tranzistorların rejimləri elə seçilib ki, onlar açıq vəziyyətə keçdikdə bazanın qeyri-əsas yükdaşıyıcıları ilə doyması baş vermir və nəticədə tranzistor bağlandıqda az miqdarda olan qeyri-əsas yüklər tez sorulurlar. Bu hesaba EƏM-texnologiya əsasında ən yüksəksürətli mikrosxemlər alınır, lakin bu İMS-lərin enerji tələbatı digərlərində olduğundan xeyli çoxdur.
MOY (Metal – oksid – yarımkeçirici) –texnologiyada mikrosxem sahə tranzistorlarından formalaşır. MOY – mikrosxemlər iki növ olurlar: n-MOY və p-MOY tipli. n və p simvolları sahə tranzistorlarının elektrik keçiriciliyi kanallarının uyğun olaraq elektron və deşik tipli olduğunu göstərir. MOY mikrosxemlər çox kiçik enerji tələbatına malikdirlər, lakin sahə tranzistorların xassəsi ilə əlaqədar olaraq yuxarıda baxılmış mikrosxemlərlə müqayisədə sürəti aşağıdır.
komplimentar MOY-texnologiyada – KMOY-texnologiyasında mikrosxemlərin hər bir məntiq elementi biri-birini tamamlayan (komplimentar) sahə tranzistorlarından, yəni əks tipli (n-MOY və p-MOY) keçiriciliyə malik olan tranzistorlardan təşkil olunmuşdur. Bu tranzistorların rəzələri (zatvorları) biri-birilə elektrik birləşmişdir və məntiq elementinin girişini yaradırlar. Belə olan halda hansı məntiq siqnalın - “0” və ya “1”-in elementin girişində olmasından asılı olmayaraq, uyğun tranzistorlardan biri açıq, digəri isə bağlı vəziyyətdə olacaq. Tranzistorlar cütündən biri həmişə bağlı olduğundan, bu tranzistorların dövrəsindən cərəyan axmayacaq. Deməli, KMOY mikrosxemlərində cərəyan tələbatı, yalnız tranzistorlar bir vəziyyətdən o birinə keçdiyi zaman, yəni onların halı bağlıdan açığa, və əksinə dəyişdikdə baş verir.
|
| |