Yarim o’tkazgichli elektronika elementlarini olish texnologiyasi

|
Yarim o’tkazgichli elektronika elementlarini olish texnologiyasi
|
bet | 5/11 | Sana | 30.01.2024 | Hajmi | 1,13 Mb. | | #148481 |
Bog'liq Navoiy davlat konchilik va texnologiyalar universiteti fakultetiYarim o’tkazgichli elektronika elementlarini olish texnologiyasi
Zamonaviy elektronika elementlarini olish texnologiyasini tanlash ularga quyilgan talablarga bog‘lik bo‘lib, bular jumlasiga asosan materialning tozaligi kiradi. Misol uchun, yarim o‘tkazgichli materialning teskari yo‘nalishdagi qo‘yiladigan kuchlanish materialning solishtirma qarshiligiga bog‘lik bo‘lib, ρ~0,1 Om sm bo‘lgan Ge (Si) da Utesq 1,0-1,5V bo‘lgan pe’zoelektrik material olish mumkin. Bunday Ge (Si) materialida 100 ta kirishma atomiga 1,5 103 Ge (Si) atomi to‘g‘ri kelsa, kirishmalar sonini 100 marta kamaytirilsa (ρq50 Om sm) Utesq 500 V ga teng bo‘lgan material olish mumkin. SHuning uchun yarim o‘tkazgichli materiallar asosida ishlatiladigan texnik asboblarda moddalar tozaligi nuqtai nazaridan materiallar uch toifaga bo‘linadi. A – toifaga oddiy klassik kimyoviy tahlil yo‘li bilan aniqlanishi mumkin bo‘lgan A1 – 99,9% tozalikka ega bo‘lgan va A11-99,99% tozalikka ega bo‘lgan materiallar kiradi. V – toifa V3 va V6 larga bo‘linadi. Bunday moddalar alohida toza va o‘ta toza deyiladi (10-3-10-6% aniqlikda kirishmalar). Keyingi eng toza toifa bo‘lib S7-S10 ga mansub bo‘lib tozalik darajasi 10-7-10-10% dir.
Zamonaviy elektronika elementlari o‘stirish usulini tanlash ularning fizik va kimyoviy xususiyatlarini o‘rganishga bog‘likdir. Agar moddaning erish harorati yuqori, kimyoviy aktiv va bug‘ bosimi katta bo‘lsa, bunday moddalar kristallini o‘stirish juda qiyin. Ularni bug‘ fazasi yoki eritmalaridan kichik o‘sish tezliklarida o‘stirish maqsadga muvofiq bo‘ladi. O‘stirish jarayoni haroratini juda aniq o‘lchashga, moddalar taqsimotini nazorat qilishga, gaz holatidagi komponentlar bosimini doimiy miqdorda saqlashga va qurilmaning mexanik qismlari ishini aniq nazorat qilishga tug‘ri keladi.
Zamonaviy elektronika elementlarini tigel yordamida o‘stirish usullari
O‘stirish usullari ko‘p bo‘lib ulardan asosiylari jumlasiga quyidagilar kiradi.
Toza moddalardan va legirlangan kirishmali o‘ta to‘yingan eritmalardan o‘stirish.
Eritmalardan o‘stirish.
Bug‘ fazasidan o‘stirish.
Stexiometrik tarkibdagi suyuq fazadan kristallarni o‘stirish usullari 2 ga bo‘linadi. Elektronika elementlarida qo‘llaniladigan yarim o‘tkazgichlarni tigel yordamida o‘stirish usullari va tigelsiz usullar. Bu usul bir necha ko‘rinishga bo‘linadi. Jumladan, yo‘naltirilgan kristallizatsiya usuli, «gorizontal» va «vertikal» Bridjmen usuli, sohali eritish usuli va CHoxralskiy usuli.
Bu usullarning asosini issiqlikni yo‘naltirilgan holda uzatish tashkil qiladi. Bunga misol tariqasida 1.1-rasmda CHoxralskiy usuli keltirilgan.
Vertikal pechlar uchun xarakterli narsa “kristallizatsiya” frontini kuzatish mumkin emasligidir. YAna bir kamchilik o‘sayotgan kristallning tigel devorlari bilan doimiy kontaktda bo‘lib turishidir. O‘lchamlari kerakligicha katta monokristallar olish uchun, butun texnologik jarayon davomida kristallanish chegarasi qavariq shaklli bo‘lishi kerak.
Rasm 2.1 . Kristallarni CHoxralskiy usuli bilan o‘stirish qurilmasi.
1 – vakuum yoki inert gaz muhit; 2 – kristallni tortuvchi sterjen; 3- dastlabki o‘stirishni belgilovchi kristall; 4 – o‘sib borayotgan kristall; 5 –platinadan qilingan tigel; 6 – yuqori chastotali induktor; 7 – induksion tok ta’sirida qizdiriluvchi grafit; 8 –silikat kremniy(germaniy) kristalli; 9 – kristallizatsiya fronti; 10 –silikat kremniy (germaniy).
Buning uchun tigel devorlarining harorati suyuq faza haroratidan doimiy yuqori bo‘lishi kerak. Natijada tigel devorlarida parazit kristallanish markazlari hosil bo‘lishining oldi olinadi.
Sohali o‘stirish (2.2-rasmga qarang). Bu usulning CHoxralskiy usulidan farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati Ter., ikkinchisi harakatchan konstruksiyali qisqa zonali harorati T>Ter. Bu usulda erigan modda platinali tigl devorlari bilan kamroq kontaktda bo‘lgani uchun o‘stirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi. Eriyotgan va erigan soha qalinligini va uning siljish tezligini o‘zgartirish imkoniyati mavjud. SHuning uchun bu usul pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli materiallarni yaxshiroq tozalash imkoniyatini beradi.
Rasm 2.2. Elektronika elementlarida ishlatiladigan monokristallarni eritmalardan o‘stirishning tigelsiz usullari.
a – Varneyl usuli; b – vertikal sohali eritish; v – «tomchidan» tortish usuli; g – «ko‘lmakdan» tortish usuli. 1,5 – shtoklar, 2-kristall manb (namuna), 3-erigan kristall, 4-o‘sayotgan kristall, v1 va v11- shtoklarning aylanish tezliklari.
CHoxralskiy usuli. Bu usul asosan sanoat ko‘lamida yarim o‘tkazgichli silikat Ge va silikat (Si) ishlab chiqarishda ishlatiladi. 2.1- Rasmda CHoxralskiy usulining prinsipial sxemasi berilgan. YUqoridagi usuldan uning farqlaridan biri bu tigelsiz usul bo‘lib o‘stirilayotgan monokristall o‘lchamini nazorat qilish mumkin, hamda o‘sish sur’atini nazorat qilish imkoniyati mavjud.
|
| |