Geterotuzilmalar

1.Yarimo’tkazgich …………. eng yuqori chastotali tranzistorlar, lazerlar, hamda inegral sxemalar (chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
**** geterotuzilmalar
2. Optik aloqa tizimlari ……... ……….. optik modullarga ega
**** uzatuvchi va qabul qiluvchi
3…… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi.
**** uzatuvchi
4…….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi
**** nulanuvchi diod
5……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi
**** nulanuvchi diod
6……. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi
**** fotodiod
7.Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha ……. bosqichni bosib o‘tdi.
**** to‘rt
8……. bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi.
**** birinchi
9…………….. bosqich Li de Forest tomonidan 1906 yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi.
**** ikkinchi
10…………… bosqich Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan 1948 yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo‘lgan bipolyar tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi.
**** uchinchi
………. bosqich integral mikrosxemalar asosida elektron qurilma hamda tizimlar
yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataldi.
to‘rtinchi
...........– fizik, konstruktiv – texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar – integral mikrosxemalar va ularning qo’llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo’lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo’nalishidir
mikroelektronika
1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji ………. qonuniga muvofiq bormoq-da, ya’ni har ikki yilda zamonaviy integral mikrosxemalardagi elementlar soni ikki marta ortmoqd****
G. Mur
…………. o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
nanoelektronika
integral mikrosxemalarning, shu jumladan mikroprosessorlar va xotira mikrosxemalarining asosiy aktiv elementi bo’lib kremniyli ………– tranzistorlar xizmat qiladi.
MDYA
integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
metallash
Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga aytiladi.
Komponenti
Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikro-sxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
yarimo’tkazgich
Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
Pardali
Yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
1-2 mkm
……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
fotodiod
…………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
Lazer
Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqd****
funksional elektronika
…………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
magnitoelektron
…………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradio elementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
Element
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
kata
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
o’ta kata
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
oddiy
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
o’rtacha
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
katta
qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
10 mkmdan yuqori
……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
Gibrid
Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
BT va MDYA
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
oddiy
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
o’rtacha
……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
analog
……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
raqamli
………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
Choxralskiy
…….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
zonali eritish
……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
epitaksiya
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa qanday mikrosxema hisoblanadi.
o’ta katta
integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
oddiy
integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
o’rtacha
integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
katta
integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
o’ta katta
Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
fotolitografiya
…… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
pardalar
……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
planar
………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
planar – epitaksial
…….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
integral rezistorlar
integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa qanday mikrosxema hisoblanadi.
o’ta katta
integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
oddiy
integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
o’rtacha
integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
katta
integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
o’ta katta
Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
fotolitografiya
…… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
pardalar
fotolitografiya
epitaksiya
termik oksidlash
……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
planar
planar – epitaksial
integral
integral
………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
planar – epitaksial
…….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
integral rezistorlar
Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
legirlash
………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
diffuziya yordamida legirlash
………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
ion legirlash
Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi.
Yemirish
komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
n-MDYA va p-MDYA
komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
n-p-n va p-n-p
Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
to`yinish
Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
Berk
Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma ………… deb ataladi.
barqaror tok generatori
……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha ishlatilishi mumkin.
integral kondenstorlar
…………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
integral diodlar
Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
ko’p emitterli
Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
ko’p kollektorli tranzistorlar
………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda
MDYA
………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
Uilson tok ko’zgusi
………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
aktiv tok transformatori
………………… ko’p kaskadli o’zgarmas tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish bo’yicha o’zaro muvofiqlashtirishda keng qo’llaniladi.
o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
invers va noinvers
………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
barqaror tok generatori
O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………ta’minlashi mumkin
ideal tok manbai
Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo’ladi
UB
temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
kollektor – baza
Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai mavjud
barqaror tok generatori
o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
tarkibiy tranzistorlar
…….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng o’tkazish polosasiga ega
ideal kuchaytirgich
…….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
h21e
Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida …………dan foydalaniladi.
tarkibiy tranzistorlar
sinfaz signallar:
amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
…… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
sinfaz signallar
Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
ikkita
Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
to’rt
differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal 1800 ga siljidi
inverslaydigan
Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
inverslamaydigan
operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
uch
operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
uch kaskad
operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish kaskadlarini bog`laydi
muvofiqlashtiruvchi kaskadi
…………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
B
Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning ………… elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
baza
……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
differensial kuchaytirgich
……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallangan qurilma
operatsion kuchaytirgich
operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
ikkita
…….. usulda ifodalanayotgan kattalik, unga proporsional bo’lgan bir signal ko’rinishida ifodalanadi.
Analog
…….. usulda ifodalanayotgan kattalik, har biri berilgan kattalikning bitta raqamiga mos keluvchi bir nechta signallar ketma – ketligi ko’rinishida ifodalanadi
Raqamli
………… elektron qurilma uzluksiz signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan
Analog
Analog elektron qurilma ………signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan elektron qurilmalar
Analog
…. analog elektron qurilmalar kamchiligi
xalaqitbardoshlikning kichikligi
operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan aniqlash mumkin
tok
kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga nisbatini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
amplituda chastota
kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
faza chastota
Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar, natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
elektr signallar
Axborotni …… usulda uzatish mumkin
analog va raqamli
Analog signallarni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar –……… deb ataladi
disrket elektron qurilmalar
……….ni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar – disrket elektron qurilmalar deb ataladi
analog signallar
................da birlamchi signal vaqt bo’yicha kvantlanadi va odatda o’zgarmas chastotadagi impulslar ketma – ketligiga o’zgartiriladi.
impulsli elektron qurilmalar
Kvantlash turiga qarab …….. elektron qurilmalar impulsli, releyli va raqamli guruhga bo’linadi
disrket
Kvantlash turiga qarab disrket elektron qurilmalar uch guruhga bo’linadi: ………
impulsli, releyli va raqamli
analog elektron qurilmalar kamchiligi bu….
axborotlarni uzoq muddat saqlashning murakkabligi
analog ko’rinishdagi birlamchi axborotlarni raqamli usullarda qayta ishlash uchun …….. lozim
kvantlash va kodlash
analog signalni raqamli signalga o`zgartirish uchun …… lozim
kvantlash va kodlash
Uzluksiz signalni ma’lum nuqtalardagi qiymatlari bilan almashtirishga ……….deyiladi.
kvantlash
Kvantlash natijasida signal ixtiyoriy emas, balki aniq, ………. deb ataluvchi qiymatlarni oladi
diskret
Hisoblash va axborot texnikasi evolusiyasi qurilmalar o’rtasida axborot almashinish uchun ……. – bitli kattalikni paydo qildi
8
8 – bitli katalik ….. deb ataladi.
bayt
mantiqiy inkor bu ….
inversiya
mantiqiy inkor bu ….
EMAS amali
mantiqiy qo’shish bu ….
YOKI amali
…………… birlamchi analog signalni zinasimon funksiyaga o’zgartiradi.
releyli elektron qurilmalar
kvantlangan signal bir necha elementar signallardan tuzilgan shartli kombinatsiyalar ko’rinishida ifodalash ……….. deb atalad
kodlash
Kodlash turli ma’lumotlar (harflar, tovushlar, ranglar, komandalar va boshqalar)ni ma’lum standart shaklda, masalan ………. simvollari ko’rinishida ifodalash imkonini beradi.
ikkilik
………sanoq tizimida ixtiyoriy sonni 0 yoki 1 raqamlari yordamida yozish mumkin ekan
Ikkilik
Kichik asosga ega bo’lgan sanoq tizimidan katta asosga ega bo’lgan sanoq tizimiga o’tish
Mumkin
…………… yordamida axborotni yozish va o’qish, o’chirish va qayta tiklash, hamda saqlanayotgan axborotni indikatsiya qilish mumkin.
Triggerlar
Sanoq tizimlarining …….. turlari mavjud
pozitsion va nopozitsion
…………deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi
mantiqiy element
Ishlash prinsipiga ko’ra …… MElarga bo’linadi
ombinatsion va ketma-ketli(tadriji)
…………….. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
Kombinatsion
mantiqiy ko’paytirish bu ….
HAM amali
Funksiya qiymatlarini ifodalovchi jadval ………. jadvali deb ataladi.
Haqiqiylik
Bir funksiya argumentlarini boshqa funksiya argumentlari bilan almashtirish amali …………. deb ataladi.
Superpoztsiya
………………..da birlamchi analog signal ham vaqt bo’yicha, ham kattaligi bo’yicha kvantlanadi.
raqamli elektron qurilmalar
……….. – integral elektron qurilma bo’lib, raqamli signal ko’rinishida berilgan axborotlarni talab etilgan holda o’zgartirishga mo’ljallangan.
raqamli itegral sxema
Bipolyar tranzistorli elektron kalit
Invertor
5. ko’p emitterli tranzistor asosidagi sxema
tranzistor – tranzistorli mantiq
ko’p kollektorli tranzistor asosidagi sxema
integral –injektsion mantiq
…………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.
sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME
ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
integral –injektsion mantiq
……………. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
ketma – ketli(tadriji)
………..deb shunday elektron qurilmaga aytiladi-ki, uning kirishdagi boshqaruv kuchlanishi qiymatiga bog’liq holda ikkita turg’un holatdan birida: uzilgan yoki ulangan bo’lishi mumkin.
elektron kalit
|