nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Energiya tejamkorlik sohasidagi asosiy tushunchalar va atamalar

|
Energiya tejamkorlik sohasidagi asosiy tushunchalar va atamalar
|
bet | 1/6 | Sana | 30.05.2024 | Hajmi | 291,78 Kb. | | #257902 |
Bog'liq ENERGIYA TEJAMKORLIK SOHASIDAGI ASOSIY TUSHUNCHALAR VA ATAMALAR
ENERGIYA TEJAMKORLIK SOHASIDAGI ASOSIY TUSHUNCHALAR VA ATAMALAR
REJA:
1. Kirish.
2. Energiya tejamkorlikka tegishli asosiy tushunchalar va atamalar.
3.Energiya tejamkorlikka erishishning passiv uculi.
4.Energiya tejamkorlikka erishishning aktiv usuli. 5.Sanoat qurilmalari EMT va komplekslarida energiya tejamkorlikka erishish
Kirish
Hozirgi kunda energetika resurslaridan samarali foydalanishga dunyoning barcha mamlakatlarida katta ahamiyat berilmoqda. Bunday holatni yoqilg`i va energiya resurslarini qazib chiqarish va qayta ishlash uchun sarmoyalar sarfini oshib borishi, qo`shimcha mehnat resurslari va materiallar sarfinining oshib borishi bilan izohlash mumkin.
XX asr oxiri va XXI asr boshida butun dunyoni qamrab olgan energetik krizis sanoati rivojlangan mamlakatlarda organik yoqilg`i va elektr energiyani iqtisod qilish maqsadida davlat dasturlari ishlab chiqilishiga va hayotga tadbiq qilish bo`yicha ilmiy va amaliy ishlarni rivojlantirish uchun sabab bo`ldi.
Xalqaro iqtisodiy tashkilotlardan nufuzlisi Yevropa iqtisodiy hamkorlik va rivojlanish (YIHR) tashkilotining hisob-kitoblariga qaraganda, energetika resurslarining qazib chiqarishdan to foydali energiya sifatida istye’molchiga yetib kelishi orasida deyarli 70% isrof bo`lmoqda, faqat 30% gina iste’molchiga yetib kelmoqda. Ma’lumki, Yevropa mamlakatlarida sarf bo`lgan 5 mlrd. tonna shartli yoqilg`ining 1,5 mlrd. tonnasigina «Foydali energiya» sifatida istye’molchilarga yetib borgan, xolos.
Xalqaro energetika agentligi (XEA)ning ma’lumotlariga ko`ra shu tashkilotga kiruvchi sanoati rivojlangan 20 davlatda energiyadan tejamkorlik bilan foydalanish to`g`risidagi dastur bo`yicha energiyani iqtisod qilish 10-15% kutilgan edi va bu davlatlar o`z dasturlarini to`liq bajarib, xuddi shu ko’rsatkichlarga erishdilar.
O`zbekiston Respublikasi mustaqillikka erishgandan sung MDH davlatlari ichida birinchilar qatorida energiyadan samarali foydalanish to`g`risida qonun qabul qildi. Bu qonun yoqilg`i va energetika resurslaridan foydalanish va ishlab chiqarishning barcha sohalarida barcha energiya turlaridan samarali foydalanish uchun huquqiy asos bo`lib xizmat qilmoqda.
|
| |
Ta’limiy axborot resurslari va elektron tizimlar

|
Ta’limiy axborot resurslari va elektron tizimlar
|
Sana | 10.01.2024 | Hajmi | 12,5 Kb. | | #134180 |
2.1. Boshqaruvda AKTdan foydalanish
Ta’limda axborot va interaktiv davlat xizmatlari.
O‘zbekiston Respublikasida axborot-kommunikatsiyaga tegishli direktiv hujjatlar.
Ta’limiy axborot resurslari va elektron tizimlar.
Elektron hujjat aylanish tizimlari va ulardan foydalanish amaliyoti.
Yagona interaktiv davlat xizmatlaridan foydalanish.
Yagona identifikatsiya tizimi (OneID) orqali resurslardan foydalanish imkoniyatlari.
Kasbiy faoliyatda bulutli texnologiyalar (Google, DropBox va boshqalar) va ularni ta’lim jarayonida qodlash usullari.
AKT vositalari va Internet resurslaridan boshqaruv faoliyatida foydalanish.
|
| |
Bob. Grid texnologiyasi va uning tuzilishi. Grid hisoblash

|
Bob. Grid texnologiyasi va uning tuzilishi. Grid hisoblash
|
bet | 1/8 | Sana | 13.05.2024 | Hajmi | 0,97 Mb. | | #230311 |
Bog'liq Botirov Jahongir 2-mustaqil ish
MUNDARIJA:
Kirish.
Bob. Grid texnologiyasi va uning tuzilishi.
Grid hisoblash.
Panjara tizimlarining tuzilishi.
CERN Grid tizimining tuzilishi.
Bob. Grid konsepsiyasi. Buyruqlar tizimi arxitekturasi klassifikatsiyasi.
Grid konsepsiyasi.
Buyruqlar tizimi arxitekturasi klassifikatsiyasi.
Metahisoblash.
Xulosa.
Foydalanilgan adabiyotlar.
Kirish.
Grid texnologiyalari va metahisoblash bir-biriga yaqin bog'liq tushunchalar, lekin nominalari va turli vazifalarni bajarish usullari jihatidan farq qiladi.
Grid texnologiyalari, mazkur tarmoq loyihalaridagi boshqa vositalardan foydalanib, boshqaruv, ma'lumot almashinuvi va mazkur tarmoqda ishlaydigan komponentlar orasidagi ko'rsatuvlarni amalga oshiradi. Bu tizimlarda ma'lumotlar, aylanuvchi komponentlar orasida ulanish va sizga kerakli ko'rsatuvni ta'minlash uchun modullar, tizimlar va resurslar ijaraga olinadi.
Metahisoblash esa, ma'lumotlarni tahlil qilish va natijalarni qayta ishlash jarayonlari bilan bog'liq. Bu, matematik algoritmlar va ustunlikdagi hisobotlar yordamida ma'lumotlarni analiz qilishga imkon beradi. Metahisoblash algoritmlari, maqsadga muvofiq ma'lumotlarni aniqlash, natijalarni taxminlash, to'g'ri xususiyatlarni aniqlash va ta'lim jarayonlarini o'tkazishga yordam beradi.
Grid texnologiyalari metahisoblashga muhim yordam beradi, chunki tarmoqdagil ma'lumotlar katta miqdorda olib boriladi va ma'lumotlar o'zaro bog'liqligi mavjud bo'lishi mumkin. Metahisoblash, tarmoqdagi olib borilayotgan ma'lumotlarni tahlil qilish va maqsadga muvofiq natijalarni olishda grid texnologiyalaridan foydalangan holda samaradorlikni oshirishi mumkin.
Bu ko'rsatuvlar va vositalar, olmosh ma'lumotlarini katta serverlarga jo'natish, kengaytirilgan ishlab chiqarishlarni bajarish, ma'lumotlar o'rganish va ma'lumotlar asosida muammolarni aniqlash kabi vazifalarni amalga oshirishda foydali bo'ladi.
Bundan tashqari, metahisoblash, ma'lumotlarni tarqatish, yig'ish va ulanish jarayonlarini optimallashtirishga yordam beradi, shuningdek, grid texnologiyalari orqali kengaytirilishning mavjud tarmoq infrastrukturasi va kompyuterlarining samaradorligini oshirish uchun tizimlarini kengaytirish imkonini beradi.
Shuning uchun, grid texnologiyalari va metahisoblash bir-biriga qo'shinlikilari bor, chunki ular birgalikda katta ma'lumotlar va asosiy hisobotlarni ishlab chiqarishda kuchli, samarador usulni yaratish imkonini beradi.
|
| |
Bixeviorçu metod - Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar

|
Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar
|
bet | 3/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
Bixeviorçu metod siyasi hadisələri ayrı-ayrı insanların, yaxud qrupların fəaliyyətində (davranışında) təcəssüm etmiş halda öyrənir. Şəxsiyyətin siyasi davranışının müşahidə edilməsi ya bilavasitə müşahidə, ya da dolayı yolla məlumat toplamaqla (eksperiment, anket və s.) empirik informasiya əldə etmək məqsədini güdür. Bu zaman üç başlıça üsuldan istifadə olunur: siyasi fəallığın statik tədqiqi, anket tədqiqatı və müsahibə, laboratoriya eksperimenti.
Müqayisəli təhlil metodu. Onun mahiyyəti siyasi proseslər və təsisatlar arasında oxşar və fərqli çəhətləri aşkara çıxartmaqdır. Müqayisə metodu müəyyən şərtlər daxilində tətbiq edilə bilər: a)müqayisə eynicins siyasi sistemlər arasında aparılmalıdır, məsələn, prezident idarə üsulu qərarlaşmış ölkənin siyasi sistemini bu cür idarə üsulu mövçud olan ölkənin siyasi sistemi ilə müqayisə etmək olar; b/müqayisə seçilmiş obyektlərin yalnız təsviri ilə kifayətlənməməli, onların daha geniş perspektivli və əhatəli müqayisəli təhlilinə əsaslanmalıdır.
|
| |
Ümumməntiqi metodlar - Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar

|
Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar
|
bet | 2/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
1.Ümumməntiqi metodlar: analiz və sintez, abstraktlaşdırma, ümumiləşdirmə, induksiya, deduksiya, analogiya və modelləşdirmə;
2.Nəzəri metodlar: fikri eksperiment, riyazi formallaşdırma, aksiomatik metod, abstraktdan konkretə, hipotez-deduktiv metod, tarixi təsvir metodu və s. Politologiyada sistem metodu geniş istifadə olunur. Kibernetika və informasiya nəzəriyyəsindən əxz olunan bu metodun köməyi ilə tədqiqat obyekti bütöv bir tam kimi qavranılır və onun ayrı-ayrı hissələri hərtərəfli öyrənilir. Sistem təhlili aşağıdakı ünsürləri əhatə edir: 1.Sistem. Siyasi həyat davranış sistemi kimi qavranılır. 2.Mühit. Sistem mühitə daxildir və onun təsirinə məruz qalır. 3.Cavab reaksiyası. Sistemdə baş verən proseslər və dəyişikliklər sistem üzvlərinin bu və ya digər təsirlərə cavabı, alternativ davranışı nəticəsində ortaya çıxır. Politologiyada sistem metodu üç səviyyədə tətbiq olunur: -bütöv bir tam kimi siyasi sistemlər (dünya təsərrüfat sistemi, ayrıca bir ölkənin siyasi sistemi və s.); -ayrı-ayrı qlobal sistemlərin hissələri - yarımsistemlər (partiya sistemləri, yerli hakimiyyət sistemi və s.);
-siyasi sistem elementləri (siyasi partiyalar, hökumət, vətəndaş və s).
|
| |
Politologiya idarəetmə funksiyasını yerinə yetirir

|
Politologiya idarəetmə funksiyasını yerinə yetirir
|
bet | 6/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
Politologiya idarəetmə funksiyasını yerinə yetirir. Siyasi inkişafın meyllərini və istiqamətlərini göstərən politologiya səmərəli siyasi rəhbərliyi həyata keçirmək və sosial prosesləri idarə etmək üçün konkret informasiya və tövsiyələr verir. Bunlar həm insanların obyektiv həyat fəaliyyəti şərtlərini, həm də subyektiv amilləri: siyasi motivləri, məqsədləri, mənafeləri, ideoloji təsəvvürləri, arzu və niyyətləri və i.a. əhatə edir. Deyilənlərdən əlavə, politologiya ideoloji, dünyagörüşü, maarifçi və s. funksiyaları yerinə yetirir.
|
| |
Detektiv janrining strukturaviy va kompozitsion

Detektiv janrining strukturaviy va kompozitsion
Download
0,59 Mb.
Matnni ko'rish
bet
1/4
Sana
16.01.2024
Hajmi
0,59 Mb.
#138929
Download
0,59 Mb.
Matnni ko'rish
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Dərs
Mühazirə
Qaydalar
Referat
Xülasə
Yazı
Detektiv janrining strukturaviy va kompozitsion
Download
0,59 Mb.
Matnni ko'rish
Ən mühüm metodlardan biri

|
Ən mühüm metodlardan biri
|
bet | 4/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
Ən mühüm metodlardan biri qərarın qəbul edilməsi metodudur. Buna aiddir: qərarın qəbul edildiyi mərkəz (siyasi fəaliyyət subyekti); qərarın qəbul edilməsi prosesi; siyasi qərar; siyasi qərarın reallaşdırılması. Politologiyanın cəmiyyət həyatında oynadığı rol onun yerinə yetirdiyi funksiyalarda öz əksini tapır. Bunlar aşağıdakılardır: təsvir, izahetmə, gələcəyi görmə, idraki, idarəetmə, tərbiyə və s. Təsvir funksiyası siyasi reallıqda mövçud olan problemlərin qeydə alınmasını nəzərdə tutur. Lakin o, təkcə bununla bitmir, belə ki, siyasi problemləri qeydə alan tədqiqatçı bu zaman dəqiq normativ qiymət standartlarından istifadə etmək əsasında müvafiq tövsiyələr verir. Beləliklə, siyasi prosesləri qeydə almaqla, politoloq siyasi reallığın xarakterini müəyyən edir və bununla da politoloji təhlilin əsasını qoymuş olur. Aydındır ki, politoloji təhlil yalnız təsvirdən ibarət deyildir. Siyasi reallığın elə problemləri olur ki, onların mənası hamı üçün (və
yaxud, əksəriyyət üçün) aydın olur. Əksər hallarda isə siyasi proseslər çox mürəkkəb və ziddiyyətli olur. Onların mənasını açmaq və həlli yollarını göstərmək dərin nəzəri təhlil tələb edir. Həmin vəzifəni politologiyanın izahetmə (interpretasiya) funksiyası yerinə yetirir. Bu funksiya əsas etibarilə siyasi problemlərin yaranma səbəblərini və nəyə görə məhz o cür olduğunu izah edir.
Politoloqun adi kənar müşahidəçidən fərqi(üstünlüyü) məhz burada aşkar olur. Politoloqların fikrincə, siyasi həyatda birmənalı, birdəfəlik və həmişəlik bərqərar olmuş qanunauyğunluqlar deyil, cəmiyyətin, siyasi sistemlərin ümumi inkişaf meylləri, dəyişən kəmiyyətlər (müxtəlif cür mənafelər, ənənələr, müxtəlif ictimai-siyasi qüvvələrin mütəşəkkillik səviyyəsi, adamların əhval-ruhiyyəsi, onların məlumat - lı lıq dərəcəsi və i. a.) vardır. Onların qarşılıqlı təsiri siyasi inkişafın müəy yən vektorunu təşkil edir və onu 5-10 ildən artıq bir müddətə proqnozlaşdırmaq mümkün deyildir. Bununla belə, bir çox başqa elmlər kimi, politologiya da gələcəyi görmək qabiliyyətinə malikdir. Daha dəqiq desək, siyasi təhlil yalnız problemləri sadəcə olaraq qeydə alıb onları təhlil etməklə kifayətlənmir, o, siyasi reallığın inkişaf meyllərini və mümkün nəticələrini göstərir.
Nəhayət, politoloq dəqiq informasiyaya əsaslanaraq, siyasətdə arzuedilən nəticələri əldə etmək üçün hansı tədbirlərin həyata keçirilməsini (qərarların qəbul edilməsini) təklif edir.
|
| |
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi

Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi
www.tadqiqotlar.uz
3-to’plam 1-son yanvar 2024
67
Foydalanilgan adabiyotlar:
1.
“Alvido, bolalik”.T.Malik.-Toshkent: Yoshlar nashriyoti uyi,2019y.
2.
Xamidovna, N. N. (2021). APPROACHES TO LEXICAL
CONNOTATIONS, ACADEMICIA: An International Multidisciplinary Research
Journal, 1721-1726.
3. Navruzova, N., &Haydarov, A. (2022). КОННОТАТИВНЫЕ
ЗНАЧЕНИЯ, СВЯЗАННЫЕ С ЗВУКОВЫМИ ИЗМЕНЕНИЯМИ. ЦЕНТР
НАУЧНЫХ
ПУБЛИКАЦИЙ
(buxdu.Uz),
8(8).
http://journal.buxdu.uz/index.php/journals_buxdu/article/view/4462
4. Наврузова, Н. Х. (2022). KONNOTATIV MA’NONING BADIIY
ASARLARDA IFODALANISHI: Navruzova Nigina Xamidovna, Buxoro davlat
universiteti Ingliz tilshunosligi kafedrasi o’qituvchisi. Образование и
инновационные исследования международный научно-методический журнал,
(7). https://www.interscience.uz/index.php/home/article/view/1490
5. ziyouz.com
|
Milli mənafe nəzəriyyəsi - Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar

|
Mühazirə Fənn: Politalogiya Müəllim Sərvərov Bəxtiyar
|
bet | 39/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
Milli mənafe nəzəriyyəsi beynəlxalq münasibətləri tarixi, hüquqi, əxlaqi və digər normativ kateqoriyalar kontekstində nəzərdən keçirməyə üstünlük verir. Bu konsepsiyanın başlıca ideya istiqamətini milli mənafelərin beynəlxalq mənafelərdən üstünlüyü tezisinin əsaslandırılması təşkil edir. Milli mənafe həm dövlətin, millətin mövcudluğu ünsürü kimi obyektiv, həm də dövlətin xarici siyasətinin məqsəd və vəzifələrini nəzərə alan subyektiv amil kimi dəyərləndirilir. Beynəlxalq aləmdə dövlətin bütün fəaliyyətinin qəti şəkildə milli mənafe vəzifələrinə tabe edildiyini iddia edən bu təlim ümumbəşəri dəyərləri, xüsusilə də beynəlxalq hüquq normalarını lazımınca qiymətləndirmir.
Münaqişə nəzəriyyəsi beynəlxalq münasibətləri dövlətlər və dövlətlər sistemləri arasında münaqişələr, gərginlik kimi kateqoriyalara müncər edir. Bu konsepsiyanın yayılmasına 1960-cı illə rin "soyuq müharibəsi" müsbət təsir göstərmişdir. "Soyuq mühari - bə" ehtiraslarının soyuması ilə münaqişə nəzəriyyəsi də əvvəlki möv - qe lə rini əldən verməli oldu.
Beynəlxalq münasibətlər sahəsində ayrı-ayrı dövrlərdə az- çox əhəmiyyətli rol oynamış və siyasi praktikaya müəyyən təsir göstərmiş beynəlxalq sistemlər nəzəriyyəsi, qərarlar qəbul edilməsi nəzəriy yəsi, bloklara qoşulmamaq nəzəriyyəsi, beynəlxalq təşkilatlar nəzəriyyəsi, beynəlxalq rollar nəzəriyyəsi və digər təlimlər mövcuddur.
|
| |
Politologiya mühüm idraki funksiya yerinə yetirir

|
Politologiya mühüm idraki funksiya yerinə yetirir
|
bet | 5/39 | Sana | 09.03.2021 | Hajmi | 164,33 Kb. | | #13199 |
Politologiya mühüm idraki funksiya yerinə yetirir. Bu, siyasi inkişaf meyllərinin öyrənilməsi, müxtəlif siyasi hadisələrin, proseslərin dəyişilməsi ilə bağlıdır. İnsanlar hansı cəmiyyətdə yaşadıqlarını bilməlidirlər. Onların siyasi sistemin tamhüquqlu üzvü kimi sosial və siyasi funksiyalarını rasional şəkildə yerinə yetirmələri hər şeydən əvvəl siyasi biliklərinin, məlumatlarının səviyyəsindən aslıdır. Politologiya siyasətin subyekti olan fərdlərin siyasi dünyagörünüşünü formalaşdırır, onların siyasət, siyasi təsisatlar haqqında təsəvvürlərini zənginləşdirir. Politologiyanın verdiyi biliklər tərbiyəvi əhəmiyyət kəsb edir. Bunu hər bir politoloq öz fəaliyyətində nəzərə almalı və mülahizələrində obyektiv olmağa çalışmalıdır. Bu sözlər, fikrimizcə, çoxsaylı tələbə auditoriyasına daxil olan politoloq-müəllimə daha çox aiddir. Bu yerdə müasir politologiya elminin klassiki M. Veberin aşağıdakı sözləri yada düşür. O yazırdı ki, tələbələr auditoriyada siyasətlə məşğul olmamalıdırlar. Müəllim də öz növbəsində auditoriyada olarkən siyasətlə məşğul olmamalıdır. Bu onun siyasət sferasını bir alim kimi tədqiq etdiyi məqamlara daha çox aiddir. Çünki həqiqətdə siyasi məqsədlər və siyasi qurumların, partiya mövqelərinin elmi təhlili başqa-başqa şeylərdir.
|
| |
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi

|
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasiBog'liq MAQOLAAAAAAAAAA
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi
www.tadqiqotlar.uz
3-to’plam 1-son yanvar 2024
65
bir yoki bir nechta noma'lum tenglama
≫ Iste'dodli detektiv hikoyalarda, o‘quvchiga
ushbu tenglamani unga taqdim etilgan ma'lumotlardan foydalangan holda mustaqil
ravishda hal qilish imkoniyati beriladi, bu aqliy mehnatni talab qiladi. Shunday qilib,
detektiv o‘qish qiyin arifmetik muammolarni hal qilishga o‘xshaydi.
≪ Detektiv ≫ (
≪ detego ≫ dan - ochaman, fosh qilaman) atamasi birinchi marta amerikalik
yozuvchi Anna Ketrin Grin (1846-1935) tomonidan kiritilgan, u juda haqli ravishda
" detektivning onasi " deb hisoblanadi . Uning birinchi detektiv romani " Leavenworth
ishi ", 1878 yil katta muvaffaqiyatga erishdi. Yevropada shuhrat qozongan bu adabiy
yo‘nalish o‘zbek adabiyotiga biroz kechroq kirib keldi.
Bu yo‘nalishda eng sermahsul ijod qilgan yozuvchi shubhasiz Tohir Malikdir.
Tohir Malik ijodida detektiv tarzi alohida ahamiyat kasb etadi. Adib bu yo‘nalishga
asos soluvchilardan biridir. "Alvido, bolalik" va "Charxpalak" qissalari kitobxonlar
tomonidan yaxshi kutib olinib, yillik mukofot bilan taqdirlangach, u "Shaytanat"
romani ustida ish boshladi. Asarning to’rt kitobi o’n besh yil davomida yozilib, ko’p
nusxada nashr etildi va yigirma qismli filim ishlandi. Yozuvchi asarga nuqta qo‘yish
erta deb hisoblab, 2011 yilda asarning beshinchi kitobini nashr ettirdi. Bu o‘rinda
uning "Murdalar gapirmaydilar", "O‘lim uchburchagi", "Talvasa" kabi asarlari
yozildi.
Yozuvchi asarlarini o‘qigan kitobxon tasvirlangan eng yomon odamdan ham
butkul nafratlanmaydi, aksincha, qismatiga achinadi. Nega shunday? Chunki
yozuvchi insonlarni, ularning ichki kechinmalarini, ruhiyatlarini sinchiklab o‘rganadi
va kitobxonni ham mana shu ruhiyat olamiga olib kiradi. Uni shu holga solgan
sabablarni tahlil qilishga va xulosa chiqarishga yo‘naltiradi.
"Alvido, bolalik" va "Talvasa" yozuvchi ijodida alohida o‘rin tutadi. Asardagi
asosiy g‘oya - hech kim jinoyatchi bo’lib tug‘ilmaydi, bolani atrof muhit, jamiyatdagi
turli illatlar jinoyatchiga aylantiradi.
1
"Men o‘smirlar va yoshlarning jinoyat
ko‘chasiga kirib qolayotganiga befarq qarab turolmayman,-deydi adib.
-Bolalar ahloq tuzatish koloniyalariga har borganimda yuragim eziladi. Ozod,
1.
1
“Alvido, bolalik”.T.Malik.-Toshkent: Yoshlar nashriyoti uyi, 2019y.
|
| |
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi

|
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasiBog'liq MAQOLAAAAAAAAAA
Ta'limning zamonaviy transformatsiyasi
www.tadqiqotlar.uz
3-to’plam 1-son yanvar 2024
66
erkin yashab, o‘qib, hunar o‘rganadigan yoshdagi bolalar bu yerga qanday tushib
qoldilar?! Nahot jinoyat olami ularga jozibali ko‘rinsa?! Men jinoyat olamini
"Shaytanat", ya'ni "shaytonlar qurshovidagi zulmkorlar olami ",- deb atab
"Ehtiyot bo’ling, jigarlarim, bu ko’chaga yaqin yo’lamang. Boshi berk bu
ko’chaning adog‘ida faqatgina azobli, xorli o‘lim topasiz",- demoq niyatida yozdim.
Yozganlarimni ogohlantirish, deb qabul qilishlaringizni istardim".
"Alvido, bolalik" sahnalashtirilib, Yosh tomoshabinlar teatrida 600 martadan
ziyod o‘ynaldi va hanuz namoyish etilyapti. Shuningdek, Andijon, Sirdaryo,
Qashqardaryo teatrlarida ham sahnalashtirildi.
Tohir Malik tarjimachilik sohasida ham qalam tebratgan. Karlo Gotssi, Lev
Tolstoy, Fyodor Dostoevskiy, Vladimir Ikskul, Chingiz Aytmatov, Ahliyor Hakimov
va turk hamda bulg‘or adiblari asarlarini o‘zbek tiliga tarjima qilgan.
Adib kinodramaturgiya sohasida ham barakali ijod qildi.
Tohir Malik tahririyatlardagi faoliyatini talabalik yillari boshlagan. Hozir
"Tong yulduzi" deb nomlanuvchi bolalar gazetasida adabiy xodim, bo‘lim boshlig‘i
vazifasida ishladi. Universitetdagi o‘qishi yakunlangach, harbiy xizmatda bo‘ldi.
So‘ng respublika radiosida, "Cho‘lpon" va G‘afur G‘ulom nomidagi nashriyotlarda,
"Guliston", "Sharq yulduzi", "Yoshlik" jurnallarida bo‘lim boshliqi, mas'ul kotib,
Bosh muharrir lavozimlarida ishladi. Keyingi o‘n besh yil davomida Ichki Ishlar
Vazirligi Akademiyasida o‘zbek tilidan dars beradi.
Yozuvchining bir qator asarlari kitobxonlar orasida o‘tkazilgan so‘rov asosida
turli yillarda yillik mukofotlar bilan, xususan G‘afur G‘ulom nomidagi mukofotlar
bilan taqdirlangan.Yoshlar tarbiyasiga oid asarlari inobatga olinib "Maorif fidoyisi"
unvoni berilgan. Shuningdek, O‘zbekiston Respublikasi Prezidenti farmoni bilan
"Do‘stlik" ordeni va "O‘zbekiston xalq yozuvchisi" faxriy unvoni bilan taqdirlangan.
Bir so‘z bilan aytganda Tohir Malikni o’zbek detevtivining eng yorqin yulduzi va
asoschilaridan biri deb e’tirof etsak mubolag‘a bo‘lmas.yozuvchi garchi qora
bo‘yoqlardan foydalanib jinoyat va zulm haqida yozsa-da, adabiyotning asl
vazifasidan bir qadam ham chetga chiqmadi. Ya’ni, kitobxon qalbida yaxshilikka
muhabbat, yozuvlikka nafrat uyg‘ota oladi.
|
| |
Mikro kavsharlash asoslari va mikro kavsharlashning texnologik tavsifi

|
Mikro kavsharlash asoslari va mikro kavsharlashning texnologik tavsifi
|
Sana | 03.12.2023 | Hajmi | 474,6 Kb. | | #110296 |
Bog'liq Документ Microsoft Word
Mikro kavsharlash asoslari va mikro kavsharlashning texnologik tavsifi.
Ayni damda insonlar hayotini zamonaviy texnika va texnologiyalarsiz tas’avvur qilishi judayam qiyin, zero aqilli gadjetlardan tortib, turli maishiy jihozlargacha hayotimizning ajralmas qismiga aylanib ulgurgan desak mubolag‘a bo‘lmaydi. Yuqorida nazarda tutilgan barcha texnologiya maxsullarining miyyasi sifatida yuritiladigan mikro sxemasi hozirgi kungacha bir qancha yangilanish va murakkablanishga ega bo‘lsada, ularni tayyorlashda mikro kavsharlashdan foydalanilmoqda. Bundan ko‘rinadiki, mikro kavsharlash sohasini hamda uning texnologik tavsifini o‘rganish va uni takomillashtirish yo‘llarini yaratish o‘z dolzarbliligini ancha vaqtlar mobaynida yo‘qotmaydi.
Dastlab kavsharlashning o’ziga to‘xtaladigan bo‘lsak, kavsharlashga adabiyotlarda shunday ta’rif beriladi: Kavsharlash — qattiq materiallar (po‘lat, cho‘yan, shisha, sopol va boshqalar) ni eritilgan kavshar bilan biriktirish. Kavsharlash jarayonida erigan kavshar buyumning qismlari orasidagi oraliqni (tirqishni) to‘ldiradi va soviganda qotib tutash kavsharlangan chok hosil bo‘ladi. Payvandlashdan farqi kavsharlashda kavshar bilan biriktiriladigan buyumning qirralari eritilmaydi. Kavsharlanadigan sirtlar kir va zangdan yaxshilab tozalanadi, tozalangan joyga flyus surkaladi. Flyus sifatida rux xlorid, alyuminiy xlorid, kanifol, borat kislota, bura va boshqalar ishlatiladi.[1]
Ushbu ta’rifdan tushunishimiz mumkinki, Mikro kavsharlash – bu kichik yoki mayda o‘lchamdagi qattiq materiallar yoki eritilgan kavshar bilan biriktish jarayoni hisoblanadi. Mikro kavsharlashning texnologik tavsifi oddiy kavsharlashdan deyarli farq qilmaydi. Asosiy farqlanadigan jihatlaridan biri texnologik jarayon kavsharlash uskunasi, eritilgan kavshar, mikro kavsharlash uchun mo‘ljallangan maxsus mikroskop yordamida amalga oshirilishidir.
1-rasm. 2-rasm.
Telefon sxemalarini kavsharlash
|
| |
Tayyorladi: M. Axmedova O’qituvchi: M. Atajanov

|
Tayyorladi: M. Axmedova O’qituvchi: M. Atajanov
|
bet | 1/3 | Sana | 19.05.2024 | Hajmi | 0,77 Mb. | | #243889 |
Bog'liq 1339692.pptx
MAVZU: Operatsion KUCHAYTIRGICHLAR
Tayyorladi: M.Axmedova
O’qituvchi: M.Atajanov
ANDIJON MASHINASOZLIK INTITUTI
IB VA KT FAKULTETI
ATT YO’NALISHI K 90-21-GURUH TALABASI AXMEDOVA MADINANING
ELEKTRONIKA VA SXEMOTEXNIKA FANIDAN TAYYORLAGAN TAQDIMOTI
REJA - Operatsion kuchaytirgich (OK) haqida tushuncha
- OKga qo‘yiladigan talablar OK turlari
- QO’LLANILISHI OK asosiy parametrlari
Operatsion kuchaytirgich (OK) deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo‘ljallangan, differensial kuchaytirish prinsipiga asoslangan, kuchlanish bo‘yicha katta kuchaytirish koeffitsientiga ega bo‘lgan (KU=104÷106) integral o‘zgarmas tok kuchaytirgichiga aytiladi. - Operatsion kuchaytirgich (OK) deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo‘ljallangan, differensial kuchaytirish prinsipiga asoslangan, kuchlanish bo‘yicha katta kuchaytirish koeffitsientiga ega bo‘lgan (KU=104÷106) integral o‘zgarmas tok kuchaytirgichiga aytiladi.
Bunday amallarga qo‘shish, ayirish, ko‘paytirish, bo‘lish, integrallash, differensiallash, masshtablash kabi matematik amallar kiradi. Hozirgi kunda OKlar analog va raqamli qurilmalarda kuchaytirish, cheklash, ko‘paytirish, chastotani filtrlash, generatsiyalash, signallarni barqarorlashda qo‘llanilib kelmoqda. - Bunday amallarga qo‘shish, ayirish, ko‘paytirish, bo‘lish, integrallash, differensiallash, masshtablash kabi matematik amallar kiradi. Hozirgi kunda OKlar analog va raqamli qurilmalarda kuchaytirish, cheklash, ko‘paytirish, chastotani filtrlash, generatsiyalash, signallarni barqarorlashda qo‘llanilib kelmoqda.
Buning uchun OKlarga musbat va manfiy teskari aloqa (TA) zanjirlari kiritiladi. TA zanjirlari yordamida OKlar yuqorida qayd etilgan amallarni (operatsiyalarni) bajaradilar. Qurilmalarning nomi ham shundan kelib chiqadi. - Buning uchun OKlarga musbat va manfiy teskari aloqa (TA) zanjirlari kiritiladi. TA zanjirlari yordamida OKlar yuqorida qayd etilgan amallarni (operatsiyalarni) bajaradilar. Qurilmalarning nomi ham shundan kelib chiqadi.
|
| |
Operatsion kuchlanish asosidagi inverslamaydigan kuchaytirgich sxemalar

|
Operatsion kuchlanish asosidagi inverslamaydigan kuchaytirgich sxemalar
|
bet | 2/2 | Sana | 10.12.2023 | Hajmi | 0,82 Mb. | | #115263 |
Bog'liq 1. Operatsion kuchlanish asosidagi inverslaydigan kuchaytirgich Operatsion kuchlanish asosidagi inverslamaydigan kuchaytirgich sxemalar
I nverslamaydigan kuchaytirgich. Inverslamaydigan kuchaytirgich prinsipial sxemasi 10.2-rasmda keltirilgan. Kirish signali OKning inverslamaydigan kirishiga beriladi, inverslaydigan kirishga esa TA signali beriladi. Bu TA kuchlanish bo'yicha ketm a-ket manfiy TA ekanligi ko‘rinib turibdi.
Operatsion kuchlanish asosida jamlovchi qurilma sxemasi
Operatsion kuchlanish asosidagi differensialovchi qurilma sxemasi D ifferensiallovchi qurilm a. OK asosida b aja rilg a n sodda differensiator sxemasi 10.8-rasmda keltirilgan. Sxema ТА zanjiriga RC elem ent kiritilgan inverslaydigan kuchaytirgich hisoblanadi
Operatsion kuchlanish asosidagi differensiallovchi qurilma sxemasi. D ifferensiallovchi qurilm a. OK asosida bajarilgan sodda differensiator sxemasi 10.8-rasmda keltirilgan. Sxema ТА zanjiriga RC elem ent kiritilgan inverslaydigan kuchaytirgich hisoblanadi. Operatsion kuchlanish asosidagi integrallovchi qurilma sxemasi.
|
| |
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari - bet 6

|
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari
|
bet | 6/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZAO‘KIS va KISlarda KMDYa va I2M mantiqiy elementlari qo‘llaniladi. Ular tarkibida rezistorlar bo‘lmaydi va mikrotoklar rejimida ishlaydilar. Shu sababli kristallda kichik yuzani egallaydilar va kam quvvat iste’mol qiladilar. KISlarda elementlar soni 105 ta bo‘lganda bir element iste’mol qilayotgan quvvat 0,025 mVT dan oshmasligi kerak. - O‘KIS va KISlarda KMDYa va I2M mantiqiy elementlari qo‘llaniladi. Ular tarkibida rezistorlar bo‘lmaydi va mikrotoklar rejimida ishlaydilar. Shu sababli kristallda kichik yuzani egallaydilar va kam quvvat iste’mol qiladilar. KISlarda elementlar soni 105 ta bo‘lganda bir element iste’mol qilayotgan quvvat 0,025 mVT dan oshmasligi kerak.
- 13.3.Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM).
- Ikki kirishli element sxemasi 4– rasmda keltirilgan. Ikkaola kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi.
Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik (10-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,010,05 mVtni, tezkorligi esa 1020 ns ni tashkil etadi. - Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik (10-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,010,05 mVtni, tezkorligi esa 1020 ns ni tashkil etadi.
Integral – injeksion mantiq elementi (I2M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi (5a – rasm.) - Integral – injeksion mantiq elementi (I2M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi (5a – rasm.)
|
| |
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari - bet 7

|
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari
|
bet | 7/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZAVT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki IQ (qayta ulanish toki) VT1 tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi. - VT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki IQ (qayta ulanish toki) VT1 tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi.
Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 5 b – rasmda HAM amalini bajarish usuli ko‘rsatilgan. - Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 5 b – rasmda HAM amalini bajarish usuli ko‘rsatilgan.
- Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga yuqori potensial berilsa U1KIR, natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past potensial hosil bo‘ladi U0. 1- jadval
| | | | | | | | | | | | - Signal mantiqiy o‘tishi
- (U1ChIQ- U0ChIQ), V
| | | | - Ruxsat etilgan shovqinlar darajasi, V
| | | | - Tezkorligi,
- tK. O‘RT , ns
| | | | | | | | | | | |
|
| |
- jadval - Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari

2- jadval | | | | | | | | | | | | - Signal mantiqiy o‘tishi
- (U1ChIQ- U0ChIQ), V
| | | | - Ruxsat etilgan shovqinlar darajasi, V
| | | | - Tezkorligi,
- tK. O‘RT , ns
| | | | | | | | | | | | Asosiy raqamli IMS seriyalarining mantiq turlari - Asosiy raqamli IMS seriyalarining mantiq turlari
- Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar. 3- jadval
| - Raqamli IMS seriya raqami
| | | | - 130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, K530, 531, 1531, 1533, KR1802, KR1804
| | - 100, K500, 700, 1500, K1800, K1520
| | | | | | - K580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813
| | - 164, 764, 564, 765, 176, 561
| Nazorat savollari. - Nazorat savollari.
- Mantiqiy integral sxemalar negiz elementlari nima?
- Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar?
- Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar?
- Tranzistor – tranzistorli mantiq elementlar?
- Emitterlari bog‘langan mantiq elementi?
- Integral – injeksion mantiq elementi?
ETIBORINGIZ UCHUN RAHMAT
|
3. Mavzu: Payvandlash elektrodlari va qoplamalari Reja: Payvandlash elektrodlari

3. Mavzu: Payvandlash elektrodlari va qoplamalari
Reja:
Payvandlash elektrodlari
Elektrod qoplamalari
Elektrodlar payvandlashda suyuqlanmaydigan materiallar –grafit, ko’mir va volframdan hamda suyuqlanuvchan materiallar-kam uglerodli po’lat, cho’yan, rangli metall va ularning qotishmalaridan sim sterjenlar ko’rinishida tayyorlanadi.
Suyuqlanadigan elektrodlarning ximiyaviy tarkibi payvandlanadigan metall tarkibiga yaqin bo’lishi, zararli qo’shimchalar oz bo’lishi, uning suyuqlanish temperaturasi asosiy metallning suyuqlanish temperaturasiga yaqin bo’lishi zarur.
GOST 2246-70 ga ko’ra dastaki usulda payvandlashda ishlatiladigan po’lat elektrodlar maxsus payvandlash simlaridan tayyorlanib, ularning diametri 1-12 mm bo’ladi.
Odatda, dastaki usulda payvandlashda ko’proq ishlatiladigan metall elektrodlarning diametri 2-6 mm, uzunligi 350-450 mm oralig’ida bo’ladi. Yarim avtomatikaviy va avtomatikaviy ravishda payvandlashda ishlatiladigan elektrodlar o’ram (buxta) simlar ko’rinishida bo’lib, ularning og’irligi ko’pi bilan 80 kg ga yetadi. Ba’zi hollarda ma’lum tarkibli metall kukunni yupqa po’lat trubkaga solib tayyorlangan elektrodlardan ham foydalaniladi. Payvandlash elektrodlarining qanday metalldan tayyorlanishi payvandlanadigan metallarining turiga va ximiyaviy tarkibiga bog’liq. Hozirgi vaqtda ishlatiladigan po’lat elektrod-simlarning 77 xil markasi ishlab chiqarilmoqda va ular uch gruppaga bo’linadi:
Tarkibida 0,12 % gacha uglerod bo’lgan va kam uglerodli hamda o’rtacha uglerodli, shuningdek, ba’zi kam legirlangan po’latlarni payvandlashga mo’ljallangan uglerodli simlar (bular jumlasiga: Св-08, Св-08A, Св-08ГA, Св-10A, Св-10ГA, Св10Г2 lar kiradi).
Tegishli markalardagi kam legirlangan po’latlarni payvandlashda ishlatiladigan marganes, kremniy, xrom, nikel, molibden va titan bilan legirlangan simlar; bular jumlasiga: Св-08GS, Св-08G2S, Св-12GS, Св-18XMA, Св-10X5M, Св20XГS va boshqalar kiradi.
Maxsus po’latlarni payvandlash uchun mo’ljallangan ko’p legirlangan simlar; bular jumlasiga: Св-06X14, Св-07X19N9, Св-07X25N20 va boshqalar kiradi.
Elektrod-simlarning markalariga belgilashdagi shartli belgilar: Св-payvandlash simini, birinchi raqam simdagi uglerodning yuzdan bir ulushini, keyingi harflar va ulardan keyin keluvchi raqamlar turli elementlarni prosent miqdorini bildiradi. Masalan, Г-marganes, С-kremniy, X-xrom, Ю-alyuminiy va boshqalar. Shuni qayd etish kerakki, bu payvandlash simlaridan faqat elektrod-sterjenlar uchungina emas, balki flyus ostida avtomatikaviy usulda payvandlashda, himoya gaz muhitida payvandlashda va yonuvchi gaz alangasida payvandlashda, chokbob sim sifatida ham foydalanish mumkin.
Huddi shunday elektro-sterjenlar sifatida, masalan, cho’yanlarni payvandlashda, quyma cho’yan chiviqlardan, mis payvandlashda M1, M2, M3 markali mis simlardan, alyuminiy qotishmalarni payvandlashda AK, AD, AM markali simlardan foydalaniladi.
|
Darbin-Vatson kriteriysini qo’llashning

|
Darbin-Vatson kriteriysini qo’llashning
|
bet | 3/3 | Sana | 18.12.2023 | Hajmi | 198 Kb. | | #123046 |
Bog'liq 2-maruza (3)Darbin-Vatson kriteriysini qo’llashning bir nechta shartlari mavjud:
Uni vaqt qatorining laglardagi qiymatlari qatnashgan modellarga qo’llab bo’lmaydi.
Darbin-Vatson kriteriysini hisoblash va qo’llash uslubi faqat birinchi tartibli avtokorrelyatsiyani aniqlashga yordam beradi.
Darbin-Vatson kriteriysi faqat katta hajmdagi tanlanmalar uchun ishonchli natijalar beradi.
Nazorat savollari:
Determinatsiya koeffitsienti deb nimaga aytiladi?
Determinatsiya koeffitsienti qanday hisoblanadi?
Umumiy va qoldiq dispersiyasining ma’nosini ayting.
4. Qoldiqlarning avtokorrelyasiyasi deganda nima tushuniladi?
5. Darbin-Uotson statistikasi qanday topiladi?
6. Darbin-Uotson statistikasi nima uchun ishlatiladi?
Adabiyotlar ro’yxati
Hansen B.E. Econometrics. USA: University of Wisconsin. 2017.
Salvatore D., Reagle D. Theory and Problems of Statistics and Econometrics. Second Edition. USA: McGRAW-HILL. 2013.
Кремер Н.Ш., Путко Б.А. Эконометрика: Учеб. / Под ред. Н.Ш. Кремера. – М.: ЮНИТИ-ДАНА, 2002 г. – 311 с.
Sarimsakova H.K. Ekonometriya, o‘quv qo‘llanma, UWED, 2007.
Nasriddinov G. Ekonometrka 1. O’quv qo’llanma. O’zMU. Toshkent. Iqtisod-Moliya. 2008 y.
|
| |
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari - bet 3

|
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari
|
bet | 3/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZA Ko‘rinib turibdiki, faqat bitta kirishga mantiqiy 0 berilsa holat o‘zgarmaydi. Demak, biror kirishda mantiqiy 0 mavjud bo‘lsa chiqishda mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. Qachonki barcha kirishlarga mantiqiy 1 berilsagina chiqishda mantiqiy 0 hosil bo‘ladi. Haqiqiylik jadvalini tuzib bu element 2HAM-EMAS amalini bajarishini ko‘ramiz. Ko‘rib o‘tilgan bu element kichik xalaqitlarga bardoshligi, kichik yuklama qobiliyati va yuklama sig‘imi SYu (katta R2 qarshilik orqali)ga ishlaganda, kichik tezkorlikka ega ekanligi sababli keng ko‘lamda qo‘llanilmaydi. - Ko‘rinib turibdiki, faqat bitta kirishga mantiqiy 0 berilsa holat o‘zgarmaydi. Demak, biror kirishda mantiqiy 0 mavjud bo‘lsa chiqishda mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. Qachonki barcha kirishlarga mantiqiy 1 berilsagina chiqishda mantiqiy 0 hosil bo‘ladi. Haqiqiylik jadvalini tuzib bu element 2HAM-EMAS amalini bajarishini ko‘ramiz. Ko‘rib o‘tilgan bu element kichik xalaqitlarga bardoshligi, kichik yuklama qobiliyati va yuklama sig‘imi SYu (katta R2 qarshilik orqali)ga ishlaganda, kichik tezkorlikka ega ekanligi sababli keng ko‘lamda qo‘llanilmaydi.
- Murakkab invertorli TTM sxemasi ko‘rib o‘tilgan sxemaga nisbatan yaxshilangan parametrlarga ega (1 b-rasm). Bu element uch bosqichdan tashkil topgan:
kirishda R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi); - kirishda R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi);
- R1 va R2 rezistorli VT1 tranzistorda bajarilgan faza kengaytirgich;
- VT2 va VT3 tranzistorlar, R3 rezistor va VD diodda bajarilgan ikki taktli chiqish kuchaytirgichi.
- Bu sxema nisbatan kichik chiqish qarshilikka ega bo‘lib, yuklama sig‘imidagi qayta zaryadlanishni tezlashtiradi.
- Sodda sxemadagi kabi, bu sxemada ham chiqishda U1 daraja olish uchun, KET biror kirishiga mantiqiy nol daraja berilishi kerak. Bu vaqtda VT1 va VT3 tranzistorlar berkiladi, VT1 kollektoridagi kuchlanish katta bo‘lganligi sababli VT2 ochiladi. SYu yuklama sig‘imi VT2 va diod VD orqali zaryadlanadi.
|
| |
R3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi

|
R3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi
|
bet | 4/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZAR3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi. - R3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi.
- KET barcha emitterlariga U1 daraja berilsa VT1 va VT3 tranzistorlar to‘yinadi, VT2 tranzistor esa deyarli berkiladi. SYu yuklama sig‘imi to‘yingan VT3 tranzistor orqali tez zaryadsizlanadi. TTM sxemalarni tezkorligini yanada oshirish maqsadida ularda diod va Shottki tranzistorlari qo‘llaniladi. Bu modifikatsiya TTMSh deb belgilanadi. Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM). EBM elementi (2 - rasm) DK kabi tok qayta ulagichi asosida bajariladi. Ikki mantiqiy kirishga ega bo‘lgan bir yelka ikki tranzistordan iborat bo‘ladi (VT1 va VT2), keyingi yelka esa - VT3 dan tashkil topadi.
Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi. - Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi.
|
| |
Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi

|
Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi
|
bet | 5/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZABu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi. - Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi.
13.2. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). - 13.2. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa).
- 3 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan.
Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi. - Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi.
|
| |
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari - bet 2

|
Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari
|
bet | 2/8 | Sana | 11.12.2023 | Hajmi | 1,11 Mb. | | #115467 |
Bog'liq 13-MA\'RUZAX1 va X2 kirishlar mantiqiy bir potennsialiga ega (2,4 V) deb faraz qilaylik. Bunda KET emitter o‘tishlari berk bo‘ladi va tok quyidagi zanjir orqali oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KETning ochiq bo‘lgan kollektor o‘tishi VT1 tranzistor bazasiga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli VT1 to‘yinish rejimiga o‘tadi va uning kollektorida mantiqiy nol past potensiali o‘rnatiladi (0,4 V). - X1 va X2 kirishlar mantiqiy bir potennsialiga ega (2,4 V) deb faraz qilaylik. Bunda KET emitter o‘tishlari berk bo‘ladi va tok quyidagi zanjir orqali oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KETning ochiq bo‘lgan kollektor o‘tishi VT1 tranzistor bazasiga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli VT1 to‘yinish rejimiga o‘tadi va uning kollektorida mantiqiy nol past potensiali o‘rnatiladi (0,4 V).
Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potensiali (mantiqiy nol potensiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o‘tishlari kollektor o‘tish kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo‘nalishda oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KET baza – emitteri – kirishdagi signal manbai – umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo‘lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V – mantiqiy bir) yuzaga keladi. - Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potensiali (mantiqiy nol potensiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o‘tishlari kollektor o‘tish kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo‘nalishda oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KET baza – emitteri – kirishdagi signal manbai – umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo‘lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V – mantiqiy bir) yuzaga keladi.
|
| |
Barqaror tok generatori. Reja

|
Barqaror tok generatori. Reja
|
bet | 1/9 | Sana | 08.12.2023 | Hajmi | 1 Mb. | | #114082 |
Bog'liq 11-MA\'RUZA - 11-mavzu:
- BARQAROR TOK GENERATORI.
- REJA:
- 11.1. Barqaror tok generatori.
- 11.2. O‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmasi.
- 11.3. Differensial kuchaytirgichlar.
- 11.4. Operasion kuchaytirgichlar
Tayanch iboralar: generator; yarimo’tkazgichlar; barqaror tok; o’zgarmas kuchlanish; differensiaal; chulg’amlar: g’altak; tranzistorlar; kuchaytirgich. - 11.1. Barqaror tok generatori
- Barqaror tok generatori yoki manbai (BTG) katta nominalga ega bo‘lgan rezistorning elektron ekvivalenti hisoblanadi. BTG qarshiligi RYu yuklamaga ketma – ket ulangan maksimal bo‘lishi mumkin bo‘lgan qarshilikdan ancha katta bo‘lishi kerak. Bu vaqtda BTG yuklamadan kattaligi uning qarshiligi va boshqa ta’sirlarga bog‘liq bo‘lmagan tok oqib o‘tishini ta’minlaydi. Ma’lumki, qarshiligi birlik MOm ga teng bo‘lgan rezistorlarni integral sxema ko‘rinishida yasash mumkin emas.
1 a - rasmda BTG prinsipial sxemasi keltirilgan. - 1 a - rasmda BTG prinsipial sxemasi keltirilgan.
Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, Ye1 – barqarorlangan kuchlanish manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor VT2 tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash va barqarorlash uchun hizmat qiladi. - Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, Ye1 – barqarorlangan kuchlanish manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor VT2 tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash va barqarorlash uchun hizmat qiladi.
- VT2 uchun ishchi nuqta uning chiqish xarakteristikasining pologoy qismida joylashadi (UB sxemadagi BT chiqish xarakteristikasi rasmiga qarang). UB ulanish sxemasida tranzistor juda katta chiqish differensial qarshiligiga ega bo‘ladi (birlik MOm gacha). Ulanish sxemasiga ko‘ra ikkala tranzistorning ham baza – emitter kuchlanishlari UBE bir xil bo‘ladi. IB2 toki IE2 tokidan yuz martaga kichik.
|
| |