Asılı olan invertorlar - Microsoft Word II -an imp.+

|
Microsoft Word II -an imp.+
|
bet | 107/142 | Sana | 27.05.2024 | Hajmi | 3,55 Mb. | | #255298 |
Bog'liq Microsoft Word II -anAsılı olan invertorlar. Bağlanmayan tiristorlarda qurulan birfazalı körpü asılı invertorda tiristorlar idarəolunan düzləndiricidə olduğu kimi qoşulurlar. Lakin sxemə adətən asılı invertorlarda istifadə olunan transformatorlar daxil olunmuşdur (şək.7.30).
Bu invertorda baş verən elektrik proseslərinin ilkin təhlili zamanı sxemlərdə transformatorların hər dolağı invertora qoşulmuş sinusoidal gərginlik mənbəyi ilə əvəz oluna bilər.
Şək.7.30. Transformatorllu asılı olan invertor
İnvertorun çıxış dövrəsində uçıx gərginlikli asılı olmayan dəyişən gərginlik mənbəyi var.
Əgər sxemdən transformatoru çıxarmaqla bu mənbəni birbaşa a və b nöqtələrinə qoşsaq, onda sxemdə baş verən elektrik prosesləri birfazalı avtonom invertorda olduğuna uyğun olacaq.
İGBT əsasında avtonom gərginlik invertoru. İGBT tam idarə olunan elektron açarları olub, bağlanmayan tiristorlardan fərqli olaraq giriş idarə siqnalları olduqda açılır, olmadıqda isə bağlanır. Ona görə də İGBT-lərin güc qurğularında istifadə olunması yükdə tələb olunan siqnalların formalaşdırılması imkanlarını xeyli genişləndirir.
Birfazalı körpü gərginlik invertorunun timsalında İGBT əsasında qurulan invertorun sxemotexniki fərqli xüsusiyyətlərini nəzərdən keçirək
Sxemdə hər tranzistora paralel olaraq əks (qaytaran) adlanan diod qoşulmuşdur. İnvertorun çıxışına Ry müqavimətinə və Ly induktivliyinə malik aktiv-induktiv yük qoşulmuşdur (şək.7.31).
Sxemdə tam idarə olunan elektron açarların olması invertorun müxtəlif iş rejimlərini təmin etməyə imkan verir.
Şək.7.31. İGBT əsasında qurulan avtonom gərginlik invertoru
İnvertorun ümumi iş prinsipini nəzərdən keçirək. Tiristorlu körpülü sxemdə olduğu kimi bu sxemdə də bərabər zaman intervallarında diaqonal üzrə yerləşmiş tranzistorların cüt-cüt qoşulması hesabına yükdə dəyişən cərəyan gərginliyi formalaşır.
İdarəetmə siqnalları təsir etdikdə T1 və T4 tranzistorları açılır, aktiv- induktiv yükdən qida mənbəyinin “+” qütbündən “-“ qütbünə yönəlmiş cərəyan
axır. Sarğacda baş verən öz-özünə induksiya hesabına onun uclarında e.h.q. yaranır. Bu zaman D2 diodunun anodundakı potensial onun katodundakı, yəni qida gərginliyinin “+” qütbündəki potensialdan çox, D3 diodunun katodundakı potensial onun anodundakı potensialdan, yəni qida gərginliyinin “-” qütbündəki potensialdan az olduğundan D2 və D3 diodları açılır, və bu hesaba sarğacda toplanmış enerji mənbəyə qaytarılır və nəticədə öz-özünə induksiya e.h.q.-si hesabına yükdə cərəyanın artmasının qarşısı alınır.
T2 və T3 tranzistorlarına uyğun idarə etmə siqnalları verildikdə bu tranzistorlar açılır və D2 və D3 diodları bağlanır. Eyni vaxtda T1 və T4 tarnzistorlarından idarəetmə siqnalları götürüldüyündən bu tranzistorlar bağlanır, sarğacda öz-özünə induksiya yarandıqda D1 və D4 diodları açılır və bu hesaba sarğacda toplanmış enerji mənbəyə qaytarılır.
İGBT tranzistorların rəzələrinə (zatvorlarına) təsir edən idarəetmə siqnalları dövri dəyişdikcə tranzistor cütlərinin dövri açılıb-bağlanması prosesi təkrarlanır və nəticədə yükdə dövri dəyişən gərginlik formalaşır.
İGBT və ümumiyyətlə bütün növ tranzistorlar əsasında qurulan invertorların ən ciddi problemi sxemdə ardıcıl birləşmiş tranzistorların (T1 və T3, T2 və T4 tranzistorlarının) cərəyan qütblərinin dəyişmə anlarında bir müddət eyni vaxtda qoşulu olmasıdır. Bu halda tranzistorlardan birbaşa keçən adlanan kəskin cərəyan axır və bu cərəyan tranzistorları sıradan çıxara bilər. Bu problemi aradan qaldırmaq üçün idarəetmə siqnallarının sürüşdürülməsini həyata keçirən xüsusi sxemotexniki tədbirlər görürlər.
İGBT tranzistorları əsasında qurulan invertorların əsas üstünlüklərindən biri də yükdə müxtəlif uzunluğa malik olan gərginlik impulslarının formalaşdırıla bilməsidir.
Sxemin qeyd olunan bu xassəsi müxtəlif uzunluqlu, tezlikli və işarəli impulsları istifadə etməklə yükdə orta qiyməti tələb olunan qanun üzrə dəyişən gərginlik yaratmağa imkan verir.
İmpulsun uzunluğunu dəyişməklə gərginliyin dəyişdirilməsi eninə-impuls modulyasiyası, tezliyinin dəyişdirilməsi hesabına gərginliyin dəyişdirilməsi isə tezlik-impuls modulyasiyası adlandırılır.
Modulyasiya adətən, böyük tezliklərdə yerinə yetirilir (onlarla kilohers), ona görə də yükdə alınan modulyasiyalı gərginliyin yüksəktezlikli dəyişən toplananının filtrasiyası elə bir böyük problem yaratmır və nəticədə gərginliyin seçilmiş qanun üzrə rəvan dəyişdirilməsi təmin olunur.
T1 və T4, T2 və T3 tranzistor cütlərinə uyğun idarəetmə siqnallarını verməklə yükdə sinusoidal formalı gərginlik formalaşdırmaq olar (şək. 7.32). Filtrasiyadan sonra yükdə qırıq-qırıq xətlərlə göstərilmiş sinusoidal şəkilli gərginlik yaratmaq olar.
Üçfazalı körpü gərginlik invertorları quruluşuna və iş prinsipinə görə birfazalı invertorlara oxşardır. Bu invertorların əsasını 6 ədəd əks diodlu tranzistor təşkil edir. Belə invertor tələb olunan tezliyə malik olan üç fazalı sinusoidal gərginliyin formalaşdırılmasını təmin edir.
Şək. 7.32
|
| |