Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshke

RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
“ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2 CAE002 ”
fanidan
1-MUSTAQIL ISH
Bajardi: Baqoyev Bahodir 213-22
Qabul qildi: Toshmatov Shunkorjon Toshpulatovich
Toshkent – 2024
Variant
|
Tranzistor tipi
|
Baza sokinlik toki .
mkA
|
Manba kuchlanishi .
V
|
Kollektor qarshiligi . Om
|
Kuchaytirgichning chegaraviy chastotasi .
Hz
|
6
|
2N3771G
|
75
|
5
|
400
|
300
|
1. 2N3771G tranzistorining parametrlarini hisoblash
1.1 UE sxemasiga mos ravishda 2N3771G tranzistorining kirish va chiqish statik xarakteristikalar oilasini qurish.
UE sxemasiga mos ravishda 2N3771G tranzistorining kirish xarakteristikalari ya'ni Uke = 0 V va Uke = 5 V boʻlganida Ib = f(Ube) bogʻliqlik oilasini qurish.
Tranzistor parametrlarini aniqlash uchun sxema yigʻiladi 1-rasm.
rasm. Tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasini olish
Olingan IB va UBE qiymatlarini 1- jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida 2N3771G tranzistorining kirish xarakteristikalari oilasini quramiz.
2N3771G tranzistorning UE sxemasiga mos ravishda Uke = 0 V va Uke =5 V boʻlganda Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi
1-jadval
UКЭ = 0В
|
UКЭ = 5В
|
IБ. мкА
|
UБЭ. мВ
|
IБ. мкА
|
UБЭ. мВ
|
25
|
647
|
25
|
647
|
50
|
678
|
50
|
678
|
75
|
695
|
75
|
695
|
100
|
708
|
100
|
708
|
125
|
717
|
125
|
717
|
150
|
725
|
150
|
725
|
175
|
732
|
175
|
732
|
200
|
738
|
200
|
738
|
250
|
747
|
250
|
747
|
300
|
755
|
300
|
755
|
350
|
761
|
350
|
761
|
400
|
767
|
400
|
767
|
Berilganlar asosida Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi grafigini chizamiz
(2- rasm).
(2- rasm). 2N3771G tranzistorining Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari oilasi grafigi
UE sxemasiga mos ravishda 2N3771G tranzistorining chiqish xarakteristikalari ya'ni Ib = const boʻlganida Ik = f(Uke) bogʻliqlik oilasini olish.
Tranzistor parametrlarini aniqlash uchun 2 sxema yigʻiladi (3- rasm)
3- rasm. Tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasini olish
Baza tokening Ib = 25 mkA, Ib = 50 mkA, Ib = 75 mkA; Ib = 100 mkA; Ib = 125 mkA; Ib = 150 mkA qiymatlarida tranzistorning kollektor toki Ik va kollektor va emitter orasidagi kuchlanish Uke olingan qiymatlarini 2-jadvalga kiritamiz. Bu qiymatlar asosida 2N3771G tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Ib = const boʻlganda Ik = f(Uke) quriladi.
2N3771G tranzistorining chiqish xarakteristikalari oilasi
Ik = f(Uke)
2-jadval
UКЭ
|
IБ = 25 мкА,
бўлганда IК
|
IБ = 50 мкА,
бўлганда IК
|
IБ = 75 мкА,
бўлганда IК
|
IБ = 100 мкА,
бўлганда IК
|
IБ = 125 мкА,
бўлганда IК
|
IБ = 150 мкА,
бўлганда IК
|
0
|
0.079592
|
0.31587
|
0.699346
|
1.22
|
1.868
|
2.634
|
0.5
|
0.082447
|
0.327383
|
0.724873
|
1.264
|
1.936
|
2.731
|
1.0
|
0.085354
|
0.33889
|
0.75037
|
1.309
|
2.004
|
2.827
|
2.0
|
0.09114
|
0.361902
|
0.801415
|
1.398
|
2.141
|
3.02
|
3.0
|
0.096936
|
0.384928
|
0.852423
|
1.487
|
2.277
|
3.212
|
4.0
|
0.102852
|
0.407896
|
0.903452
|
1.576
|
2.414
|
3.405
|
5.0
|
0.108522
|
0.430942
|
0.954464
|
1.665
|
2.55
|
3.597
|
6.0
|
0.114293
|
0.453975
|
1.005
|
1.754
|
2.687
|
3.79
|
7.0
|
0.120025
|
0.476965
|
1.057
|
1.843
|
2.823
|
3.983
|
8.0
|
0.12578
|
0.499975
|
1.108
|
1.932
|
2.96
|
4.175
|
9.0
|
0.13178
|
0.523027
|
1.159
|
2.022
|
3.096
|
4.368
|
10
|
0.137358
|
0.546002
|
1.21
|
2.111
|
3.233
|
4.561
|
15
|
0.166398
|
0.661113
|
1.465
|
2.556
|
3.915
|
5.524
|
20
|
0.195081
|
0.776180
|
1.72
|
3.001
|
4.598
|
6.487
|
Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Ik = f(Uke) ni quramiz (4-rasm).
4-rasm. 2N3771G Tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Ik = f(Uke) ni grafigi
1.2 2N3771G tranzistorning umumiy emitter sxemasi uchun olingan voltamper xarakteristikasidan grafik usulda h– parametrini aqilash.
2N3771G tranzistornig kirish xarakteristikalari oilasi Ib = f(Ube) dan, h11e ni aniqlaymiz. Tranzistorning statik rejimini aniqlovchi Uke=10 V ga mos keluvchi berilgan baza tinch toki Ibp=75 mkA qiymati yordamida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz.
“A” nuqtaning koordinatalari: Iбп=75 мкА, Uбэп=695 мВ.
“ A” ishchi nuqta yaqinida bir xil masofada ikkita yordamchi nuqtalar
aniqlab olamiz va oraliq baza toki ΔIb va oraliq kuchlanish ΔUbe qiymatini
aniqlab, quyidagi ifoda yordamida differensial qarshilikni topamiz::
5- rasmdan Iб1=50 мкА, Iб2=100 мкА, Uбэ1=678 мВ, Uбэ2=708мВ,
qiymatlarni olamiz. U holda h11э quyidagicha aniqlaniladi:
= 600 Ом
5-rasm. h11e parametrini grafik usulda aniqlash
2N3771G tranzistornig kirish xarakteristikalari oilasi Iб = f(Uбэ)
dan, h12э ni aniqlaymiz. Buning uchun Uкэ=0В xolatida olingan
xarakteristikani kesishuvchi “A” nuqtadan gorizantal chiziq oʻtkazib olamiz.
2N3771G tranzistorning emitter va kollektor orasida kuchlanish
orttirmasi quyidagi ifoda yordamida aniqlaniladi:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=5В – 0В=5В
ΔUke ga mos ravishda tranzistorning emitter va bazasi orasidagi
kuchlanishi orttirmasini aniqlaymiz:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=695мВ – 695мВ=0мВ
6-rasm. h12э parametrni grafik usulda aniqlash
h 12э parametrini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:
2N3771G tranzsitorining chiqish xarakteristikalari oilasi Iк = f(Uкэ) (Iб = const) dan h21э parametrlarini Iбп = 50 мкА uchun VAX ni chiqish shaxobchasi bilan yuklamanng chiziqli kesishmasi (Ек = 5В, Rк =400 Ом) sifatida tarnzistorning chiqish xarakteristikasida “A” ishchi nuqtani aniqlaymiz:
Iк toki o’qi bo’yicha Ек/ Rк = 12.5 мА qiymatini ajratib olamiz.
Uкэ kuchlanishi oʻqi boʻyicha Ек = 5В qiymatini ajratib olamiz.
7-rasm. h21э parametrni grafik usulda aniqlash
“A” ishchi nuqtasi uchun quyidagi koordinatalarni olamiz: Iкп =0.801415мА, Uкэ=2 В. Iб1 = 50 мкА vа Iб3 = 100 мкА boʻlganidagi VAX ni shaxobchalari bilan kesishgunicha ishchi nuqtadan toʻgʻri vertkal chiziq oʻtkazamiz.
Berilgan Iбп baza toki qiymatiga yaqin qiymatda oligan ΔIб baza toki orttirmasini quyidagi ifoda yordamida aniqliymiz:
ΔIб = Iб3 – Iб1=100 мкА – 50 мкА=50мкА
Quyidagi ifoda yordamida aniqlaniladigan kollektor tokining orttirmasi, ΔIб baza toki orttirmasiga mos keladi:
ΔIк = Iк2 – Iк1=1.398мА – 0.361902мА = 1.036098мА
h21э parametri quyidagi ifoda yordamida aniqlaniladi:
2N3771G tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi Iб = 75 mkA boʻlganida Ik = f(Uke) bogʻliqlikdan parametrni aniqlaymiz. Buning uchun Iб = 75mkA boʻlganda xarakteristika shaxobchasida “A” ishchi nuqta yaqinida ikkita bir xil masofalardagi yordamchi nuqtalar tanlaymiz va tranzistorning emitter va kollektori orasidagi kuchlanishni orttirmasini aniqlaymiz:
8-rasm. h22э parametrini grafik usulda aniqlash
ΔUкэ = Uкэ2 – Uкэ1= 3В – 1В = 2В
Bu Uкэ esa kollektor tokini orttirmasini keltirib chiqaradi:
ΔIк=Iк4 – Iк3=0.852423мА – 0.75037мА = 0.102053 мА
U holda h22э parametri quyidagiga teng:
1.3. 2N3771G tranzistorining kirish va chiqish qarshiligini quyidagi ifoda yordamida aniqlaymiz:
1.4. 2N3771G tranzistorning tok boʻyicha uzatish koeffisienti β ni
aniqlaymiz:
2. UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadini elementlarini parametrlarni xisoblash.
9-rasm. UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadi sxemasi
2.1. Kaskadning qarshiliklarini xisoblash.Tinch rejimida tok boʻluvchini aniqlash
Tinch rejimini beruvchi qarshiliklar yigʻindisin aniqlash
Rэ qarshilikdagi kuchlanishni aniqlash
Qarshilik elementlarini qiymatini aniqlash (E24 qarshilik nominallari qatori boʻyicha).
E24 qarshiliklar qiymatlari qatoriga mos ravishda quyidagilarni olamiz:
E24 qarshiliklar qiymatlari qatoriga mos ravishda:
2.2. Kaskad sig‘im elementlarini xisoblash
O‘zgaruvchi tok bo‘yicha qarshilik shuntlovchi kondensator sig‘imini aniqlash.
E24 qiymatlari qatoriga mos ravishda = 3mF ni olamiz.
Ajratuvchi kondensatorlar sig‘imini aniqlash
E24 qiymatlari qatoriga mos ravishda = 5.3
ni olamiz.
2.3. Aniqlangan elenment parametrlarini qo‘llab, umumiy emitter sxemasi bo‘yicha bajarilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini sxemasini chizamiz.
R1 qarshiligini 2· =8.6 ga teng nominal qarshiligi bilan almashtramiz, E24 qarshiliklar qiymatlari qatoriga mos ravishda 2· =8.2 deb olamiz.
R1 o‘zgaruvchi rezistor qarshiligini o‘zgartirib, tinch rejimiga erishamiz ( , ) va = 0 o‘rnatamiz (kirish signali mavjud bo‘lmagan sharti).
10-rasm. Tinch rejimida umumiy emitter sxemasi bo‘yicha yig‘ilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadi semasi
Tinch rejimda va =730 mV. Berilgan qiymatiga yaqin qiymatlariga ega bo‘lamiz. = o‘rnatilgan qiymat.
3. Kuchaytirgich kaskadini parametrlarini aniqlash.
UE sxemasida yig‘ilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirish kaskadini kirish qarshiligini o‘lchaymiz. Buning uchun kirishga 1 mV, =1 kGs signal beramiz va va kuchlanishlarini qiymatlarini olamiz (4-sxema). Bunda voltmetrlarni o‘zgaruvchi kuchlanishlarni o‘lchash rejimi (AS) ga o‘tkazib olamiz.
11-rasm. Salt yurish rejimida umumiy emitter bo‘yicha yig‘ilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadi semasi
Kuchaytirgich kaskadini kirish kuchlanishi: =1.481V
Kuchaytirgich kaskadini chiqish kuchlanishi: =3.139 V
Kuchaytirgich kaskadini kirish qarshiligini aniqlaymiz.
Buning uchun sxemani kirish zanjiriga (11-rasm) ketma-ket ravishda o‘zgaruvchi rezistor qo‘shamiz va kaskadning kirish zajiriga o‘rnatilgan voltmetrda U = /2 xosil bo‘lgunicha rezistorni qarshiligini o‘zgartiramiz (11-rasm).
11-rasm. Kirish qarshiligini o‘lchash sxemasi
O‘zgaruvchi qashlikning olingan qiymati kuchaytirgichning kirish qarshiligiga teng: Rкир=200 Ом
Kuchaytirgich kaskadini chiqish qarshiligini aniqlaymiz
Buning uchun sxemani chiqish zanjiriga (12-rasm) ketma-ket o‘zgaruvchi rezistor qo‘shamiz va kaskadning chiqish zajiriga o‘rnatilgan voltmetr U =Uchiq/2 qiymatni ko‘rsatgunicha rezistorni qarshiligini o‘zgartiramiz (12-rasm).
12 –rasm. Chiqish qarshiligini o‘lchash sxemasi
O‘zgaruvchi qashlikning olingan qiymati kuchaytigichning chiqish qarshiligi teng: Rчиқ= 65 Ом.
Moslashtirish rejimida kaskadning kirish va chiqish zanjirida joylashtirilgan voltmetr va ampermetrlar (12-rasm) ko‘rsatgichlari bo‘yicha kaskadning kuchaytirish koeffitsiyentini aniqlaymiz:
–quvvat boʻyicha kuchaytirish koeffisienti
UE sxemasi bilan 2N2369A bipolyar tranzistorida yigʻilgan kuchaytirgich kaskadini amplituda-chastota xarakteristikasini quramiz.
13 –rasm. UE li kuchaytirgich kaskadini amplituda-chastota xarakteristikasini oʻlchash
14 –rasm. UE li kuchaytirgich kaskadini amplituda-chastota xarakteristikasi
Grafik asosida kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffisientini maksimal qiymati va oʻtkazish polosasi Δf ni aniqlaymiz.
dB– kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffisientni maksimal qiymati.
dB – kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffisientni chegaraviy qiymati
O’tkazish polosasi:
Δf = fю – fп = 23,878 МГц – 309 Гц = 23,569 МГц
Xulosa
Men kuchaytirgich kaskadlarini xisoblash usuli yoʻli bilan umumiy emitter sxemasi boʻyicha yigʻilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini texnik xarakteristikalarini oʻlchash va xisoblash bilimlarimni mustahkamladim.
Mustaqil ishini bajarish davomida 2N3771G bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari olindi va qurilgan grafikdan tranzistorning h – parametrlari xisoblandi (h11e=400 Om, h12e=21,4mV, h21e=220, h22e=463.5 Sm). Bundan tashqari UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadini elementlarini parametrlarni xisobladim. Aniqlangan elenment parametrlarini qoʻllab, umumiy emitter sxemasi boʻyicha bajarilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirgich kaskadini sxemasini chizilgan. UE sxemasida yigʻilgan 2N3771G bipolyar tranzistorli kuchaytirish kaskadini kirish, chiqish qarshiliklarini oʻlchab, , tok boʻyicha , quvvat boʻyicha kuchaytirish koeffisientlari olindi.
UE sxemasi bilan 2N3771G bipolyar tranzistorida yigʻilgan kuchaytirgich kaskadini amplituda-chastota xarakteristikasini qurib, grafik usulda kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffisientini maksimal qiymati ni va oʻtkazish polosasi Δf ni aniqladim.
Δf = fю – fп = 23,878 МГц – 309 Гц = 23,569 МГц
|