Mantiqiy integral sxemalar negiz elementlari

2.4. Mantiqiy integral sxemalar negiz elementlari
Mantiqiy IMS negiz elementlari tuzilishiga ko’ra quyidagi guruhlarga bo’linadi: diodli – tranzistorli mantiqiy elementlar (DTM); tranzistor – tranzistorli mantiq elementlari (TTM); tok qayta ulagichlari asosidagi emitterlari bog’langan mantiq elementlari (EBM); MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar; injektsion manbali elementlar (I2M). Elektron kalit turi mantiq turi bilan aniqlanadi.
Agar kalit sxemasi tarkibida tranzistordan tashqari boshqa elektr radioelementlar (rezistor, diod) mavjud bo’lsa, bu holat integratsiya darajasini pasaytiradi va shu sababli bu mantiq turi o’rta va katta integratsiyali raqamli integral mikrosxemalar negiz elementlari sifatida qo’llanilmaydi. Quyida zamonaviy raqamli integral qurilmalarda qo’llaniladigan negiz elementlar ko’rib chiqiladi.
Tranzistor – tranzistorli mantiq elementlari (TTM). Bu mantiq turida elektron kalitlar bilan boshqariladigan ko’p emitterli tranzistor (KET)da bajarilgan invertor qo’llaniladi. Chiqishida oddiy invertor bo’lgan TTM sxemasi 2.4 a – rasmda keltirilgan.
X1 va X2 kirishlar mantiqiy bir potenntsialiga ega (2,4 V) deb faraz qilaylik. Bunda KET emitter o’tishlari berk bo’ladi va tok quyidagi zanjir orqali oqib o’tadi: kuchlanish manbai EM – rezistor R1 – KETning ochiq bo’lgan kollektor o’tishi VT1 tranzistor bazasiga yo’nalgan bo’ladi, shu sababli VT1 to’yinish rejimiga o’tadi va uning kollektorida mantiqiy nol past potentsiali o’rnatiladi (0,4 V).
a) b)
2.4 – rasm.
Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potentsiali (mantiqiy nol potentsiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o’tishlari kollektor o’tish kabi to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo’nalishda oqib o’tadi: kuchlanish manbai EM – rezistor R1 – KET baza – emitteri – kirishdagi signal manbai – umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo’lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V – mantiqiy bir) yuzaga keladi.
Ko’rinib turibdiki, faqat bitta kirishga mantiqiy 0 berilsa holat o’zgarmaydi. Demak, biror kirishda mantiqiy 0 mavjud bo’lsa chiqishda mantiqiy 1 hosil bo’ladi. Qachonki barcha kirishlarga mantiqiy 1 berilsagina chiqishda mantiqiy 0 hosil bo’ladi. Haqiqiylik jadvalini tuzib bu element 2HAM-EMAS amalini bajarishini ko’ramiz. Ko’rib o’tilgan bu element kichik xalaqitlarga bardoshligi, kichik yuklama qobiliyati va yuklama sig’imi SYu (katta R2 qarshilik orqali)ga ishlaganda, kichik tezkorlikka ega ekanligi sababli keng ko’lamda qo’llanilmaydi.
Murakkab invertorli TTM sxemasi ko’rib o’tilgan sxemaga nisbatan yaxshilangan parametrlarga ega (2.4 b-rasm). Bu element uch bosqichdan tashkil topgan:
kirishda R0 rezistorli ko’p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi);
R1 va R2 rezistorli VT1 tranzistorda bajarilgan faza kengaytirgich;
VT2 va VT3 tranzistorlar, R3 rezistor va VD diodda bajarilgan ikki taktli chiqish kuchaytirgichi.
Bu sxema nisbatan kichik chiqish qarshilikka ega bo’lib, yuklama sig’imidagi qayta zaryadlanishni tezlashtiradi.
Sodda sxemadagi kabi, bu sxemada ham chiqishda U1 daraja olish uchun, KET biror kirishiga mantiqiy nol daraja berilishi kerak. Bu vaqtda VT1 va VT3 tranzistorlar berkiladi, VT1 kollektoridagi kuchlanish katta bo’lganligi sababli VT2 ochiladi. SYu yuklama sig’imi VT2 va diod VD orqali zaryadlanadi. R3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi
KET barcha emitterlariga U1 daraja berilsa VT1 va VT3 tranzistorlar to’yinadi, VT2 tranzistor esa deyarli berkiladi. SYu yuklama sig’imi to’yingan VT3 tranzistor orqali tez zaryadsizlanadi. TTM sxemalarni tezkorligini yanada oshirish maqsadida ularda diod va Shottki tranzistorlari qo’llaniladi. Bu modifikatsiya TTMSh deb belgilanadi.
|