POZNÁMKY K TABULCE TECHNIK NANÁŠENÍ

POZNÁMKY K TABULCE TECHNIK NANÁŠENÍ
-
Výraz ’proces nanášení’ zahrnuje jak opravu a obnovu povlaků, tak i nové povlaky.
-
Výraz ’nanášení legovaných aluminidů’ zahrnuje povlaky vyrobené v jednom nebo více krocích, ve kterých se před nebo během nanášení aluminidového povlaku nanáší jeden nebo více prvků byť i nanášených jiným nanášecím procesem. Nezahrnuje ale vícenásobné použití procesů cementace v prášku v jediném kroku pro získání legovaných aluminidů.
-
Výraz ’aluminidy modifikované ušlechtilými kovy’ zahrnuje povlaky připravené v několika krocích, v nichž se ušlechtilý kov nebo ušlechtilé kovy ukládají nějakým jiným povlakovým procesem před nanesením aluminidového povlaku.
-
Výraz ’jejich směsi’ zahrnuje infiltrovaný materiál, odstupňované kompozice, současně nanášené povlaky a vícevrstvové povlaky, které se získávají jedním nebo více povlakovacími procesy specifikovanými v Tabulce.
-
’MCrA1X’ se vztahuje na povlakovou slitinu, kde M je kobalt, železo, nikl nebo jejich kombinace a X představuje hafnium, ytrium, křemík, tantal v jakémkoli množství nebo v jiných úmyslných přísadách přes 0,01 % hmotnostních v různých podílech a kombinacích, kromě:
-
CoCrAlY povlaků, které obsahují méně než 22 % hmotnostních chromu, méně než 7 % hmotnostních hliníku a méně než 2 % hmotnostních ytria;Kobalt (Cobaltum), Co - Mendeleyev davriy sistemasining VIII guruhiga mansub kimyoviy element. Tartib raqami 27, atom massasi 58,9332. Kobalt metalini ilk bor 1735 yilda shved kimyogari Yu. Brand rudalardan ajratib olgan.
-
CoCrAlY povlaků, které obsahují 22 až 24 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 až 0,7 % hmotnostních ytria; nebo
-
NiCrAlY povlaků, které obsahují 21 až 23 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,9 až 1,1 % hmotnostních ytria.
-
Výrazem ’hliníkové slitiny’ se rozumí slitiny, které mají mez pevností v tahu 190 MPa nebo větší, měřenou při 293 K (20 °C).
-
Výraz ’korozivzdorná ocel’ znamená ocel podle AISI (American Iron and Steel Institut) řady 300 nebo ocel vyhovující ekvivalentním státním normám.
-
’Žáruvzdorné materiály a slitiny’ zahrnují tyto kovy a jejich slitiny: niob (kolumbium), molybden, wolfram a tantal.
-
’Materiály okének čidel’: syntetický korund, křemík, germanium, sulfid zinečnatý, selenid zinečnatý, arzenid galia, diamant, fosfid galia, safir, a tyto halogenidy kovů: materiály okének čidel s průměrem větším než 40 mm z fluoridu zirkonia a fluoridu hafnia.
-
“Technologie” pro jednostupňovou cementaci v prášku pevných profilů křídel není kontrolována podle Kategorie 2.
-
’Polymery’: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyuretany.
-
’Modifikovaný oxid zirkoničitý’ se vztahuje na přísady oxidů jiných kovů (např. vápníku, hořčíku, ytria, hafnia, oxidů vzácných zemin) k oxidu zirkoničitému pro stabilizaci určitých krystalografických fází a fázových skladeb. Povlaky používané pro tepelnou bariéru zhotovené z oxidu zirkoničitého modifikovaného vápníkem nebo hořčíkem mísením nebo tavením se nekontrolují.
-
’Slitiny titanu’ se vztahují pouze na slitiny pro letectví a kosmonautiku, které mají mez pevnosti v tahu 900 MPa nebo větší měřenou při 293 K (20 °C).
-
’Skla s nízkou roztažností’ znamenají skla, která mají koeficient tepelné roztažnosti 1 x 10-7 K-1 nebo menší měřený při 293 K (20°C).
-
’Dielektrické vrstvy’ jsou povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů v nichž se využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o rozličném indexu lomu pro odrážení, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem. Dielektrické vrstvy se zde vztahují na více než čtyři dielektrické vrstvy nebo vrstvy dielektrického/kovového “kompozitu”.
-
’Cementovaný karbid wolframu’ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje sestávající z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
-
Kontrolnímu režimu nepodléhá “technologie” speciálně vyvinutá pro nanášení uhlíku s vlastnostmi diamantu na kterýkoli z dále uvedených předmětů: magnetické disky a hlavy, oční brýle z polykarbonátu, zařízení pro výrobu předmětů sloužících k jednorázovému použití, pekárenské zařízení, ventily pro kohoutky, akustické membrány pro reproduktory, součásti motorů pro automodíly, řezné nástroje, nástroje pro lisování a děrování, vysoce kvalitní čočky pro fotoaparáty nebo teleskopy, kancelářské automatizované vybavení, mikrofony nebo lékařské přístroje.
-
’Karbid křemíku’ nezahrnuje materiály řezných a tvarovacích nástrojů.
-
Keramické substráty v této položce nezahrnují keramické materiály obsahující 5 % hmotnostních nebo více jílu nebo cementu a to jako samostatnou složku nebo v kombinaci obou.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K TABULCE TECHNIK NANÁŠENÍ POVLAKŮ
Procesy uvedené ve sloupci 1 tabulky jsou definovány takto:
a. Chemické nanášení v parní fázi (CVD) je proces pro nanášení krycího povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát ukládá nějaký kov, slitina, “kompozit”, dielektrikum nebo keramika. Plynné reaktanty se rozkládají nebo slučují v blízkosti substrátu, čímž dochází k nanesení žádaného materiálu ve formě prvku, slitiny nebo sloučeniny na substrát. Energii pro tento proces rozkladu nebo chemické reakce lze získat teplem substrátu, plazmou doutnavého výboje nebo “laserovým” ozářením.
POZN. 1.: Do CVD patří tyto procesy: nanášení směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační CVD, řízený nukleační tepelný rozklad (CNTD), procesy CVD prováděné plazmou nebo za podpory plazmy.
POZN.2.: Obal znamená substrát ponořený do práškové směsi.
POZN.3.: Plynné reaktanty využívané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementace v obalu, až na to, že potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
b. Fyzikální nanášení v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD) je procesem přípravy krycího povlaku prováděný ve vakuu při tlaku pod 0,1 Pa za použití zdroje tepelné energie k odpařování materiálu povlaku. Výsledkem tohoto procesu je kondenzace nebo ukládání odpařené látky na vhodně umístěných substrátech.
Přidávání plynu do vakuové komory během povlakovacího procesu za účelem syntézy sloučených vrstev je obvyklou variantou tohoto procesu.
Běžnou variantou této techniky je také použití svazku iontových nebo elektronových paprsků nebo plazmy za účelem vyvolání nebo podpory nanášení povlaku. Charakteristickým rysem těchto postupů může být použití monitorů k provoznímu měření optických charakteristik a tloušťky povlaků.
Specifické TE-PVD procesy jsou tyto:
1. PVD se svazkem elektronových paprsků používající elektronový paprsek k ohřevu a odpaření materiálu, který tvoří povlak;
2. PVD s odporovým ohřevem pomocí iontů používající elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se zaměřenými iontovými paprsky k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů;
3. “Laserové” odpařování používající “laserové” paprsky buď pulsované nebo ve spojité vlně k odpařování materiálu, který tvoří povlak;
4. Nanášení v katodickém oblouku používající spotřebovatelnou katodu z materiálu, který vytváří povlak a má obloukový výboj vytvořený na povrchu mžikovým sepnutím uzemněného spouštěče. Řízeným pohybem hoření oblouku se eroduje povrch katody, čímž vzniká vysoce ionizovaná plazma. Anodou může být buď kužel uchycený přes izolátor na obvodu katody nebo komora. Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu.
POZN.: Tato definice nezahrnuje nanášení s neřízeným katodickým obloukem bez předpětí na substrátech.
5. Iontové pokovování je speciální modifikací obecného procesu TE-PVD, ve kterém se používá plazma nebo jiný zdroj iontů pro ionizaci nanášených látek a na substrát se přikládá záporné předpětí, aby se usnadnilo vyloučení látek z plazmy. Zavádění reaktivních látek, odpařování tuhých látek v provozní komoře a použití monitorů pro provozní měření optických vlastností a tlouštěk povlaků jsou obvyklými modifikacemi tohoto procesu.
c. Cementace v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo tvorby krycího povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obal) skládající se z těchto složek:
1. Kovových prášků, které se mají nanést (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace);
2. Aktivátoru (obvykle halogenidová sůl); a
3. Inertního prášku, nejčastěji hliníku.
Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) a 1375 K (1102 °C) po dobu postačující k nanesení povlaku.
d. Plazmové stříkání je proces přípravy krycího povlaku, v němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá ho na substrát, na kterém se pak vytváří celistvě spojený povlak. Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání nebo vysokorychlostní plazmové stříkání.
POZN. 1.: Nízkotlaký znamená tlak nižší než je okolní atmosférický tlak.
POZN. 2.: Vysokorychlostní se vztahuje na rychlost plynu na výstupu trysky, která je vyšší než 750m/s při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
e. Nanášením řídké kaše se rozumí vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo tvorba krycího povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanese se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním, pak se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává, aby byl získán žádaný povlak.
f. Naprašování je proces tvorby krycího povlaku založený na jevu přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál). Kinetická energie dopadajících iontů postačuje k tomu, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát.
POZN.1.: Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů.
POZN.2.: Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (pod 5 keV).
g. Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje se do povrchové vrstvy substrátu. Patří sem procesy, v nichž se iontová implantace provádí současně s naprašováním nebo fyzikálním nanášením v parní fázi pomocí elektronového paprsku.
KATEGORIE 3 - ELEKTRONIKA
3A Systémy, zařízení a součásti
Poznámka 1: Kontrolní režim zařízení a součástí popsaných ve 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v 3A001a. až 3A001a.10. nebo 3A001.a.12., která jsou speciálně konstruovaná nebo které mají totožné funkční charakteristiky jako jiná zařízení, je určen kontrolním režimem těchto jiných zařízení.
Poznámka 2: Kontrolní režim integrovaných obvodů popsaných ve 3A001.a.3. až 3A001a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo vyvinuty pro specifickou funkci v jiných zařízeních, podléhají kontrolním režimům těchto jiných zařízení.
POZN.: Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit kontrolní režim jiného zařízení, řídí se kontrolní režim integrovaných obvodů podle 3A001. a. až 3A001. a. 9. a 3A001.a.12.
Pokud integrovaný obvod na křemíkové podložce je “mikropočítačový mikroobvod” nebo mikroregulátorový mikroobvod popsaný ve 3A001.a.3. a má délku slova operandů resp. dat 8 bitů nebo méně, je kontrolní režim integrovaného obvodu určen ve 3A001.a.3.
3A001 Elektronické součásti:
a. Integrované obvody pro všeobecné použití:
Poznámka 1: Kontrolní režim polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se řídí podle parametrů uvedených ve3A001.a.
Poznámka 2: Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
“Monolitické integrované obvody”;
“Hybridní integrované obvody”;
“Vícečipové integrované obvody”;
“Integrované obvody vrstvového typu”, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce;
“Optické integrované obvody”.
1. Integrované obvody navržené nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:
a. Celkovou radiační dávku 5 x 103 Gy (Si) nebo vyšší; nebo
b. Rychlost dávky 5 x 106 Gy/s (Si) nebo vyšší;
2. “Mikroprocesorové mikroobvody”, “mikropočítačové mikroobvody”, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově číslicové a číslicově analogové převodníky, elektro-optické nebo “optické integrované obvody” pro “zpracování signálu”, programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce nebo není znám kontrolní režim zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro Fourrierovu rychlou transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které:
a. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě nad 398 K (125 °C);
b. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě pod 218 K (-55 °C); nebo
c. Jsou určeny k provozu v celém intervalu okolních teplot od 218 K (-55 °C) do 398 K (125 °C);
Poznámka: 3A001.a.2. neplatí pro integrované obvody pro civilní automobily nebo použití v železničních vlacích.
3. “Mikroprocesorové mikroobvody”, “mikropočítačové mikroobvody” a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Poznámka: 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.
a. “Složený teoretický výkon” (“CTP”) 3500 milionů teoretických operací za sekundu (Mtops) nebo více a aritmeticko-logickou jednotku s přístupovou šířkou 32 bitů nebo více;
b. Jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při hodinových frekvencích přesahujících 40 MHz; nebo
c. Více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový komunikační vstupní kanál pro vnější propojení v rámci paralelního procesoru s přenosovou rychlostí přesahující 2,5 Mbyte/s;
4. Paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;
5. Integrované obvody analogově číslicových a číslicově analogových převodníků, a to:
a. Analogově číslicové převodníky, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Viz také 3A101
1. Rozlišení 8 bitů nebo větší, ale menší než 12 bitů, s ’celkovou dobou převodu’ menší než 10 ns;
2. Rozlišení 12 bitů s ’celkovou dobou převodu’ menší než 200 ns; nebo
3. Rozlišení větší než 12 bitů s ’celkovou dobou převodu’ menší než 2 mikrosekundy;
b. Číslicově-analogové převodníky s rozlišením 12 bitů nebo větším a “dobou ustálení” menší než 10 ns;
Technické poznámky:
1. Rozlišení n bitů odpovídá kvantizaci 2n stavu.
2. ’Celková doba převodu’ je obrácená hodnota rychlosti snímání (sample rate).
6. Elektro-optické a “optické integrované obvody” pro “zpracování signálu”, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
a. Jednu nebo více vnitřních “laserových” diod; Diod (du... va (elektr)od) - ikki elektrodli elektron lampa. Bir tomonlama oʻtkazuvchanlik xususiyatiga ega. Vakuum va yarimoʻtkazgich D.lar boʻladi. Vakuum D. anod va katoddan iborat. Tok berilib, katod qizdirilsa, elektronlar oqimi anodga qarab yoʻnaladi va anod toki hosil boʻladi.
b. Jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a
c. Optické vlnovody;
7. Uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla); nebo
b. Typickou “dobu zpoždění základního hradla” menší než 0,4 ns; nebo
c. Překlápěcí frekvenci (toggle frequency) přesahující 133 MHz;
Poznámka:
3A001.a.7. zahrnuje:
- Jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLDs)
- Složitá programovatelná logická zařízení (CPLDs)
- Programovatelná hradlová pole (FPGAs)
- Programovatelná logická pole (FPLAs)
- Programovatelné vnitřní spoje (FPICs)
POZN.:
Uživatelem programovatelná logická zařízení (Field Programmable Logic Devices) jsou také známa jako uživatelem programovatelná hradla (Field programmable gates) nebo uživatelem programovatelná logická pole (Field programmable logic arrays).
8. Nevyužito;
9. Integrované obvody pro neuronové sítě;
10. Zákaznické integrované obvody jejichž funkce není známá nebo kontrolní režim zařízení, ve kterém budou integrované obvody použity není výrobci znám, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Více než 208 vývodů;
b. Typickou “dobu zpoždění základního hradla” menší než 0,35 ns; nebo
c. Pracovní kmitočet větší než 3 GHz;
11. Číslicové integrované obvody jiné než popsané v 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla); nebo
b. Překlápěcí frekvenci překračující 1,2 GHz;
12. Procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Provádějí 1024 bodovou komplexní FFT za méně než 1 milisekundu;
b. Provádějí N bodovou komplexní FFT (pokud je N jiné než 1024 bodů) za méně než N log2 N/10240 ms, kde N je počet bodů;
c. Provádějí motýlkové operace (butterfly throughput) s frekvencí vyšší než 5,12 MHz;
b. Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:
1. Vakuové elektronky a katody:
Poznámka: 3A001.b.1. nekontroluje elektronky konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.
a. Elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou s těmito charakteristikami:
1. Pracující při kmitočtech vyšších než 31 GHz;
2. Mající topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 sekundy;
3. Elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s “okamžitou šířkou pásma” větší než 7 % nebo špičkovým výkonem převyšujícím 2,5 kW;
4. Elektronky s postupnou vlnou a elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. “Okamžitou šířku pásma” větší než 1 oktáva při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 0,5;
b. “Okamžitou šířku pásma” menší nebo rovnající se 1 oktávě při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 1; nebo
c. Jsou “vhodné pro kosmické aplikace”;
b. Zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB;
c. Impregnované katody vyvinuté pro elektronky, k výrobě trvalé emisní proudové hustoty při jmenovitých pracovních podmínkách přesahujících 5 A/cm2;
2. Mikrovlnné integrované obvody, které
a. Obsahují “monolitické integrované obvody”; a
b. Pracují při kmitočtech přesahujících 3 GHz;
Poznámka: 3A001.b.2. nekontroluje obvody nebo moduly pro zařízení konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.
3. Mikrovlnné transistory dimenzované pro provoz na kmitočtech přesahujících 31 GHz;
4. Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi mající některou z dále uvedených charakteristik:
a. Pracovní kmitočty vyšší než 10,5 GHz a “okamžitou šířkou pásma” větší než je polovina oktávy; nebo
b. Pracovní kmitočty vyšší než 31 GHz;
5. Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propustě nebo zdrže, které mají více než 5 laditelných resonátorů s možností ladění 1,5:1 přes kmitočtové pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 mikrosekund a které mají jednu z dále uvedených vlastností:
a. Šířku pásma propustě více než 0,5 % středového kmitočtu; nebo
b. Šířku pásma zdrže méně než 0,5 % středového kmitočtu;
6. Mikrovlnné montážní celky schopné pracovat při kmitočtech větších než 31 GHz;
7. Směšovače a konvertory vyvinuté k rozšíření kmitočtového rozsahu zařízení popsaných ve 3A002.c., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad tam uvedené mezní hodnoty;
8. Mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky specifikované ve 3A001.b. a mající všechny dále uvedené charakteristiky:
a. Pracovní kmitočet nad 3 GHz;
b. Průměrná výstupní hustota výkonu přesahující 80 W/kg; a
c. Objem menší než 400 cm3; .
Poznámka: 3A001b.8. nekontroluje zařízení konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU.
c. Zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované, dále uvedené, součásti:
1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na “zpracování signálu” používající akustickomechanických vibrací (elastických vln) v materiálech, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;
b. Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale nepřesahující 2,5 GHz a mající některou z dále uvedených charakteristik:
1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB;
2. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;
3. Šířka pásma větší než 250 MHz; nebo
4. Disperzní zpoždění větší než 10 mikrosekund; nebo
c. Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší s některou z dále uvedených charakteristik:
1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;
2. Disperzní zpoždění větší než 10 mikrosekund; nebo
3. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB a šířku pásma větší než 50 MHz;
2. Zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na “zpracování signálu”, která používají elastické vlny) jež dovolují přímé zpracování signálů při kmitočtech přesahujících 1 GHz;
3. Akusticko-optická zařízení na “zpracování signálu”, která používají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami, dovolující přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;
d. Elektronická zařízení a obvody obsahující součástky vyrobené ze “supravodivých” materiálů speciálně určených pro činnost při teplotách pod “kritickou teplotou” alespoň jedné ze “supravodivých” složek, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
1. Spínání proudu pro číslicové obvody používající “supravodivá” hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve watech) menším než 10-14 J; nebo
2. Frekvenční selekci při všech kmitočtech, kde jsou použity resonanční obvody s hodnotami jakosti Q přesahujícími 10000;
e. Vysokoenergetická zařízení dále uvedená:
1. Baterie a foto-voltaické generátory:
Poznámka: 3A001.e. nekontroluje baterie s objemy rovnajícími se nebo menšími než 27 cm3 (např. standardní články nebo baterie R14).
a. Primární články a baterie, které mají hustotu energie přesahující 480 Wh/kg a dimenzované pro provoz v teplotním rozmezí od méně než 243 K (-30 °C) do více než 343 K ( 70 °C);
b. Opakovatelně nabíjitelné články a baterie, které mají ’hustotu energie’ přesahující 150 Wh/kg po 75 cyklech nabití/vybití při vybíjecím proudu C/5 hodin (kde C je jmenovitá kapacita v ampérhodinách), když pracují v teplotním rozmezí od méně než 253 K (-20 °C) do více než 333 K (50 °C);
Technická poznámka:
’Hustota energie’ se získá násobením průměrného výkonu ve wattech (průměrné napětí ve voltech krát průměrný proud v ampérech) dobou vybíjení v hodinách na 75 % naprázdno a vydělením celkovou hmotností článku (nebo baterie) v kg.
c. “Vhodné pro kosmické aplikace” a radiačně odolná pole fotočlánků s měrným výkonem přesahujícím 160 W/m2 při pracovní teplotě 301 K (28 °C) při osvětlení wolframovou žárovkou o světelném toku 1 kW/m2 a teplotě vlákna 2800 K (2527 °C);
2. Vysokoenergetické akumulační kondenzátory:
Viz také 3A201.a.
a. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;
2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 250 J/kg; a
3. Celkovou energii rovnou nebo větší 25 kJ;
b. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem 10 Hz nebo větším (repetition rated capacitors), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;
2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 50 J/kg;
3. Celkovou energii rovnou nebo větší než 100 J; a
4. Životnost rovnou nebo větší než 10000 cyklů nabití/vybití;
3. “Supravodivé” elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Viz také 3A201.b.
Poznámka: 3A001.e.3. nekontroluje “supravodivé” elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování magnetické rezonance (MRI).
a. Energii dodanou během vybití překračující 10 kJ během první sekundy;
b. Vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm; a
c. Jsou dimenzovány pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo “celkovou proudovou hustotu” ve vinutí větší než 300 A/mm2;
f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
1. Rozlišení lepší než 1/265000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice; nebo
2. Přesnost lepší než ± 2,5 úhlové vteřiny.
3A002 Univerzální elektronická zařízení:
a. Záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:
1. Analogové přístrojové magnetopáskové záznamníky, včetně takových, které dovolují záznam číslicových signálů (např. používající modul s vysokou hustotou číslicového záznamu (HDDR)), které mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Šířku pásma překračující 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu;
b. Šířku pásma překračující 2 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu a které mají více než 42 stop; nebo
c. Chybu (základní) časového posunu vůči časovému základu (time displacement (base) error), měřenou v souladu s příslušnými dokumenty IRIG (Inter Range Instrumentation Group) nebo EIA (Electronic Industries Association), menší než ± 0,1 mikrosekundy;
Poznámka: Analogové magnetopáskové záznamníky speciálně konstruované pro civilní video záznamy nejsou považovány za přístrojové magnetopáskové záznamníky.
2. Číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém rozhraní překračující 360 Mbit/s;
Poznámka: 3A002.a.2. nekontroluje číslicové videorekordéry s magnetickou páskou speciálně konstruované pro televizní záznam používající formát signálu, který může zahrnovat stlačený formát signálu podle normy nebo doporučení ITU, IEC, SMPTE, EBU nebo IEEE pro civilní televizní užití;
3. Číslicové přístrojové magnetopáskové přístroje, které používají techniku spirálového snímání nebo techniku pevných hlav a mají některou z dále uvedených charakteristik:
a. Přenosovou rychlost číslicového rozhraní přesahující 175 Mbit/s; nebo
b. Jsou “vhodné pro kosmické aplikace”;
Poznámka: 3A002.a.3. nekontroluje analogové magnetopáskové záznamníky vybavené převodní elektronikou typu HDDR v konfiguraci pro záznam pouze číslicových dat.
4. Zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní překračující 175 Mbit/s, která jsou určena k tomu, aby umožnila použití číslicových videorekordérů s magnetickou páskou jako číslicových přístrojových záznamníků dat;
5. Digitizéry vlnových průběhů a záznamníky přechodových dějů, které mají obě dále uvedené charakteristiky:
a. Rychlost digitalizace rovnou nebo větší než 200 milionů vzorků za sekundu při rozlišení nejméně 10 bitů; a
b. Spojitý průběh dat 2 Gbit/s nebo více;
Technická poznámka:
Pro přístroje tohoto typu s architekturou paralelních sběrnic je rychlost spojitého přenosu definována jako součin nejvyšší rychlosti přenosu slov násobená počtem bitů ve slově.
Spojitý přenos je nejvyšší rychlost přenosu dat při níž je přístroj schopen dodávat data do velkokapacitní paměti bez ztráty jakékoli informace a při zachování vzorkovací rychlosti a analogově-číslicové převoditelnosti.
b. “Elektronické sestavy” “kmitočtových syntetizátorů”, které mají “dobu přepínání kmitočtu” z jednoho vybraného kmitočtu na druhý menší než 1 ms;
c. “Analyzátory signálu”:
1. “Analyzátory signálu” schopné analyzovat kmitočty přesahující 31 GHz;
2. “Dynamické analyzátory signálu”, mající “šířku pásma v reálném čase” přesahující 25,6 kHz;
Poznámka: 3A002.c.2. nekontroluje takové “dynamické analyzátory signálu”, které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem (známé také jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv).
d. Generátory signálů na bázi syntetizátorů kmitočtu produkující výstupní kmitočty, jejichž přesnost a krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřním hlavním kmitočtem nebo jsou od něj odvozeny či upraveny, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
1. Maximální syntetizovaný kmitočet překračující 31 GHz;
2. “Dobu přepínání kmitočtu” z jednoho vybraného kmitočtu na druhý menší než 1 ms; nebo
3. Fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) lepší než
(126 20 log10F - 20 log10f) v dBc/Hz, kde F je posun od pracovního kmitočtu v Hz a f je pracovní kmitočet v MHz;
Poznámka: 3A002.d. nekontroluje zařízení v němž je výstupní kmitočet buď produkován sečtením nebo odečtením dvou nebo více krystalem řízených kmitočtů nebo jejich sečtením či odečtením, po kterém se výsledek násobí.
e. Síťové analyzátory s maximálním pracovním kmitočtem překračujícím 40 GHz;
f. Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají obě dále uvedené charakteristiky:
1. Maximální pracovní kmitočet větší než 40 GHz; a
2. Schopnost měřit současně amplitudu a fázi;
g. Atomové kmitočtové normály mající některou z dále uvedených charakteristik:
1. Dlouhodobou stabilitu (stárnutí) menší (lepší) než 1 x 10-11/měsíc; nebo
2. Jsou “vhodná pro kosmické aplikace”.
Poznámka: 3A002.g.1. nekontroluje rubidiové normály, které nejsou “vhodné pro kosmické aplikace”.
3A101 Elektronická zařízení, přístroje a součásti, jiné než uvedené ve 3A001:
a. Analogově digitální převodníky, použitelné v “raketách” konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro robustní zařízení;
b. Urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2 MeV nebo větší a systémy obsahující tyto urychlovače.
Poznámka: 3A101.b. nespecifikuje zařízení speciálně konstruované pro lékařské účely.
3A201 Elektronické součásti, jiné než specifikované ve 3A001:
a. Kondenzátory mající jednu z dále uvedených kombinací charakteristik:
1. a. Pracovní napětí větší než 1,4 kV;
b. Uchovaná energie větší než 10 J;
c. Kapacita větší než 0,5 μF; a
d. Sériová induktance menší než 50 nH; nebo
2. a. Pracovní napětí větší než 750 V;
b. Kapacita větší než 0,25 μF; a
c. Sériová induktance menší než 10 nH;
b. Supravodivé solenoidní elektromagnety mající všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T;
2. S poměrem L/D (délka dělená vnitřním poloměrem) větším než 2;
3. S vnitřním průměrem větším než 300 mm; a
4. S rovnoměrností magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu;
Poznámka: 3A201.b. nekontroluje magnety speciálně konstruované a exportované ’jako součásti’ lékařských snímkovacích systémů s nukleární magnetickou rezonancí (NMR). Výraz ’jako součásti’ nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek ’jako součástí’ snímkovacího systému.
c. Zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače mající některou z dále uvedených kombinací charakteristik:
1. a. Urychlovače mající maximum energie elektronů 500 keV nebo větší, avšak menší než 25 MeV; a
b. S ’účinností’ (K) 0,25 nebo vyšší; nebo
2. a. Urychlovač mající maximum energie elektronů 25 MeV nebo větší; a
b. ’Špičkový výkon’ větší než 50 MW.
Poznámka: 3A201.c. nekontroluje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů, které byly vyvinuty pro jiné účely než je elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:
Technické poznámky:
1. ’Účinnost’ K je definována jako:
K = 1,7 x 103 V2,65 Q
V je maximální elektronová energie v megaelektronvoltech.
Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1 mikrosekundě, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech. Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1 mikrosekunda, pak Q je maximální urychlený náboj v jedné mikrosekundě.
Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 mikrosekunda nebo dobu trvání pulsu (Q = integrál idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
2. ’Špičkový výkon’ = (špičkové napětí ve voltech) x (špičkový proud paprsku v ampérech).
3. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je doba trvání pulsu paprsku menší než 1 mikrosekunda nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru.
4. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je špičkový proud paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.
3A225 Měniče kmitočtů nebo generátory, jiné než specifikované v 0B001b.13., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
a. Vícefázový výstup s výkonem 40 W nebo větším;
b. Schopné provozu při frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;
c. Celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 %; a
d. Řízení kmitočtu lepší než 0,1 %.
Technická poznámka:
Měniče kmitočtů ve 3A225 jsou také známy jako konvertory nebo invertory.
3A226 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém výkonu, jiné než specifikované v 0B001.j.6. mající obě dále uvedené charakteristiky:
a. Schopné nepřetržitého provozu déle než 8 hodin při napětí 100 V nebo větším a výstupním proudu 500 A nebo větším; a
b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu 8 hodin.
3A227 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém napětí, jiné než specifikované ve 0B001.j.5., mající obě z dále uvedených charakteristik:
a. Schopnost nepřetržitého provozu déle než 8 hodin, při napětí 20kV nebo větším a výstupním proudu 1 A nebo větším; a
b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu 8 hodin.
3A228 Spínací zařízení, dále uvedená:
a. Elektronky se studenou katodou, buď plněné nebo neplněné plynem pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Obsahují tři nebo více elektrod;
2. Špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více;
3. Špičkový anodový proud 100 A nebo více; a
4. Anodové zpoždění 10 mikrosekund nebo méně;
Poznámka: 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
b. Spouštěcí jiskřiště mající obě z dále uvedených charakteristik:
1. Anodové zpoždění 15 mikrosekund nebo menší; a
2. Špičkový proud 500 A nebo větší;
c. Moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí mající všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
2. Špičkový anodový proud 500 A nebo větší; a
3. Spínací čas 1 mikrosekunda nebo menší.
3A229 Odpalovací zařízení a ekvivalentní vysokoproudé pulsní generátory:
Viz také Seznam vojenského materiálu.
a. Explosivní rozbuškové odpalovací systémy vyvinuté pro řízení vícenásobně řízených rozněcovačů specifikovaných v 3A232;
b. Modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače) mající všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Konstruované pro přenosné a mobilní použití nebo použití ve ztížených podmínkách;
2. Uzavřené v prachotěsném obalu;
3. Schopnost předat svou energii v méně než 15 mikrosekundách;
4. Mající výstup větší než 100 A;
5. Mající ’náběhový čas’ menší než 10 mikrosekund při zatížení menším než 40 ohmů;
6. Žádný rozměr nepřesahuje 254 mm;
7. Hmotnost menší než 25 kg; a
8. Určeny pro použití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (-50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické použití.
Poznámka: 3A229 zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
Technická poznámka:
V 3A229.b.5. ’náběhový čas’ je definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.
3A230 Vysokorychlostní pulsní generátory mající obě z dále uvedených charakteristik:
a. Výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 ohmů; a
b. ’Pulsní přechodový čas’ menší než 500 pikosekund.
Technická poznámka:
V 3A230 je ’pulsní přechodový čas’ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
3A231 Neutronové generátorové systémy včetně trubic mající obě z dále uvedených charakteristik:
a. Konstruované pro provoz bezu vnějšího vakuového systému; a
b. Využívající elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.
3A232 Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:
Viz také Seznam vojenského materiálu.
a. Elektricky řízené rozněcovače:
1. Výbušný můstek (EB);
2. Výbušný můstkový drát (EBW);
3. Nárazové rozbušky;
4. Výbušné fóliové rozbušky (EFI);
b. Zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu (více než 5000 mm2) jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 mikrosekund.
Poznámka: 3A232 nekontroluje rozbušky používající pouze primární výbušniny jako je azid olovnatý.
Technická poznámka:
Rozbušky kontrolované 3A232 používají drobné elektrické vodiče (můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se explozivně odpařují, když jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu. V nenárazových typech nastartuje výbušný vodič chemickou detonaci při dotyku s vysoce explozivní látkou jako je PETN (Pentaerytritoltetranitrát). V nárazových rozbuškách přirazí explozivní odpařování elektrického vodiče nárazník přes mezeru a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci. Nárazník je v některých typech spouštěn magnetickou silou. Výraz výbušná fólie může označovat jak výbušný můstek (EB) tak i rozbušku nárazovou. Slovo iniciátor se někdy používá místo slova rozbuška.
3A233 Hmotnostní spektrometry, jiné než specifikované v 0B002.g., schopné měřit ionty atomové hmoty o 230 atomových hmotnostních jednotkách (amu) nebo větší a mající rozlišovací schopnost lepší než 2 částice při 230, jak jsou dále uvedeny, a iontové zdroje k tomu účelu:
a. Plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
b. Hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
c. Hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
d. Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
e. Hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají:
1. Komoru zdroje zhotovenou z nerezové oceli nebo molybdenu a mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (-80 °C) nebo méně; nebo
2. Komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou.
f. Hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
|