Yarimo’tkazgichli p-n o’tishning volt-farad xarakteristikasi

8. Yarimo’tkazgichli p-n o’tishning volt-farad xarakteristikasi
2. Keskin p - n-o'tishning solishtirma bariyer sig'imining kattaligi:
где Nв – p-n -o'tish yuqori qarshilikli sohasidagi kirishmalar konsentratsiyasi
3. Keskin bo’lmagan p - n-o'tishning solishtirma bariyer sig'imining kattaligi:
Mavzuga doir masalalar
Qo’shimcha masalalar
1. Yarimo’tkazgich Ge germaniy asosidagi p - n o’tishining ko’ndalang kesim yuzi S = 1 mm2 va hajmiy zaryadlar sohasi kengligi 2 × 10-4 cm. Usbu germaniy yarimo’tkazgich p-n o’tishining baryer sig’imini hisoblang.
(Javob: 71 pF)
2. Agar p-sohasining solishtirma qarshiligi ρ = 3,5 Ohm·cm, kontakt potentsiallari farqi φk = 0.35 V, namunaga berilgan teskari kuchlanish V = 5 V va p - n o’tishning ko’ndalang kesimi S = 1 mm2 bo’lsa, usbu germaniy yarimo’tkazgich p-n o’tishining baryer sig’imini hisoblang.
(Javob: 44,7 pF)
3. Borning n tipidagi kremniy taglikka diffuziyalanishi natijasida solishtirma qarshiligi 0.015 Ohm·m bo'lgan Si p - n o’tishi hosil qilindi. Bor qatlamining sirtdagi kontsentratsiyasi 5·1025 m-3 ni tashkil qiladi. Sirtdan 1,5 μm chuqurlikda kirishma bor kontsentratsiyasi e marta kamayadi. P - n o’tishning yuza kesimi S = 1 mm2, teskari kuchlanish V = 10 V bo’lsa: 1) p - n o’tishning kengligi; 2) p-n o’tishdagi maksimal elektr maydon kuchlanganligi kattaligi; 3) p - n o’tishning baryer sig'imi; 4) elektr maydon kuchlanganligi Em = 5 ·107 V/m bo'lganda sodir bo’ladigan teshilish kuchlanishni aniqlang.
(Javob: 1) 1,6 μA; 2) 9,65×106 V / m; 3) 311 pF; 4) 120 V)
17. Кремниевый сплавной р ‒ n-переход имеет площадь поперечного сечения S = 1 мм2 и барьерную емкость С = 300 пФ, если подводится обратное напряжение V = 10 В. Найти: а) изменение емкости, если обратное напряжение становится равным 20 В; б) максимальную напряженность электрического поля в обедненном носителями заряда слое при обратном напряжении, равном 10 В.
Ответ: а) 78 пФ; б) 4,2·107 В/м.
4. Kremniy p-n o’tishining kesim yuzasi S = 1 mm2 va baryer sig'imi C = 300 pF. Agar unga U = 10 V teskari kuchlanish berilsa: 1) teskari kuchlanish 20 V ga teng bo'lganda, sig'imning o'zgarishi; 2) 10 V teskari kuchlanishda kambag’allashgan zaryad tashuvchilar qatlamidagi maksimal elektr maydon kuchlanganligini toping.
(Javob: 1) 78 pF; 2) 4,2 ×107 V/m)
5. Akseptor konsentratsiyasi Na = 1018 cm-3 bo’lgan Si kremniy (ni = 1010 cm-3) asosidagi p-n o’tishga 0,5 V kuchlanish berilganda 10-8 F/cm2 sig’imga ega bo’ldi. Donorlar konsentratsiyasini toping.
(Javob: nd= ×10xx m-3 )
Design an abrupt silicon p-n diode with a capacitance per unit area of 10 nF/cm2 in thermal equilibrium and a maximum electric field of 105 V/cm at a reverse bias of 10 Volt. Provide values of the acceptor and donor density, the built-in potential and the depletion layer width in thermal equilibrium and at a reverse bias of 10 Volt.
6. Termik muvozanatda bo’lgan keskin kremniy p-n diodi 10 Volt teskari kuchlanishda 10 nF/sm2 sig'imga va 105 V/sm maksimal elektr maydoni kuchlanganligiga ega. Termik muvozanatda va 10 volt teskari kuchlanishda akseptor va donorlar konsentratsiyasi, o’tishning potentsiali va kambag’allashgan qatlamining qalinligini toping.
(Javob: nd= ×10xx m-3 )
|