MT asosiy parametrlari - Elektronika va Sxemalar

|
Elektronika va Sxemalar
|
bet | 3/10 | Sana | 25.01.2024 | Hajmi | 178,35 Kb. | | #145421 |
Bog'liq Mavzu mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va pMT asosiy parametrlari. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo‗lib xarakteristika tikligi hisoblanadi.
Bu yerda Smax – UZI=0 bo‗lgandagi maksimal tiklik. (3.12) (3.13) ifodalardan ko‗rinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika tikligi kamayadi.
Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini ham aniqlash mumkin.
Tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig‗idagi kanal qarshiligini ifodalaydi.
Bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga nisbatan qanchalik ta‘sir ko‗rsatishini ifodalaydi. ―Manfiy‖ ishora kuchlanish o‗zgarishi yo‗nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu koeffisientni xarakteristikadan aniqlab bo‗lmaganligi sababli, bu kattalikni quyidagicha hisoblash mumkin:
Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
P – n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‗tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa– tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‗lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‗tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‗ndalang elektr maydoni ta‘sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‗tkazgichning yuqori qatlamida o‗tkazuvchanlikni o‗zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‗tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‗tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 30 a –rasmda va uning shartli belgisi 30 b- rasmda keltirilgan.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.
Stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o‗tkazgich bilan ikkita p–n o‗tish hosil qilganligi sababli, USI kuchlanishining biror qutblanishida bu o‗tishlardan biri teskari yo‗nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo‗ladi.
b)
30– rasm.
Tranzistorda tok o‗tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‗tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‗ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‗allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‗sag‗aviy deb ataluvchi ma‘lum qiymati U0 ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‗tkazuvchanlik kovak o‗tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‗lovchi p-turdagi kanal shakllanadi.
Bu vaqtda stok toki IS ortadi. 31 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok
– zatvor VAXsi keltirilgan.
– rasm. 32 – rasm.
СИ
– rasmda n - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish (stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma‘lum kuchlanish berilganda U ning ortib borishiga ko‗ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli
ko‗rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va yetarlicha katta qiymatlarida tok o‗zgarmas qiymatga intiladi.
Tok ortishining to‗xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‗liq.
|
| |