Tranzistor xarakteristikalari - O’zbekiston Respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi Jizzax politexnika...

SINOV SA V OLLARI
1.
Bipolyar tranzistorlarning necha xil xarakteristikalari mavjud?
2.
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda
nimani tushunasiz?
3.
Tranzistorning UK sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda
nimani tushunasiz?
4.
Tranzistorning UE sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda
nimani tushunasiz?
5.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi tuyinish
soxasini
tushuntiring.
6.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi aktiv soxasini
tushuntiring.
7.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi kesish va buzulish
soxalarini tushuntiring.
6-Tajriba ishi : U mumiy emitter sxemasi buyicha ulangan
bipolyar tranzistor tavsiflarini o’rganish.
Quyidagi sxema orqali UE ulanish sxemasi hosil qilinadi (1-rasm).
1-rasm.
Sxemaning asosiy elementlari bo‘lib manba
E
k
, boshqariluvchi element –
tranzistor T hisoblanadi, qolgan elementlar yordamchi vazifani bajaradi. Masalan,
С
а2
С
а1
0
0
0
0
0
0
sig‘im S
a1
, S
a2
– ajratuvchi sig‘im,
S
a1
– tokning o‘zgarmas tashkil etuvchisini
o‘tkazmaydi,
S
a2
– yuklamaga o‘zgarmas tashkil
etuvchi kuchlanishni
o‘tkazmaydi, o‘zgaruvchan tashkil etuvchini o‘tkazadi.
R
1
va
R
2
zanjirda boshlang‘ich ish holatini ta’minlab beruvchi qarshiliklar.
S
E
teskari bog‘lanishning elementi bo‘lib, harorat oshganda zanjirni tinch holatiga
salbiy ta’sirini kamaytiradi. Sig‘im
S
E
esa
R
E
qarshilikni o‘zgaruvchan tok orqali
shuntlaydi, shu bilan bir qatorda o‘zgaruvchan tashkil
etuvchining manfiy teskari
bog‘lanishni cheklaydi.
Bu sxemani kuchaytirgichning umumiy emitterli ulanish sxemasi deyishga
asos emitter elektori kirish va chiqish zanjiri uchun umumiydir. Sxemaning ishlash
prinsipi quyidagicha: Kaskadning chiqishida va kirish zanjirida o‘zgarmas
potensial hosil qilinadi. CHiqishdagi hosil qilingan potensialning kattaligi
kirishdagi potensialdan katta bo‘ladi. Kirishga kuchaytirmoqchi bo‘lgan
U
kir
signalni bersak, bazaning o‘zgaruvchan tashkil etuvchi tokini o‘zgartiradi, bu esa
kollektorning o‘zgaruvchan tashkil etuvchi tokiga ta’sirini o‘tkazadi, o‘z
navbatida,
R
k
qarshilikdagi kuchlanish pasayishining o‘zgarishiga ta’sir etadi. Bu
o‘zgarish esa kollektor chiqishidagi sig‘im
S
a2
orqali yuklamaga beriladi.
SHunday qilib, chiqishda kirish signalining chastotasiga teng bo‘lgan, ammo
amplitudasi undan katta bo‘lgan kuchaytirilgan signal 180
°
fazalar
farqi bilan
olinadi.
Kuchaytirish kaskadining parametrlariga: tok bo‘yicha kuchaytirish
koeffitsienti –
K
I
; kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti –
K
u
; quvvat
bo‘yicha
kuchaytirish koeffitsienti K
r
va kirish qarshiligi
R
kir
; chiqish qarshiligi
R
chiq
kiradi. Bu parametrlar o‘zgaruvchan tok orqali topiladi.
Buni aniqlash uchun
tranzistor va butun sxema ekvivalent sxemaga almashtiriladi.
Quyidagi 8.3-rasmda UE kuchaytirish kaskadi ekvivalent sxemasi keltirilgan.
8.3-rasm.
Kaskadning kirish qarshiligi
R
kir
R
kir
=R
1
//R
2
//r
kir
,
(8.1)
bunda
r
kir
– tranzistorning kirish qarshiligi (// – belgisi qarshiliklar parallel
ulangandagi ekvivalent qiymatini anglatadi).
r
kir
=r
b
+(1+
)
r
E
,
(8.2)
R
1
//R
2
(2
5)
r
kir
, shart berilganda kirish qarshiligi
r
kir
1
3 kOm dan oshmaydi.
CHiqish qarshiligi
3.
Tranzistorning UK sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda
nimani tushunasiz?
4.
Tranzistorning UE sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda
nimani tushunasiz?
5.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi tuyinish soxasini
tushuntiring.
6.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi aktiv soxasini
tushuntiring.
7.
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi kesish va buzulish
soxalarini tushuntiring.