nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I

Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
savollari
Variant
Bipolyar taranzistorlarning umumiy bazali ulanish sxemasida chiqish satatik xarakteristikasi
1.Bipolyar tranzistor haqida qisqacha ma'lumotBipolyartranzistor(VT)debo'zarota'sirlashuvchiikkitapn o'tishdantashkiltopganvasignallarnitok,yoshyokiquvvat bo'yichakuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi. BT hamtokhosilbo'lishidaikkixil(bipolyar)zaryadtashuvchilar- elektronlar va kovaklarishtirok etadi. VT p - van - o'tkazuvchanlik turi takrorlanadiuchta(emitent,baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (1-rasm).1-rasm. Transistor tuzilishi ( a) p+-np, b) n+-pn)Transistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+- soha) emitter debishlab va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o'rta sohaga (r - soha)injeksiyalaydi. tashqi chekka soha (n - soha) kollektor deb hisob.U emiittergaJiddiy kuchsiz legirlangan bo'lib, zaryad tashuvchilarni bazanekstraksiyalash uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig'idagi o'tish emittero'tish, kollektor va baza oralig'idagi o'tish esa kollektor o'tish deb hisoblanadi
Kompyuterning tashqi muhit bilan aloqasi.
Tarmoqdagi kompyuterlarning o'zaro ta'sir mexanizmlari kompyuterning periferik og'zaki Roys bilan o'zaro munosabatlar sxemasidan juda ko'p qarz oldi, shuning uchun biz ushbu "tarmoq" ishi bilan tarmoq tamoyillarini ko'rib chiqamiz. Kompyuterni periferik og'zaki roystvo bilan ulash ko'pincha nuqta-to-Point aloqasidir.Kompyuter va periferik og'zaki roystvo (Pu) o'rtasida ma'lumot almashish uchun, kompyuter tashqi interfeysi, yoki port beradi (FIG. 2.1), ya'ni kompyuterni va pe-riferi qurilmasini bir-biriga bog'laydigan simlar to'plami, shuningdek, ushbu simlar haqida ma'lumot almashish uchun qoidalar to'plami.U erda juda maxsus interfeyslarni, tor-sinf qurilmalar (masalan, Vista yuqori qaror grafik-skih monitorlar) va umumiy-maqsadi interfeyslarni ulanish uchun mos bo'lgan, standart va turli atrof-muhit birliklari kalit imkonini beradi. Kompyuterlarda ishlatiladigan standart interfeyslarning misollari Centronics ning parallel interfeysi bo'lib, odatda printerlarni almashtirish uchun mo'ljallangan va RS-232C seriyali interfeysi bo'lib, u ko'plab terminallar, printerlar, grafopostrite-Lamy, sichqoncha turi manipulyatorlari va boshqa ko'plab qurilmalar tomonidan qo'llab-quvvatlanadi.
Interfeys kompyuter tomonidan apparat va dasturiy vositalar to'plami bilan amalga oshiriladi: Pu kontrolörü va tez-tez tegishli atrof-muhit birligining haydovchisi deb ataladigan ushbu tekshirgichni boshqaradigan maxsus dastur.
Kompyuterning atrof-muhit bilan aloqasi
Pu tomonida, dasturiy ta'minotga asoslangan atrof-muhit birliklari mavjud bo'lsa-da, interfeys ko'pincha Pu nazorat qilish qurilmasi tomonidan amalga oshiriladi.
p-n o’tish hodisasida tunnelli effekti
|
miqdоriy 
(miqdоrga bоg’liq bo’lgan) va 
sifatiy

tanishganlaridan so’ng ular bilan tajriba-amaliy ish o’tkazish ancha оsоn ko’chadi.
Bu hоlda o’qituvchining yo’riqnоmasi nihоyatda qisqa va lo’nda bo’ladi. Natijasiga
asоslanib o’quvchilar ma`lum xulоsalar chiqarishi kerak bo’lgan tajriba-amaliy
ishlarni bajarish ancha murakkab. O’quvchilarni
bunga оldindan tayyorlash,
o’qituvchining yo’riqnоmasi ancha batafsil bo’lishi zaur. Bunday ish davоmida
o’qituvchi o’quvchilar ishini kuzatibgina qоlmay, balki
ularning faоliyatini yo’lga
sоladi, ularni zarur xulоsalarga оlib keladi.
Fanlararо kоmpleks tajriba-amaliy ishlar. Kоllejlarda umumta`lim
fanlari
o’rganiish munоsabati bilan
Suvning tuproqdan yutilishi

|
Suvning tuproqdan yutilishi
|
bet | 11/28 | Sana | 27.05.2024 | Hajmi | 74,85 Kb. | | #255320 |
Bog'liq 2-Mavzu O\'simliklarda suv almashinuvi fiziologiyasi rejaSuvning tuproqdan yutilishi. Tuproq ko'p qavatli jism bo'lib asosan to'rt qismdan ya'ni qattiq mineral zarrachalar, organik moddalar yoki gumus, tuproq eritmasi va tuproq havosi jamlamasidan iborat. Bularning birinchi ikkitasi tuproqning tuzilishini belgilasa, keyingi ikkitasi shu tuzilish oraliqlarini to'ldirib to'radi.
Atmosferadan yog'ingarchilik tufayli tuproqga tushgan suv asta sekin harakat qilib tuproqning sizot suvlarigacha etib boradi. Ammo suvning bir qismi tuproqda ushlab qolinadi va tuproq bo'shliqlarida yig'ilib boradi. Tuproqning yuqori qatlamida qolgan suv ya'ni bog'langan suv, pastga qarab ketgan suv, yani gravitasion suvning miqdorlari avvalo tuproqning tiplariga va undagi g'ovaklar ulchamiga bog'liqdir.
Suvning tuproqlardagi sizish tezligi qum tuproqlarda bir yil mobaynida 2-3 metr, taqir tuproqlarda esa 1-2 metr atrofida bo'ladi. O'simliklarning tuproqdan o'zlashtirishi mumkin bo'lgan suvning miqdori ularning nam sig'imlariga mosdir. Masalan, dala nam sig'imi o'simliklar tomonidan eng yuqori ko'rsatkichda foydalanilishi mumkin bo'lgan suvning ta'rifidir.
O'simlikning o'sishi uchun zarur bo'lgan suvning tuproqdagi eng kam miqdori qat'iy so'lish namligi deyiladi va bunday tuproq namligida o'simlik asta sekin so'liy boshlaydi va oxir oqibatda quriydi.
Dala nam sig'imi bilan o'simlikning sulish namligidagi tuproq namligi miqdori orasidagi farq shu tuproqning o'simlik o'zlashtirishi mumkin bo'lgan suvdan qanchalik miqdorda yig'ishini ko'rsatadi.
Wo,.t.o,.m.b.s.m. = Wd.n.s. - Wq.s.n.
bu erda:
Wo,.o,.m.b.s.m.-o'simlik tomonidan o'zlashtirilishi mumkin bo'lgan suvning miqdori;
Wd.n.s.-dala nam sig'imi;
Wq.s.n.-qat'iy so'lish namligi.
Ammo sulish namligi hamma o'simliklar uchun bir xil emas. Masalan, qat'iy so'lish hodisasi soyasevar va suvxo'r o'simliklarda tuproq surish kuchi S = 0,7-0,8 MPa, bo'lganda ro'y bersa, qishloq xo'jalik o'simliklarida S = 1 - 2 MPa, qurg'oqchilik joylarida o'suvchi o'simliklarda va daraxtlarda esa S = 2-3 MPa bo'lganda ro'y beradi.
|
| |
«тасдиєлайман»

«тасдиєлайман»
Download
354,07 Kb.
Matnni ko'rish
bet
1/8
Sana
09.10.2024
Hajmi
354,07 Kb.
#274230
Download
354,07 Kb.
Matnni ko'rish
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Dərs
Mühazirə
Qaydalar
Referat
Xülasə
Yazı
«тасдиєлайман»
Download
354,07 Kb.
Matnni ko'rish
Transpiratsiya boshqariluvi

|
Transpiratsiya boshqariluvi
|
bet | 16/28 | Sana | 27.05.2024 | Hajmi | 74,85 Kb. | | #255320 |
Bog'liq 2-Mavzu O\'simliklarda suv almashinuvi fiziologiyasi rejaTranspiratsiya boshqariluvi. Barg og'izchalari odatda barg umumiy yuzasining 0,5-2% tashkil qiladi. Ammo ushbu barg og'izchalari orqali bug'langan suvning miqdori, ochiq suv yuzasidan bug'langan suv miqdoriga tengdir. Bu holat Stefan qonuni bilan ifodalanishi mumkin, ya'ni gazlarning kichik teshikchalardan diffuziyasi tezligi shu teshikchalar diametri va aylanasiga to'g'ri proporsional bo'lib ularning umumiy maydoniga bog'liq emas.
Barg og'izchalari o'lchamiga uni hosil qilgan tutashtiruvchi hujayralar va unga yaqin bo'lgan hujayralar holatlarining ta'siri kattadir. Masalan ushbu hujayralarning turgor holatiga o'tishi barg og'izchalarining ochilishiga olib keladi.
Barglar og'izchalarining harakatiga ko'proq havoning namligi, yorug'lik, harorat, hujayra oraliqlaridagi CO2 bosimi, ionlar nisbati, fitogormonlar va nihoyat o'simlikning suv bilan ta'minlanishi katta ta'sir qiladi. Barg og'izchalari o'lchamlari va holatlarini boshqariluvida asosan ikkita, ya'ni gidropassiv va gidrofaol holatlarni ko'rish mumkin.
Barg og'izchalarining gidropassiv ochilishi kuchsiz suv etishmaganda ro'y beradi. Bunda barg og'izchalari atrofidagi tutashtiruvchi hujayralarga ular atrofida joylashgan hujayralarning turgor bosimining pasayishi natijasida ularning siquvchi kuchining barg og'izchalarga nisbatan kamayishi natijasida ular ochiladi.
Barg og'izchalarining gidropassiv yopilishi esa uni o'rab turgan hujayralarning to'la turgorga o'tishi sababli ro'y beradi, ya'ni ularning qattiq siqishi natijasida barg og'izchalari yopilishi mumkin.
Barg og'izchalari holatining boshqariluvida xloroplastlar ham qatnashadi. Chunki, barg og'izchalari atrofidagi hujayralar o'zlarida ko'p xloroplastlar tutganligi sababli va ushbu xloroplastlarda uglevodlar biosintezining jadalligi tufayli bu hujayralarning surish kuchi ortib ularga suv yutilishiga olib keladi. Bu esa o'z navbatida barg og'izchalarining ochilishiga olib keladi.
Barg og'izchalarining ochilishi va yopilishiga hujayra oraliqlaridagi CO2 miqdori ham katta ta'sir ko'rsatadi. Masalan, agarda barg og'izchalari ostida CO2 miqdori 0,03% dan kamayib ketsa, tutashtiruvchi hujayralarning turgori oshib ketadi va ular ochiladi. Agar atmosfera havosida CO2 miqdori ko'payib ketsa ham barg og'izchalari yopiladi. Masalan tungi vaqtlarda fotosintez jaroayonining bormasligi va nafas olish natijasida barg to'qimalari oraliqlarida CO2 miqdori ko'payib ketadi va barg og'izchalari yopiladi.
Binobarin, barg og'izchalari holatining boshqariluvida bir biriga bog'liq ikkita fiziologik jarayon, yani fotosintez va suv almashinuvi jarayonlari qatnashadi.
Barg og'izchalarining gidrofaol yopilishi esa o'simliklardagi transpirasiya jadalligi, ildizlarga yutilayotgan suv miqdoridan oshib ketganda, ya'ni suv muvozanati (Suv muvozanati =Yutilgan suv - transpirasiyalangan suv) buzilganda ro'y beradi.
|
| |
ASОSIY QISM - «тасдиєлайман»

4
Funksiyalar
Funksiya tavsifi. Qiymatlarni qaytarish. Funksiya prototiplari. Parametrlarni
qiymat va adresga ko„ra jo„natish. Havolalar. Qiymat berish parametrlari.
Funksiyalar parameter sifatida, Rekursiv funksiyalar. Funksiyalar qayta yuklash.
Foydalanuvchi kutubxonasini tashkil etish.
Massivlar - «тасдиєлайман»

5
Operatorlarni qayta yuklash
Operatorlarni qayta yuklash, nusxa olish konstruktorlari va argumentlari.
Kiritish va chiqarish operatorlarini qayta yuklash. Kiritish
va chiqarish universal
funksiyalari. Formatli kiritish va chiqarish. Kiritish va chiqarish manipulyatorlari.
Shablonlar bilan sihlash - «тасдиєлайман»

Shablonlar bilan sihlash Shablon (template) tushunchasi va ularning qo„llanilishi. Funksiya
shablonlarini, sinf shablonlarini yaratish usullari va ularning bo„liqlik tomonlari.
Noma’lum tiplar va noma’lum nomlar fazosi Tiplarni dinamik tarzda aniqlash. Tiplarni almashtirish operatorlari. Yangi
nomlar fazosi yaratish. Buferlashtirilgan kiritish va chiqarish.
Konteynerlar (Kolleksiyalar) STL kutubxonalari. Konteyner sinflar. Chiziqli konteynerlar (array, vector,
deque, list, forward_list )
Assotsiativ va tartiblanmagan assotsiativ konteynerlar Assotsiativ konteynerlar (set, map, multiset, multimap). Tartiblanmagan
assotsiativ konteynerlar (unordered_set, unordered_map, unordered_ multiset,
unordered_ multimap)
Konteynerlar adapterlari Stack, queue, priority_queue. Konteynerlar bilan ishlash algoritmlari.
Funktorlarning qo„llanilishi.
Standart algoritmlar va iteratorlari. Standart
algoritmlar.
Iteratorlar
va
ularning
qo„llanilishi.
Xotirani
taqsimlovchilar va ularga qo„yilgan talablar. Standart bo„yicha taqsimlovchi.
Sonli sinflar bilan ishlash. Sonli sinflar va ular bilan ishlash (complex, vallaray, slice, gslice va h.k)
Sintaktik tahlil Ifodalarning sintaktik tahlili. Parser sinfi. Sintaktik analizatorni yaratish.
Murakkab saralash algoritmlari. Amaliy dasturlash. Murakkab saralash algoritmlari. Juda ham kata sonlar bilan ishlash. Large
sinfining qo„llanilishi.
6
Visual C++ muhitida dasturlash Visual C++ muhitida dasturlash. Visual C++ muhitida menyular va uskunalar
paneli.
Komponentlar bilan ishlash

7
8.
Bjarne Stroustrup. The C++ Programming Language, 4th Education.
Person Education, Inc. 2013. Third printing, April 2014.
9.
J.Axmadaliev, R.Xoldorboev C++ dasturlash tilini o„rganish bo„yicha
uslubiy qo„llanma (2015)
10.
Прохоренок Н.А. Программирование на С++ в Visual Studio 2012
Express (2018).
11.
Макурин Ю.Д, Сивохин А.В. Проектирование и реализация баз
данных и клиентских приложений в среде MS Visual Studio.Net(2016)
«тасдиєлайман» - bet 7

|
«тасдиєлайман»Bog'liq 60610100-Dasturiy injiniringsonlar teng
” jumlasini chiqaruvchi dastuz tuzing.
82.
Kubning qirrasi ma‟lum bo„lsa, uning yon sirti va hajmi topilsin.
83.
Matndagi bir xil so„zlarning sonini aniqlovchi dastur tuzing
84.
N gacha bo„lgan fibonachi sonlarni chiqarish dasturini tuzing.
85.
N ta ixtiyoriy sonlarning ichidan eng kattasini topish dasturini tuzing.
(Massivdan foydalanmasdan)
86.
Natural N soni va n ta haqiqiy sonlardan iborat ketma-ketlik berilgan.
Bu ketma-ketlikni shunday tartiblangki, undagi barcha manfíy qiymatli elementlar o
„zaro joylashish tartiblarini saqlagan holda ketma-ketlik boshiga ko„chirilsin va
ulardan keyin musbat qiymatli elementlar ham huddi shu shart asosida
joylashsin(qo„shimcha massiv ishlatilmasin).
87.
Natural n va m hamda haqiqiy sonli A(1:n,1:m) massiv berilgan bo„lsin.
Shu massivning har bir satridagi eng katta elementlar ichida eng kichigini toping.
C++ tilida bir o„lchovli massivlar.
88.
O„qish-yozish oqimlari (cin, cout).
89.
Raqamlari yig`indisining kubiga teng bo`lgan barcha uch xonali
sonlarni toping.
90.
Satr va n (n>0) natural soni berilgan. Satrdagi n-so„z o'chirilsin.
91.
Statik massivlar
92.
Switch operatoridan foydalangan holda, kiritilgan 1 dan 7 gacha
oraliqda bo`lgan raqamga asosan hafta kunini ekranga chiqaruvchi dastur tuzing.
93.
Uch xonali sonlar ichidan raqamlarining yig`indisi va o`zi 11 ga karrali
bo`lgan sonlarni chiqaruvchi dastur tuzing.
94.
Uchlari A(x,y), B(x,y), C(x,y) uchburchak berilgan bo„lib, D(x,y)
nuqtaning shu uchburchak ichida yotish yoki yotmasligini hisoblovchi dastur tuzing.
11
Texnikumlarni muvaffaqiyatli tomomlagan bitiruvchilarni oliy ta’lim
|
| |
muassasalarining bakalavriat ta’lim yo‘nalishlariga suhbat asosida o‘qishga qabul

muassasalarining bakalavriat ta’lim yo‘nalishlariga suhbat asosida o‘qishga qabul
qilish bo‘yichа
kirish sinovlari baholash mezonlari
Texnikumlarni muvaffaqiyatli tomomlagan bitiruvchilarni oliy ta‟lim
muassasalarining bakalavriat ta‟lim yo„nalishlariga suhbat asosida o„qishga qabul qilish
bo„yichа kirish sinovlari suhbat shaklida o„tkaziladi va 4 tadan savol bo„ladi.
Har bir
savolning javobi eng ko„pi bilan 25 ballga baholanadi, jami 100 ball.
Abituriyentning suhbatdagi javobiga qo‘yiladigan talablar
Baholash
ballari
a)
berilgan savolni to„liq bilsa, uning mohiyatini tushunsa, u bo„yicha
ijodiy fikrlay olsa, tasavvurga ega bo„lsa,
mustaqil mushohada yurita olsa,
nazariy masalalarni amaliyot bilan bog„lay olsa, xulosa va qaror qaror qabul
qilsa,o„z fikrini tg„liq, ravon qila olsa, savol mohiyatiga kreativ (ijodiy)
yondashsa, mustaqil fikri asosida xulosalar chiqara olsa.
22-25
b)
berilgan savolni yetarli darajada bo„lsa, uning moxiyatini tushunsa,
savol yuzasidan tasavvurga ega bo„lsa, mustaqil mushohada yurita olsa,
nazariy masalalarni amaliyot bilan bog„lay olsa, savolining nazariy va amaliy
jihatlarini yetarlicha ochib bera olsa, o„z fikrini to„liq, ravon bayon qila olsa,
savol mohiyatiga kreativ (ijodiy) yondashsa, xulosalar chiqara olsa.
19-21
d)
berilgan
savolni qisman bilsa, u to„g„risida qisman tasavvurga ega
bo„lsa,
uning mohiyatini tushunsa, savol bo„yicha o„z fikrini bayon qila olsa,
grammatik xatolarga yo„l qo„ysa, qisman xulosalar chiqarsa.
14-18
e)
berilgan
savolni yaxshi bilmasa, u to„g„risida qisman tasavvurga
ega bo„lmasa, o„z fikrini to„liq bayon
qila olmasa va umuman javob
yozmaslik.
0-13
Apellyatsiya tartibi
Abituriyentlar tomonidan mutaxassislik fani imtihon natijalari bo„yicha universitet
qabul komissiyasining apellyatsiyalar bilan ishlash hay`atiga natijalar e‟lon
qilingandan
kundan boshlab 24 soat davomida murojaat qilishlari mumkin. Murojaat mazmunida faqat
o`zining ballari haqida bo`lsa qabul qilinadi, boshqa abituriyentlar haqida yozilgan shikoyat
arizalari qabul qilinmaydi.
1-amaliy mashg’ulot mavzu: Amaliy masalalarni yyechish algoritmlarini o’rganish Amaliy mashg’ulotning maqsadi

|
1-amaliy mashg’ulot mavzu: Amaliy masalalarni yyechish algoritmlarini o’rganish Amaliy mashg’ulotning maqsadi
|
bet | 1/5 | Sana | 22.05.2024 | Hajmi | 148,61 Kb. | | #250345 |
Bog'liq 1-Mavzu (1)
1-AMALIY MASHG’ULOT
MAVZU: Amaliy masalalarni yyechish algoritmlarini o’rganish
Amaliy mashg’ulotning maqsadi: Amaliy masalalarni yechish algoritmlarini o’rganish.
Amaliy mashg’ulot natijasi: Amaliy masalalarni algoritmalsh malakasiga ega bo’lish.
Amaliy ish rejasi rejasi:
Amaliy mashg’ulot nazariy materiali bilan tanishib chiqish
Mos topshiriq variantidagi masalani yechish shartini aniqlash.
Nazariy qism:“Algoritmlash” deganda masalani biri ketidan boshqasini bajariladigan xamda oldingisining natijalari keyingilarining bajarilishida ishlatiladigan bosqichlar ketma-ketligiga keltirish tushuniladi. Ayni paytda bu bosqichlardagi amallarni kompyuter bajara olishi ko’zda tutilishi kerak. Kengroq ma`noda qaraydigan bo’lsak algoritmlash, o`zidan oldingi bosqich - masalani yechish usulini tanlash bosqichi xam, o`zidan keyingi bosqich - kompyuterning xususiyatlarini xisobga olgan xolda boshlang’ich, oraliq va natijaviy axborotlarni tuzilishining ifoda shakllarini tanlashni xam o’z ichiga oladi. Algoritmlash bosqichining natijasi masalani yechish algoritmi bo’ladi, yani bu bosqichda masalani yechish algoritmi ishlab chiqiladi. Bunda masalani matematik qo’yilishi va tanlangan usul qidirilayotgan natijani olishga olib keladigan xarakatlar ketma-ketligini aniqlash uchun asos bo’lib xizmat qiladi. Algoritm deb, masalani yechish uchun bajarilishi lozim bo’lgan amallar ketma-ketligini aniq tavsiflaydigan qoidalar tizimiga aytiladi. Boshqacha aytganda, algoritm –boshlang’ich va oraliq ma`lumotlarni masalani yechish natijasiga aylantiradigan jarayonni bir qiymatli qilib, aniqlab beradigan qoidalarning biror bir chekli ketma-ketligidir. Buning moxiyati shundan iboratki, agar algoritm ishlab chiqilgan bo’lsa, uni echilayotgan masala bilan tanish bo’lmagan biron bir ijrochiga, shu jumladan kompyuterga xam bajarish uchun topshirsa bo’ladi va u algoritmning qoidalariga aniq rioya qilib masalani echadi.
|
| |
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I

|
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I
|
bet | 30/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantFan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
p-n o’tish hodisasi
p-n o‘tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim o‘tkazgichli asbob yarim o‘tkazgichli diod deb ataladi. Uning shakli ko‘p faktorlarga bog‘liqdir. Masalan, tashqi temperaturaga kontakt sohasining geometrik o‘lchamlariga, tok tashuvchilar miqdoriga teskari kuchlanish kattaligiga va h.k.
Amaliy jihatdan bu faktorlarinning teskari tokka bo‘lgan ta‘siri katta ahamiyatga ega. Masalan muhit haroratining ko‘tarilishi yoki teskari kuchlanishi biror qiymatgacha oshirilishi teskari tokning birdan ko‘payib ketishiga, natijada p-n o‘tishning buzilishiga,sabab bo‘ladi. Shulardan issiqlik va elektr buzilishini ko‘raylik 12-rasmda yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi va to‘lqin volt-amper xarakteristikasi ko‘rsatilgan. Unda 1-chiziq issiqlik bo‘lishi, 2-chiziq esa, elektr buzilishini ko‘rsatadi.
Kontakt sohasining kengligiga qarab yarim o‘tkazgichli diodlar nuqtaviy va yassi diodlarga ajratiladi.
a) b)
12-rasm. a) yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi; b) Volt-amper xarakteristikasi
Bu asbobda p-n utish mavjud bulib, uning r va n soxalaridan ulanish uchi chikarilgan bo‘ladi. Yarim o‘tkazgichli diodning tuzilishi va volt – amper
xarakteristikasi quyidagicha bo‘ladi.
13-rasm.
p-n utish hosil kiluvchi soxalarning birida asosiy tok tashuvchi zarrachalarning kontsentratsiyasi ko‘p bulib, u emitter deb ataladi.
Ikkinchisi esa baza deb ataladi. Harakteristikaning tugri p-n o‘tishiga tugri kelgan qismidan diodning differentsial qarshiligi hisoblanadi:
Rd = U / I
Volt – amper xarakteristikasidan ko’rinib turibdiki yarim o‘tkazgichli diod ham nochiziqli elementlar qatoriga kiradi Diodlardan signallarni to’g’irlash, detektorlash, modulyatsiyalash ishlarida foydalaniladi.
To’g’rilagich diodlar past chastotali ( <50 kGts ) o‘zgaruvchan toklarni to’g’irlashda ishlatiladi. Tayyorlanish texnalogiyasiga ko’ra diodlar yassi diodlarda p- n o’tishning yuzini belgilovchi o’lchamlar uning qalinligiga nisbatan katta bo‘ladi.
50>
|
| |
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I

|
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I
|
bet | 28/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantFan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo‘yilmagan holda o‘rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o‘zaro bog‘liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma’lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‘lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib UKB = const bo‘lgandagi IE= f (UEB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const bo‘lgandagi IB=f(UBE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (25- rasm).
Rasmlardan ko‘rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‘zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma’nosi shundaki, kollektor o‘tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‘ladi. Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi.
a) b)
25 – rasm.
Shu sababli kollektor o‘tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‘ngga siljiydi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‘lib IE =const bo‘lgandagi IK= f (UKB) bog‘liqlik, UE sxemada esa IB =const bo‘lgandagi IK= f (UKE) bog‘liqlik hisoblanadi.
|
| |
Ko‘chkisimon - «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

Ko‘chkisimon teshilish nisbatan keng p-n o‘tishlarda sodir bo‘ladi. Bunday o‘tishda teskari kuchlanishda elektron va kovaklar zarba ionizatsiyasi uchun yetarli bo‘lgan energiya oladilar va natijada qo‘shimcha elektron-kovak juftlar hosil bo‘ladi. Bu juftliklarning har bir tashkil etuvchisi, o‘z navbatida, elektr maydonida tezlashib, yana yangi juftlikni yuzaga keltiradi va h.k Zaryad tashuvchilarning bunday ko‘chkisimon ko‘payishi natijasida o‘tishdagi tok keskin ortadi.
Tor p-n o‘tishga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarda tunnel effektiga asoslangan tunnel teshilish sodir bo‘ladi. UTYeS UChYeG yetganda zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchisiga energiya sarf qilmasdan o‘tishiga imkon yaratiladi (tunnel effekti). UChYeGning yanada ortishi bilan shuncha ko‘p zaryad tashuvchilar tunnel o‘tishi sodir etadilar va teskari tok keskin ortib boradi.
P-n o‘tishda issiqlik teshilishi teskari tok o‘tish natijasida o‘tishning qizishi hisobiga sodir bo‘ladi. Teskari tok, issiqlik toki bo‘lib, u ortgan sari qizish ham ortadi. Bu holat tokning ko‘chkisimon ortishiga olib keladi, natijada p-n o‘tishda issiqlik teshilishi yuz beradi va u ishdan chiqadi.
Teskari ulanishda p-n o’tish hodisasi
energiyaga ega bo‘lgan ko‘pgina zaryad tashuvchilar p-n o‘tish
orqali qo‘shni sohalarga diffuziya hisobiga p-n o‘tish maydoniga qarama–qarshi ravishda siljiydilar. Ular diffuziya tokini yuzaga keltiradilar. Asosiy zaryad tashuvchilarning p-n o‘tish orqali harakati bilan bir vaqtda, p-n o‘tish ular uchun tezlatuvchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatayogan maydon ta’sirida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar ham harakatlanadilar. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuchilar oqimi dreyf tokini yuzaga keltiradi. Tashqi maydon ta’sir ettirilmaganda dinamik muvozanat o‘rnatiladi, ya’ni diffuziya va dreyf toklarining absolyut qiymatlari teng bo‘ladi. Lekin diffuziya va dreyf toklari o‘zaro qarama–qarshi yo‘nalishda yo‘nalganligi uchun, p-n o‘tishdagi natijaviy tok nolga teng bo‘ladi.
Agar p-n o‘tishga tashqi kuchlanish manbai U ulansa, u holda muvozanat sharti buziladi va tok oqib o‘ta boshlaydi. Agar kuchlanish manbaining musbat qutbi p-turdagi sohaga, manfiy qutbi esa n-turdagi sohaga ulansa, bunday ulanish to‘g‘ri ulanish deb ataladi (9 - rasm).
– rasm.
Kuchlanish manbaining elektr maydoni kontakt maydon tomonga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli p-n o‘tishdagi natijaviy maydon kuchlanganligi kamayadi.
Maydon kuchlanganligining kamayishi potentsial to‘siq balandligini kuchlanish manbai qiymatiga kamayishiga olib keladi: UK = U0. Bu vaqtda p-n o‘tish kengligini ham kamayishini ko‘rish mushkul emas.
Potensial to‘siq balandligining kamayishi shunga olib keladiki, p-n o‘tish orqali harakatlanayotgan asosiy zaryad tashuvchilarni soni ham ortadi, ya’ni diffuziya toki ortadi. Har bir sohada ortiqcha asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar kontsentratsiyasi yuzaga keladi – n-sohada kovaklar, p-sohada elektronlar. Biror yarim o‘tkazgich sohasiga asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni siqib kiritish jarayoni injektsiya deb ataladi.
|
Guruh talabasi Musayev Izzatilloning Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan slaydi

|
Guruh talabasi Musayev Izzatilloning Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan slaydi
|
bet | 1/3 | Sana | 20.05.2024 | Hajmi | 476,08 Kb. | | #246084 |
Bog'liq elektr2 slayd 613-22 guruh talabasi Musayev Izzatilloning Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan slaydi Murakkab invertorli va shotki barerli TTM - Reja
- Murakkab invertorli TTM haqida tushuncha
- Murakkab Invertorli va shotki barerli TTM ME sxemasi
Tranzistor — tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan - Tranzistor — tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan
- va ko‘p ishlab chiqariladigan RIS hisoblanadi.
- Sodda invertorli TTM sxemasi 12.1-rasmda keltirilgan.
- Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo‘lib, u ko‘p emitterli
- tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1
- tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan. КЕТ TTM turdagi
- MElarnmg о ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va
- umumiy kollektorga ega bo‘lgan tranzistorli tuzilmadir. Standart sxema
- krda kinshlar (emitterlar) soni KBIRL < 8. TTM elementlar tarkibidagi
- . inyers rejimda yoki to‘yinish rejimda ishlashi mumkin. KET
- tuzilmasi va yasalish texnologiyasi shundayki, tok bo‘yicha kuchay
- tirishning invers koeffitsiyenti a, juda kichik bo‘lib, 0,01+0,05
- oralig‘ida yotadi.
- ВТ asosidagi TTM va boshqa turdagi MElar ishlash mexanizmini
- ko‘rib chiqishdan awal, tahlil uchun zarur boigan elementar nisbatlarga
- to‘xtalib o‘tamiz
MEIarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan - MEIarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan
- holda, tahlilda ochiq yoki berk p-n o‘tish tushunchasi qo‘Ilaniladi.
- Eslatib o‘tamiz, agar o‘tishning to‘g‘ri toki I - 10'3 -Ч0-4 A oralig‘ida
- yotsa, bu diapazon normal tok rejimi deb ataladi. Toklaming bu
- oralig‘ida kremniyli o‘tishda kuchlanish U atigi 0,70-K),68 Vga o‘zga
- radi. Tokning boshqa /= 10~5+10'6 A diapazonida (bu diapazon mikro
- rejim deb ataladi) kuchlanishning qiymatlari mos ravishda 0,57-^0,52 V
- oraliqda yotadi.
- Shunday qilib, tok diapazonlariga ko‘ra to‘g4ri kulchaoishlar biroz
- farqlanishi mumkin, lekin ulami doimiy deb hisoblash va to‘g*ri o4tish
- parametrlari deb qarash mumkin. Uning uchun^maxsus U belgilash
- kiritiladi. Xona temperaturasida normal rejimda U =0,7 V, mikrorejimda
- esa lf= 0,5 V. Agar to‘g‘ri kuchlanish i f kuchlanishdan atigi 0,1 Vga
- kichik bo‘lsa, o'tish deyarli berk hisoblanadi, chunki bu kuchlanishda
- toklar nominaldan o‘nlab marta kichik bo‘ladi.
|
| |
Mikroelektronika - «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

|
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant
|
bet | 22/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantMikroelektronika – fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar– IMSlar va ularning qo‘llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo‘lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo‘nalishidir.
2) p-n o’tish hodisasida Fermi sathi va uning holatlari
3) Bipolyar taranzistorlarda umumiy kollektorli ulanish
Kuchaytirgich qanday kuchaytirgich (audio kuchaytirgich, lampali kuchaytirgich yoki radiochastota kuchaytirgichi) bo‘lishidan qat’iy nazar ikkita uchlari kirish va ikkita uchlari chiqish hisoblanadigan to‘rt qutbli hisoblanadi. Kuchaytirgichning ulanishi tuzilish sxemasi 1.4- rasmda keltirilgan.
1.4- rasm. Kuchaytirgich ulanishining tuzilish sxemasi
Asosiy kuchaytiruvchi element – tranzistor atigi uchta chiqishga ega, shuning uchun tranzistorning uchlaridan birini bir vaqtda signal manbai (kirish uchi sifatida) va yuklamani ulash (chiqish uchi sifatida) ulash uchun ishlatishga to‘g‘ri keladi.
Tranzistorning qaysi uchi ham kirish, ham kuchaytirgichning chiqishi kuchaytirgichning kirishi uchun umumiy hisoblanishiga bog‘liq ravishda tranzistorning ulanish sxemalari quyidagicha nomlanadi:
- bipolyar tranzistorlar uchun:
- maydoniy tranzistorlar uchun:
umumiy istokli sxema;
umumiy stokli sxema;
umumiy zatvorli sxema.
Umumiy emitterli (UEli) sxema
UEli sxema quvvat bo‘yicha eng katta kuchytirish koeffitsientiga ega, shuning uchun yuqori chastotali kuchaytirgichlar uchun eng keng tarqalgan yechim bo‘lib qolmoqda.
Umumiy emitterli sxema bu tranzistorning emitteri ham kirish signalini ulanishi uchun, ham yuklamani ulanishi uchun ishlatiladigan kuchaytirgich hisoblanadi. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorli kuchaytirgichning funksional sxemasi 1.5- rasmda keltirilgan.
Bu sxemada to‘rt burchak fonda 1.4- rasmda keltirilgan kuchaytirgichning chegaralari ko‘rsatilgan. Unda tranzistorning ta’minot zanjirlari ko‘rsatilmagan. Hozirgi vaqtda umumiy emitterli sxema ovoz kuchaytirgichlarida deyarli qo‘llanmaydi, lekin televizion signal kuchaytirgichlari, GSM kuchaytirgichlari va boshqa yuqori chastotali kuchaytirgichlarda ular keng qo‘llanadi.
|
| |
Foydalanilgan adabiyotlar - Klaster metodining pedagogik-psixologik o’ziga xos xususiyatlari

Foydalanilgan adabiyotlar
1. Porter M. Mejdunarodnaya konkurensiya. - M., Mejdunarodnыe otnosheniya,
1993
2.
Migranyan
A.A.
«Teoreticheskie
aspektы
formirovaniya
konkurentosposobnыx klasterov».
3. Kamolova, A. O. Q. (2023). Pedagoglik kasbi boshqa hamma kasblarning
poydevoridir. Science and Education, 4(5), 988-992.
4. Aipinge L.P. Cluster Centre Principalso perceptions of t’e implementation of
t’e School Clustering System in Namibia (Unpublished Masters T’esis). R’odes
University, - Sout’ Africa: 2007
5. Kamolova, A., & Ergasheva, G. S. Q. (2022). Yosh avlodni tarbiyalashda xalq
pedagogikasini manbalarining o’rganishning o ‘rganishning ilmiy-nazariy asoslari.
Science and Education, 3(12), 590-592.
6. Nishonova, M. Y., & Kamolova, A. O. (2021). O’SMIRLARGA HUQUQIY
BILIM BERISHDA KEYS STADI TEXNOLOGIYASIDAN FOYDALANISH.
Экономика и социум, (8 (87)), 42-45.
7. Azizxodjaeva N.N. Voprosq podgotovki uchitelya v sisteme neprerqvnogo
pedagogicheskogo obrazovaniya. -T.: TGPI, 1995. -64 s.
8. Kamolova, A. O. Q., & Husaynova, S. I. (2023). O’smirlar o’rtasida
axloqsizlikni oldini olishda pedagogik faoliyatning o’ziga xos xususiyatlari. Science
and Education, 4(2), 969-972.
9. Muslimov N.A. Bo’lajak kasb ta’limi o’qituvchisini kasbiy shakllantirish. -
Toshkent: Fan, 2004. - 130 b.
10. Nishonova, M. Y., & Kamolova, A. O. (2021). USING CASE STADE
TECHNOLOGY IN LEGAL EDUCATION FOR TEENAGERS. Экономика и
социум, (8), 42-45.
11. M.BANNAYEV, [11.03.2023 14:32]
12. Bannayev, M. S. (2022). O’zbeksitonda psixologik diagnostika va psixologik
korreksion faoliyatni amalga oshirishdagi muammolar va yechimlar. Science and
Education, 3(6), 701-703
13. Bannayev, M. S. (2021). O‘zbeksitonda maktabgacha ta’lim va umumiy o‘rta
ta’lim muassasalarida psixologik xizmatning tashkil etish imkoniyati va muammolari.
Science and Education, 2(7), 293-297.
"Science and Education" Scientific Journal / www.openscience.uz
September 2023 / Volume 4 Issue 9
ISSN 2181-0842 / Impact Factor 3.848
318
14. Internet-resurs: http://www.krsu.edu.kg/vestnik/v3/a15.html
"Science and Education" Scientific Journal / www.openscience.uz
September 2023 / Volume 4 Issue 9
ISSN 2181-0842 / Impact Factor 3.848
319
|
Financial system, and sme financing in Kazakhstan

Financial system, and sme financing in Kazakhstan
Download
0,81 Mb.
Matnni ko'rish
bet
1/20
Sana
22.09.2024
Hajmi
0,81 Mb.
#271995
Download
0,81 Mb.
Matnni ko'rish
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Dərs
Mühazirə
Qaydalar
Referat
Xülasə
Yazı
Financial system, and sme financing in Kazakhstan
Download
0,81 Mb.
Matnni ko'rish
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat

«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
Funksional elektronika
Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratildi. IMSlarning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bo‘lib, hozirgi kunda uch konstruktiv – texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo‘tkazgichli va gibrid.
1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106÷109 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.
Mikroelektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida IMSlar elementlari o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli dovonini yengib nanoelektronikaga aylandi. Hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. Bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib o‘tamiz.
Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumkin, bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponensial oshishi kuzatiladi. Muammoni nanotexnologiyalar usullarini qo‘llagan holda yangi sifat darajasida yechishga to‘g‘ri keladi.
MDYA tranzistorlarda zatvorosti dielektrigi ananaviy ravishda SiO2 ishlatiladi, 45 nm o‘lchamli texnologiyaga o‘tilganda dielektrik qalinligi 1 nmdan kichik bo‘ladi. Bunda zatvor osti orqali sizilish toki ortadi. Kristalning 1 sm2 yuzasida energiya ajralish 1 kVtga yetadi. Yupqa dielektrik orqali tok oqish muammosi SiO2 ni dielektrik singdiruvchanlik koeffitsiyenti ε katta boshqa dielektriklarga, masalan ε~20÷25 bo‘lgan gafniy yoki sirkoniy oksidlariga almashtirish yo‘li bilan xal etiladi.
Hozirgi kunda telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining rivojlanish darajasi tom ma’noda mikroelektronika va nanoelektronika maxsulotlarining ularda qo‘llanilish darajasiga bog‘liq.
Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli, hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan bir qatorda elektronikaning yangi yo‘nalishi – nanoelektronika jadal rivojlanmoqda.
IMSlarda komponentli tuzilishdan chetlashish va dinamik bir jinslikmaslilardan foydalanishga asoslangan yo‘nalish “funksional elektronika” deb ataladi.
p-n o’tish hodisasida tunelli buzilish
Yuqorida aytib o‘tilganidek, uncha katta bo‘lmagan teskari kuchlanishlarda I0 qiymati katta emas. Teskari kuchlanish ma’lum chegaraviy qiymatga UChYeG yetganda, teskari tok keskin ortib ketadi, o‘tishning elektr teshilishi yuz beradi.
O’tishning teshilish turlari ikki guruhga bo‘linadi: elektr va issiqlik. Elektr teshilishining ikki mexanizmi mavjud: ko‘chkisimon va tunnel teshilish.
|
Financial system, and sme financing in Kazakhstan - bet 2

ADBI Working Paper Series
OIL PRICE FLUCTUATIONS, CREDITWORTHINESS OF THE
FINANCIAL SYSTEM, AND SME FINANCING IN KAZAKHSTAN
Yergali Dosmagambet, Yessengali Oskenbayev,
Farhad Taghizadeh-Hesary, and Moldir Mukan
No. 904
December 2018
Asian Development Bank Institute
Yergali Dosmagambet is Deputy Director, CAREC Institute, Urumqi, People’s Republic
of China. Yessengali Oskenbayev is Professor, Head of Academics, GBSB Global
Business School, Barcelona, Spain. Farhad Taghizadeh-Hesary is Assistant Professor,
Faculty of Political Science and Economics, Waseda University, Tokyo, Japan. Moldir
Mukan is Junior Researcher of Economics, Narxoz University, Almaty, Kazakhstan.
The views expressed in this paper are the views of the author and do not necessarily reflect
the views or policies of ADBI, ADB, its Board of Directors, or the governments they
represent. ADBI does not guarantee the accuracy of the data included in this paper and
accepts no responsibility for any consequences of their use. Terminology used may not
necessarily be consistent with ADB official terms.
Working papers are subject to formal revision and correction before they are finalized and
considered published.
The Working Paper series is a continuation of the formerly named Discussion Paper series;
the numbering of the papers continued without interruption or change. ADBI’s working papers
reflect initial ideas on a topic and are posted online for discussion. Some working papers may
develop into other forms of publication.
Suggested citation:
Dosmagambet, Y., Y. Oskenbayev, F. Taghizadeh-Hesary, and M. Mukan. 2018. Oil Price
Fluctuations, Creditworthiness of the Financial System, and SME Financing in
Kazakhstan. ADBI Working Paper 904. Tokyo: Asian Development Bank Institute. Available:
https://www.adb.org/publications/oil-price-fluctuations-creditworthiness-financial-system-sme-
financing-kazakhstan
Please contact the authors for information about this paper.
Email: farhad@aoni.waseda.jp
Asian Development Bank Institute
Kasumigaseki Building, 8th Floor
3-2-5 Kasumigaseki, Chiyoda-ku
Tokyo 100-6008, Japan
Tel:
+81-3-3593-5500
Fax:
+81-3-3593-5571
URL:
www.adbi.org
E-mail: info@adbi.org
© 2018 Asian Development Bank Institute
ADBI Working Paper 904
Y. Dosmagambet et al.
|
STATUS OF SMES AND THE CGS IN KAZAKHSTAN

|
STATUS OF SMES AND THE CGS IN KAZAKHSTAN2. STATUS OF SMES AND THE CGS IN KAZAKHSTAN
2.1 Overview of SMEs in Kazakhstan
The Government of Kazakhstan has defined an SME as any enterprise with fewer
than 250 employees. The differentiation between small and medium-sized businesses is
based on annual asset values and the number of employees. Small businesses
are those enterprises with annual assets lower than 1 million tenge and fewer than
50 employees. Medium-sized businesses have an asset value greater than 1 million
tenge with fewer than 250 employees.
5
In 2016, the number of operating SMEs in Kazakhstan amounted to 1,187 thousand units
by the end of the year. Estimations indicate that the share of registered and operating
SMEs is 79.1%, which employ about 3.1 million people as of 1 January 2017, and the
share of gross value added of SMEs in the GDP of the country was 23.1% in 2016 (Damu
2017). The country lags behind global and regional benchmarks for the contribution of
SMEs to the economy (Figure 1).
The Kazakh National Business Roadmap 2020 explicitly identified the importance of
SME development as a priority to enhance the contribution of SMEs to employment and
output (Shayakhmetova 2018). It viewed the sector as the fundamental factor that
creates jobs and boosts production and planned the policy to be oriented toward
streamlining regulations, increasing access to finance, improving business climates, and
removing barriers. The Business Roadmap 2020 and the Productive Employment and
Mass Entrepreneurship program defined access to financial sources as the main tool for
SME development.
Table 1: Small and Medium-Sized Enterprises in Kazakhstan
2011
2012
2013
2014
2015
2016
Output by SMEs, Output Share in the Gross National Product of Kazakhstan
Share of GVA of SMEs in GDP,
%
17.3
17.1
16.7
25.9
24.9
23.1
Output by SMEs, KZT Billion
7,604
8,255
9,165
15,568
15,699
16,857
|
| |
Abstract - Financial system, and sme financing in Kazakhstan

|
Financial system, and sme financing in KazakhstanAbstract
Kazakhstan remains a resource-dependent country, and the overall economy experiences
external commodity price volatility. Oil export revenue exerts a positive effect on the economic
development of oil-producing countries; however, depending only on oil revenue will make the
economy vulnerable to oil price shocks, especially in the case of an oil price recession. This
is forcing the Kazakhstan Government to pursue industrial diversification to accomplish
sustainable and balanced economic development, particularly concentrating on the
diversification and expansion of the SME sector. Second-tier banks remain SMEs’ main
source of financing. Due to the higher risks associated with SMEs, they have to borrow money
at high interest rates that endanger their growth. Since the global crisis in 2008 and the
adoption of the Basel capital requirement, banks have become more reluctant to lend funds
to SMEs. The government’s use of a credit guarantee scheme (CGS) relies on the willingness
of second-tier banks to lend to SMEs, since they decide which SMEs to lend
to and the effective interest rate. Second-tier banks, on the other hand, are dependent
on the oil price volatility. This paper examines the status of the CGS in SME financing
in Kazakhstan. In addition, it provides an empirical analysis using the structural VAR method
that shows that the creditworthiness of the whole financial system in Kazakhstan is dependent
on oil prices. Moreover, there is an effect from oil price volatility on currency value change,
which also influences the financial situation of SMEs.
Keywords:
small and medium-sized enterprises,
SMEs, credit guarantee scheme, oil price,
Kazakhstan
JEL Classification:
G01, G32, Q31
ADBI Working Paper 904
Y. Dosmagambet et al.
|
| |
Kolloid eritmalarning olinish usullari va tozalanishi

|
Kolloid eritmalarning olinish usullari va tozalanishi
|
bet | 1/5 | Sana | 08.01.2024 | Hajmi | 48,55 Kb. | | #132332 |
Bog'liq Kolloid sistemalarni dializyoTi bilan tozalash Gemodializni o\'tkazishda
Kolloid sistemalarni dializyoTi bilan tozalash. Gemodializni o'tkazishda kimyoning ahamiyati
Reja:
1. Kolloid dispers sistemaning hosil bo’lish sharoitlari.
2. Kolloid eritma olishning dispersion va mexanik usullari.
3. Kolloid eritma olishning ultratovush va peptizatsiya usuli.
4. Kolloid eritma olishning kondensatsion usullari:
a) fizikaviy kondensatsion usullar,
b) kimyoviy kondensatsion usullar.
5. Polimerlanish va polikondensatlanish usullar.
Kolloid eritmalarni tozalash usullari.
а) Dializ.
b) Zlektrodializ.
c) Ultrafiltradiya.
d) Tsentrifugalash usuli.
e) Ultratsentrifugalash usuli.
1. KOLLOID DISPERS SISTEMANING HOSIL BO’LISH SHAROITLARI
Kolloid eritmalar o’zining geterogenligi bilan chin eritmadan farq qiladi. Chunki kolloid zarrachalar erituvchi molekulasiga nisbatan juda katta bo’lib, ular orasida ajralish sirti hosil bo’ladi.
Kolloid dispers sistema dispers muhit va dispers fazadan tarkib
topgan mikrogeterogen sistemadan iborat. Kolloid dispers sistema
quyidagi sharoitlarda hosil bo’ladi: .
kolloid zarrachalarning o’lchamiga tarqaladigan moddalar zarra-chalarining o’lchami yaqin bo’lishi kerak;
2) ajralish sathida, kolloid zarrachalarni hosil qilgan ionli qavat va gidrat parda stabilizatorlar yordamida saqlanishi kerak; stabilizatorlar kolloid zarrachalar sathida yutilib, u yerda elektr zaryadi hosil qiladi. Elektr zaryadi zarrachalarning o’zaro yaqinlashib, bir-biriga qo’shilishiga yo’l qo’ymaydi, barkarorlik yaratadi;
Z) dispers faza dispers muhitda yomon eruvchanlikka ega bo’lishi kerak. Demak, kolloid zarrachalar elektr zaryadli, gidrat pardali va turg’un bo’lishi kerak.
Ana shunday zarrachalardan tashkil topgan kolloid eritmalar o’zaro qarama-qarshi ikki usul bilan olinadi. Birinchi usul - dispersion usul, bunda kolloid eritmalar yirik zarrachalarni maydalash yo’li bilan hosil qilinadi; ikkinchi usul -kondensatsion usul, bunda ion yoki molekulalar o’zaro birlashib, kolloid zarrachalar hosil qiladi.
|
| |
P-n o‘tishning - «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

|
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant
|
bet | 12/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantP-n o‘tishning teshilish turlari
Yuqorida aytib o‘tilganidek, uncha katta bo‘lmagan teskari kuchlanishlarda I0 qiymati katta emas. Teskari kuchlanish ma’lum chegaraviy qiymatga UChYeG yetganda, teskari tok keskin ortib ketadi, o‘tishning elektr teshilishi yuz beradi.
O’tishning teshilish turlari ikki guruhga bo‘linadi: elektr va issiqlik. Elektr teshilishining ikki mexanizmi mavjud: ko‘chkisimon va tunnel teshilish.
Ko‘chkisimon teshilish nisbatan keng p-n o‘tishlarda sodir bo‘ladi. Bunday o‘tishda teskari kuchlanishda elektron va kovaklar zarba ionizatsiyasi uchun yetarli bo‘lgan energiya oladilar va natijada qo‘shimcha elektron-kovak juftlar hosil bo‘ladi. Bu juftliklarning har bir tashkil etuvchisi, o‘z navbatida, elektr maydonida tezlashib, yana yangi juftlikni yuzaga keltiradi va h.k Zaryad tashuvchilarning bunday ko‘chkisimon ko‘payishi natijasida o‘tishdagi tok keskin ortadi.
Tor p-n o‘tishga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarda tunnel effektiga asoslangan tunnel teshilish sodir bo‘ladi. UTYeS UChYeG yetganda zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchisiga energiya sarf qilmasdan o‘tishiga imkon yaratiladi (tunnel effekti). UChYeGning yanada ortishi bilan shuncha ko‘p zaryad tashuvchilar tunnel o‘tishi sodir etadilar va teskari tok keskin ortib boradi.
P-n o‘tishda issiqlik teshilishi teskari tok o‘tish natijasida o‘tishning qizishi hisobiga sodir bo‘ladi. Teskari tok, issiqlik toki bo‘lib, u ortgan sari qizish ham ortadi. Bu holat tokning ko‘chkisimon ortishiga olib keladi, natijada p-n o‘tishda issiqlik teshilishi yuz beradi va u ishdan chiqadi.
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
|
| |
Variant
1) p-n-p taranzistorning muvozanat holatida zona diagrammasi

|
Variant
1) p-n-p taranzistorning muvozanat holatida zona diagrammasi
|
bet | 32/33 | Sana | 05.06.2024 | Hajmi | 449,33 Kb. | | #260458 |
Bog'liq «Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat VariantVariant
1) p-n-p taranzistorning muvozanat holatida zona diagrammasi
2) p-tipli aralashmali yarim o’tkazgichlar
3) p-n o’tish hodisasining temperaturaviy xususiyatlari
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
Variant_1)_Kompyuterla_axborotni_akslantirish._2)_Bipolyar_taranzistorlarda_umumiy_emitterli_ulanish'>«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
1) Kompyuterla axborotni akslantirish.
2) Bipolyar taranzistorlarda umumiy emitterli ulanish
3) Maydonli (unipolyar) transistor
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
1) Elektronikaning rivojlanish bosqichlari.
2) Bipolyar taranzistorlarda umumiy bazali ulanish
3) Yarim o’tkazgizli materiallar
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
1) Akustoelektronika
2) p-n o’tish hodisasida diffuzion sig’im
3) Yarim o’tkazgichlarda o’tkazuvchanlik
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
1) Kanal n-tur boshqariluvchi p-n o’tishli maydonli tranzistorning chiqish xarakteristikasi
2) Idial p-n o’tish hodisasi uchun differensial qarshilik
3) Bipolyar taranzistorlarning umumiy bazali ulanish sxemasida kirish satatik xarakteristikasi
Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
1) Kompyuterning tizimli bloki.
2) Bipolyar taranzistorlarda umumiy bazali ulanish
3) Yarim o’tkazgichlarda o’tkazuvchanlik
|
| |