Asosiy Inverter Davri - Mavzu: ttm va ttmsh markalanishi va xarakteristikasi. Reja muhammad al-xorazmiy

Asosiy Inverter Davri
Yuqoridagi sxemadagi tranzistorlar Multivibrator
sifatida ulangan ushbu
sxemaning ishlashida eng muhim qismni egallaydi. Devrenning bu qismi uning
ishlashi uchun zarur bo'lgan uzluksiz kvadrat to'lqin impulslarini ta'minlaydi.
Yuqoridagi elektron raqamli inverter sifatida tanilgan,
chunki olingan chiqish
to'lqini kvadrat to'lqin edi.
Yuqoridagi pulsning chastotasi unga ulangan rezistorlar va kondansatkichning
qiymatlariga bog'liq. Yuqoridagi sxema optimal chastotani yaratish uchun ishlab
chiqilgan, shuning uchun bu qiymatlarni o'zgartirmaslik yaxshiroqdir . Yuqoridagi
sxemada ishlatiladigan komponentlarni himoya qilish uchun diodli HEP 154
ishlatilgan.
Tranzistor 2N3055 har biri 15 Amper bilan ishlay oladi , Agar siz ushbu sxemani
yangilashni o'ylasangiz, yuqori oqim tranzistorlaridan
ham foydalanishingiz
mumkin. 24v markazli transformator ishlatilgan va siz uni yuqori oqim bilan
kurashish uchun kuchli tranzistorlar bilan almashtirishingiz mumkin. Yuqoridagi
sxema taxminan 300 vatt quvvatni ta'minlashi mumkin va siz uni yuqori nominal
transformatorlar va tranzistorlar yordamida oshirishingiz mumkin.
Bu erda tantal kondansatkichlarini ishlatish kerak , muntazam elektrolitiklardan
foydalanish qizib ketadi va portlaydi. Yuqori kuchlanish bilan shug'ullanganingiz
uchun, bu bilan birga sug'urta ishlatish tavsiya etiladi.
Batareyangiz ishlamay
qolmasligi kerak, chunki bu sxema katta miqdorda oqim sarflaydi.
Xulosa
Men bu mustaqil ishda tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan va
ko'p ishlab chiqariladigan RIS lar haqida ko‘proq ma`lumotlarga ega bo‘ldim va .
Murakkab invertorli TTM ME sxemalari bilan tanishib chiqdim. TTM elementning
ish mexanizmini ko'rib chiqdim.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1. X.K.Aripov . “ELEKTRONIKA”. 2012
2. Raxmatullayev M. “Umumiy fizika kursi”. Mexanika, “O‘qituvchi”,1995.
3. Х.К. Арипов, Н.Б. Алимова, З.Е. Агабекова, Ж.Т. Махсудов. Аналоговая
и интегральная схемотехника. Т.: ТЭИС, 2000. 90 с. 4. N. Yunusov, I.S.
4. Andreyev, A.M. Abdullayev, Х.К. Aripov, Y.O. Inog'omova. Elektronika
bo‘yicha asosiy tushuncha va atamalarning o‘zbekcha-ruscha-inglizcha izohli
Glossary
Tranzistor
Bir yoki bir nechta elektrik o‘tishli, uch
yoki undan ko‘p elektrodli, elektr signali
quvvatini kuchaytirish uchun yaroqli,
elektr o‘zgarishlarni amalga oshiruvchi
yarimo‘tkazgich asbob.
Konstruktiv element ( KE)
Qurilmaning xususiy funksional vazifani
bajaruvchi har qandy butun bo‘lagi
Parametr
Obyekt(jarayon )ning holati,xossalari
yoki tashqi sharsitlarni tavsiflaydigan
muayyan sifat xususiyatining miqdoriy
o‘lchovi bo‘lib,
uning qiymati
tanlangan o‘zaro munosabatlar tizimida
berilgan yokm oldindan aniqlangan
hisoblanadi.
Konstruktiv elementning
parametri
Konstruktiv element xossalari yoki
belgilarini tavsiflaydigan sifat
xususiyatining miqdoriy o‘lchovi.
Masalan, geometrik o‘lchovlar, maydon,
singdidiruvchanlik va boshqalar.
M- turdagi asbob
Dinamik boshqaruvga asoslangan,
ko‘ndalang o‘zgarmas magnit maydonida
harakatlananayotgan elektronlarning
potensal energiyasiga O‘YUCH chiqish
signali energiyasiga
aylantirib beruvchi
elektrova kuum asbob.
0- turidagi asbob
Dinamik boshqaruvga asoslangan,
elektronlar dastasining kinetik
energiyasini O‘YUCH chiqish signali
energiyasiga
aylantirib beruvchi
elektrovakkum asbob.
Integral Mikrosxema
(
IMS)
Signalni o‘zgartirish,informatsiyani uzatish
va yig‘ish bo‘yicha ma’lum vazifalarni
bajaruvchi, tugal texnologik jarayonda
tayyorlanadigan va elektr jihatdan o‘zaro
bog‘langan elementlari yuqori joylashish
zichligiga ega bo‘lgan mikroelektron
mahsulot.
Test
Asosiy zaryad tashuvchilarda ishlaydigan diodni ko’rsating.
shottki baryerli diod
gann diodi
tunnel diod
o’girilgan diod
Analog signallarga ishlov berganda bipolyar tranzistor qaysi rejimda ishlaydi?
aktiv
berk
to’yinish
invers
Aktiv rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ..... xizmat qiladi
asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun
asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun
bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
Arsenid galliyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
1,43 eV
>3 eV
1,12 eV
0,67 Ev