-rasm. Yarim o‘tkazgichning simmetrik volt-amper xarakteristikasi

|
-rasm. Yarim o‘tkazgichning simmetrik volt-amper xarakteristikasi
|
bet | 5/8 | Sana | 22.02.2024 | Hajmi | 0,72 Mb. | | #160923 |
Bog'liq Электроника8-rasm. Yarim o‘tkazgichning simmetrik volt-amper xarakteristikasi
Agar ikkita bir-biri bilan zich kontakt holatida joylashgan yarim o‘tkazgichlarni olib, ularning biri p–tipidagi, ikkinchisi esa n-tipidagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishsa, bu paytda ular nosimmetrik voltamper xarakteristikasiga ega bo‘lishadi (8-rasm).Toklar bir yo‘nalish bo‘yicha xarakatlanganda ushbu ikkita yarim o‘tkazgichlar tizimi juda kichik qarshilikka ega bo‘ladi, teskari yo‘nalishda harakatlanganda esa qarshilikning yuqori bo‘lishi kuzatiladi. Turli xil tipga ega bo‘lgan ikkita yarim o‘tkazgichlar tizimida har xil yo‘nalishlarda o‘tadigan tok o‘tkazuvchanligi ham turlicha bo‘ladi. Bu paytda to‘g‘ri tok Ito‘g‘. berilayotgan kuchlanish ortishi bilan tezda o‘sadi. Ushbu tizimga –U kuchlanish bersak, boshlang‘ich paytda ushbu tizim orqali teskari yo‘nalishdagi tok o‘tmaydi.
9-rasm. Yarim o‘tkazgichning nosimmetrik voltamper xarakteristikasi
Teskari kuchlanish miqdori oshirilganda juda kichik miqdordagi teskari tok hosil bo‘ladi.
Shunday qilib, turli xil tipdagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita yarim o‘tkazgichlar tizimi teskari yo‘nalishdagi tokni o‘tkazmaydi. Yarim o‘tkazgichlarning ushbu xususiyati yarim o‘tkazgichli to‘g‘rilagichlarda keng qo‘llaniladi. Bunday tizimga yuqori teskari kuchlanish berilganda ushbu ikki yarim o‘tkazgichlarning bir-biriga tegish joyida elektr teshilish sodir bo‘lishi mumkin. Turli xil tipdagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita yarim o‘tkazgichlarning bir biriga jips tekkan joyi n-p o‘tish deb ataladi. Ushbu tizimli ikkita yarim o‘tkazgichlarga o‘zgaruvchan kuchlanish berilganda, n-p o‘tish faqat unga o‘zgaruvchan kuchlanishning yarim davri berilgandagina tokni o‘tkazadi.
n-p o‘tish hosil qilishning bir nechta to‘liq xususiyatlarini ko‘rib chiqamiz. Ikkita yarim o‘tkazgichlar tizimiga tashqi kuchlanish berilmagan paytda p-tipidagi yarim o‘tkazgichda ko‘plab miqdor (konsentratsiya) dagi elektronlar, n-tipidagi yarim o‘tkazgichda esa ko‘plab miqdordagi teshiklar kuzatiladi. Bundan tashqari, ikkala yarim o‘tkazgichda ham kam miqdordagi asosiy bo‘lmagan tok tashuvchilar bo‘ladi. p-tipidagi yarim o‘tkazgichda uncha ko‘p bo‘lmagan teshiklar, n-tipidagi yarim o‘tkazgichlarda esa elektronlar kuzatiladi.
Ikkita yarim o‘tkazgichlarning jips kontakti, masalan, birini ikkinchisiga yaqinlashtirganda p-tipidagi yarim o‘tkazgichlardagi elektronlar n-tipidagi (elektronlar miqdori juda kam bo‘lgan) yarim o‘tkazgichga kirib boradi. Bir paytning o‘zida teshiklar ham n-tipdagi yarim o‘tkazgichdan p-tipdagi yarim o‘tkazgichga kirib borishi kuzatiladi. Bu o‘zaro elektron va teshiklarning diffuziyasi p-tipdagi yarim o‘tkazgich chegara sohasida elektronlar konsentatsiyasining kamayishiga olib keladi va ular joyini teshiklar egallaydi. Shu bilan birgalikda r-tipdagi Yarim o‘tkazgich chegara sohasida teshiklar konsentatsiyasi ham pasayadi. Ushbu soha elektronlar bilan to‘ldiriladi (9-rasm). Shunday qilib, 1 va 2 elektrodga tashqi kuchlanish berilgunga qadar, ikkita yarim o‘tkazgich chegarasida ikkilangan elektr sohasi hosil bo‘ladi. Buning natijasida bu erda Eo kuchlanishga ega bo‘lgan mahalliy elektr maydoni yuzaga keladi. Ushbu elektr maydoni ikkilangan elektr sohasidagi manfiy zaryadlar tomon harakatlanadi.
|
| |