Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar.
Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi. 12.18 –rasmda n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish uchun RI rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga RSIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.
Berilgan IS0 sokinlik toki uchun RI kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan UZI0 ni aniqlab RI ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin:
Kirishga o‘zgaruvchan signalning musbat yarim davri UKIR berilganda chiqishda teskari fazadagi signal UChIQ hosil bo‘ladi, ya’ni UI sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng
“Manfiy” ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda , shu sababli kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‘rinishda ifodalash mumkin
UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3÷50, RKIR RSIL, RChIQ RS.
Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar. Kuchaytirgich parametrlarining yaxshi barqarorligini ta’minlab beruvchi manfiy teskari aloqa kuchaytirish koeffisientini keskin kamaytiradi. Katta KU qiymatini olish uchun keng polosali ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar qo‘llaniladi. 6.6 – rasmda ketma - ket – parallel teskari aloqali uch bosqichli kuchaytirgich prinsipial sxemasi keltirilgan. Birinchi UE bosqich VT1 tranzistorda bajarilgan, unda tok bo‘yicha mahalliy ketma –ket MTA mavjud bo‘lib, u RE1 da bajarilgan. Ikkinchi bosqich VT2 tranzistorda bajarilgan. Uchinchi bosqich VT3 tranzistorda bajarilgan bo‘lib, RE3 rezistor mahalliy MTAni amalga oshiradi.
Mahalliy MTAdan tashqari kuchaytirgichda umumiy teskari aloqa qo‘llanilgan. U kuchaytirgich bosqich chiqishini VT1 tranzistor emitteri bilan bog‘lovchi RTA rezistor zanjirida bajarilgan. Mahalliy (bosqichlar ichidagi) teskari aloqalarga nisbatan butun kuchaytirigichni qamrab oladigan teskari aloqa, yanada yuqori barqarorlikni hamda alohida bosqichlarni kuchaytirish koeffisienti og‘ishiga sezgirlikni kamayishini ta’minlaydi. 40 – sxema integral kuchaytirgich yasashda asos hisoblanadi.
Lekin teskari aloqali asosiy uch bosqichli kuchaytirgichdan tashqari, integral kuchaytirgich sxemasi kichik chiqish qarshiligini ta’minlash uchun va kuchaytirigichda qo‘shimcha keng polosalik, chidamlilik, temperaturaviy barqarorlik va o‘zidan oldingi chiqish bosqichi kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqich kirish kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisi bilan muvofiqlashni ta’minlash uchun chiqish bosqichi sifatida emitter qaytargichga ega bo‘ladi. Gap shundaki, turli katta sig‘imlarga ega bo‘lgan kondensatorlarning mavjud emasligi tufayli barcha bosqichlar o‘zgarmas tok bo‘yicha o‘zaro bog‘langan.
Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlari(quvvat kuchaytirgichlari). Chiqish bosqichlarining vazifasi – signalning berilgan (yetarlicha katta) quvvatini buzilishlarsiz past omli yuklamaga uzatishni ta’minlash. Odatda ko‘p bosqichli kuchaytirgichlarda ular chiqish bosqichlari hisoblanadilar. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti chiqish bosqichlari uchun ikkinchi darajali parametr hisoblanadi. Shu sababli asosiy parametrlar bo‘lib quyidagilar hisoblanadi: foydali ish koeffisienti va nochiziqli buzilishlar koeffisienti KG.
Foydali ish koeffisienti chiqish signali quvvatini manbadan tortib olinayotgan quvvatga nisbatiga teng:
bu yerda Ichiq.m, Uchiq.m – chiqish kattaliklar amplitudasi, YeM – kuchlanish manbai, IO‘RT – o‘rtacha tok.
Nochiziqli buzilishlar koeffisienti chiqish signali shaklining kirish signali shaklidan farqini ifodalaydi. Bu farq bosqichning uzatish xarakteristikasining nochiziqligi sababli yuzaga keladi. Kuchaytirgich bosqichi uzatish xarakteristikalari chiqish kattaligini (IChIQ yoki UChIQ) kirish kattaligiga (IKIR yoki UKIR) bog‘liqligini ifodalaydi..
va KG kattaliklari ko‘p hollarda tranzistorning sokinlik rejimi– kuchaytirish sinfi bilan aniqlanadi. Shu sababli quvvat kuchaytirigichlarida qo‘llaniladigan kuchaytirgich sinflarini ko‘rib chiqamiz.
Uzatish xarakteristikasidagi ishchi nuqta (sokinlik nuqtasi) holatiga ko‘ra A, V, AV va boshqa kuchaytirish sinflari mavjud.
A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi kvazichiziq soha o‘rtasida joylashadi
a) b)
Kirish signalining ikkala yarim davri uzatish xarakteristikasining kvazichiziq sohasida joylashganligi sababli nochiziqli buzilishlar eng kichik (KG1%) bo‘ladi. Rasmdan ko‘rinib turibdiki, agar ;bo‘lsa, u holda (12.22)ni o‘rniga qo‘yib, quyidagini olamiz
, (ya’ni 25 %).
V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk holatiga mos keluvchi kvazichiziq soha chegarasida joylashadi. Tranzistor faqat musbat yarim davr mobaynida ochiq holatda bo‘ladi (12.21 – rasm).
V rejimda KG 70 % atrofida bo‘ladi. (12.22) ifodaga YeM va larni qo‘yib, quyidagini hosil qilamiz
(ya’ni 78 %).
V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirish maqsadida musbat yarim davrni, ikkinchisi – manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo‘llaniladi.
a) b)
AV sinfi A va V sinflari oralig‘idagi holatni egallaydi va ikki taktli qurilmalarda qo‘llaniladi. Bu yerda sokinlik rejimida bir tranzistor berk bo‘lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo‘ladi, lekin bu holat asosiy ishchi yarim davrni kichik inersiyaga ega bo‘lgan VAX sohasiga olib chiqishga imkon yaratadi. koeffisient A sinfiga nisbatan yuqori, KG3 % bo‘ladi.
http://fayllar.org
|