Parametr - Toshkent davlat transport universiteti

|
Toshkent davlat transport universiteti
|
bet | 38/125 | Sana | 16.11.2023 | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)Parametr
|
UB sxema
|
UE sxema
|
UK sxema
|
R11
|
Re+Rb
|
Rb+ Re
|
Rb + Rk
|
Rl2
|
Rb
|
Re
|
Rk - Rm
|
R21
|
Rm + Rb
|
Re-Rm
|
Rk
|
R22
|
Rk + Rb
|
Re + Rk - Rm
|
Re+Rk-Rm
|
Bunda to’rt qutblik tizim aktiv bo’lgani uchun R12≠R21. Shuni aytish kerakki, erkin o’zgaruvchanlar sifatida kuchlanish kattaligi olinsa, to’rt qutblining tenglamasi quyidagi ko’rinishda bo’ladi
(6 28)
Unda , , va tranzistorning - U parametrlari deb ataladi va o’tkazuvchanlik o’lchamiga ega bo’ladi. Ularni aniqlashda to’rt qutblining kirish yoki chiqish zanjiri qisqa tutashuv holiga keltiriladi.
Bu parametrlardan tashqari tranzistorning - parametrlari ham mavjud. Ular aralash parametrlar bo’lib, erkin o’zgaruvchi sifatida to’rt qutblining kirish toki va chiqish kuchlanishi olinadi. Shuning uchun tizimnyng tenglamasi quyidagicha ifodalanadi:
(6.29)
Ko’rib o’tilgan barcha parametrlar bir xil tranzistornn ifodalagain uchun ular orasida o’tnsh formulalari mavjud. U.6.2-jadvalda ko’rsatilgan.
6.2- jadval
Parametr
|
formulasi
|
O’tish formulasi
|
R11
|
|
U22/U
|
H/H22
|
U22·R
|
H·R22
|
R12
|
|
U12/U
|
H12/H22
|
U12·R
|
H12·R
|
R21
|
|
U21/U
|
H21/H22
|
U22·R
|
H21·R22
|
R22
|
|
U11/U
|
H21/H22
|
U11·R
|
R11·H
|
U11
|
|
1/H11
|
R22·R
|
U22/N
|
R22· U
|
U12
|
|
H12/H11
|
R12/R
|
H12/ U11
|
R12· U
|
U21
|
|
H21/H11
|
R21/R
|
H21/ U11
|
R21· U
|
U22
|
|
H/H11
|
R11/R
|
H· U11
|
R11· U
|
H11
|
|
R/R22
|
l/ U11
|
R· H22
|
H/U22
|
N12
|
|
R12/R22
|
U12/U11
|
Rl2·H22
|
U12·H11
|
H21
|
|
R2l/R22
|
U21/U11
|
R21·H22
|
U21·H11
|
N22
|
|
1/R22
|
U/U11
|
H/R11
|
U·H11
|
Jadvaldagi R, U va N kattaliklar quyidagi bog’lanishga ega:
yoki
Chastota ortishi bilan tranzistorning ishlashiga emitter va kollektor o’tishlarnning sig’imi va tok tashuvchilarning uchib o’tish vaqti ta’sir ko’rsata boshlaydi. Shuning uchun barcha parametrlar kompleks kat- taliklarga aylanadi va ekvivalent sxemani tekshirish murakkablashadi. Chastota yetarlicha katta bo’lmaganda kollektor o’tishining sig’imini hisobga olish bilan cheklanish mumkin. U tranzistorning chegaraviy chastotasini belgilaydi. Chegaraviy chastota deganda tok bo’yicha uzatish koeffitsiyenti o’zining 1000 Gs chastotadagi qnymatidan marta kichrayadigan chastota qiymati tushuniladi.
VII BOB. MAYDON TRANZISTORLAR
§ 7.1. Bipolyar va unipolyar tranzistorlar
Maydon tranzistorlari ikki xil turga bo’linadi. Bipolyar va Unipolyar tranzistorlar.
Bipolyar tranzistorlarni ko’rib chiqdik. Unipolyar tranzistorlar aslida maydon tranzistorlari qatoriga kiradi. Ularga E.Yu.K ya’ni tokni vujudga kelishi elektron-teshik o’tkazuvchanlik hisobidan yuzaga keladi. Maydon tranzistorlari tuzilishi va manbaga ulash chizmasi quyidagicha.
7.1-rasm. Maydon tranzistorini elektr sxemaga ulash usuli
7.2-rasm. Maydon tranzistorlarning volt-amper xarakteristikasi
Bipolyar tranzistorlarida esa ishchi tokni hosil qilishda har ikkala tip tok tashuvchilari ham katta rol o’ynaydi. p-no’tishli maydon tranzistorlarining ishlash prinsipi va tavsifi bilan tanishaylik. Tranzistorlarda elektr o’tkazuvchanlik tirqishi p-kanal bo’ylab harakat qilsa n-tirqishli maydon tranzistorlari deb yuritiladi. p-tirqishli maydon tranzistorlarida kirishda-chiqishga oqayotgan tok tirqish kanallari bo’ylab parallel harakati tufayli vujudga keladi. Bipolyar tranzistorlarida esa tok tashuvchilar p-no’tishlarga perpindikulyar yo’nalishda harakat qilar edi. Maydon tranzistorlarining tirqishidan oqayotgan zaryad chiqish tokini hosil qiladi, bu tok kirish-chiqish kuchlanishiga va kanal qarshiligiga bog’liq. Kanalning minimal qarshiligi qo’yidagi ifoda bilan hisoblanadi.
(7.1)
bunda l-kanal uzunligi; W-kanal chuqurligi; d-kanal kengligi; R-paneldagi teshiklar konsentratsiyasi; -teshiklarning kanaldagi harakatchanligi.
Maydon tranzistori benuqson ishlashi uchun kirish zaryadi musbat + bo’lishi kerak. Aniqrog’i p-n o’tishga teskari kuchlanish berish kerak. Bu kuchlanish ortib-borishi bilan p-n o’tish kengayib boradi va kanal qisqaradi, qarshilik ortadi, chiqish toki kamayadi. Kanalni to’la berkituvchi kuchlanish quyidagi ifoda bilan hisoblab olinadi.
(7.2)
bu yerda -kanalning solishtirma qarshiligi. Agar bu kuchlanish kamayib borsa, kanal qarshiligi kamayadi va chiqish toki ortib boradi.
Maydon tranzistorlarida p-n o’tkazuvchanlik teskari yo’nalishda ishlashi tufayli, kirish qarshiligi katta. Demak maydon tranzistorlarida kirish toki (quvvat) kichik bo’ladi. Chiqish toki esa o’zgarmas kirish-chiqish kuchlanishda kanal qarshiligi va yuklama qarshiligiga bog’liq. Bu qarshiliklar odatda, har doim teskari ulangan kanaldagi p-n o’tish qarshiligidan kichik. Demak, yuklamaning kirish quvvatidan katta bo’lgan foydali quvvat olish mumkin. Odatda chiqish toki, kirish-chiqish ichki o’tkazuvchanlik kuchlanishlar o’rtasidagi bog’lanishlar jadval bilan ifodalanadi. Bundan tashqari maydon tranzistorlarini o’tkazuvchanlik xususiyati mavjud bo’lib, kuchlanish-«U»ning har xil o’zgarmas qiymatlarida chiqish tokining kuchlanishiga bog’liqdir.
Maydon tranzistorlari harakterlovchi asosiy statik parametrlardan biri volt-amper harakteristikani jadvaldagi chizig’ining tikligidir. Bu holatda kirish-chiqish kuchlanishi o’zgarmas bo’lib, chiqish kuchlanishi 1 V ga o’zgarganda chiqish toki-“S” quyidagi ifodani beradi.
(7.3)
bu tenglama maydon tranzistorlarini kuchaytirish xossalarini xarakterlaydi.
|
| |