TESTLAR:  

1 - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

TESTLAR:
1.
Epitaksiya so’zining ma’nosi?
a)
Lotincha - taxlash , - bajarmoq , ya’ni , taxlashni
bajarmoq degan ma’noni anglatadi;
b)
Yunoncha - ustiga , - tartibli o’rnatish degan
ma’noni anglatadi;
c)
Ruschadan qatlam hosil qilish degan ma’noni beradi;
d)
To’g’ri javob berilmagan;
2.
Epitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Monokristall taglik ustida monokristall modda qatlamini ma’lum
kristallografik yo’nalishda o’stirish jarayonidir;
b)
Yarimo’tkazgich moddalarning ustki qismida ma’lum yo’nalishda
qatlam hosil qilish jarayonidir;
c)
Qattiq jismlarning ustki qismida qatlam hosil qilish jarayonidir;
d)
Polikristall modda qatlamini ma’lum kristallografik yo’nalishda
o’stirish jarayonidir;
3.
Epitaksiya turlarini to’liq berilgan javobni ko’rsating.
a)
Avtoepitaksiya, gomoepitaksiya;
b)
Xemoepitaksiya, avtoepitaksiya, gomoepitaksiya;
c)
Epitaksiyaning turlari juda ko’p, to’liq sanab o’tilgan javob varianti
mavjud emas;
d)
Avtoepitaksiya , geteroepitaksiya, xemoepitaksiya, reoepitaksiya;
4.
Avtoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan
jarayondir;
b)
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan
jarayondir;
c)
Yangi
kristall
fazasi
qatlami
taglikning
unga
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil
bo‘ladigan jarayondir;
52
d)
Taglikning
tuzilishi
o‘sadigan
kristall
fazasi
tuzilishidan farq qiladigan jarayon;
5.
Geteroepitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Taglikning
tuzilishi
o‘sadigan
kristall
fazasi
tuzilishidan farq qiladigan jarayon;
b)
Yangi
kristall
fazasi
qatlami
taglikning
unga
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil
bo‘ladigan jarayondir;
c)
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan
jarayondir;
d)
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan
jarayondir;
6.
Xemoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan
jarayondir;
b)
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan
jarayondir;
c)
Yangi
kristall
fazasi
qatlami
taglikning
unga
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil
bo‘ladigan jarayondir;
d)
Taglikning
tuzilishi
o‘sadigan
kristall
fazasi
tuzilishidan farq qiladigan jarayon;
7.
Reoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Taglikning
tuzilishi
o‘sadigan
kristall
fazasi
tuzilishidan farq qiladigan jarayon;
b)
Yangi
kristall
fazasi
qatlami
taglikning
unga
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil
bo‘ladigan jarayondir;
c)
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan
jarayondir;
53
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
8.
Agar o’tqazilayotgan modda taglikka bevosita yetib borayotgan
bo’lsa, … jarayon deyiladi, aks holda … jarayon deyiladi. Nuqtalar o’rnini mos
javob variant bilan to’ldiring.
a)
Avtoepitaksiya jarayoni , aks holda, gomoepitaksiya jarayoni;
b)
Avtoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni;
c)
Reoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni;
d)
To’g’ri jarayon, aks holda, noto’g’ri jarayon;
9.
O’tqazilayotgan moddaning dastlabki agregat holati bo’yicha
epitaksial jarayonlar necha turga bo’linadi, ularni sanab o’ting.
a)
Faqat qattiq fazadan epitaksiya olish usuli mavjud. Turlarga
ajratilmaydi;
b)
4 turga ajratiladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan
epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya, bug’ – suyuqlik – kristall tizimida
epitaksiya;
c)
3 turga ajraladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan
epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya;
d)
Faqat bug’ – suyuqlik – kristall tizimida epitaksiya olish jarayoni
mavjud. Turlarga ajratilmaydi.
10.
Epitaksial
strukturalar
qanday
xossalari
bilan
hajmiy
materiallardan farqlanadilar?
a)
Strukturaviy tuzilishi darajasi, nuqsonlarning va kirishmalarning
yo‘qligi bo‘yicha epitaksial qatlamlar (jumladan, taglik materiali ham) hajmiy
materiallardan ancha afzalligi bilan;
b)
O‘stirilayotgan qatlamlar kimyoviy tarkibi boshqarila oladigan
tarzda o’zgarishi mumkin (pog‘onali kabi, ham tekis). Bu esa oldindan berilgan
xossali materiallar olish imkonini beradi.Texnologiya yana o‘sish jarayonida
to‘g‘ridan-to‘g‘ri boshqariluvchan ligerlash imkonini berishi bilan;
c)
Epitaksiya turli tarkibli navbatma-navbat o‘stirish imkonini beradi,
bunda atom-keskin chegaralar mavjudligidan qatlamlar qalinligi atom
54
o‘lchamlarigacha kamayishi mumkin. Shunday yo‘l bilan o‘stirilgan strukturalar
(kvant o‘ralar,yuqori panjaralar) hajmiy materiallarda bo‘lmaydigan ulkan fizik
xossalarga ega ekanligi bilan;
d)
Barcha javob variantlaridagi xossalar bilan hajmiy materiallardan
farqlanadilar;
11.
Epitaksial
geterostrukturalar
qanday
ulkan
elektr
va optik xossalarga ega?
a)
Epitaksial qatlamlarning yuqori strukturaviy tuzilishi erkin
tashuvchilar
sochilishini ancha kamayishiga va shuning bilan birga materialda elektr
siljuvchanlikni ham kamayishiga olib keladi;
b)
Elektronlar, kovaklar va eksitonlar uchun tutqich bo‘lgan nuqson
va
kirishmalar
miqdorining
o‘ta
kamligidan
epitaksial
strukturalar
lyuminessensiyaning yuqori kvant chiqishi bilan farq qiladi, bu esa ular asosida
yaratilgan geterolazerlar va yorug‘lik diodlari ish samaradorligini keskin
oshiradi;
c)
Yupqa epitaksial qatlamlarning energetik strukturasi ko‘p jihatdan
bir tekis kvantlanish effekti bilan aniqlanib, bu qatlam qalinligini o‘zgartira
borib yo‘naltirilgan holda ularning optik xarakteristikalarini o‘zgartiradi;
d)
Yarimo‘tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik
dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash
qurilmalarini yaratish uchun o‘ta muhimdir.
e)
Yuqoridagi barcha javob variantlaridagi xossalar epitaksial
qatlamlar uchun elektr va optic xossalar sifatida o’rinlidir;
12.
Elektronikada va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni
qo`llashga doir misol keltirilgan javob variantlarini belgilang.
a)
Elektronika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga
yuqori tezlikli maydon tranzistori misol bo’la oladi;
55
b)
Elektronika va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni
qo’llashga stimullangan nurlanish generatori misol bo’la oladi;
c)
A va D javob variantlarida to’g’ri misollar keltirilgan;
d)
Optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga
yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va geterolazarlar misol bo’la oladi;
13.
Epitaksial o’sishning afzalliklari sanab o’tilgan javob variantini
belgilang.
a)
O‘sish yo‘nalishni va o‘suvchi qatlam strukturasini beruvchi
avvaldan
tayyorlangan kristal tekislikning mavjudligi;
b)
O‘stiruvchi sirtning orasi erish temperaturasidan ancha pastligiga
asoslangan o‘sish jarayonining notekis xarakteri;
c)
O‘suvchi materiallar atomlar effektiv sirtiy diffuziyasining
mavjudligi. O‘suvchi materialning yuqori chastotaliligi va kristallanish
elementiga ega o‘suvchi strukturalarning kontaktda bo‘lmasligi;
d)
A, B va C javob variantlarida epitaksial o’sishning afzalliklari to’liq
sanab o’tilgan;
14.
Epitaksial qatlam tushunchasiga ta’rif bering.
a)
Taglik tuzilishini saqlovchi, kristall taglikka o’tqazilgan
monokristall modda;
b)
Taglik strukturasini doimiy saqlovchi, taglikka o’tqazilgan
polikristall modda;
c)
Ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirilgan taglik;
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
15.
Suyuq fazadan epitaksiya olish usullarini nechta katta guruhga
bo‘lish mumkin. Ulardagi farq qanday aniqlanadi.
a)
Yo‘nalishli kristallanish usuli va kristallanish usuli. Ularning farqi
yo’nalishi bilan aniqlanadi;
b)
Yo‘nalishli kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish
usuli. Ulardagi farq qatlamda kirishmalarning oxirgi taqsimoti bilan aniqlanadi;
56
c)
Dastur zonali kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish
usuli. Ulardagi farq jarayonning ikkinchi marta qaytalanishidadir;
d)
To’g’ri javob variant berilmagan;
16.
Yo’nalishli kristallanish usulida qatlamning … bir jinsli emasligi
xarakterlidir. Kirishmalar zichligining o’zgarishi yo’nalishli kristallanish asosiy
tenglamasiga binoan bo’lishini ko’rsatadi. Nuqtalar o’rniga mos javob variantini
belgilang.
a)
… boshlang’ich va oxirgi qismida …
b)
… butun qalinligi bo’yicha kirishmalar taqsimoti …
c)
Tashqi muhitga qarab ba’zida A , ba’zida B javob variantlari
kuzatiladi;
d)
To’g’ri javob variant berilmagan;
17.
Dastur
zonali
kristallanish
usulida
olingan
qatlamlarda
kirishmalarning taqsimoti epitaksial qatlamning … bir jinsli emasligi, … esa
kirishmalar taqsimoti bir jinsli ekanligi kuzatiladi. Nuqtalar o’rniga mos javob
variantini belgilang.
a)
… boshlang’ich qismida … va … oxirgi qismida;
b)
… boshlang’ich qismida … va … o’rta qismida;
c)
… boshlang’ich va o’rta qismida … va … oxirgi qismida;
d)
… boshlang’ich va oxirgi qismida … va … o’rta qismida;
18.
Kremniy karbidi epitaksial qatlamini qanday fazalarda olish
mumkin?
a)
Bug’ – suyuq – kristall fazada olish mumkin;
b)
Qattiq va suyuq fazada olish mumkin;
c)
Gaz va suyuq fazada olish mumkin;
d)
Kremniy karbididan epitaksial qatlam olinmaydi;
19.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) jarayoniga ta’rif bering.
a)
O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal
taglikda vakuumli changlashdan iboratdir;
57
b)
O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli
changlashdan iborat;
c)
Dastlabki o‘suvchi materiallar xuddi gaz fazali epitaksiya (GFE)
dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda
har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi.
d)
To’g’ri javob variant berilmagan;
20.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasining asosiy
afzalliklarini to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang.
a)
Jarayonning o‘ta yuqori vakuumga va o‘ta toza o‘suvchi materiallar
qo‘llanilishiga asoslangan yuqori tozaligi;
b)
Molekulyar dastalarning taglik tomon katta tezlik bilan uchishi
natijasida
erishiladigan struktura o‘sishining tarkibining deyarli noinersion boshqarilishi
imkoniyati;
c)
O‘sish jarayonini yuqori vakuumni talab etuvchi mass-
spektrometriya va tez elektronlar diffuziyasi usullari bilan to’g’ridan – to’g’ri
nazorat qilish imkoniyati;
d)
Barcha javob variantlari to’g’ri;
21.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasi kamchiliklari
to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini tanlang.
a)
O‘stiruvchi qurilmaning texnik murakkabligi va o‘sish jarayonining
o‘suvchi parametrlarning o‘zgarishiga turg`un emasligi texnologik personallar
malakasiga katta talablarni qo‘yadi;
b)
O‘rtacha 1 mkm/soatni tashkil etuvchi o‘sish jarayoni tezligining
sekinligi;
c)
O‘stirilayotgan strukturalarning qimmatga tushishi. Bularga –
qimmat
baholi qurilma amortizatsiyasi , o‘ta toza o‘suvchi materiallarning yuqori narxi
va yuqori malakali personallarga to‘lanadigan mehnat haqi kiradi;
d)
Barcha javob variantlari to’g’ri;
58
22.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning afzalliklari to’g’ri ko’rsatilgan
javob variantini belgilang.
a)
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) ga nisbatan soddaligi va
o‘sish jarayonining mustahkamligi;
b)
A, C va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan;
c)
O‘sish tezligi deyarli 10 marta katta (10mkm/soat atrofida);
d)
O‘suvchi materiallarning ancha arzonligi ;
23.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning kamchiliklari to’g’ri ko’rsatilgan
javob variantini belgilang.
a)
Texnologik jarayonning yuqori toza bo‘lishiga erishib bo‘lmaslik;
b)
O‘sish jarayonini to‘g‘ridan-to‘g‘ri kuzatib bo‘lmaslik;
c)
A, B va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan;
d)
Qo‘llanilayotgan materiallarning yuqori zaharli ekanligiga bog‘liq
texnik
qiyinchiliklar;
24.
Atom - qatlamli epitaksiya jarayoniga ta’rif bering.
a)
Dastlabki
o‘suvchi
materiallar
xuddi
GFE
dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda
har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi;
b)
O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal
taglikda vakuumli changlashdan iboratdir;
c)
O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli
changlashdan iborat;
d)
To’g’ri javob variant berilmagan;
25.
Atom-qatlamli epitaksiya jarayoni necha bosqichda amalga
oshiriladi?
a)
5 bosqichda;
b)
2 bosqichda;
c)
3 bosqichda;
d)
4 bosqichda;
59
26.
Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining afzalliklari to’g’ri
ko’rsatilgan javob variantini belgilang.
a)
O‘stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni;
b)
A va C javob variantlari to’g’ri;
c)
Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o‘stirish imkoni;
d)
O’stirish jarayonining tez suratlarda borishi;
27.
Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining kamchiliklari to’g’ri
ko’rsatilgan javob variantini belgilang.
a)
Atom – qatlamli epitaksiya jarayonida deyarli kamchilik
kuzatilmaydi, ba’zi kichik nuqsonlar mavjud. Ammo , katta afzalliklar oldida
ular deyarli kamchilik emas;
b)
Atom qatlamlarni o‘stirish juda ulkan , shuning uchun o‘sish tezligi
juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas);
c)
Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo‘llanilmaydi, shuning
uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo‘ladi;
d)
B va C javob variantlari to’g’ri;
28.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) kompleksining asosiy
strukturaviy elementlari nechta?
a)
3 ta;
b)
5 ta;
c)
6 ta;
d)
10 ta;
29.
O’stiruvchi modulning asosiy tugunlaridan biri bo’lmish – vakuum
kamera qanday vazifani bajaradi?
a)
O‘suvchi bo‘shliqni atmosfera havosidan germetik izolyatsiyalaydi;
b)
O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlaydi;
c)
Vakuum kamera orqali elektronlar oqimi hosil qilinadi;
d)
A va B javoblar to’g’ri;
30.
O’stiruvchi modulning tugunlaridan biri kriopanellarga ta’rif
bering.
60
a)
Suyuq azot bilan to‘ldirilgan sig`imdan iborat, o‘suvchi
modulning eng ko‘p qizdirilgan elementlarini manipulyator va molekulyar
manbalarni o‘rab olgan sistema;
b)
O‘suvchi
bo‘shliqni
atmosfera
havosidan
germetik
izolyatsiyalovchi sistema;
c)
O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlovchi
sistema;
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
31.
O’stiruvchi modulning transport sistemasi qanday vazifani
bajaradi?
a)
Vakuum
qurilmalarda
yukli
kameradan
tashuvchili
taglikni o‘suvchi modulga masofadan siljitishni amalga oshiradi;
b)
Tashuvchini manipulyatorga mahkamlaydi;
c)
O’stiruvchi moduldan o‘stirilgan strukturalarni yo‘qotish vazifasini
bajaradi;
d)
A, B va C javob variantlari to’g’ri;
32.
Kriosistema elementlari qanday qurilmalardan iborat?
a)
Tashuvchi manipulyator va vakuum qurilmalardan iborat;
b)
O’stirilgan
strukturalarni
yo‘qotish
vazifasini
bajaruvchi
qurilmalardan iborat;
c)
O’suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga
oshiruvchi tashqi qurilmalardan iborat;
d)
A, B va C javob variantlari to’g’ri;
33.
Nazorat va analiz aboblarini vazifasi sanalgan javob variantini
belgilang.
a)
O‘suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga
oshiradi;
b)
Texnologik parametrlarni nazorat qilishdan va texnologik jarayon
davomidagi holatini analiz qilishdan iboratdir;
61
c)
O‘suvchi kameradagi atmosfera bosimi, tarkibi, manba va taglik ,
molekulyar dastalar zichliklari nisbatini nazorat qiladi va texnologik jarayon
davomidagi o‘suvchi sirtning holatini analiz qiladi;
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
34.
Tagliklar yasash jarayonida ishlov berish nechta bosqichdan
iborat?
a)
3 bosqichda amalga oshiriladi;
b)
2 bosqichda amalga oshiriladi;
c)
4 bosqichda amalga oshiriladi;
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
35.
Ishlov berish jarayoni bosqichlari to’g’ri ko’rsatilgan javobni
belgilang.
a)
Organik ifloslanishni yo’qotish va noorganik ifloslanishni
yo’qotish;
b)
Moylardan xalos qilish, noorganik ifloslanishni yo’qotish , taglik
sirtini tekislovchi yedirish;
c)
Noorganik ifloslanishni yo’qotish va taglik sirtini tekislovchi
yedirish;
d)
To’g’ri javob varianti berilmagan;
36.
Moylardan xalos qilish uchun organik erituvchilar sifatida
foydalanuvchi moddalarni ko’rsating.
a)
Atseton;
b)
Toluol;
c)
Propil spirti;
d)
Barcha javob variantlari to’g’ri;
|