O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al‑xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti sirtqi bo‘lim Telekomunukatsiya

|
O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al‑xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti sirtqi bo‘lim Telekomunukatsiya
|
bet | 1/5 | Sana | 28.12.2023 | Hajmi | 239,7 Kb. | | #128812 |
Bog'liq bipolyar tranzistorlar
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL‑XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Sirtqi bo‘lim Telekomunukatsiya texnologiyalari fakulteti
Elektronika va radiotexnika kafedrasi
Sxemalar va elektronika 1 fanidan
MUSTAQIL ISH
Mavzu:Bipolyar tranzistorlar statik xarakteristikasi.
Tayyorladi: guruh talabasi
Qabul qildi:______________________
Toshkent – 2023 y.
MAVZU: Bipolyar tranzistorlar statik xarakteristikasi
REJA:
Bipolyar tranzistorlar ;
Bipolar tranzistorning ulanish sxemalari;
Tranzistor tuzilmalarining energetik diagrammalari;
Tranzistorda elektrodlar toklari;
Bipolar tranzistor ish rejimlarini elektrodlar toklariga tasiri;
Xulosa;
Foydalanilgan adabiyotlar.
BIPOLAR TRANZISTORLAR
1.Umumiy ma‟lumotlar
Bipolar tranzistor (BT) deb, o„zaro ta‟sirlashuvchi ikkita p-n o„tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quvvat bo„- yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo„tkazgich asbobga aytiladi. BTda tok hosil bo„lishida ikki xil (bipolar) zaryad tashuvchilar – elek- tronlar va kovaklar ishtirok etadi.
BT p- va n- o„tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarimo„tkazgich sohaga ega (4.1a yoki b-rasmlar).
a)
b)
4.1-rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) turli BT lar tuzilmasi va ularning sxemada shartli belgilanishi.
Yarimo„tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo„lgan soha p+ yoki n+ belgisi qo„yilishi bilan boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilingan.
Tranzistorning sohalari ichida eng yuqori konsentratsiyaga ega bo„lgan chekka soha (n+ – soha) n+-p-n yoki (p+- soha) p+-n-p turli tranzistorlarda emitter (E) deb ataladi. Emitterning vazifasi tranzis- torning baza (B) sohasi deb ataluvchi o„rta (p- yoki n- turli) sohasiga zaryad tashuvchilarni injeksiyalashdan iborat. Tranzistor tuzilmasining boshqa chekkasida joylashgan n – soha (n+-p-n) yoki p – soha (p+-n-p) kollektor (K) deb ataladi. Uning vazifasi baza sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalashdan iborat. Emitter bilan baza ora- sidagi p-n o„tish emitter o„tish (EO„), kollektor bilan baza orasidagi p-n esa o„tish kollektor o„tish (KO„) deb ataladi.
Baza sohasi emitter va kollektor o„tishlarning o„zaro ta‟sirla- shuvini ta‟minlashi kerakligi sababli, BTning baza sohasi kengligi LB bazadagi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan kichik (p+- n-p BT uchun LB<n , n+-p-n BT uchun LB<p) bo„lmog„i shart. Aks holda emitterdan bazaga injeksiyalangan asosiy zaryad tashuvchilar KO„gacha yetib bormaydilar va BT samaradorligi pasayadi. Odatda, baza sohasi kengligi LB ≈ 0,01†1 mkm ni tashkil etadi.
Tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasiga ko„ra BTlar eritib tayyorlangan, planar va planar - epitaksial tranzistorlarga ajrati- ladi. Qotishmali tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo„lganligi sababli, unda elektr maydon hosil bo„lmaydi. Shuning uchun EZNlar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga ko„cha- dilar.
Planar va planar – epitaksial tranzistorlarning baza sohasida kirit- malar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo„lib, u kol- lektorga siljigan sari kamayib boradi. Bunday BTlar dreyfli tranzistorlar deb ataladi. Kiritmalar konsentratsiyasi gradienti ichki elektr maydon hosil bo„lishiga olib keladi va EZNlar bazadan kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga ko„chadilar. Demak, dreyfli BTlarning tezkorligi yuqori bo„ladi.
BTlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0†10 GGs) va quvvat bo„yicha (0,01†100 Vt) elektr signallarni o„zgartuvchi, generator va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi.
BTlar chastota bo„yicha: past chastotali - 3 MGs gacha; o„rta chastotali 0,3 † 30 MGs; yuqori chastotali 30 † 300 MGs; o„ta yuqori chastotali - 300 MGs dan yuqori guruhlarga bo„linadi.
Quvvat bo„yicha - kam quvvatli – 0,3 Vt gacha; o„rta quvvatli - 0,3 † 1,5 Vt; katta quvvatli – 1,5 Vt dan yuqori guruhlarga ajratiladi.
Nanosekund diapazonida katta quvvatli impulslarni hosil qilishga mo„ljallangan ko„chkili tranzistorlar BTlarning yana bir turini tashkil etadi.
Tuzilishi bo„yicha BTlar ko„p emitterli (KET), ko„p kollektorli
(KKT) va tarkibiy (Darlington va Shiklai) tranzistorlari bo„ladi.
BT kirishiga berilgan signal quvvat bo„yicha kuchaytiriladi. Bu- ning uchun uni o„zgartiriladigan signal zanjiriga UC (kirish yoki boshqaruvchi) hamda kuchaytirilgan RYu (chiqish yoki boshqariluvchi) signal zanjiriga ulanadi.
BTni beshta asosiy ish rejimi mavjud.
Agar tashqi kuchlanish manbalari (UEB, UKB) yordamida EO„ to„g„ri yo„nalishda, KO„ esa teskari yo„nalishda siljitilsa, u holda BT aktiv (normal) rejimda ishlaydi. Bu rejim analog sxemotexnikada keng qo„llaniladi.
Agar EO„ teskari yo„nalishda, KO„ esa to„g„ri yo„nalishda siljitilgan bo„lsa, BT invers (teskari) rejimda ishlaydi.
Agar emitter va kollektor o„tishlar to„g„ri siljitilgan bo„lsa, BT to„yinish, teskari siljitilgan bo„lsa - berk rejimda ishlaydi. Bu rejimlar raqamli sxemotexnikada keng qo„llaniladi. EO„ to„g„ri siljitilganda KO„da EYuK hosil bo„lsa, BT injeksiya – voltaik rejimda ishlaydi.
BTning yana bir rejimi bo„lib, u teskari siljitilgan KO„ga yuqori kuch- lanishlar yoki temperatura ta‟sir etganda yuzaga keladi. Bu rejim teshilish rejimi deb ataladi. Ko„chkili tranzistorlar elektr teshilish hisobiga ishlaydi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al‑xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti sirtqi bo‘lim Telekomunukatsiya
|