Laboratoriya ishini bajarish tartibi

|
Laboratoriya ishini bajarish tartibi
|
bet | 3/6 | Sana | 27.08.2024 | Hajmi | 307,2 Kb. | | #269936 |
Bog'liq 3-tajriba E va S2 SIRTQI2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi.
2.1. 5.12.3– rasmda keltirilgan bipolyar tranzistor asosidagi elektron kalit uzatish xarakteristikasini o‘lchash prinsipial sxemasini elektron stendda (NI Multisim dasturiy muhitida) yig‘ing.
2.2. 5.12.1– jadvalda berilgan variant bo‘yicha parametrlarni sozlang.
5.12.1– jadval. Ishni Multisim dasturiy muhitida yig‘ish uchun variantlar.
Variant №
|
Bipolyar tranzistor
|
RB, kOm
|
Rk, kOm
|
EM=E2, V
|
1
|
2N1711
|
10
|
3,3
|
5V
|
2
|
2N2102
|
11
|
3,6
|
3
|
2N2219
|
10
|
3
|
4
|
2N2221
|
56
|
10
|
5
|
2N2369
|
5
|
2,1
|
6
|
2N2712
|
3,3
|
1
|
7
|
2N2714
|
10
|
3,3
|
8
|
2N2923
|
20
|
6,2
|
9
|
2N2924
|
15
|
4,3
|
10
|
2N3019
|
17
|
5
|
11
|
2N3020
|
10
|
3,1
|
12
|
2N3055A
|
20
|
6,6
|
13
|
2N3055G
|
3
|
0,5
|
14
|
2N3390
|
15
|
4
|
15
|
2N3392
|
30
|
9,9
|
2.3. 5.12.2– jadval asosida E1=UKIR kuchlanishini berilgan qiymatga mos holda oshirib borib, chiqish kuchlanishi (UCHIQ), baza toki (Ib) va kollektor toki (Ik) qiymatlarini jadvalga yozib oling.
2.4. Olingan natijalar 5.12.2– jadval asosida 𝑈𝑐ℎ𝑖𝑞 = (𝑈𝑘𝑖𝑟); 𝐼𝑘 = (𝐼𝑏); 𝐼𝑏 = (𝑈𝑘𝑖𝑟); 𝐼𝑘 = (𝑈𝑘𝑖𝑟) bog‘liq grafiklarini hosil qiling.
5.12.2– jadval.
𝑈𝑘𝑖𝑟,𝑉
|
0
|
0,2
|
0,4
|
0,6
|
0,8
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
𝑈𝑐ℎ𝑖𝑞,𝑉
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
𝐼𝑏, 𝑚𝐴
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
𝐼𝑘, 𝑚𝐴
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Hisobot mazmuni:
ishning nomi;
amaliyot ish maketi prinsipial sxemasining chizmasi;
bajarilgan ishning har bir bosqichi uchun bosqich nomi va olingan natijalar (jadval, grafik);
olingan natijalar bo‘yicha qisqacha xulosa.
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarni tadqiq etish.
Ishdan asosiy maqsad: MT larni kalit rejimida ishlash xossalarini tadqiq qilish, MT ni yuklama rezistori sifatida qo‘llanilishini o‘rganish.
1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Ushbu ishni bajarish davomida biz stok toki zanjiridagi qarshilik qiymatining uzatish xarakteristikasi ko‘rinishiga ta’sirini o‘rganib chiqing. Egri (kvazi) chiziqli yuklama sifatida turli maydoniy tranzistorlar qo‘llanilganda uzatish xarakteristikalar turlicha bo‘lishiga ahamiyat qaratamiz.
Mantiqiy qurilmalarda mantiqiy signallar sathlarini belgilashda kalitning uzatish xarakteristikasi, UChiq=f(UKIR) bog‘lanishdan foydalaniladi (5.13.1- rasm).
5.13.1 – rasm. Elektron kalitning uzatish xarakteristikasi.
Mantiqiy nol U0 hamda mantiqiy bir U1 sathlar uzatish xarakteristikasi va uning ko‘zguli aksi (punktir chiziq) kesishgan nuqtalardan aniqlanadi.
ΔU = U1 – U0 mantiqiy signallarning sathlar farqi deb ataladi.
2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi.
2.1. MT da yasalgan kalit uzatish xarakteristikasiga yuklama qarshiligining ta’sirini UChiq=f(UKIR) ni tadqiq qilish.
n- turdagi kanali induksiyalangan MDYa tranzistorda bajarilgan kalit sxemasi 5.13.2- rasmda keltirilgan. Sxema E2 = 9V li manbadan energiya bilan ta’minlanadi. Kirish kuchlanishi UKIR esa bosgqariluvchi E1 kuchlanish manbaidan beriladi. Chiqish kuchlanishi UChiq hamda iste’mol qilinayotgan tokni o‘lchash maqsadida raqamli voltmetr va ampermetrlar ishlatiladi.
VT1 sifatida K176ЛП1 markali mikrosxemadagi n-kanalli tranzistorlarning biri olinadi. Ishlashni osonlashtirish uchun ilovada keltirilgan mikrosxemaning prinsipial sxemasini chizing hamda elektrodlari raqamlarini belgilab oling.
5.13.2 – rasm. n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi.
Ishni bajarish tartibi quyidagicha:
n - MDYa tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish;
MDYa tranzistorning stok zanjiriga R=51 kOm chiziqli rezistorni ulang;
Manba kuchlanishini E2 =9 V ga o‘rnating;
kirish kuchlanishini 0 ÷ 9V intervalida o‘zgartirib boring. Keyin UChiq = f(UKIR) hamda IIST=f(UKIR) bog‘liqligini oling;
qarshilikning R=10 kOm hamda 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;
tajriba natijalaridan foydalangan holda UChiq=f(UKIR) bog‘lish grafiklarini chizib oling.
Olingan natijalarni ushbu 5.13.1 – jadvalga kiriting.
5.13.1 – jadval.
Ukir, V
|
0
|
0,5
|
1
|
1,5
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
Uchiq, V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iist, mA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. 2- band asosida olingan uzatish xarakteristikalarini chizib oling.
3.2. Berilgan har bir kalit sxema uchun mantiqiy signal U0 va U1 sathlari hamda mantiqiy signallar sathlar farqi ΔU = U1 – U0 ni aniqlang. Olingan natijalarni ushbu 5.13.2 – jadvalga kiriting.
5.13.2 – jadval
Parametr
|
U0, V
|
U1, V
|
ΔU, V
|
PO‘RT, mV
|
Yuklama turi. Qarshilikli yuklama
|
|
|
|
|
Ryu=51 kOm
|
|
|
|
|
Ryu=10 kOm
|
|
|
|
|
Ryu=3,5 kOm
|
|
|
|
|
n – MDYa (p-MDYa) tranzistorli kalit
|
|
|
|
|
3.3. Mantiqiy nol va mantiqiy bir holatlarida manbadan iste’mol qilinayotgan quvvatning o‘rtacha qiymatini aniqlang:
; .
Hisobot mazmuni:
TTM integral sxemasini tadqiq etish.
Ishning maqsadi: Tranzistor - tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlanish.
Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik ma’nosiga va o‘lchash uslublariga, hamda tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) ning sxemotexnik xossalariga e’tibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (UChiq=f(UKIR)) grafigi yordamida (5.14.1 - rasm) aniqlanishi mumkin.
Avval uzatish xarakteristikasidan (5.14.1 - rasm) mantiqiy nol U0 va mantiqiy bir U1 sathlari (xarakteristikaning uning ko‘zguli aksi bilan tutashgan A va B nuqtalaridan aniqlanadi), so‘ngra 5.14.2 – rasmdagi grafikdan I0KIR va I1KIR aniqlanib olinadi.
5.14.1 – rasm. TTM mantiqiy elementini uzatish xarakteristikasi.
|
5.14.2 – rasm. Uzatish xarakteristikasidan I0KIR va I1KIR qiymatlarini aniqlash.
|
Grafik yordamida (5.14.1 – rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi Un=min (U+n,U–n ) aniqlanadi. (C va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o‘tishini eslatib o‘tamiz).
Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o‘rtacha vaqti bilan aniqlanadi:
,
bu yerda t0,1kech va t1,0kech – impuls amplitudasining 0,5 darajasida o‘lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o‘rtacha kechikish vaqti.
Mikrosxema tejamkorligi o‘rtacha iste’mol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi:
.
Mikrosxemaning intergal sifatini ulanish ishining sun’iy parametri belgilaydi:
.
Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YoKI–EMAS sxemasi bo‘lgan K155ЛА3 yoki K555ЛА3 mikrosxemasi qo‘llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema printsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan.
Ishni bajarishga tayyorshgarlik ko‘rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim.
|
| |