O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va - bet 7

|
O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari vaBog'liq Differensial kuchaytirgich7.1
Simmetrik va nosimmetrik DK sxemasi.
DK simmetrik bo‘lgani sababli kirish signali
U
KIR
EO‘lar orasida teng
taqsimlanadi: ularning birida kuchlanish 0,5·U
KIR
qiymatga ortadi, ikkinchisida
esa shu qiymatga kamayadi. U
KIR1
kuchlanishi ortsin, U
KIR2
esa, kamaysin.
Bunda VT1 tranzistorning emitter va kollektor toklari musbat orttirma, VT2
tranzistorning mos toklari esa, manfiy orttirma oladi. Natijada, chiqish
kuchlanishi hosil bo‘ladi:
)
(
2
2
1
1
K
K
K
K
ЧИК
R
I
R
I
U
.
Emitter toklarining o‘zgarishi zanji
rlar uchun umumiy R
E
rezistorda
manfiy TA signalini tashkil etuvchi
)
(
2
1
Э
Э
Э
Э
I
I
R
U
orttirma hosil qiladi.
Agar DK ideal simmetrik bo‘lsa,
2
1
Э
Э
I
I
va
Δ
U
E
=0.
Natijada, emitterlar potensiali o‘zgarmas qoladi va DK uchun manfiy TA
signali mavjud bo‘lmaydi. Shu sababli DKning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish
koeffitsiyenti TAsiz UE ulangan kaskad uchun ilgari yozilgan ifoda bilan
aniqlanadi
11
21
h
R
h
I
R
K
K
T
Э
K
U
. (7.3)
1, R
K
=5 kOm, I
E
=1 mA,
T
= 0,025 V
-1
bo‘lganda,
K
U
= - 200
bo‘ladi
.
Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi: simm
etrik kirish va
chiqish; simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va
simmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va chiqish.
Simmetrik kirishda signal manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlar
bazalari orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK
chiqishlari orasiga (tranzistorlar kollektorlar orasiga) ulanadi.
Nosimmetrik kirishda signal manbai DKning bitta kirishi va umumiy
shinasi orasiga ulanadi. Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi
tranzistorlardan birining kollektori va umumiy shina oralig‘iga ulanadi.
DKning kuchaytirish koeffitsiyenti kirish signal berish usuliga, ya’ni kirish
simm
etrik yoki nosimmetrikligiga bog‘liq emas.
Nosimmetrik chiqishda yuklama bir elektrodi bilan tranzistorlardan
birining kollektoriga, boshqa elektrodi bilan esa, umumiy shinaga ulanadi. Bu
holda, K
U
simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 marta kichik bo‘ladi.
Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali
olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning
faqat bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali DKning bir yelkasiga berilgan
bo‘lsa
-yu, chiqish signali boshqa yelka chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek
K
U
ga ega bo‘lgan, inverslanmagan signal olinadi. Agar chiqish signali har doim
berilgan bitta chiqishdan olinsa, DK kirishlariga «inverslaydigan» va
«inverslamaydigan» degan nom beriladi.
Nosimmetrik kirish va chiqishli kaskad namunasi 7.2-rasmda keltirilgan.
Bunda foydalanilmaydigan kirish kuchlanishi o‘zgarmas sathli qilib olinadi,
masalan, umumiy shinaga ulanadi. Agar kirish signali U
KIR1
ga berilsa, chiqishda
inverslanmagan signal olinadi. Demak, U
KIR1
inverslamaydigan kirish, U
KIR2
esa,
inverlaydigan kirish bo‘ladi.
DKning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib sinfaz signal
-
larni so‘ndirish
koeffitsiyenti (SSSK) hisoblanadi. SSSK deb K
U.DF
ni K
U.SF
ga nisbatining
detsibellarda ifodalangan qiymati tushuni
ladi, ya’ni
)
/
lg(
20
.
.
СФ
U
ДФ
U
K
K
CCCK
.
7.2-rasm. Nosimmetrik kirish va chiqishli DK.
Zamonaviy DKlarda SSSKning qiymati odatda 60÷100 dB orasida bo‘ladi.
DKning keyingi asosiy parametri uning dinamik diapazonidir. Dinamik
diapazon deganda kuchaytirgich kirishidagi maksimal va minimal signallar
amplitudalari nisbati tushuniladi
)
/
lg(
20
)
(
.
.
мин
КИР
макс
КИР
K
K
дБ
Д
.
Minimal signal DKning xususiy halaqitlari bilan, maksimal signal esa,
signal shaklining buzilishlari bilan chegaralanadi. Nochiziqli buzilishlar signal
ta’sirida tranzistor to‘yinish yoki berk rejimga o‘tganda hosil bo‘ladi.
Hisoblar ko‘rsatishicha, ruxsat etilgan maksimal kirish signali
Э
Э
T
I
r
dan katta bo‘lishi mumkin emas. Bu yerda,
r
E
–
EO‘ning differensial qarshiligi;
I
E
–
sokinlik rejimidagi emitter toki. r
E
= 50 Om va I
E
= 12 mA bo‘lganda φ
T
=
50 mV. Amalda signal buzilishlari katta bo‘lmasligi uchun kirish signali
amplitudalari 0,5·
φ
T
atrofida bo‘lmog‘i kerak. Gap shundaki, φ
T
ga yaqinlashgan
sari, emitter toki, u bilan birgalikda, r
E
qarshilik qiymati va kuchaytirish
koeffitsiyenti juda sezilarli darajada o‘zgaradi.
|
| |