Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi

|
Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi
|
bet | 2/3 | Sana | 30.05.2024 | Hajmi | 113,29 Kb. | | #257235 |
Bog'liq Tranzistorlar Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi.
UB ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o‘zgarmas tokda ishlashini qo‘rib chiqamiz (24 a-rasm). Bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo‘lib baza sohasining yetarlicha kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda
W L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi).
Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan:
emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi;
bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o‘tishi;
bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o‘tishga
yetib kelgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraksiyasi.
Emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘naliishda siljiganda (UEB kuchlanish manbai bilan ta’minlanadi) uning potensial to‘siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga elektronlar injeksiyasi sodir bo‘ladi. Elektronlarning bazaga injeksiyasi, hamda kovaklarni bazadan emitterga injeksiyasi tufayli emitter toki IE shakllanadi. Shunday qilib, emitter toki
bu yerda Ien, Ier mos ravishda elektron va kovaklarning injeksiya toklari.
Emitter tokining Ier tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o‘tmaydi va zararli hisoblanadi (tranzistorning qo‘shimcha qizishiga olib keladi). Ier ni kamaytirish maqsadida bazadagi akseptor kiritma konsentratsiyasi emitterdagi donor kiritma konsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.
Emitter tokidagi Ien qismini injeksiya koeffisienti aniqlaydi.
,
Bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi ( =0,990-0,995).
Injeksiyalangan elektronlar kollektor o‘tish tomon baza uzunligi bo‘ylab elektronlar zichligining kamayishi hisobiga bazaga diffundlanadilar va kollektor o‘tishga yetgach, kollektorga ekstraksiyalanadilar (kollektor o‘tish elektr maydoni hisobiga tortib olinadilar) va IKn kollektor toki hosil bo‘ladi. Zichlikning kamayishi konsentratsiya gradienti deb ataladi. Gradient qancha katta bo‘lsa, tok ham shuncha katta bo‘ladi. Bu vaqtda bazadan injeksiyalanyotgan elektronlarning bir qismi kovaklar bilan bazaga ekstraksiyalanishini ham hisobga olish kerak. Rekombinatsiya jarayoni bazaning elektr neytrallik shartini tiklash uchun talab qilinadigan kovaklarning kamchiligini yuzaga keltiradi. Talab qilinayotgan kovaklar baza zanjiri bo‘ylab kelib tranzistor baza toki Ibrek ni yuzaga keltiradi. Ibrek toki kerak emas hisoblanadi va shu sababli uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bu holat baza kengligini kamaytirish hisobiga amalga oshiriladi W Ln (elektronlarning diffuziya uzunligi). Bazadagi rekombinatsiya uchun emitter elektron tokining yo‘qotilishi elektronlarning uzatish koeffisienti bilan xarakterlanadi:
Real tranzistorlarda =0,980-0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘naliishda ulanadi (Ukb kuchlanish manbai hisobiga amalga oshiriladi) va kollektor zanjirida, asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilardan tashkil topgan ikkita dreyf toklaridan iborat bo‘lgan kollektorning xususiy toki Ik0 oqib o‘tadi.Shunday qilib, kollektor toki ikkita tashkil etuvchidan iborat bo‘ladi
Agar IK ni emitterning to‘liq toki bilan aloqasini hisobga olsak, u holda
bu yerda -
|
| |