nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Beton tarmoqlarining ahamiyati - Yo'l xo'jaligining ishlab chiqarish korxonalari Muallif: Bobomurodov sardor

|
Yo'l xo'jaligining ishlab chiqarish korxonalari Muallif: Bobomurodov sardor
|
bet | 3/4 | Sana | 15.05.2024 | Hajmi | 64,02 Kb. | | #235587 |
Bog'liq Yo l xo jaligining ishlab chiqarish korxonalari01
Beton tarmoqlarining ahamiyati
Beton materiallarining transport tarmoqlarini qurishda betonning chuqurlikni ta'minlash uchun muhimdir.
02
Transport tarmoqlarini qurish jarayoni
Transport tarmoqlarini qurishda beton materiallarining qo'llanilishi, yo'nalishlari va texnologiyasi haqida.
03
Materiallar tanlash va tayyorlash
Beton tarmoqlarini qurishda ishlatiladigan materiallarning tanlash va ularni tayyorlash jarayoni.
04
Texnik vositalar va uskunalari
Transport tarmoqlarini qurishda foydalaniladigan texnik vositalar, uskunalar va ularning funktsiyalari va ahamiyati.
Transport vositalari: Yengil tarmoq qurilishida ahamiyatli jihozlar
1
Transport vositalari
Transport vositalari, yengil tarmoq qurilishida katta rol o'ynaydi va yangi yo'llar yaratishda ahamiyatli jihozlar hisoblanadi.
2
Yengil tarmoq jihozlari
Yengil tarmoq qurilishida zarur bo'lgan jihozlar, asfaltdan yo'l belgilash vositasiga qadar, yo'qotish, yo'l ustiga qurilish, va boshqalar kabi qurilmalar.
3
Yo'l belgilash jihozlari
Yo'l belgilash vositalari, yo'lni aniq bilan belgilash, yo'lni chizish, va yo'l trafikni tartibga solish uchun muhimdir.
4
Yo'l ustiga qurilish jihozlari
Yo'l ustiga qurilish vositalari, yo'l yo'qotishidan boshlab ustiga asfalt qo'yilishiga qadar, yo'lni saqlash va uni tiklashda muhimdir.
Jihozlar va vositalar: Transport infrastrukturani rivojlantirishda ahamiyati
1
Transport vositalari
Transport vositalari, yani mehnat vositalari, transport infratuzilmasida ahamiyatli o'rin egallaydi. Ularning sifati va qo'llanilishi yo'qotilmaydi.
2
Ko'chmaning qurilishi
Ko'chmaning qurilishi, transport tarmoqlarini rivojlantirishda katta ahamiyatga ega. Zarur jihozlar va qurilmalar bu jarayonni muvaffaqiyatli amalga oshiradi.
3
|
| |
-bosqich. Natijalarni - Instituti

30
Birinchi bosqichda, muammoviy vaziyatdan kelib chiqib,
muammo ifoda
etiladi va kutilayotgan natija umumiy tarzda belgilanadi.
Ikkinchi bosqichda, muammoning dolzarbligi, uning fan va texnika uchun
ahamiyati aniqlanadi.
Uchinchi bosqichda muammo tuzilmasi ishlab chiqiladi: kichik mavzular,
savollar va ular o`rtasidagi bog’liqlik farqlanadi. Natijada muammo daraxti
shakllanadi.
Keyinchalik, muammolar asoslangandan, uning tuzilmalari ishlab chiqilgandan
so`ng ilmiy xodim (yoki jamoa), qoidaga ko`ra, ilmiy-tadqiqot mavzuini mustaqil
tarzda tanlaydi.
Ko`pincha mavzuni tanlash tadqiqotni olib borishdan ko`ra murakkabroqdir.
Ilmiy tadqiqot mavzusiga bir qator talablar qo`yiladi.
1. Mavzu dolzarb bo`lishi, hozirgi paytda hal etishpi talab qilishi zarur.
Fundamental tadqiqotlar bilan bog’liq mavzular dolzarblik darajasini belgilash
uchun hozircha tegishli mezonlar yo`q. Shuning uchun, mazkur holda dolzarblikni
yirik olim yoki ilmiy jamoa belgilaydi. Mavzuning
amaliy tavsifiga kelsak,
ularning dolzarbligi, qoidaga ko`ra, ishlab chiqarish muayyan tarmog’ining
rivojlanish va iqtisodiy samaradorlik talablariga ko`ra belgilanadi.
2. Mavzu yangi ilmiy masalani hal etishi va ilmiy yangilik tavsifiga ega
bo`lishi kerak.
3. Ilmiy mavzuga qo`yiladigan muhim talablar bo`lib iqtisodiy
samaradorlik va ahamiyatlilik hisoblanadi. Amaliy tadqiqotlar bilan bog’liq
mavzular tanlash bosqichida taxminiy belgilanadigan iqtisodiy samara berishi lozim.
Fundamental tavsifdagi mavzuni tanlashda iqtisodiy
samaradorlik mezoni
ahamiyatlilik mezoniga o`z o`rnini bo`shatib beradi.
4. Mavzu ilmiy yo`nalishiga mos bo`lishi kerak. Bu ilmiy jamoa malakasi va
vakolatidan eng to`liq ravishda foydalanishga imkon beradi. Natijada ishlanmaning
nazariy darajasi, sifati va iqtisodiy samarasi oshadi, tadqiqotning bajarilish muddati
qisqaradi.
5. Joriy etilish mavzuning muhim tavsifi bo`lib hisoblanadi. Mavzuni
ishlab chiquvchilar uni rejadagi muddatda tugatilish imkoniyatini belgilashlari va
buyurtmachining ishlab chiqarish sharoitlariga joriy etilishini aniqlashlari
kerak. Ular tegishli ishlab chiqarishni, uning hozirgi
vaqtdagi va kelgusidagi
talablarini yaxshi bilishlari kerak.
Mavzuni tanlash mamlakat va xorijiy adabiyot manbalarini ya`ni hal
qilinayotgan masalaga bag’ishlangan bo’lishi talab etiladi. Adabiyotlar diqqat bilan
o`rganib chiqishi kerak. Bu “velosipedni qayta kashf etmaslik” uchun, shuningdek
zamonaviy ilmiy-tadqiqotlar yo`nalishini aniqlash uchun zarur.
Keyingi yillarda mavzuni tanlashda eksperiment baholash usuli keng
qo`llanilmoqda. Buning ma`nosi shundaki, rejalashtirilayotgan mavzu mutaxassis-
ekspertlar tomonidan baholanadi. Har bir ekspert mavzularga qo`yiladigan tegishli
talablarni ballarda baholaydi.
Mavzu: Intel protsessorlari xususiyatlari va avlodlari

|
Mavzu: Intel protsessorlari xususiyatlari va avlodlari
|
bet | 1/5 | Sana | 27.07.2024 | Hajmi | 53,33 Kb. | | #268729 |
Bog'liq Mavzu Intel protsessorlari xususiyatlari va avlodlari-fayllar.org
Mavzu: Intel protsessorlari xususiyatlari va avlodlari
O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKASIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI KOMPYUTER INJINIRINGI FAKULTETI
CSP006-Individual loyiha 1
Mavzu: Intel protsessorlari xususiyatlari va avlodlari
Guruh: 210-20
Fan: Indivudial loyixa 1
Topshirdi: Qarshiboyev Sirojiddin
Qabul qildi: Axmadova Kamola
Toshkent
REJA:
1. Kirish
2. Intel protsessorlarining avlodlari
3. Modellarning tavsifi va xususiyatlari
4. Intel protsessor yorliqlari
Kirish:
Ushbu maqola Core arxitekturasiga asoslangan Intel protsessorlarining so'nggi avlodlarini batafsil ko'rib chiqadi. Kompaniya kompyuter tizimlari bozorida etakchi o'rinni egallaydi. Ko'pgina zamonaviy kompyuterlar ushbu kompaniyaning chiplarida yig'ilgan.
Intel protsessorlarining oldingi avlodlari ikki yillik siklga bo'ysundilar. Ushbu kompaniyaning yangi protsessorlarini chiqarish strategiyasi "Tik-Tak" deb nomlangan. "Shomil" deb nomlangan birinchi bosqich - protsessorni yangi texnologik jarayonga o'tkazish. Masalan, arxitektura nuqtai nazaridan "Ivy Bridge" (2 -avlod) va "Sandy Bridge" (3 -avlod) avlodlari bir xil edi. Biroq, birinchisining ishlab chiqarish texnologiyasi 22 nm, ikkinchisining 32 nm tezligiga asoslangan edi. Xuddi shu narsani Broad Well (5 -avlod) va Has Well (4 -avlod) haqida ham aytish mumkin. "Shunday" bosqichi, o'z navbatida, yarimo'tkazgichli kristallar arxitekturasining tubdan o'zgarishini va ishlashning sezilarli o'sishini nazarda tutadi. Quyidagi o'tishlarni misol qilib keltirish mumkin:
|
| |
Ishsizlik va uning turlari

|
Ishsizlik va uning turlari
|
bet | 1/8 | Sana | 04.06.2024 | Hajmi | 63,63 Kb. | | #259874 |
Bog'liq Ishsizlik va uning turlari
Ishsizlikning iqtisodiy oqibatlari. A. Ouken qonuni
Reja:
1.Ishsizlik va uning turlari
2. Ishsizlikning iqtisodiy oqibatlari
3. Ouken qonuni
4. O’zbekistonda ishsizlik va uning oldini olish bo’yicha chora-tadbirlar
ISHSIZLIK VA UNING TURLARI
Ishchi kuch ibu insonning aqliy va jismoniy qobiliyatlarining yig'indisi bo'lib, jamiyatning asosiy ishlab chiqaruvchi kuchi hisoblanadi. Ishchi kuchining miqdori mamlakat aholisining mehnat faoliyatiga layoqatli bo‘lgan qismi orqali ifodalanib, u ishchi kuchi resurslari deb ham ataladi. Ijtimoiy ishlab chiqarishda band bo'Igan shaxslar ishchi kuchi resurslarining faol qismi hisoblansa, ishlab chiqarishdan ajralgan holda o'qiyotganlar va vaqtinchalik uy xo'jaligida band bo'lganlar potensial qismi hisoblanadI. Ingliz iqtisodchisi A.Fillips ishsizlik va inflyatsiyaning o'sishi o'rtasidagi bog'liqlikni ko'rsatib berib, bu bog'liqlikni ifodalovchi egri chiziq Fillips egri chizig'I deb nom oldi. Unga ko'ra, inflyatsiya darajasini 1 foizga pasaytirish uchun ishsizlikni 2foizga o'stirish lozim bo'ladi.
Ishsizlik bu-ishsizlik darajasi siyosatchilar, iqtisodchilar va sotsiologlarning e'tiborini jalb qiluvchi bir hodisa. Jamiyatni tashkil qilishning juda muhim ko'rsatkichi va ishsizlik darajasi qanchalik yuqori bo'lsa, mamlakatning iqtisodiy va ijtimoiy ahvolini yanada yomonlashtiradi. Ish topa olmaydigan odamlar ishsiz deb nomlanadi va jamiyat a'zolari sonining statistika ma'lumotlari summasi mehnatga layoqatli kishilardan hisoblanib, uning darajasini belgilaydi. Ishsizlikning ko'p turlari, turlari va shakllari mavjud va dastlabki ikkita asosiy turlar ixtiyoriy va majburiydir.
Birinchi holda, bir kishi ishlashdan bosh tortadi. Buning sababi turli sabablarga ko'ra: ish haqi pastligi, ish uchun g'ayrati yoki mahoratining yo'qligi. Iqtisodiy beqarorlik davrida ixtiyoriy ishsizlikning tezligi oshib bormoqda.Kutishning ishsizligi, biror kishi ishlashni xohlasa, ish haqi darajasi unga mos keladi, ammo u bo'sh joy topolmaydi.
Ishsizlikning Turlari Va Shakllari
|
| |
Kurva karakteristik statik dioda

Kurva karakteristik statik dioda
merupakan fungsi dari arus ID, arus yang melalui dioda, terhadap tegangan VD, beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2)
karakteristik statik dioda
Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda, yaitu ID. Dapat diubah dengan dua cara, yaitu mengubah VDD.Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab, kita peroleh karakteristik statik dioda. Bila anoda berada pada
tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur.
Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage, IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage.
Bila harga VDD diubah, maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL, maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Dari gambar 1.
VDD = Vab + (I· RL) atau
I = -(Vab/RL) + (VDD / RL)
Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Garis ini disebut garis beban (load
line). Ini ditunjukkan pada gambar 3.
Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0, dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL).
Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q).
Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3.
Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah
kecil sekali, yaitu arus saturasi IS. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon.
0>
|
Ohutustehnika ja ergonoomika

|
Ohutustehnika ja ergonoomika
|
bet | 3/3 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 89,68 Kb. | | #547 |
Ohutustehnika ja ergonoomika
Eeskirjad arvutitele:
-
Peab esitama nõuded mikrokliima kohta.
-
Akendest tuleva valguse suuna nõue.
-
Soodsad värvitoonid disainis.(helesinine, roheline, beež, mattvärvid)
-
Mööbel ei tohi peegeldada.
-
Reguleeritavad istmed ja kuvari lauad mis võimaldavad valida mugavat keha asendit.
-
Elektriväli ei tohi ületada 15KV/m
-
Röntgen kiirgus 5cm kaugusel ekraanist kuni 0,0108röntgenit/tunnis.
-
Müratase mitte üle 50dB.
Arvutitee kasutamisel tuleb jälgida, et nad oleksid tehniliselt korras!
Toit ja vedelikud ning ka suitsetamine arvuti juures tuleks unustada! Selja- ja kaelavalusid aitab ära hoida õige isteasend ja ekraani õige paigutus; õlgade ja käsivarte koormus väheneb, kui künarvarsi mugavalt toetada; randmete venitust saab vältida klaviatuuri õige paigutamisega töölauale. Õige tööasendi saavutamiseks peaks tooli kõrgus olema reguleeritav, seljatoe kõrgus ja kaldenurk muudetavad. Jalgade alla võib vajadusel asetada jalatoe kaldega umbes 20º. Jalatuge tuleks kindlasti kasutada, kui jalgu ei saa põrandale toetada või tooli isteplaat soonib reisi. Istumine õige kõrgusega toolil, toetadades jalgu põrandale või jalatoele, aitab ära hoida selja liigse nõgususe teket. See on eriti oluline nimmevalude vältimiseks. Ekraani kõrgus ja kaldenurk peaks olema reguleeritav; tema optimaalne kaugus silmadest on 50-75 cm. Kaela õige asendi saavutamiseks peab ekraani ülaserv paiknema silmade kõrgusel või veidi madalamal. Töökõrgus on õige, kui töötamisel on käed vabad: küünarvarred rõhtasendis, küünarnukid keha lähedal. Kuvariees laual peab olema piisavalt ruumi klaviatuuri, paberite jm jaoks
|
| |
7-mustaqil ish bajardi: Oqmardiyev S. Tekshirdi: Xo`jayev A

|
7-mustaqil ish bajardi: Oqmardiyev S. Tekshirdi: Xo`jayev A
|
bet | 1/4 | Sana | 20.12.2023 | Hajmi | 95,25 Kb. | | #124563 |
Bog'liq 8-mustaqil ish
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNALOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI
7-MUSTAQIL ISH
Bajardi: Oqmardiyev S.
Tekshirdi: Xo`jayev A.
Mavzu: Iqtibos keltirish, loyha, doklat, tezis yozish.
Reja:
Iqtibos keltirish.
Loyha va doklat yozish.
Tezish yozish haqida tushumcha.
1. Iqtibos keltirish.
"İqtibos keltirish" deyilgan so'zning o'zbek tilidagi ma'nosi "alıntı qilish" yoki "sitata olish" degan ma'nolarni bildiradi. Alıntı qilish, boshqa kishining so'zlari, matnlari yoki fikrlari bilan o'z matnini boshqarish, uning muallifligini yoki manbani ko'rsatish maqsadida amalga oshiriladi.
Iqtiboslar odatda matnning boshida, o'rtasida yoki oxirida belgilanadi. Bu qo'llanma, kitob, maqola, veb-sayt yoki boshqa manba matnlarda amalga oshirilishi mumkin. Iqtiboslar avtor yoki manba bilan bog'liq ravishda ko'rsatilishi kerak, misol uchun: "Uzbek adabiyoti ustozlari antologiyasi" nomli kitobdan, Abdulla Qodiriyning "Mehrobdan Chayon" asaridan olib tashlangan iqtibos.
Iqtiboslar matnning aslidan ayirib olinishi va manbani ko'rsatishi maqsadida amalga oshiriladi. Ushbu usul ilgari bilan fikrlar, ma'lumotlar yoki izohlar manbalardan olinganligini nishonlash uchun muhimdir. Aynan shu sababli, iqtiboslar qo'llanilgan matndan yoki muallifdan to'liq ravishda nusxalanishi kerak, uning manba ma'lumotlarini taqdim etish maqsadida.
Iqtibos keltirishning muhim aspektilaridan biri, asl matndan kelib chiqqan so'zlarni to'liq va aniq tarzda ko'rsatishdir. Bu, alıntı qilingan so'zlar, izohlar yoki matn qismi uchun g'alatiy o'zgarishlarni qilmaslikning muhimdir. Alıntı qilingan matndagi orijinal fikr, nuqtai nazar yoki ibora uning asl ma'nosi va ko'rsatilgan shaklidagi saqlanishi kerak.
Iqtibos keltirish avtorlik huquqining muhim bir ko'rinishini tashkil etadi. Boshqalarning matnlari bilan ishlashda, ularning fikrlariga va manbalariga hurmat qilish kerak. Iqtibos keltirish asl matndagi avtorlik huquqlarini qo'llab-quvvatlash va adabiyotda transkriberlik amaliyotini rivojlantirishga yordam beradi.
|
| |
Mis määrab ära arvuti uuendamise ja täiustamise võimalused?

Mis määrab ära arvuti uuendamise ja täiustamise võimalused? Rahakoti paksus.
-
Riistvara
Millised kaks kõige enam levinud protsessoreid tootvad firmad?
AMD ja INTEL
Sisendseadmed on kõik seadmed, mille abil on võimalik arvutisse andmeid sisestada. Tuntumad sisendseadmed on: klaviatuur, hiir, skänner, arvutimängude juhtpuldid jne.Sisendseadmete ülesandeks on andmeid sisestada.
Väljundseadmed on kõik välisseadmed, mille abil on võimalik arvutist andmeid väljastada. Peamisteks väljundseadmeteks on: monitorid, printerid, meediaprojektorid jne.Väljundseadmete ülesandeks on andmeid väljastada.
Keskseadmetena on arvutikorpuses protsessor, põhiplokk koos emaplaadiga.
Arvutite liigid
-
Suurarvutid
-
Superarvutid
-
Miniarvutid
-
Mikroarvutid
-
Mälu
ROM – püsimälu - info säilib ka siis, kui puudub elektritoide.
RAM – sise- ehk operatiivmälu Operatiivmälu on reeglina ajutise iseloomuga, ta pole säilmälu, see tähendab, et kui seadmel vool välja lülitada, siis mälus olevad andmed hävivad.
Kirjuta mäluühikud ja seosta need failiformaadiga.
Bitt (bit) – väikseim mäluühik, tähiseks b
BAIT (Byte) – bitist suurem mäluühik
bait 1B = 8b
kilobait 1KB = 1024 B
megabait 1MB = 1024 KB
gigabait 1GB = 1024 MB
terabait 1TB = 1024 GB
petabait 1PB = 1024 TB …
sümbol (täht) - 1 bait
lehekülg teksti - 2-3 kilobaiti
minut muusikat (MP3) - alates 1 MB-st
minut mängufilmi (AVI) – alates 5 MB-st
foto (nn RAW-fail, töötlemata) – 9.8 MB
Millistest teguritest sõltub arvuti kiirus?
-
Protsessori taktsagedus(Ühik MHz)
-
Töömälu (RAM) suurus (Ühik Mb)
-
Graafikamälu suurus
-
Siinide läbilaskevõime
-
Tarkvara
Operatsioonisüsteem on tarkvara, mis määrab, kuidas arvutis programme täidetakse (käivitab, haldab, hooldab, tegeleb ressursijaotusega, juhib andmesisestust ja väljastust) ja tegeleb riistvaraga. On olemas mitmeid erinevaid operatsioonisüsteeme (UNIX, SOLARIS, VMS, DOS, OS/2, WINDOWS95/98, WindowsNT/2000/XP jne).
Rakendustarkvaraks on programmid, mida tavakasutaja mingi konkreetse töö tegemisel kasutab. Näiteks tekstitoimetid (Word), esitluste tegemiseks mõeldud programmid (PowerPoint), tabelarvutusprogrammid (Excel), andmebaasisüsteemid (Access), joonistamisprogrammid (Paint), pakkimisprogrammid (PowerArchiever, WinZip), viirusetõrjeprogrammid (F-Secure, Norton Antivirus) jne.
Graafiline kasutajaliides (GUI) on arvuti kasutamise keskkond, milles kasutatakse lisaks tekstile ka graafilisi elemente, kuvamaks infot ja tegevusi, mis on kasutajale saadaval. Käske saab anda nii klaviatuurilt kui ka hiire abil.
Mittegraafilised kasutajaliidesed (text-mode) Käske saab anda vaid klaviatuurilt, hiirt kasutada ei saa.
-
|
Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission)

|
Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission)
|
bet | 17/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission)
Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya, yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi
mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik, hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda.
Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya.
Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu
Dioda
Trioda
Tetroda
Pentoda
REFERENSI
“Elektronika : teori dasar dan penerapannya”, jilid 1, Bandung: Penerbit ITB, 1986”
Hubungan p-n
Lihat gambar diatas
hubungan berangsur-tangga atau
hubungan berangsur-linier
Hubungan berangsur-tangga, rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. Dalam hubungan berangsur-linier, rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis.
|
| |
Emisi Sekunder ( Secondary emission)

|
Emisi Sekunder ( Secondary emission)
|
bet | 16/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
Emisi Sekunder ( Secondary emission)
Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda
sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder, karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk
menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik.
|
| |
Tugas perorangan - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 22/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
Tugas perorangan:
Buat resume tentang
konsep elektron, atom, pita energi.
konduktor, isolator, semikonduktor
semi konduktor murni
rekombinasi
semikonduktor tidak murni
pengaruh temperatur pada semikonduktor
efek hall.
dioda dan hubungan-hubungannya
s.d. hubungan p-n yang dicatu.
Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja.
Pertemuan 6, 7 dan 8 Transistor
The transistor, invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947, rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. A transistor consists of three layers of a semiconductor material, each capable of carrying a current. A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires).
The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a P- type layer between N-type layers (an NPN configuration).
A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large, rapid change in the current passing through the entire component. The component can thus act as a switch, opening and closing an electronic gate many times per second. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material; the
other with P-type material). When one transistor is maintaining a logic state, it requires almost no power.
Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs), which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip."
|
| |
Arvutite veakindlus, veakindlad koodid

|
Arvutite veakindlus, veakindlad koodid
|
bet | 19/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
3. Arvutite veakindlus, veakindlad koodid.
Rikked arvuti riistvaras.
-
Püsivad rikked (Permanent Faults)
-
ühenduste rikked
-
purunenud komponendid
-
tootmisel tekkivad rikked
-
kasutamisel tekkivad rikked
-
projekteerimise vead
-
Mittepüsivad rikked (Nonpermanent Faults)
-
keskond (temperatuur, niiskus, rõhk, ...)
-
vibratsioon ja müra
-
toide
-
magnetväli ja staatiline elekter
-
halvad ühendused
-
takistuse ja mahtuvuse muutused
-
vananemine
Veakindlad koodid (Error-detecting Codes)
-
vigu avastavad koodid
-
vigu parandavad koodid
Rikked arvuti riistvaras.
Püsivad rikked:1.Ühenduste rikked;2.Purunenud komponendid;3.Tootmisel tekkivad rikked;4.Disaini vead.
Mitepüsivad rikked:1.Keskond (temp. Niiskus, rõhk ...);2.Vibratsioon;3.Toide;4.El. magn väli, staatiline elekter, maandus;5.Halvad ühendused;6.Kriitilised ajad (timing);7.Takistuse ja mahtuvuse muutused, 8.Müra;9.Vananemine.
Millal testitakse:*Normaalses tööreziimiz. (Online testing,Concurrent testing)*Spetsiaalses testimise reziimis. (Off-line testing).
Kus on stiimulid: *Süsteemi sees (Self-testing)*Eraldi testri mälus (External testing).
Milliseid rikkeid testitakse: *Projekteerimise vigu. (Design verification)*Tootmise vigu*Tootmise praaki*Rikkeid (Field testing, Mintenance testing) .
Milline on testimise objekt: *Mikroskeem IC (Component level testing)*Plaat (Board level testing)*Süsteem (System-level testing).
Kuidas saadakse testid/oodatavad reakstsioonid: *Mälust. (Stored pattern tetsing)*Genereeritakse testimise ajal. (Algorithmik testing).
Millises järjekorras antakse teste objektile: *Fikseeritud jäjekorras. *Sõltuvalt eelmise testi tulemustest (Adaptive testing).
Milline on testimise kiirus: *Normaalsest tööökiirusest aeglasemalt (Static testing)*Töökiirusel (At-speed testing).
Mida jälgitakse: *Kõiki väljundkombinatsioone *Funktsiooni väljundkombinatsioonidest (Compakt tetsing).
Milistele objekti punktidele on ligipääs: *Ainult sisenditele/väljunditele. (Edge-pin testing)*Sisenditele/väljunditele lisaks ka sisemistele punktidele. (In-circuit tetsing, Bed-of-nails testing, …)
Kes kontrollib tetsimise tulemusi: *Süsteem ise (Self-testing, Self-cheking)*Väline seade-tester. (External testing).objekt, test ja etalon.testinfo esitus.rikkemudelid. konstant 0 ja konstant 1 rike ( stuck-at-0 and stuck-at-1 faults, s-a-0 and s-a-1), lühised (Bridges),ühekordsed ja mitmekordsed rikked,testide genereerimine (Test Pattern Generation),kattev testimine (Exhaustive Testing),juhuslik testimine (Random Testing), pseude juhuslik testimine (Pseudo Random Testing),testide genereerimine determineeritud meetodil.
|
| |
Katkematu pingeallikas (UPS) - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 24/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
3. Katkematu pingeallikas (UPS).
Puhvertoiteallikas ehk katkematu toite allikas ehk UPS on seade, mille eesmärk on kaitsta elektritarbijaid erinevate elektrivõrgus esinevate probleemide eest. Elektrivõrgus (Euroopas 230V) võib esineda 9 erinevat süsteemisisest probleemi, mis võivad häirida elektriga töötavate seadmete töökvaliteeti või füüsiliselt seadmeid rikkuda. Lisaks on olemas süsteemivälised probleemid, kus kas loodusliku õnnetuse või inimtegevuse tagajärjel saavad elektriliinid või muud elektripaigaldised nõnda kannatada, et tarbijateni jõudev elektrivool puudub üldse või ei vasta nõuetele.
Kõige levinumad elektrivõrgu süsteemisisesed probleemid 1-faasilistes süsteemides on:
-
Pingelohk – kõige ohtlikum ja rahalist kahju toovam [1][2]
-
Süsteemiavarii ehk voolukatkestus – mitte väga ohtlik ja keskmiselt rahalist kahju toov [1][2]
-
Impulsspinge – mitte väga ohtlik ja vähe rahalist kahju toov [1][2]
-
Liigpinge ehk ülepinge – mitte väga ohtlik ja keskmiselt rahalist kahju toov[1][2][3]
-
Alapinge – mitte väga ohtlik ja keskmiselt rahalist kahju toov[1][2][4]
-
Voolutõuge [1][2]
-
Müra [1][2]
-
Sagedushälbed [1][2]
-
Suhteline harmoonikute sisaldis[1][2]
Nendest probleemidest tulenevate kadude (riistvaralised kaod, andmete kustumine ja lisatöö kaotatu kompenseerimiseks) leevendamiseks ja vältimiseks on välja mõeldud mitmesuguseid töövõtteid ja kaitseseadmeid. Üks võimalus kaitsta oma elektriga töötavaid seadmeid ja nendega seotud ressursse on kasutada sellist riistvaralist lahendust nagu UPS (inglise keelest uninterruptible power supply), mida eesti keeles kutsutakse katkematu toite allikaks või puhvertoiteallikaks. Kuigi kirjanduses kasutatakse eelpool mainitud termineid ning nendest on võimalik konstrueerida ka suupäraseid lühendeid eesti keelde (näiteks KTA ehk KATA või PTA ehk PETA), on professionaalne katkematute toiteallikatega töötav personal inseneride ning müügiinimeste näol üle võtnud siiski mugava lühendi UPS. Seda moodi järgib ka antud artikkel.
UPS-i peamine ülesanne on seadmeid kaitsta toitepinge katkemise ning tugevate pingekõikumiste eest. UPS ühendatakse oma elektrilise sisendi ning väljundi abil kaitstava seadme sisendi ning elektrivõrgust (või mingist muust vahelduvvoolu energiaallikast) tuleva väljundi vahele (sellest tuleb ka sõna "puhver"). UPS-i sees on aku, mis hoiab toidet mõned minutid, et kasutaja saaks poolelioleva töö salvestada ja arvuti sulgeda. IEC (International Electrotechnical Commission) avaldas 1999. aastal standardi, mille alusel saab UPS-id jagada kvaliteediklassidesse. Standard IEC 62040-3 defineerib UPS-id kolme klassi – klass 1, klass 2 ning klass 3. UPS-e iseloomustavad paljud parameetrid (millest paljusid hoiavad tootjad enda teada) ning uuemate mudelitega kaasnevad uued ja täiendavad lisafunktsioonid.
|
| |
Tungsten - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 13/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
Tungsten
Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius), sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature
tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal, hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4,52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius)
|
| |
Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode)

|
Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode)
|
bet | 15/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode)
Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V.
Emisi Medan Listrik (Field Emission)
Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari
bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic.
|
| |
(mc14) 
where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from:


(mc15)

|
(mc14)
where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from:
(mc15)
|
bet | 49/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
(mc14)
where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from:
(mc15)
This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature, while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap.
In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0.1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature , structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect.
Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. Deep depletion measurements are therefore done in the dark.
Experimental results and comparison with theory
As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
(mc14)
where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from:
(mc15)
|
Ferit dan Permeability - Disusun oleh: Agustian Noor

Ferit dan Permeability
Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Ada bermacam- macam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle, manganase, zinc (seng) dan magnesium. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi, bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik.
Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki =
1 sampai = 15.000. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil.
Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material, dimensi dan permeability yang lebih detail.
Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor.
Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20, berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan = 3000. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah :
|
L 5.9 mH - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 55/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
L 5.9 mH
Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. Jika datanya lengkap, maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit, diameter lingkar luar, diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Seperti contoh
tabel AL berikut ini yang satuannya H/100 lilitan.
Tabel AL
Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah :
Indeks AL ………. (9)
Misalnya digunakan ferit toroida T50-1, maka dari table diketahui nilai AL = 100. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4H diperlukan lilitan sebanyak :
|
| |
Assotsiatiivse vahemälu uuendamise strateegiad

Assotsiatiivse vahemälu uuendamise strateegiad :
LRU - Least Recently Used
LFU – Least Frequently Used
LIFO – last in last out (viimasena sisse, esimesena välja)
FIFO – First In First Out (esimesena sisse, esimesena välja ehk kauem olnud andmed välja, nagu poejärjekord)
Järjestikune uuendamine (Round-Robin)
Random - juhuslik
Andmete kirjutamine vahemälust põhimällu:
Write-through, korraga muutused kirjutada vahemällu ja põhimälu
Write-back, kirjutatakse põhimällu vahemälu bloki asendamisel,
DMA või mõne teise siinihõive õigusega seadme pöördumisel antud aadressil või ka kui ei ole piisavalt kaua andmeid põhimällu kirjutatud (Pentium).
Probleem – vahemälu initsialiseerimine pärast RESET-i. Kus on juba vajalik mälust loetud info ja kus juhuslik sisselülitamisel kujunenud kood?
Lihtsaim lahendus – lisa bit (dirty bit) initsialiseeritakse resetiga.
http://et.wikipedia.org/wiki/M%C3%A4lu_(arvuti)
|
Järjestikskeem: digitaalskeem, milles väljundi väärtus sõltub eelmistest, eelnevatel diskreetse aja hetkedel I/O-s olnud väärtustest – skeemil on mäluolek

1. Enamkasutatavad järjestikskeemid.
Järjestikskeem: digitaalskeem, milles väljundi väärtus sõltub eelmistest, eelnevatel diskreetse aja hetkedel I/O-s olnud väärtustest – skeemil on mäluolek.
trigerid (Flip/flop, latch)
triger on elementaarne salvestuselement, millel on kaks stabiilset olekut. Ühele olekule omistatakse leppeliselt kahendväärtus 1, teisele olekule 0. Erinevalt loogikaelementidest ei sõltu trigeri olek mingil hetkel mitte ainult sisendite väärtustest sellel hetkel, vaid olulisemad on hoopis trigeri endine olek ja eelmised sisendiväärtused.
registrid (Registers) nihkega ja ilma
N-bitise kahendkoodi salvestamiseks on vaja n trigerit, mis moodustavadki registri. Registreid ühendavad JA-elemendid, mis võimaldavad edastada koode ühest registrist teise. Registriks nim trigeritest koosnevat seadet, mis võimaldab salvestada, säilitada ja taasesitada infot (sõna kaupa). Igale registrisse salvestatud sõna bitile vastab registri koht (pesik?). Nihkega ehk jadaregister - trigerid ühendatud omavahel nihkeahelaga. Nihe paremale on madalamate bittide suunas ja vasupidi. Arvu nihutamine paremale tähendab ta jagamist arvusüsteemi alusega. Nihkereg võimaldab teisendada infi järjestikuselt kujult paralleelsele kujule ja vastuidi. Reverssiivne - nihkeregister, mis suudab nihet nii paremale kui vasakule. Ilma nihketa ehk rööpregistrisse salvestatakse info rööpkoodis, n-kohalise arvu jaoks n-trigerit.
loendurid (Counter)
In general, a counter is a device which stores (and sometimes displays) the number of times a particular event or process has occurred often in relationship to a clock. In practice, there are two types of counters:
*up counters which increase (increment) in value
*down counters which decrease (decrement) in value.
kahend, kümnend, suvalise mooduliga, sünkroonne, asünkroonne, jne.
Nim impulsside loendamiseks ettenähtud loogikalülitust. Loendur on register, millesse salvestatud arv sisendile antud signaali mõjul suureneb ühe võrra. Summeerivad-loendavad päripidi, Lahutavad-loendavad tagurpidi (reverssiivne), sõltuvalt info ülekandmise viisist jaot. nad jada- ja rööpülekandega loendureiks. Kahendloendur - kahepositsiooniliste trigeritega. Lihtsaim loendustriger moodustab kahendloenduri järgu. Loendustegur=2n (n-loendurikohtade arv). Kümnendloendur - loendab järjest 2nd koodi 0...9. Sünkroonne - ehk rööpülekandega, toimub trigeritevaheline signaali ülekandmine kõigi astmete jaoks üheaegselt, mistõttu ei teki hilistumist. Asünkroonne - ehk jadaülekanne, loenduri puuduseks on signaalide ülekandmisel tekkiv hilistumine, mis suureneb koos loenduri astmete arvuga. Hilistumine võib ületada takti kestvuse.
|
Adresseerimise viisid - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat...

2. Adresseerimise viisid.
1. Otsene adresseerimine – operandid vahetult järgnevatel mäluaadressidel.
2. Kaudne adresseerimine – käsukoodis on aadressi aadress, operandide vahetamise võimalus CPU-de vahel.
3. Vahetu adresseerimine – operandide aadressid on sõltumatud ning antakse eraldi aadressiga kas registermälus või põhimälus.
4. Autoinkrementne – pinumälust lugemiseks saadakse aadress registermälust, sellele lisatakse operandi mõõt ja tulemus läheb pinumälu järgmisse aadressi.
5. Autodekrementne – registrist lühike aadress, mille järgi operandid ja mõõt pinumälusse.
6. Segmenteerimine – käsukood ja segment aadressis kui kõik andmed on ühes pinumälu segmendis, segmentidevaheline liikumine käsuloenduri abil.
7. Indekseerimisega – aadressi baas R indeks + nihe -> kui palju peab operandide liikumiseks edasi liikuma.
8. Baseerimisega – käsukoodiga antakse ainult nihe, aadressi baas asub baasiregistris.
9. Baseerimise ja indekseerimisega – nii indeks- ja baasregistrid.
10. Suhteline adresseerimine – käsukoodiga antakse nihe.
Operandide adresseerimiseks kasutatakse mitut viisi: otse-, suht- ning kaudadresseerimist jne. Käsus sisalduva teabe põhjal leitakse vajalik mälupesa ning loetakse sealt soovitud operand. Protsessoril võib olla 10 ja enam erinevat adresseerimisviisi.
Otseadresseerimisel antakse käsuga ette operandi aadress, mille järgi leitakse mälust operand.
Kaud adresseerimisel leitakse kõigepealt mälust operandi aadress ning seejärel teisest mälupesast operand.
Suhtadresseerimisel antakse operandi aadress käsuloenduri (programmi jooksva aadressi) suhtes. Operandi aadress leitakse käsuloenduri sisu ja suhtaadressi summeerimisega.
Indeksadresseerimine sarnaneb suhtadresseerimisega, kuid käsuloenduri asemel kasutatakse baasaadressina indeksiregistris salvestatud aadressi sõna
Vahetul adresseerimisel antakse operand otse käsuga.
|
N 20 lilitan - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 56/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
N 20 lilitan
Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya.
Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Misalnya abu-abu, hitam, merah, biru atau kuning. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability, tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut.
Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability yang besar. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100.
|
| |
cv1.gif - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 50/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
cv1.gif
Fig. 6.6.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor. Shown are, from top to bottom, the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve), the low frequency capacitance measured in the dark, the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). All curves were measured from
left to right. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. The device area is 0.0007 cm2
The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. First of all one should measure the devices in the dark; the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). The larger the carrier lifetime, the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion.
The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also
shown on the figure. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects.
|
| |
Suvapöördusmälud - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)

2. Suvapöördusmälud.
Suvapöördusmälud on mälud, kus mälu poole pöördumine ja sealt mingi info saamine võtab alati ühepalju aega, olenemata sellest, kus info mälus asub. Suvapöördusmälud jagunevad pooljuht ja magnetmäludeks. Pooljuhtmälud säilitavateks ja mittesäilitavateks (toite kadumisel data kaob):
Säilitavad:
ROM – kiire, kasutaja muuta ei saa, lugemiseks
PROM – ühe korra programmeeritav dioodide läbipõletamine
EPROM – korduvalt programeeritav, ujupaisuga transistor, kustutamine UV-valgusega
EEPROM – ujupaisu laeng määratakse elektriliselt
Mittesäilitavad:
SRAM – kiire, kasutatakse registrites, realiseeritakse transistoridega kristalli pinnal
DRAM – aeglasem, põhimäludes, realiseeritakse kondensaatoritega, mis asuvad mitmekihiliselt kristalli pinnal
Suvapöördus magnetmälu on säilitav mälu.
|
Foydalanilgan - Axborot texnologiyalari universiteti «Kriptologiya» kafеdrasi

|
Axborot texnologiyalari universiteti «Kriptologiya» kafеdrasi
|
bet | 7/7 | Sana | 15.05.2024 | Hajmi | 305,57 Kb. | | #236344 |
Bog'liq Mustaqil ish (1)Foydalanilgan adabiyotlar
2017 yil 2 fevral kunida “O‘zbekiston Respublikasi Prezidentining O‘zbekiston Respublikasini yanada rivojlantirish bo‘yicha harakatlar strategiyasi to‘g‘risidagi farmoni” O‘zbekiston Respublikasi Prezidentining PQ- 4947-sonli farmoni
O‘zbekiston Respublikasi prezidentining “Milliy axborot resurslarini muhofaza qilishga doir qo‘shimcha chora-tadbirlar to‘g‘risida” 2018 yil 18-iyuldagi PQ-1572-son qarorini amalga oshirish chora-tadbirlari haqida O‘zbekiston Respublikasi vazirlar mahkamasining qarori.
Olimov I.S., Ortiqboyev A.M., “Buyumlar internetining (Internet of things, IOT) Arxitekturasi va xavfsizlik muammolari”. Axborot kommunikatsiyalari: Tarmoqlar, Texnologiyalar, Yechimlar. №2 (54). Toshkent-2020. -B. 32-41.
Boriyev Y.A., Sadikov M.A., Khamidov SH.J., “Internet of things architecture and security challenges ICISCT 2020 confrence international conferencye on information sciyencye and communications technologiyes 4,5,6 November
P. Kasinathan, C. Pastrone, M.A. Spirito and M. Vinkovits, “Denial of service detection in 6LoWPAN based internet of things.” 9th international conference wireless and mobile computing, Networking and communications. 2013.
A.W. Atamli, A. Martin, “Threat based security analysis for the internet of things.” International workshop on secure internet of things. 2014 pages 35-43.
A. Perrig, J. Stankovic, and D. Wagner, "Security in wireless sensor networks." Communications of the ACM 47, no. 6 (2004): 53-57.
A. Mitrokotsa, M. R. Rieback, and A. S. Tanenbaum, "Classification of RFID attacks." Gen 15693 (2010): 14443.
F. Santoso, N. Vun, “Securing IoT for Smart Home System”, International Symposium on Consumer Electronics (ISCE) Securing, 2015 IEEE.
T. Polk, and S. Turner. “Security challenges for the internet of things,” http://www.iab.org/wp-content/IAB-uploads/2011/03/Turner.pdf.
S. Shantharajah, K. Duraiswamy, G. Nawaz, “Key Management and distribution for authenticating group communication”, First international on Industrial and Information System, ISSN: 2164-7011, IEEE.
Ekologiya i bezopasnost jiznedeyatelnosti: Uchebnoye posobiye dlya studentov VUZov/ red. L. A. Muraviy, 2002.
Yormatov Gʻ.Y. Isamuxamedov Y.U. Mehnatni muhofaza qilish. Darslik. O‘zbekiston nashriyoti. Toshkent-2002
Muzaffar Qosimov (“Buyumlar internet bu nima degani o‘zi?”) 05.09.2018 https://plus.google.com/104225891102513041205/posts/
|
| |