MT da yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish

|
MT da yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish
|
bet | 7/9 | Sana | 21.05.2024 | Hajmi | 0,98 Mb. | | #248318 |
Bog'liq 1-tajriba E va S2 SIRTQIMT da yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish.
Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistorda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq qilish va parametrlarini o‘lchash.
Qisqacha ma’lumot. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlar yoki kanali qurilgan MOYa–tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar sxemalarda ko‘pincha kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi. Ushbu holat MT larning tubanda keltirilgan jihatlari bilan bog‘liq:
- bularda yuqori Om li signal manbai bilan moslashtirishda ularning katta kirish qarshiligiga egaligi ko‘l keladi;
- shovqin koeffitsiyentining kichikligi kuchsiz signallarni kuchaytirishda imkon beradi;
- temperatura o‘zgarishlariga nisbatan barqaror ishchi nuqtada olish imkoni mavjud.
MT asosida UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskadi. n - kanali p - n o‘tish bilan boshqariladigan UI ulangan kuchaytirgich kaskadning printsipial sxemasi 5.6.1-rasmda keltirilgan.
Kirish signali manbai UG ajratuvchi kondensator C1 orqali, yuklama qarshiligi RS esa kaskadning chiqishiga C2 ajratuvchi kondensator yordamida ulangan. Zatvorning umumiy shina bilan galvanik bog‘lanishi RZ≈1 MOm rezistor orqali amalga oshiriladi. Bu galvanik aloqa zatvordagi manfiy siljituvchi kuchlanishni hosil qilish uchun zarur.
5.6.1-rasm. UI sxema asosida ulangan kuchaytiruvchi kaskad sxemasi.
Bu kabi tranzistorning ishlash tamoili kanal qarshiligini p–n o‘tishga teskari siljitish berib o‘zgartirishga asoslangan bo‘ladi. N - kanalli tranzistor uchun kuchlanish manbai +EM, zatvorga esa RI qarshilikdagi manfiy kuchlanish tushishini beriladi. Agar bitta kuchlanish manbai ishlatilsa zatvorning UZI kuchlanishni sokinlik rejimida avtomatik siljituvchi RICI ni ta’minlaydi. UZI kuchlanish RI qarshilikda IS sokinlik toki o‘tishi hisobiga hosil bo‘ladi: UZI = - IS ·RI. Keng dinamik diapazonga ega bo‘lgan kuchaytirgich holatida, ya’ni kirish signali amplitudasi bir necha voltni tashkil etganda, tabiiyki UZI kuchlanishning sokinlik rejimdagi qiymati UZI.BERK va UZI.maks kuchlanishlar yig‘indisining yarmiga, ya’ni UZI = 0,5(UZI.BERK+UZI.maks) ga teng.
Sokinlik rejimda UZI va IS qiymatlarini stok-zatvor xarakteristikasidan aniqlab, RI ning qiymatini topish qiyin emas.
Qaralayotgan sxemada RI rezistor ikkita vazifani bajaradi. Birinchidan, u sokinlik rejimida ishchi nuqta boshlang‘ich holatini ta’minlaydi hamda ikkinchidan, unga nagruzka toki bo‘yicha (UE ulangan sxemada RE kabi) ketma-ket manfiy TA ni kiritadi. Bu o‘z navbatida kaskad kuchaytirish koeffitsiyentining kamayishiga olib keladi va natijada sokinlik rejimini temperatura bo‘yicha barqarorlashtiradi. O‘zgaruvchan tok bo‘yicha manfiy TA ni yo‘qotish uchun RI rezistor CI kondensator bilan shuntlanadi.
A rejimda ishlovchi kuchaytirgichlar uchun sokinlik rejimida tranzistorning istoki va stoki orasidagi kuchlanish USI = IS·RS teng qilib olinadi. Bunda EM = USI + IS RS + IS RI ning qiymati USI.maks (pasport ko‘rsatmasi) dan ortmasligi kerak.
Katta signal rejimi uchun kuchaytirgichning statik uzatish xarakteristikalarini uchta paramertlarini IS, UZI, UKSI o‘zaro bog‘lovchi umumlashgan grafik sifatida ifodalash mumkin bo‘ladi. BC264D tipli tranzistorli kaskadning parametrlari EM=15 V, RS=2,5 kOm bo‘lgandagi umumlashgan grafigi 5.6.2-rasmda keltirilgan.
Bunda A nuqta koordinatalari bir vaqtning o‘zida barcha uchta parametrlar: chiqish toki hamda kirish va chiqish kuchlanishlarini belgilaydi. Bu yedda berilgan signal amplitudasi uchun kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentini topish mumkin bo‘ladi.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MT larni qo‘llab yo‘li bilan ham oshirsa bo‘ladi. Bunday sxemalarni yaratishda p–n o‘tish bilan boshqariluvchi maydoniy tranzistorlarni qo‘llash afzal, chunki odatda ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq bo‘ladi.
5.6.2 - rasm. UI asosida ulangan n – kanali p – n o‘tish yordamida boshqariladigan MT ning umumlashgan dinamik xarakteristikalari.
Kanalini p–n o‘tish yordamida boshqariladigan n–kanalli MT lar asosidagi DKning odatiy sxemasi 5.6.3-rasmda virtual muhitdagi sxemasi 5.6.4-rasmda keltirilgan. Tokning qiymatini belgilovchi BTG VT3 tranzistor hamda RI rezistor asosida hosil qilingan. RSIL1 va RSIL2 rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga boshlang‘ich siljitish kuchlanishi berish uchun xizmat qiladi. DK ning kirish qarshiligi teskari ulangan p - n o‘tishning differentsial qarshiligidan iborat bo‘lib, uning qiymati 108 ÷ 1010 Om intervalida bo‘ladi.
Ba’zi hollarda DK kirish qarshiligini oshirish maqsadida n–kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tipdagi BT dan iborat tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DK larning barcha ko‘rilgan turlari har xil OK lar kirish kaskadi sifatida ishlatiladi.
5.6.3-rasm. MT lar asosidagi DK sxemasi.
5.6.4-rasm. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgich sxemasi.
O‘lchash va hisoblash natijalari asosida 5.6.1-jadval to‘ldiriladi.
5.6.1-jadval.
Ryu, kOm
|
0,1
|
0,2
|
0,3
|
0,4
|
0,5
|
0,6
|
0,7
|
0,8
|
0,9
|
1
|
1,1
|
1,2
|
1,3
|
1,4
|
1,5
|
Uyu, V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iyu, mA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ig
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
δ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |