1-Laboratoriya ishi - bet 7

|
1-Laboratoriya ishi
|
bet | 7/7 | Sana | 01.02.2024 | Hajmi | 274,29 Kb. | | #149979 |
Bog'liq 1-labaratoriyaUskunalar : substratlarni yuvish va substratlarni kimyoviy qayta ishlash uchun laboratoriya idishlarining standart to'plami; santrifugalash orqali fotorezist ilovasini o'rnatish; ekspozitsiyani sozlash; almashtiriladigan foto maskalari to'plami; optik mikroskop; sekundomer.
Materiallar : kaput ostidagi maxsus tokchada joylashgan kimyoviy reagentlar va erituvchilar to'plami.
Ishda sanoat musbat fotorezist qo'llaniladi (fotorezistning o'ziga xos markasi o'qituvchi tomonidan belgilanadi).
Ishlab chiquvchi sifatida 1% gidroksidi eritmasi (NaOH yoki KOH) ishlatiladi.
Kremniy dioksidi holatida texnologik qatlam uchun oqartiruvchi sifatida buferli oqartiruvchi - gidroflorik kislota (HF) va ammoniy ftorid (NH 4 F) eritmalari, alyuminiy uchun esa - gidroksidi eritmasi (NaOH yoki KOH) ishlatiladi. ).
Ishlatilgan fotorezistning polimer plyonkasi konsentrlangan nitrat kislotada chiqariladi.
1. O'qituvchidan kerakli miqdordagi namunalarni oling - oksidlangan substratlar yoki alyuminiyning yupqa metall plyonkalari allaqachon yotqizilgan.
2. Standart substratni tozalashni amalga oshiring.
3. Spin qoplamasi bilan substratga fotorezistni qo'llang. Buning uchun sizga kerak:
- laborantdan sanoat fotorezistli idishni va uni dozalash uchun dispenserni oling (eng oddiy holatda bu pipetka bo'lishi mumkin);
- santrifugadan himoya qopqog'ini chiqarib oling;
- substratni sentrifuga diskiga yuzini yuqoriga qaratib qo'ying va substratni sentrifuga diskining o'rtasiga mahkamlang (DIQQAT! Substratning ishchi yuzasiga qo'lingizni tegizish tavsiya etilmaydi);
- santrifuganing himoya korpusini shunday o'rnating, shunda sentrifuganing aylanadigan diski himoya korpusiga tegmaydi;
- sentrifuga o'tish tugmachasini yoqing va uning ish rejimiga o'tishini kuting (10-15 s);
- santrifuganing himoya korpusining markaziy teshigiga ikki yoki uch tomchi fotorezistni kiritish uchun dispenserdan ehtiyotkorlik bilan foydalaning;
- keyin 10-15 soniyadan so'ng, sentrifugani almashtirish tugmachasini yoqing va u to'liq to'xtaguncha kuting;
- santrifüjning himoya qopqog'ini olib tashlang va fotorezistning substratning butun yuzasi bo'ylab bir tekis taqsimlanganligini vizual tarzda tekshiring (aks holda, fotorezistli substrat rad etiladi va nuqsonni tuzatish operatsiyasiga o'tadi: barcha fotorezistlar olib tashlanadi. hal qiluvchi bilan substrat va uni qo'llash operatsiyasi butun sirt u bilan teng ravishda qoplanmaguncha takrorlanadi) substrat tekisligi);
- fotorezistni muvaffaqiyatli qo'llashdan so'ng, substratlar ikki bosqichda quritiladi: birinchisi - xona haroratida 10-15 daqiqa davomida qorayganda; ikkinchi bosqich - quritish shkafida 9010 °C haroratda 20-30 daqiqa davomida (aniqrog'i, quritish rejimi fotorezistning o'ziga xos markasiga qarab belgilanadi).
4. Fotorezist qatlamini ochish operatsiyasini bajaring. Buning uchun:
- fotorezist qatlami bilan substratni ta'sir qilish moslamasiga joylashtiring, shunda qarshilik qatlami tepada bo'ladi;
- ehtiyotkorlik bilan, fotorezist plyonkani chizmasdan, shablonni substratga joylashtiring;
- ekspozitsiya sozlamalarini yoqing va ko'rish oynasida simob chiroqining nurlanishini kuzatish mumkin bo'ladi;
- ekspozitsiyani, ya'ni qat'iy belgilangan vaqt davomida fotorezistni yoritishni amalga oshirish (ekspozitsiya vaqti yorug'lik oqimining kuchi va vaqti bilan belgilanadi; bizning holatlarimizda yorug'lik doimiy qiymat bo'lganligi sababli, optimal ta'sir qilish faqat vaqtga bog'liq bo'ladi, eksperimental ravishda tanlanadi va bir necha soniyadan bir necha daqiqagacha o'zgarishi mumkin; tavsiya etilgan ta'sir qilish vaqti - 3 minut;
- ekspozitsiya ishining oxirida ekspozitsiya blokini o'chiring, shablonni substratdan olib tashlang va ehtiyotkorlik bilan (cımbız bilan) substratni o'rnatishdan olib tashlang .
5. Keyinchalik, ta'sirlangan namunalar kimyoviy ishlov berish - ishlab chiqishdan o'tkaziladi, uning maqsadi fotorezist qatlamining keraksiz joylarini olib tashlash va substrat yuzasida niqob topologiyasini shakllantirishdir. Buning uchun:
- substratni ishlab chiqaruvchi bilan vannaga joylashtiring va substratda aniq relyef topologiyasi hosil bo'lguncha rivojlanish jarayonini vizual ravishda kuzatib boring (musbat fotorezistni yaratish uchun NaOH yoki KOH ning 1% eritmasidan yoki Na 3 ning 2% eritmasidan foydalaning . PO 4 ; salbiy fotorezistni ishlab chiqish uchun trikloretilendan foydalaning; jarayon xona haroratida amalga oshiriladi);
- ishlab chiqish tugagandan so'ng, substratni distillangan suvda yuving va bronzlash jarayonini boshlang.
5. Ikkinchi quritish operatsiyasini o'tkazing (ko'nchilik). Buning uchun:
- substratlarni filtr qog'ozidagi quritish shkafiga joylashtiring;
- 30 daqiqa davomida 150-180 ° C haroratda (qattiqlashtirishdan maqsad substratda qolgan fotorezistni mahkamlash va unga qarshilik xossalarini berish, ya'ni etchantlarga qarshilik ko'rsatish) qattiqlashtirishni amalga oshirish (qayta ishlangan substratlarni quritish pechida ushlab turish). );
- keyin substratlarni quritish shkafidan ehtiyotkorlik bilan olib tashlang, ularni 3-5 daqiqa davomida xona haroratiga qadar sovutib oling va so'ngra texnologik qatlamni substratga surtish jarayonini boshlang.
7. Texnologik qatlamni rezistiv niqob orqali surtish operatsiyasini bajarish. Buning uchun:
- vannani mos o‘qtirgich bilan to‘ldirish yo‘li bilan etching uchun tayyorlash (oksidni o‘ymak uchun ftor vodorod kislotasi va ammoniy ftorid eritmasidan, alyuminiyni o‘ymak uchun esa 25% li NaOH eritmasidan foydalaning);
- substratlarni plastik cımbızlar yordamida ehtiyotkorlik bilan etchantga o'tkazing va chizish jarayonini vizual ravishda kuzatib boring (o'rtacha ishlov berish vaqti bir necha daqiqadan oshmasligi kerak);
- ishlov berish jarayonini tugatgandan so'ng, substratlarni distillangan suvda yuving.
8. Litografik jarayonning yakuniy operatsiyasini bajaring - fotorezist plyonkani olib tashlash. Buning uchun:
- fotorezist plyonkani konsentrlangan sulfat kislota bilan to'ldirish orqali olib tashlash uchun idish tayyorlang (DIQQAT! Kislota bilan barcha operatsiyalar faqat plastik pinset yordamida kaput ostida amalga oshirilishi kerak);
- ishlov beriladigan substratlarni sulfat kislotasi bo'lgan idishga joylashtiring;
- fotorezist plyonkani olib tashlash jarayonini vizual kuzatish (fotorezist plyonkani olib tashlashning o'rtacha vaqti 1-1,5 minut);
- fotorezist qatlamini to'liq olib tashlaganingizdan so'ng, substratni distillangan suvda yuving.
9. Substratlarni filtr qog'ozi bilan quriting yoki kerak bo'lsa, pechda 80-85 ° S haroratda quriting.
10. Olingan plyonka topologiyasini substratda vizual tekshirishni o'tkazing, nuqsonning mumkin bo'lgan sabablari haqida kerakli xulosalar chiqaring.
Hisobotning mazmuni
1. Ishning maqsadi.
2. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
3. Laboratoriya vazifasi.
3. Santrifüjlash va kombinatsiyalangan va ekspozitsiyali qurilmalarning tavsiflari.
4. O'rnatishlarda ishlashda operatsiyalarni bajarish protokollari.
5. Ish yuzasidan xulosalar.
Nazorat savollari
1. Quyidagi atamalarni aniqlang: litografiya, sezgir qatlam, fotolitografiya, fotosezgir qatlam, texnologik qatlam, kontaktli fotolitografiya, proyeksiyali fotolitografiya, fotomaska.
2. Planar epitaksial texnologiya doirasida litografik jarayonlar nimaga imkon beradi?
3. Litografik jarayonlarning asosiy afzalliklarini sanab o'ting.
4. Fotorezist bajaradigan asosiy vazifalarni tushuntiring.
5. Ijobiy va salbiy fotorezistlarning farqini tushuntiring.
6. Fotorezist qatlamini qo'llashning texnologik operatsiyasini (maqsad, imkoniyatlar, texnik amalga oshirish turlari, suyuq (aerozol) fotorezistlarni qo'llashning har xil turlarining afzalliklari va kamchiliklari) tavsiflang.
7. Fotorezistli qatlamni quritishning texnologik operatsiyasini tavsiflang (maqsad, imkoniyatlar, texnik amalga oshirish turlari, har xil turdagi quritishning afzalliklari va kamchiliklari). Ko'nchilik nima?
8. Astarlar yuzasiga litografik ishlov berish siklida tekislash va ekspozitsiyaning texnologik operatsiyasini (maqsad, imkoniyatlar, texnik amalga oshirish turlari) tavsiflang.
9. Fotorezist qatlamni ishlab chiqishning texnologik operatsiyasini tavsiflang (maqsad, imkoniyatlar, texnik amalga oshirish turlari).
10. Manfiy fotorezistni ishlab chiqishning texnologik operatsiyasining kimyosi va mexanizmini aytib bering.
11. Ijobiy fotorezistni ishlab chiqishning texnologik operatsiyasi kimyosi va mexanizmini aytib bering.
12. Rezistiv niqobni olib tashlashning texnologik operatsiyasini tavsiflang (maqsad, maqsad, imkoniyatlar, texnik amalga oshirish turlari).
13. Litografik jarayonni amalga oshirishda nuqsonlarning asosiy sabablari va turlarini aytib bering
|
| |