IV BOB. Bipolyar tranzistorlar

IV BOB. Bipolyar tranzistorlar
|
|
4.1. Umumiy ma’lumotlar………………………...............................
|
28
|
4.2. BT ulanish sxemalari…….……….............................................
|
29
|
4.3. BT statik xarakteristikalari ...…….………………………...
|
32
|
4.4. BT fizik parametrlari.... ………………………………………
|
34
|
|
|
V BOB. Maydoniy tranzistorlar
|
|
5.1. Umumiy ma’lumotlar...………….………………………………
|
37
|
5.2. MT statik xarakteristikalari...……………………………….
|
39
|
5.3. MT asosiy parametrlari..........………………………………….
|
40
|
5.4. Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor ......….……………
|
41
|
5.5. Kanali qurilgan MDYa - tranzistor .......………………………
|
42
|
|
|
VI BOB. Keng polosali kuchaytirgichlar
|
|
6.1. BTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi……………………………..
|
45
|
6.2. MTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi …………………………...
|
50
|
6.3. Ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar…………………………………..
|
51
|
6.4. Analog integral mikrosxemalarning chiqish bosqichlari (quvvat kuchaytirgichlari)…………………………………………….
|
52
|
6.5. Emitter qaytargich............………………………………………..
|
54
|
|
|
VII BOB. Integral mikrosxemalar
|
|
7.1. IMS haqida umumiy ma’lumotlar..…………………................
|
57
|
7.2. Pardali va gibrid IMSlar...…………………………………..
|
58
|
7.3. Yarim o‘tkazgichli IMSlar ………………………………………
|
58
|
|
|
VIII BOB. Kuchaytirgich qurilmalari sxemotexnikasi
|
|
8.1.Kuchaytirgichlarning asosiy parametrlari va xarakteristikalari..............................................................................
|
63
|
8.2. Komplementar emitter qaytargich...................………………….
|
66
|
8.3. Balans sxemalar asosidagi kuchaytirgich.....................................
|
67
|
8.4. Barqaror tok generatori.....…………………………….……….
|
68
|
8.5. O‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmasi……………
|
69
|
8.6. Differensial kuchaytirgichlar………………………………….
|
70
|
8.7. Operatsion kuchaytirgichlar……………………………………..
|
73
|
|
|
IX BOB. Yarim o‘tkazgichli statik raqamli integral mikrosxemalar sxemotexnikasi
|
|
9.1. Raqamli texnika asoslari..……………………………………..
|
81
|
9.2. Mantiqiy IMS parametrlari……....…………………………
|
83
|
9.3. Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar ……………
|
84
|
9.4. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar …………
|
86
|
9.5. Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari....
|
89
|
|
|
X BOB. Laboratoriya ishlari
|
|
1 – laboratoriya ishi. Yarim o‘tkazgichli diod xarakteristika va parametrlarini tadqiq etish..............................................................
|
97
|
2 – laboratoriya ishi. Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.......................
|
|
3 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorni tadqiq etish….......
|
101
|
4 – laboratoriya ishi. Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish............................................................................................
|
106
|
5 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorda bajarilgan kalit sxemalarni tadqiq etish......................................................................
|
112
|
6 – laboratoriya ishi. Tranzistor – tranzistorli mantiq integral mxemalarini tadqiq etish...................................................
|
117
|
7 – laboratoriya ishi. Integral optronlarni tadqiq etish.............
|
119
|
Ilova..........……………………………………………………………
|
123
|
Foydalanilgan adabiyotlar ……… ....................................................
|
129
|
|
|