nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Kurs ishi Mavzu: 220/12V, 5A LI stabillashgan ta’minlash manbaini loyihalash - bet 2

1.1.4-rasm. Olti fazali to‘g‘rilagich
To‗g‗rilagichlarda to‗g‗rilangan kuchlanishning fazalar sonini
aniqlash
uchun quyidagi ifodadan foydalaniladi:
m = n ∙ q.
Bu yerda:
m — to‗g‗rilangan fazalar,
n — to‗g‗rilanuvchi kuchlanishning fazalar soni,
q — yarim davrlar soni.
To‗g‗rilagich qurilmasi chiqish parametrlari, ventil parametrlari,
to‗g‗rilash sxema-lari va transformator parametrlari bilan
xarakterlanadi.
Chiqish parametrlari quyidagilar:
—
to‗g‗rilangan kuchlanishning o‗rtacha qiymati —
U
0
;
—
to‗g‗rilangan tokning o‗rtacha qiymati —
I
0
;
—
to‗g‗rilangan tok zanjiridagi quvvat —
P
0
=
U
0
I
0
.
Pulsatsiya koeffitsiyenti
Kp to‗g‗rilangan kuchlanishning ta‘sir etuvchi
o‗zgaruvchan
tashkil etuvchisi Um ni to‗g‗rilangan kuchlanishning
o‗rtacha
qiymati U0 ga nisbatiga tengdir, ya‘ni
K
p
=
K
pk
=
U
mk
/
U
0
, bu yerda:
k — garmonika
tartibi.
Transformatorning parametrlariga quyidagilar kiradi:
—
transformatorning birlamchi va ikkilamchi chulg‗amidagi
tok va kuchlanishning haqiqiy qiymati (
I
1
,
I
2
,
U
1
,
U
2
);
—
birlamchi chulg‗amdagi quvvat
S
1
=
m
1
·
I
1
·
U
1
;
—
ikkilamchi chulg‗amdagi quvvat
S
2
=
m
2
·
I
2
·
U
2
;
—
transformator quvvati
S
tr
= (
S
1
+
S
2
)/2;
—
birlamchi chulg‗amning foydali ish koeffitsiyenti
K
1
=
R
0
/
S
1
;
—
ikkilamchi chulg‗amning foydali ish koeffitsiyenti
K
2
=
R
0
/
S
2
;
—
transformatorning foydali ish koeffitsiyenti
K
tr
=
R
0
/
S
tr
;
(
m
1
,
m
2
— birinchi va ikkinchi chulg‗amning fazalar soni).
Diodlarning parametriga quyidagilar kiradi:
—
ventil tokining o‗rtacha, ta‘sir etuvchi va amplituda qiymati (
I
or
,
I
0
,
I
m
);
—
teskari kuchlanishning maksimal qiymati
U
tsk·max
.
Hozirgi vaqtda sanoatda diodning uch turi ishlab chiqarilyapti:
─selenli;
─germaniyli;
─kremniyli.
Selenli ventillar aluminiy asosda tayyorlanadi. Ularning teskari
kuchlanishi 20 yo 45 V.
Germaniyli ventillar suvli sovitgichlar bilan tayyorlanadi: BГB-200,
BГB- 500, BГB-1000 larning to‗g‗ri toki 50¸150 A gacha,
teskari toki
20 yo 30 mA, teskari kuchlanishi bir necha yuz voltga boradi, FIK
0,98 ga teng. Kremniyli ventillar havo orqali sovitiladi.
Ularning B va
ВЛ seriyalari mavjud. To‗g‗ri tok — 800 A gacha, BB va BЛB da
to‗g‗ri tok — 1250 A gacha boradi.
U
tesk
ruxsat berilgan kuchlanish —
100 V yo 1500 V gacha;
teskari tok I
tesk
= 1 yo 5 mA gacha. Kremniyli
D203 va D226 turdagi ventillardan oqadigan to‗g‗ri tok 0,1 yo 10 A
gacha. Teskari kuchlanish — 600 V gacha.
Rahbarning muhim shaxsiy - kasbiy sifatlarini

Ma'lumotlar to'plami: Rahbarning muhim shaxsiy va kasbiy sifatlarini
o'rganish uchun mavjud ma'lumotlar to'plamidan foydalanish muhimdir.
Bu ma'lumotlar to'plami rahbarning o'z tarixi, o'z tashkilotidagi o'rni, uni
rivojlantirishdagi muvaffaqiyatlari, o'zinga tayanch bo'lgan ta'lim va
rivojlanish yo'nalishlari haqida ma'lumotlarni o'z ichiga oladi. Ushbu
ma'lumotlar to'plami o'rganuvchilar uchun bir tasvir yaratishda yordam
beradi.
Suhbatlar va observatsiya: Rahbar bilan suhbatlashish, uning amaliyotini
ko'rib chiqish va observatsiya qilish ham muhimdir. Rahbarning
amaliyotini ko'rish, uning qarorlarini, munosabatlarni va tashkilotdagi
o'ziga xos usullarni tahlil qilish rahbarning kasbiy sifatlarini o'rganishda
yordam beradi. Suhbatlar va observatsiya rahbarning komunikatsiya
qobiliyatini, liderlik xususiyatlarini va qaror qabul qilish usullarini
tushuntirishga yordam beradi.
Psixologik testlar: Rahbarning shaxsiy va kasbiy sifatlarini o'rganishda
psixologik testlardan foydalanish ham amalga oshiriladi. Bu testlar
rahbarning shaxsiylik tipini, liderlik xususiyatlarini, muhokamalar
qobiliyatini, e'tibor beringanlik darajasini va boshqa ko'rsatkichlarni
aniqlashga yordam beradi.
Bu usullar rahbarning muhim shaxsiy va kasbiy sifatlarini o'rganishga yordam
berishi mumkin. Ularning kombinatsiyasi rahbarning to'liq tasvirlanishini
beradi va uning qanday faoliyat ko'rsatishi va boshqarishida qanday
muvaffaqiyatga erishishi haqida ma'lumot beradi.
O‘zbekiston Prezidenti «Mahalla» xayriya jamg‘armasini tashkil etish

|
O‘zbekiston Prezidenti «Mahalla» xayriya jamg‘armasini tashkil etish
|
bet | 4/6 | Sana | 16.02.2024 | Hajmi | 32,57 Kb. | | #157913 |
Bog'liq FUQAROLIK JAMIYATI INSTITUTLARINI O‘zbekiston Prezidenti «Mahalla» xayriya jamg‘armasini tashkil etish to‘g‘risidagi 1992-yil 12-sentabrdagi hamda «Mahalla» xayriya jamg‘armasiga mablag‘ ajratish to‘g‘risidagi 1992-yil 8-oktabrdagi farmonlari katta ijtimoiy siyosiy ahamiyatga ega bo‘ldi. 1994-yil oxirida Respublikada 10 mingdan ziyod mahalla faoliyat olib bordi. Bugunga kelib mamlakat qishloq va ovullarida fuqarolarning 1436, shaharlarda 17 ta, mahallalarda 5402, shuningdek qishloq mahallalarida o‘zini-o‘zi boshqarish organlari jamoatchilik tamoyillari asosida ish olib bormoqda. Mamlakatda 6 ming 955 ta yig‘in raisi va 60 mingdan ortiq maslahatchi saylandi.
Mamlakatdagi fuqarolik jamiyatining ma’naviy hayotida muhim o‘rin tutadigan voqea – 1994-yil 23-apreldagi «Ma’naviyat va ma’rifat» jamoatchilik markazini tashkil etish to‘g‘risidagi Prezident farmoni bo‘ldi. Hozirda mazkur markaz xalqimizning boy ma’naviy, madaniy merosi milliy va umuminsoniy qadriyat asosida ilg‘or g‘oyalarni yuzaga chiqarish, aqliy-ijodiy salohiyatni vatan istiqboli sari yo‘naltirish, aholining ma’rifiy, ma’naviy yuksalishini ta’minlash ishiga xizmat qilmoqda.
Ikkinchi chaqiriq Oliy Majlisning 2002-yil 29-avgustda bo‘lib o‘tgan to‘qqizinchi sessiyasidagi mamlakat Prezidentining «O‘zbekistonda demokratik o‘zgarishlarni yanada chuqurlashtirish va fuqarolik jamiyati asoslarini shakllantirishning asosiy yo‘nalishlari» deb nomlangan ma’ruzasi6 siyosiy-ijtimoiy hayotda katta voqea bo‘ldi.
Mazkur dasturiy ma’ruzada, yurtimizda fuqarolik jamiyatini qaror toptirishning yetti ustuvor yo‘nalishini belgilab berildi.
Bular, birinchidan, davlatimiz mustaqilligini asrab-avaylash, himoya qilish va mustahkamlash. Mustaqillikni, mamlakatimizni siyosiy jihatdan rivojlantirish, iqtisodiyotni modernizatsiya qilish, jamiyatni ma’naviy yangilash» mezoni deb bilish;
ikkinchidan, mamlakatda xavfsizlik va barqarorlikni, davlatimizning hududiy yaxlitligini, sarhadlar daxlsizligini ta’minlash;
uchinchidan, bozor islohotlarini yanada chuqurlashtirish, erkin iqtisodiyot tamoyillarini joriy etish. Xususiy biznes va tadbirkorlikni muntazam rivojlantirish;
|
| |
Xuddi shunga o'xshash o'rash mantig'iga ega

32
32
o'rnatilgan bo'lsa, past chastotali (LF) va yuqori chastotali
(HF) to'lqinlar, tarmoq shovqini va soxta harmonikalar sezilarli
darajada kamayadi. Avtotransformator bilan tandemda yuqori
indüktans ≤ 0.5-1.0 GN bo'lgan
reaktor ishlatiladi, u yuk bilan
ketma-ket o'rnatiladi.
Induktiv element ta'minot tarmog'ining energiyasini bobinning
magnit maydoniga to'playdi va keyin uni yukga beradi. Elektr
zanjiridagi induktor elektr pallasida oqim o'zgarishiga qarshi
turadi. O'tkir pasayish bilan lasan oqib turgan tokni ushlab
turadi va keskin o'sishi bilan uni cheklaydi va uning tez
o'sishiga yo'l qo'ymaydi.
4. Erishilgan paramertlar va natija.
Uy sharoitida past kuchlanishli elektr ta'minoti ko'pincha
ishlatiladi. Portable / statsionar elektr
va elektron qurilmalar,
shuningdek, ba'zi yoritish asboblari, qilingan quvvat 12 yoki 24
V shahar kuchlanish dan D S
Bog'larni sug'orish uchun statsionar nasoslar;
Audio-video uskunalar va elektron uskunalar;
·
CCTV va signal tizimlari;
· Batareyalar va pleerlar;
· Noutbuklar ( netbuklar ) va planshetlar;
· Galogen va LED yoritgichlar, LED chiziqlar;
Portativ ultrabinafsha nurlantiruvchi va ko'chma tibbiy asbob-
uskunalar;
33
33
Lehim stantsiyalari va
elektr payvandlash dazmollar;
Mobil telefonlar va banklar uchun zaryadlovchi qurilmalar ;
Yuqori namlik va landshaft yoritish tizimlari bo'lgan joylarda
kam elektr toklari;
Bolalar o'yinchoqlari, Rojdestvo gulchambarlari, akvarium
nasoslari;
· Turli xil uy qurilishi
elektron qurilmalari, shu jumladan
mashhur Arduino platformasida .
Aksariyat qurilmalar batareyalar va Li-ion batareyalari bilan
ishlaydi, ammo sarlavhalardan foydalanish har doim ham
foydalanish xarajatlari nuqtai nazaridan oqlanmaydi. Siz qayta
zaryadlanuvchi batareyalarni 300-1500 marta zaryadlashingiz
mumkin, ammo yuqori
energiya zichligi va past
zaryadsizlanish oqimi bo'lgan hujayralar
qimmat. Batareyalarni, ayniqsa tuz va gidroksidi batareyalarni
sotib olish ancha arzonga tushadi, ammo bunday elementlarni
ko'pincha o'zgartirish kerak bo'ladi. Bundan tashqari,
12 V kuchlanishni ta'minlash uchun sizga 8 seriyali barmoq
batareyalari (AA yoki AAA turi) yoki 27A turidagi 1,5 voltlik
"planshetlar" kerak bo'ladi.
Shuning uchun, bir uy tarmog'iga 220 foydalanish bilan
joylarda V 50 Hz, u bir kuch manbai foydalanish yanada
oqilona elektr uchun elektr priyomnik bilan amper 0,1 A
kattaroqdir
Aktiv filtrlar - Kurs ishi Mavzu: 220/12V, 5A LI stabillashgan ta’minlash manbaini loyihalash

Agar
I
E
= const bo‗lsa,
UKE ning o‗zgarishi ishchi nuqtaning
xarakteristikada siljishiga olib keladi. O‗zgarmas tok
I
0
=
I
k
uchun
tranzistorning
qarshiligi r
mp
= =
U
KE
/
I
C
— bo‗lib, bu bir necha
ni
tashkil qiladi. Agar
I
E
= const bo‗lsa, ishchi nuqtaning chiqish
xarakteristikasida surilishi kollektor kuchlanishiga bog‗liq bo‗ladi.
Tokning o‗zgaruvchan tashkil etuvchisi uchun bo‗lib, bir necha
ni
tashkil qiladi.
I = const ushlash uchun
sxemada katta doimiy vaqtga
ega bo‗lgan
R
1
C
1
elementlar zanjiri ulangan bo‗lishi kerak. Bunda
bo‗lib, to‗liq bir davrda bu kattalik o‗zgarmaydi.
Ammo sxemada
R1 ning mavjudligi sxema- ning FIK ni 20% ga
kamaytiradi.
Muayyan siljish holatiga mo‗ljallangan filtrlarda (1.4.1-
a rasm)
yuklama
kuchlanishi U
yuk
harorat va yuklamadan oqadigan tok
o‗zgarganda o‗zgaradi.
Avtomatik siljish holatiga mo‗ljallangan filtrlarda bu o‗zgarish o‗z-
o‗zidan bartaraf etiladi, ya‘ni chiqishdagi o‗zgarish ta‘siri manfiy
teskari bog‗lanish orqali amalga oshadi (
R
2
kirishga ta‘sir o‗tkazadi),
ammo siliqlash koeffitsiyenti kamayadi.
Tranzistorli emitterli filtrlarning (EF) 1.4.2-
a rasmda bir
zvenoligi, 1.4.2-
b ra-smda ikki zvenoligi keltirilgan va ular KF
tranzistorli filtrlarga nisbatan quyidagi yutuqlarga ega: kirish
qarshiligi
kam (1 Ω dan kam); avtomatik siljitish holati bazada ishlatilganda
muhit haroratining o‗zgarishi sxemaga o‗z ta‘sirini o‗tkazmaydi.
-rasm - Kurs ishi Mavzu: 220/12V, 5A LI stabillashgan ta’minlash manbaini loyihalash

Silliqlovchi filtrlar quyidagi talablarga javob berishi kerak:
a)
manbaning normal ish jarayoniga ta‘sir o‗tkazmasligi kerak;
b)
avvaldan belgilangan silliqlash koeffitsiyenti ta‘minlanishi kerak;
d)
o‗zgarmas tashkil etuvchi
kuchlanish va quvvat kam
miqdorda isrof bo‗lishi lozim;
e)
filtrning xususiy tebranish chastotasi kuchlanishning
o‗zgaruvchan tashkil etuv-chi chastotasidan farqli bo‗lishi kerak,
chunki to‗g‗rilagichning zanjirida rezonans hosil bo‗lishi mumkin;
f)
kichik hajmli, yengil hamda arzon va puxta bo‗lishi lozim.
Yuklamadan kichik pulsatsiyali kuchlanish olish uchun yuklama
bilan sig‗im parallel ulanadi (1.7-rasm).
To‗g‗rilagichdagi diod ochiq holatdaligida undan tok o‗tadi va
sig‗imga elektr energiya yig‗iladi. Diodga teskari kuchlanish to‗g‗ri
kelganda diod berk holatda bo‗ladi, sig‗imdagi yig‗ilgan elektr
energiya yuklamaga razryadlanadi
va yuklama orqali uzluksiz
yuklama toki oqadi. Shu bilan bir qatorda tok va kuchlanish pulsat-
siyasi kamayadi. Bunday filtrlarning kam quvvatli to‗g‗rilagichlarda
ishlatilishi ma‘qul hisoblanadi.
Bitta yarim davrli to‗g‗rilagichlar uchun sig‗im toifali filtr
sig‗imi quyidagicha hisoblanadi:
C
0
Ikki yarim davrli to‗g‗irlagich uchun sig‗im quyidagicha aniqlanadi:
C
0
Bu yerda: C
0
-filtrning kirishdagi sig‗im; I
-0
, ,
U
0
— to‗g‗rilangan
kuchlanish
va tok.
Filtr elementlarini ketma-ket yoki parallel
ulab murakkablashtirgan
sari chiqish kuchlanishi va tokning silliqlanishi yaxshilanadi. Filtrning
elementlari sifatida induktivlik, aktiv qarshilik va sig‗imlar ishlatiladi.
Bunday elementlar-dan tashkil topgan filtrlar passiv filtrlar deyiladi.
Induktiv elementlardan tashkil topgan filtrlarda (1.8-
b rasm)
o‗zgaruvchan kuchlanish induktivlikda kamayadi, chunki uning
qarshiligi X
Lf
=
L
f
yuklama qarshiligidan katta bo‗ladi.
Yuklamalarga paralel ulangan sig‗im (1.8-
a rasm) yuklama
qarshiligini shunt-laydi va uning qarshiligi yuklama qarshiligidan
kichkina bo‗lganligi uchun to‗g‗rilangan tok o‗zgaruvchan tashkil
etuvchisining aksariyati sig‗imdan o‗tadi. O‗zgarmas tashkil
etuv chi
tokka nisbatan sig‗imning qarshiligi X
Cf
juda katta bo‗lganligi uchun
to‗g‗rilangan tok yuklamadan o‗tadi. Filtrning elementlari bilan
silliqlovchi koeffitsent orasidagi munosabat quydagi formula bilan
aniqlanadi.
L
f
C
f
=
( )
Bu yerda
f
t
— tarmoq chastotasi, Hz;
m — to‗g‗rilangan fazalar soni
(bir fazali to‗g‗rilagich uchun
m = 1). Ikki yarim davrli to‗g‗rilagichlar
uchun quyidagi fo‗rmula qulay hisoblanadi.
Bir fazali ko‘priksimon to‘g‘irlagich

Yuklamani aktiv qarshilikdan iborat deb qaraymiz va
ishlash prinsipini
o‗rganamiz. Chiqishdagi kuchlanish
U
0
xuddi to‗g‗irlagichning nol
chiqishli ikki yarim davrli sxemasidan chiqadigan
kuchlanishgao‗xshab bir tomonli kuchlanishdan iboratdir (1.6-rasm).
1.2.2.-rasm. Chiqishdagi kuchlanish U
0
xuddi to‘g‘irlagichning
nol chiqishli ikki yarim davrli sxemasidan chiqadigan kuchlanishga
o‘xshab bir
tomonli kuchlanishdan iboratdir
D
1
,
D
2
diodlar 0 –
t
1
vaqt oralig‗ida ochiq, chunki
U
2
kuchlanish
musbat yarim davrli kuchlanishdan iborat. Shuning uchun xuddi shu
davrda musbat yarim davrli kuchlanish
U
0
chiqishda hosil bo‗ladi.
D
1
,
D
2
ochiq diodlar transformatorning ikkilamchi chulg‗amini
R
yuk
yuklama bilan bog‗laydi va
chiqishdagi
U
0
kuchla-nishning kattaligi va qutbi
U
2
kuchlanish bilan
mos keladi.
U
1
kuchlanishda
manfiy yarim davr kelganda
transformatorning ikklamchi chulg‗amida
U
2
teskariga o‗zgaradi (
t
1
–
t
2
, vaqt oralig‗ida). Bu kuchlanishning ta‘sirida
D
3
,
D
4
diodlar ochiq,
tok o‗tadi, natijada to‗g‗rilagichning chiqishida xuddi avvalgiga
o‗xshagan bir tomonli kuchlanish hosil bo‗ladi.
Avvalgi yarim
davrdagi kuchlanishning amplitudasi, shakli navbatdagiga o‗xshagan
bo‗lganligi uchun chiqish kuchlanishining o‗rtacha
qiymati U
0
orqali
aniqlanadi.
To‗g‗rilangan kuchlanishning o‗rtacha qiymati
U
0
bilan
transformator-ning ikkilamchi chulg‗amidagi ta‘sir etuvchi kuchlanish
orasidagi munosabat ikki yarim davrli nol chiqishli to‗g‗rilagichdagiga
o‗xshagan bo‗ladi, ya‘ni
U
0
= 0,9·
U
2
.
Yuklamadan oqayotgan
I
0
tok navbatma-navbat
D
1
,
D
2
va
D
3
,
D
4
diodlardan oqadi, shuning uchun har bir
dioddan oqadigan ortacha
tokning qiymati
I
o‘rt
=
I
0
/2.
Yopiq dioddagi teskari kuchlanishning maksimal qiymati:
U
max
=
√ U
2
=
U
0
Bu
kuchlanish
nol
chiqishli
ikki
yarim
davrli
to‗g‗rilagichnikidan ikki barobar kichkina. Bu sxemada diodlarning
soni ko‗pligiga qaramasdan avvalgi sxemaga nisbatan sodda tuzilgan
va teskari kuchlanishning maksimal qiymati kichkina bo‗l-ganligi
uchun bular kichik va o‗rta quvvatli to‗g‗rilagichlarda ishlatiladi.
-rasm. Jonkeri nazariyasi bo‘yicha ikkilamchi elektronlar chiqishini tushuntirish

|
-rasm. Jonkeri nazariyasi bo‘yicha ikkilamchi elektronlar chiqishini tushuntirish
|
bet | 45/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m39-rasm. Jonkeri nazariyasi bo‘yicha ikkilamchi elektronlar chiqishini tushuntirish.
Markazi O nuqtada bo‘lgan x- radiusli sfera elementini hosil qilamiz va konus burchagi dΨ bilan chegaralangan qattiq jism hajmidan uning sirtiga harakat qilayotgan deb olib, elektronlar taqsimotini izotrop, ikkilamchi elektronlar tezligini yo‘nalishini ular yuzaga kelish nuqtasi atrofidagi fazoda bir tekisda taqsimlangan deb olamiz. Konus burchak quyidagiga teng:
d =2 ,
bunda, r= ,dr=
Agar, O nuqtada dN yuzaga kelsa, ,u holda d konus burchak bo‘yicha harakatlanuvchi elektronlar soni quyidagiga teng bo‘ladi
dn0= (4.22)
l- uzunlik bo‘ylab harakatlanayotgan ikkilamchi elektronlarning bir qismi sochiladi. Ikkilamchi elektronlar chiqishi ehtimolligiga Jonkeri eksponensial qonunni qo‘llaydi exp(- ,bunda- sochilish koeffitsienti . U holda, d –konus burchak chegarasida sirtdan uzoqlashayotgan elektronlar soni quyidagiga teng bo‘ladi:
dn0=dn0exp(- dN exp((- (4.23)
bunda, l= .
Sirtni tark etayotgan to‘la elektronlar soni,
n= (4.24)
Jonkeri aytadiki,qandaydir O nuqtada yuzaga keladigan dN elektronlar soni, o‘zining yo‘li davomida birlamchi elektronni yo‘qotadigan proporsionaldir ya’ni,
dN=-k d =-kdE, (4.25)
bunda, k-proporsionallik koeffitsienti.
Viddington qonuniga ko‘ra (birlamchi elektronlar energiya yo‘qotish qonuni):
, (4.26)
Bunda, moddaning zichligiga proporsional bo‘lgan, ushbu modda uchun doimiy ; c=ϑρ; ϑ- Viddington doimiysi. (4.26) ifodani integrallash quyidagini beradi:
E2( ) 20 -s , (4.27)
Bundan quyidagini olamiz, E( .
U holda quyidagi tenglik kelib chiqadi:
dE=- -1/2c d . (4.28)
(4.28) formulani (4.25) ga qo‘yib quyidagini hosil qilamiz :
dN==- -1/2d . (4.29)
(4.29) ifoda O nuqtada hosil bo‘gan elektronlar sonini bildiradi. (4.27) dan birlamchi elektronlarning singib kirish chuqurligi:
max= , (4.30)
Qattiq jism sirti chegaralaridan chiqqan elektronlar to‘la sonini topamiz :
n= (4.31)
(4.31) tenglamani yechib, quyidagini hosil qilamiz :
n= (4.32)
bunda, f(A)= exp dy ; (4.33)
A= . (4.34)
f(A) funksiya parametr A ning universal funksiyasi hisoblanadi. Jonkeriga ko‘ra, f(A) bog‘lanish 40-rasmda ko‘rsatilgandek ko‘rinish kasb etadi. f(A) funksiya maksimal holatini topish uchun (4.33) ifodani bo‘yicha differensiallash kerak va olingan differensiallash natijasini nolga tenglashtirish kerak. Ma’lum bo‘ldiki, A0 ning qiymati 0,505 ga teng ekan, maksimal qiymati esa f(A0) -0,33 (40-rasm).
|
| |
Adabiyotlar rо`yxati - Reja: O‘zbekistonda fuqarolik jamiyatining shakllanishi Fuqarolik jamiyatining siyosiy va davlat tuzilishi

|
Reja: O‘zbekistonda fuqarolik jamiyatining shakllanishi Fuqarolik jamiyatining siyosiy va davlat tuzilishi
|
bet | 6/6 | Sana | 16.02.2024 | Hajmi | 32,57 Kb. | | #157913 |
Bog'liq FUQAROLIK JAMIYATI INSTITUTLARINI Adabiyotlar rо`yxati:
Boboyev X.B. va Odilqoriyev X. T. Umumiy tahriri ostida. “Davlat va huquq nazariyasi”. “Iqtisodiyot va huquq dunyosi”, 2000. 34-bet.
“O‘zbekiston Respublikasi konstitutsiyaviy huquqi”. Mualliflar jamoasi. Toshkent, “Moliya”, 2002. 72-73 bet.
Odilqoriyev X.T. va G‘oyibnazarov Sh.G‘. hammuallifligida. “Siyosiy madaniyat”. Toshkent, IIV Akademiyasi nashryoti, 2004 42-43 bet.
Odiqoriyev X.T. Konstitutsiya va fuqorolik jamiyati. – T., 2002. 75-bet.
Saidov A. va Tojixonov U. hammuallifligida. “Islom Karimov Konstitutsiya to‘g‘risida”. Toshkent, “Akademiya”, 2001. 52-bet.
Sharifxodjayev M. Formirovaniye otkritogo grajdanskogo obshestva v Uzbe kistane. – T., 2002 101-bet
Rukavishnikov V. O.Politicheskiy kulturi i sotsialniye izmeneniya. Mujdunarodniye otnosheniye. – M., 1998..82-bet.
|
| |
Nazorat uchun savollar - O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning...

|
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
bet | 49/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi mNazorat uchun savollar:
Ikkilamchi elektronlar emissiyasi deganda nimani tushunasiz?
emissiyasining elementlari qaysilar?
σ ni mishen haroratsiga bog‘liqligi deganda nima tushuniladi?
Elastik qaytgan birlamchi elektronlar haqida umumiy ma’lumotlar bering.
Byote – kvant nazariyasi haqida nimalarni bilasiz?
Haqiqiy ikkilamchi elektronlar deb nimaga aytiladi?
Jonkeri nazariyasini tushuntiring?
Anomal emissiya elektronlarining taqsimot egri chiziqlari tajriba yo‘li bilan olingan olim kim?
Foydalanilgan adabiyotlar ro‘yhati
А.Н. Игнатов, С.В. Калинин, В.Л. Савиных. Основы электроники. Н.: СибГУТИ, 2005. 323 с
А Н . Игнатов, С.В. Калинин, Н.Е. Фадеева. Микросхемотехника и наноэлектроника: Учебное пособие. — Н.: СибГУТИ, 2007. 244 с.
Х.К. Арипов, А.М. Абдуллаев, Н.Б. Алимова. Основы электроники: Учебное пособие для учащихся профессиональнотехнических колледжей. - Т.: ИПТД им. Чулпана, 2007. 136 с.
Прянишников В.А. Электроника: курс лекций. СПб: Корона принт, 2005. 400 с
Ibrahim K. F. Electronic Sistems & Techniques. Addison Wesley Longman: London, 2000
Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. “Электротехнические материалы”. С-Питербург, Энергия, 2004.
Гатчин Ю.А, Ткалич В.Л, Канаев П.А, Симаков Д.Д “Материалы электронных средств” , Учебное пособие, СПб: СПбГУ ИТМО, 2010
Н.В. Никулин, А.С.Назаров«Радоматериаллар” ва радиокомпонентлар Тошкент 1997й.
Sh.М. Kamolov, А.Sh. Axmedov. “Elektron texnika materiallari” Fan-Toshkent 1994yil.
Ю.В. Корицкий, В.В.Пасынков, Б.М.Тареев. “Справочники по электротехническим материалам” М., Энергия.
Е.М. Савицкий. “Металлы космической эры”.Методическое указание, 2001
В.Д. Саболов “Физические основы электронной техники” Изд. Высш.шк. 1997.
В.В. Крацухин, И.А.Соколов, Г.У.Кузнецов. “Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов”. М., Металлургия 2002.
А.Я. Нашелский. “Производство полупроводниковых материалов”. Учеб.пос. М.,Металлургия 2005.
А.А. Преображенский. “Теория магнетизма, магнитные материалы и элементы”. М., Энергия, 2006.
В.А. Привезенцев, И.Б. Пешков: “Обмоточные и монтажные провода”, М., Энергия, 2001.
Сорокин В.С и др“Маиериалы и элементы электронной теххники” учеб. Для студ. ВУЗов 3-е Изд-во “ланьг” 2016
Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника: Уебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров. Под ред. О.П. Глудкина. М.: Радио и связь, 2000. 768 с.
Мухин К.Н. Экспериментальная ядерная физика. Энергоатомиздат М. 1983.
Дубинин Н.П. и др. “Технология металлов и других конструкционных материалов” Москва 1995 г.
Полухин П.И. и др. “Технология металлов и сварка” Москва 1999 г.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
-rasm. Molibdenda kuzatilgan ikkilamchi elektronlar emissiyasi energetik spektrining past energiyali (a) va yuqori energiyali (b) qismi, molibden uchun, E

|
-rasm. Molibdenda kuzatilgan ikkilamchi elektronlar emissiyasi energetik spektrining past energiyali (a) va yuqori energiyali (b) qismi, molibden uchun, E
|
bet | 44/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m37-rasm. Molibdenda kuzatilgan ikkilamchi elektronlar emissiyasi energetik spektrining past energiyali (a) va yuqori energiyali (b) qismi, molibden uchun, E0, eV: 1-500; 2-2000.
Bunda birlamchi elektron , s- energiyasini yo‘qotib, mishenni energiyasi E E0 - s bo‘lgan, noelastik qaytgan elektron sifatida tark etadi. Ushbu natija xarakteristik energiya yo‘qotishni tushuntiradi, va spektrning yuqori energetik sohasida piklar borligini anglatadi.
Bundan so‘ng, Oje-jarayon ketadi. To‘ldirilgan D-zonada vakansiya paydo bo‘ladi, va u V-zonadagi elektron bilan to‘ldiriladi; hamda bunda, ED- EV ajralib chiqadi.
(to’ldirilgan zona)
(to’ldirilgan zona)
(o’tkazuvchanlik zonasi)
38-rasm. Xarakteristik energiya yo‘qotish spektroskopiyasi (XEYS) piki va Oje-jarayonlar
Ushbu energiya A-o‘tkazuvchanlik zonasidan elektronlarni urib chiqazishga ketadi, ular mishendpn vakuumga EA- energiyani yo‘qotib chiqadi. Xuddi shu elektron energiyasi
E (ED –EV) – EA. (4.20)
Agar bo‘sh joy (vakansiya) A zonadan elektron bilan to‘lg‘azilsa, u holda mishendpn chiqqan haqiqiy ikkilamchi elektron energiyasi quyidagicha
E ED -2EA. (4.21)
Hosil bo‘lgan Oje-elektronlar haqiqiy ikkilamchi elektronlar spektrida bir qator maksimumlarni hosil qiladi. Ushbu maksimumlarning holati ikkilamchi elektronlar emissiyasi spektri energetik shkalasida birlamchi elektronlarning E0- energiyasiga bog‘liq bo‘lmaydi va mishen materiali moddasini xarakterlaydi.
Shunday qilib, ikkilamchi elektronlarning Oje-spektrlariga qarab mishen sirtini tozaligini nazorat qilish va begona modda atomlarini aniqlash mumkin bo‘ladi.
Ushbu nazariyaga muvofiq, agar qattiq jismning sirtiga birlamchi elektron tushayotgan bo‘lsa, u yoki elastik qaytadi, yoki u qattiq jismdan boshqa bir elektronni urib chiqarib- noelastik qaytadi. Barcha elektronlar ularning hosil bo‘lish mexanizmlaridan qat’iy nazar ikkilamchi elektronlar deb hisoblanishadi.
Qattiq jism sirtiga tushayotgan elektron ta’sirida sirtdan x- masofada joylashgan O –nuqtada ikkilamchi elektron hosil bo‘lib, sirtga qarab ostida harakatlansin (39-rasm). Bunda faraz qilinadiki, ikkilamchi elektronlarning hosil bo‘lishi mishen ichiga qarab to‘g‘ri chiziqli harakat qilayotgan birlamchi elektronlarning tormozlanishi bilan bog‘liq bo‘ladi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
-rasm. Molibdenda kuzatilgan ikkilamchi elektronlar emissiyasi energetik spektrining past energiyali (a) va yuqori energiyali (b) qismi, molibden uchun, E
|
-rasm. Oje-jarayonda elektronlarning chiqishi

|
-rasm. Oje-jarayonda elektronlarning chiqishi
|
bet | 47/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m41-rasm. Oje-jarayonda elektronlarning chiqishi va atomlarning energetik satxlari.
Oje-piklarni aniqroq kuzatish maqsadlarida Oje-piklarni kuzatish metodlarini takomillashtirish maqsadida- f(E) egri chiziqlardan yana bir bor differensiallash amalini qo‘llash keng tarqaldi, bu differensiallashning analogli usulida avtomatik ravishda amalga oshiriladi. 43-rasmda bunday operatsiyalardan so‘ng Oje-piklar qanday paydo bo‘lishi ko‘rsatilgan. f(E)= Pastki egri chiziq ikkilamchi elektronlarni energiyalar bo‘yicha taqsimotini beradi, sababi u tajribada aniqlangan “krivoy zaderjka” ning birinchi differensiali hisoblanadi. Sal yuqoriroqda f(E) egri chiziq fragmentining 10 marta kattalashtirilgan holati tasvirlangan, unda E energiyalar sohasi uchun “cho‘qqi” ko‘rinib turibdi.
2.XEYS piklari
1.OE piklari
42-rasm. Oje-piklari (OE) va xarakteristik energiya yo‘qotish spektroskopiyasi (XEYS)piklari ikkilamchi elektronlar energetik taqsimoti egri chiziqlari nozik strukturalari.
43-rasm. E0 1000 eV, mishen –Ag materiali ikkilamchi elektronlari Oje-piklari spektrlarini ikkinchi differensiali.
Ikkinchi differensiallash (yuqori egri chiziq ) E 500 eV sohasida qo‘shimcha bitta o‘ngdan va ikkita chapdan piklarni ko‘rishga imkon beradi. (bu egri chiziqda cho‘qqilar (piklar) pastga burilgan ).
Elektronli Oje-spektroskopiya elektronikada (sirt usti qatlamlari fizikasi va yupqa plyonkalar), kimyo, metallurgiya, elektrovakuum texnologiyasi. Uni metallar, yarim o‘tkazgichlar va hatto dielektriklar (izolyatorlar) ularning sirti zaryadlanishiga qaramasdan sirtlarini o‘rganishga qo‘llashadi. Birlamchi elektronlar energiyasi 1-3 keV atrofida, nur dastasining diametri esa 1-2 mkm qilib tanlanadi. Nurning dastasini skanirlash yo‘li bilan 0,5-1 sm2 yuzali namunalarni tadqiq qilish mumkin. Usulning sezgirligi 0,01 % atom konsentratsiyasini , adsorbsiyalangan atomlar plenkasi uchun 1010 atom/sm2 gacha etkazilgan.
|
| |
ОГЛАВЛЕНИЕ


 
 KIRISH 4 - O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning...

|
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
bet | 51/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi mОГЛАВЛЕНИЕ
KIRISH 4
I BOB. KRISTALLDAGI ELEKTRONLAR ENERGETIK SPEKTRINING ZONA XARAKTERI 6
1.1. Kristalldagi elektronlar energetik spektrining zona xarakteri 6
1.2. Kronig-Penni modeli. Brillyuen zonalari 10
1.3. Elektronning effektiv massasi 15
1.4. Yarim o‘tkazgichlarning energetik strukturasi 18
II BOB. QATTIQ JISMLARNING ELEKTRIK XUSUSIYATLARI 22
2.1. Zonalarning elektronlar bilan to‘ldirilishi va qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari 22
2.2. Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati 27
2.3. Elektronning effektiv massasining tenzor xarakteri. Kovak tushunchasi 31
2.4. Yarim o‘tkazgichlardagi donor va akseptor satxlar 34
2.5. Yarim o‘tkazgichlarda elektronlarning statistikasi 36
2.6. Toza va legirlangan yarim o‘tkazgichlarda zaryad tashuvchilarning statistikasi 43
2.7. Asosiy va asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning konsentratsiyasi 46
2.8. Asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning yashash davri 47
2.9. Rekombinatsiya tezligi. Zonalararo rekombinatsiya 50
2.10. Xoll-Shokli-Rid formulasi 52
2.11. Eynshteyn tenglamasi. Zaryad tashuvchilarning diffuzion harakat yo‘li uzunligi 55
III BOB. KONTAKT HODISALARI 60
3.1. Kontakt hodisalari. Elektronlarning metal va yarim o‘tkazgichdan chiqish ishi 60
3.2. Metall va yarim o‘tkazgich sirtidan termoelektron emissiya hodisasi. Elektron-kovak o‘tishi. 65
3.3. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning injeksiyasi va ekstraksiyasi 71
3.4. Zaryad tashuvchilarning generatsiyasi va rekombinatsiyasining p-n o‘tishning VAX iga ta’siri 73
3.5.P-n o‘tishning issiqlik, tunnel va ko‘chki teshilishi 78
IV BOB. IKKILAMCHI ELEKTRONLAR EMISSIYASI 81
4.1. Ikkilamchi elektronlar emissiyasining umumiy tushunchalari 82
.2. Iemissiyasini eksperimental tadqiq etish 83
4.3. Dielektriklarda ikkilamchi elektronlar emissiyasi hodisasini o‘rganishning o‘ziga xosligi 86
Ikkilamchi elektronlar emissiyasining asosiy xossalari 87
4.4. Ikkilamchi elektronlar emissiyasining to‘la koeffitsienti 88
4.5. Elastik qaytgan birlamchi elektronlar 90
4.6. Noelastik qaytgan birlamchi elektronlar 92
4.7. Haqiqiy ikkilamchi elektronlar 95
4.8.Jonkeri bo‘yicha ikkilamchi elektronlar emissiyasining nazariyasi 97
Elektronli Oje-spektroskopiya 100
4.10. Anomal ikkilamchi elektronlar emissiyasi 103
Foydalanilgan adabiyotlar ro‘yhati 106
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
Oratorlik madaniyati konikmalarini shakllantirish (Aqliy hujum

1.Aqliy hujum (Intellectual attack): Bu usul oratorning fikrini qo'llab-
quvvatlash, argumentlarni kuchaytirish va qaror qabul qilish jarayonida aqliy
dalillar bilan jihatdan erishishni maqsad qiladi.
Aqliy hujum usuli
quyidagilarni o'z ichiga oladi:
Delillar bilan ishonch yaratish: Orator, o'z fikrini ta'minlovchi va delillar
bilan muhokama qilish yordamida ishonch yaratishi kerak. Bu, qo'llab-
quvvatlovchi ma'lumotlarni, statistikalar, tadqiqotlar va ko'rsatmalar
niqoblaridan foydalanishni o'z ichiga oladi.
Tazminotli munozaralar: Orator, aqliy
hujum jarayonida tazminotli
munozaralar o'tkazishi kerak. Bu, fikrini qo'llab-quvvatlash uchun
foydali bo'lgan savollar berish, tarafdorlar bilan munozaraga tushish va
ulardan kelajakda muhokama qilishni o'z ichiga oladi.
Kuchli argumentlarni ishlatish: Orator, o'z
fikrini kuchli va barqaror
argumentlar bilan qo'llab-quvvatlash uchun tushuntiruvchi, to'g'ri va
mantiqiy argumentlarni ishlatishi kerak. Bu,
fikrning haqiqiyatini,
zarurlik va muhimlikni ifodalashda yordam beradi.
Maslahat usullari (Consultative methods): Bu usul oratorlikda qo'llaniladigan
bir qator taktikalardan iboratdir. U oratorning eshitish, qo'llab-quvvatlash va
qaror qabul qilish jarayonida o'zlashtiruvchi tushunchalarni ishlatishni maqsad
qiladi. Maslahat usullari quyidagilarni o'z ichiga oladi:
Ishonch yaratish: Orator, o'z qobiliyatini va erkinlikni namoyon qilish
uchun
tashkilotdagi
vakolatli
shaxslarning
fikrini
eshitishga
muvaffaqiyatli bo'lishi kerak. Ular bilan muloqot qilish,
ularning fikr-
mulohazalariga e'tibor berish va ulardan maslahat so'rash asosida
ishonch yaratishni o'zlashtiradi.
Jamiyat bilan ishlash: Orator, jamiyatdagi ahamiyatli tahlil va hamkorlik
imkoniyatlarini o'z ichiga oladi. Uning maslahat
usullari jamiyatning
muxim tashkilotlarini, fuqarolarini va o'zaro aloqalarni qo'llab-
quvvatlash uchun ishlatiladi.
Kelajakda qaror qabul qilish: Maslahat usullari orqali orator, kelajakdagi
qarorlar va strategiyalar to'g'risida fikr so'rash,
maslahat olish va
umumiy qabul qilish jarayonlarini tashkil etish imkoniyatiga ega bo'ladi.
Oratorlik madaniyati konikmalari rahbarlik jarayonida efektivlik va
o'zlashtiruvchi kommunikatsiya uchun muhimdir.
Aqliy hujum va maslahat
usullarini o'rganish, tarbiyalanish va ulardan amalga oshirish orqali oratorlik
mahoratini rivojlantirish mumkin.
MUNDARIJA

 
 KIRISH 4 - O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning...

KIRISH 4
I BOB. KRISTALLDAGI ELEKTRONLAR ENERGETIK SPEKTRINING ZONA XARAKTERI 6
1.1. Kristalldagi elektronlar energetik spektrining zona xarakteri 6
1.2. Kronig-Penni modeli. Brillyuen zonalari 10
1.3. Elektronning effektiv massasi 15
1.4. Yarim o‘tkazgichlarning energetik strukturasi 18
II BOB. QATTIQ JISMLARNING ELEKTRIK XUSUSIYATLARI 22
2.1. Zonalarning elektronlar bilan to‘ldirilishi va qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari 22
2.2. Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati 27
2.3. Elektronning effektiv massasining tenzor xarakteri. Kovak tushunchasi 31
2.4. Yarim o‘tkazgichlardagi donor va akseptor satxlar 34
2.5. Yarim o‘tkazgichlarda elektronlarning statistikasi 36
2.6. Toza va legirlangan yarim o‘tkazgichlarda zaryad tashuvchilarning statistikasi 43
2.7. Asosiy va asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning konsentratsiyasi 46
2.8. Asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning yashash davri 47
2.9. Rekombinatsiya tezligi. Zonalararo rekombinatsiya 50
2.10. Xoll-Shokli-Rid formulasi 52
2.11. Eynshteyn tenglamasi. Zaryad tashuvchilarning diffuzion harakat yo‘li uzunligi 55
III BOB. KONTAKT HODISALARI 60
3.1. Kontakt hodisalari. Elektronlarning metal va yarim o‘tkazgichdan chiqish ishi 60
3.2. Metall va yarim o‘tkazgich sirtidan termoelektron emissiya hodisasi. Elektron-kovak o‘tishi. 65
3.3. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning injeksiyasi va ekstraksiyasi 71
3.4. Zaryad tashuvchilarning generatsiyasi va rekombinatsiyasining p-n o‘tishning VAX iga ta’siri 73
3.5.P-n o‘tishning
issiqlik, tunnel va ko‘chki teshilishi 78
IV BOB. IKKILAMCHI ELEKTRONLAR EMISSIYASI 81
4.1. Ikkilamchi elektronlar emissiyasining umumiy tushunchalari 82
.2. Iemissiyasini eksperimental tadqiq etish 83
4.3. Dielektriklarda ikkilamchi elektronlar emissiyasi hodisasini o‘rganishning o‘ziga xosligi 86
Ikkilamchi elektronlar emissiyasining asosiy xossalari 87
4.4. Ikkilamchi elektronlar emissiyasining to‘la koeffitsienti 88
4.5. Elastik qaytgan birlamchi elektronlar 90
4.6. Noelastik qaytgan birlamchi elektronlar 92
4.7. Haqiqiy ikkilamchi elektronlar 95
4.8.Jonkeri bo‘yicha ikkilamchi elektronlar emissiyasining nazariyasi 97
Elektronli Oje-spektroskopiya 100
4.10. Anomal ikkilamchi elektronlar emissiyasi 103
Foydalanilgan adabiyotlar ro‘yhati 106
Elementar zarralar ta’sirlashuvining turlari

|
Elementar zarralar ta’sirlashuvining turlari
|
bet | 99/111 | Sana | 12.01.2024 | Hajmi | 0,52 Mb. | | #135922 |
Bog'liq Magnit maydon elektromagnit induksiya elektromagnit tebranishlarElementar zarralar ta’sirlashuvining turlari. Zamonaviy tasavvurlarga ko‘ra, tabiatda to‘rt xil fundamental ta’sirlashuv mavjud. Bular kuchli, elektromagnit, kuchsiz va gravitatsion ta’sirlashuvlardir. Bu ta’sirlashuv- larning har birini amalga oshiruvchi zarralar va har biriga mos keluvchi o‘z maydonlari mavjud. Adronlar – barcha turdagi fundamental ta’sirlashuvlarda ishtirok etadi. Bu sinfga barionlar va π-mezonlar kiradi. Barionlar + 1 barion zaryadiga, antizarralari esa –1 barion zaryadiga ega. Mezonlarning barion zaryadi nolga teng. Barionlarning spini yarim sonli, mezonlarniki esa butun son. Nuklonlar va nuklonlarga bo‘linadigan og‘irroq zarralar ham barionlarga kiradi. Massasi nuklonning massasidan katta bo‘lgan barionlarga giperonlar deyiladi.
Leptonlar – kuchli ta’sirlashuvdan boshqa har uchala ta’sirlashuvlarda ham ishtirok etadi. Leptonlar (“leptos” yunoncha – yengil) elektronlar, pozitronlar, μ – mezonlar va neytrinolardir. Leptonlar + 1 lepton zaryadiga, antizarralari esa –1 lepton zaryadiga ega.
Fotonlar – gravitatsion va elektromagnit ta’sirlashuvlarda ishtirok etadigan zarralar.
Gravitonlar – faqat gravitatsion ta’sirlashuvda ishtrok etadi deb hisob- lanuvchi zarralar. Garchi oxirgi tajribalar gravitatsion to‘lqinlarni qayd etishayotgan bo‘lsa-da, gravitonlarning mavjudligi oxirigacha tasdiqlanmagan.
Barcha elementar zarralar bir-birlariga aylanib turishadi va bu aylanishlar
ular mavjudligining asosiy omili bo‘lib hisoblanadi.
1964-yilda amerikalik fiziklar M. Gel-Man va J. Sveyglar kvarklar deb ataluvchi faraziy zarralar mavjudligini bashorat qilishdi. Ularning fikricha, adronlar kvarklardan tashkil topgan. Hozirgi kunda ularning mavjudligini tasdiqlovchi tajriba natijalari mavjud.
Kvarklar kuchli, kuchsiz va elektromagnit ta’sirlashuvlarda ishtirok etishadi. Hammasi bo‘lib kvarklar oltita. Ular lotin harflari bilan belgilanib, uchta (u,d), (c,s), (t,b) oilaga bo‘linadi. Oltita kvarkning har biri o‘z “hidi” bilan ajratiladi va ular uchta – sariq, ko‘k va qizil “rangda” bo‘ladi. Dastlab u, d, s kvarklar kiritildi. Keyinchalik esa ularga “maftunkor” c (charm), “go‘zal” b (beautn) va “haqiqiy” t (truth) kvarklari qo‘shildi. u, c, t kvarklarning elektr zaryadi elektron zarralarining +2/3 qismiga, qolganlariniki esa 1/3 qismiga teng. Antikvarklar mos ravishda qarama-qarshi elektr zaryadiga ega. Kvarklarning spini ℏ birligida beriladi. Kvarkning kattaligi 10–18 dan oshmaydi, ya’ni kvark protondan kamida 103 (ming) marta kichik. Protonni E ≈ 2 · 104 MeV energiyali elektronlar bilan bombardimon qilish undagi zaryad proton ichida uch joyda mos ravishda + 2/3qe,+ 2/3qe va
– 1/3qe kabi joylashganini ko‘rsatdi.
Neytron ham bitta u(q = 2 q ) va ikkita d (q =−1 q ) kvarklardan
tashkil topgan.
u 3 e
d 3 e
Mezonlar kvarklar va antikvarklardan tashkil topgan. Masalan,
π+-mezon ud dek tashkil topgan. Bu yerda: d d – kvarkning antizarrasi.
|
| |
Toshkent davlat texnika universiteti

Toshkent davlat texnika universiteti
Download
1,86 Mb.
Matnni ko'rish
bet
1/77
Sana
15.01.2024
Hajmi
1,86 Mb.
#137907
Download
1,86 Mb.
Matnni ko'rish
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Dərs
Mühazirə
Qaydalar
Referat
Xülasə
Yazı
Toshkent davlat texnika universiteti
Download
1,86 Mb.
Matnni ko'rish
Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati

|
Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati
|
bet | 12/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m 2.2. Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati
Parchalanish darajasi barcha satxlar uchun bir xil emas. Atomdagi tashqi elektronlar (valentli) joylashgan satxlar kuchli ta’sirga uchrab, ichki elektronlar joylashgan satxlar esa kuchsiz o‘zgaradi:
1) elektronsiz energetik satxlar zonasi;
2) valent elektronli energetik satxlar zonasi;
3) ichki elektronlar joylashgan energetik satxlar zonasi.
Energetik zonalardagi energetik satxlar orasidagi energiya farqi ~ 15-22 eV bo‘ladi, demak energetik zonalar amalda uzluksiz spektrni beradi. Bu esa, o‘z navbatida elektronni bitta zona bilan chegaralangan energetik satxlarda harakat qila olishini ko‘rsatadi, ya’ni berilgan zonadagi elektronlar bir atomdan ikkinchi atomga o‘ta olib, hamma atomlar uchun umumiy bo‘lib qoladi. Energetik zonadagi hamma satxlar elektronlar bilan band bo‘lsa, bunday zonani to‘ldirilgan zona deb ataladi.Elektronlar turishi mumkin bo‘lgan zonalar ruxsat etilgan zonalar deb ataladi.
Kristallardagi atomlarning xossalariga qarab muvozanatli holatda ikkita atom orasidagi masofa r1 ko‘rinishda yoki r2 ko‘rinishda bo‘ladi, r1 ko‘rinishdagi holatlar o‘rtasida man qilingan zona hosil bo‘ladi, r2 masofada esa qo‘shni zonalar bir-birini berkitadi.
Atom yorug‘lik ta’sirida yoki issiqlik harakati natijasida me’yoriy holatdan qo‘zg‘algan holatga o‘tgan vaqtda, uning valentli elektronlari atomdan ajralmagan holda maxsus energetik holatga o‘tib qolishi mumkin (9-rasm). Bunday holatda turgan elektron o‘z o‘rnida teshik bilan elektron teshik juftini hosil qilib, ular bir-birlari bilan bog‘langan bo‘ladi. Bunday qo‘zg‘algan holat birinchi marta Ya. I. Renkel tomonidan tekshirilgan va unga eksiton (ya’ni qo‘zg‘algan) deb nom qo‘ygan. Eksiton ma’lum darajada vodorod atomiga o‘xshab ketadi va uning elektronini erkin elektronga aylantirish uchun normal sharoitdagi elektronga qaraganda oz energiya sarf qilinadi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Qattiq jismlarning elektrik xususiyatlari. Tashqi elektr maydoni ta'sirida to‘la to‘ldirilgan va to‘ldirilmagan zonalarda erkin elektronlarning harakati
|
Nazorat savollari - Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti raqamli energetika

40
MUNDARIJA:
1-AMALIY MASHG’ULOT.
ENHAT POG’ONALARIDAGI ISTE’MOLINI
HISOBLASH VA TAHLIL QILISH…………………………………………..…..3
2-AMALIY MASHG’ULOT.
O‘ZBEKISTON ENERGETIKA TIZIMIDA
ENHAT NI O‘RGANISH……………………………………………….…………9
3-AMALIY MASHG’ULOT.
ELEKTR ENERGIYASI HISOBLAGICHLARINI
O‘RGANISH VA ULARDA ELEKTR ENERGIYASI HISOBI ANIQLIGINI
HISOBLASH ………… …………………………………………………….....12
4-AMALIY MASHG’ULOT.
ENHAT DASTURIY TA’MINOTI YORDAMIDA
IS’TEMOL QILINGAN ELEKTR ENERGIYA SARFINI ANIQLASH VA
UNGA TO’LOVLARNI HISOBLASH ……………………………………….23
5-AMALIY MASHG’ULOT.
ELEKTR STANSIYALAR POG‘ONASIDAGI
ENHATDA ELEKTR ENERGIYA IS’TEMOINI HISOBLASH VA TAHLIL
QILISH. ……………………………………………………………………..……30
Maksvell — Bolsman taqsimoti - O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning...

|
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
bet | 17/52 | Sana | 19.02.2024 | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi mMaksvell — Bolsman taqsimoti
Metallarda elektr utkazuvchanlikning boshqa jismlardagiga nisbatan juda katta ekanligi, elektr toki o‘tayotganda hech qanday tarkibiy o‘zgarishlarning (masalan, elektrolitlardagidek) yuz bermasligi, ularda elektr tokida ishtirok etuvchi zaryad tashuvchilar asosan erkin elektronlardir, degan farazni maydonga keltirdi. Bu taxmin qator tajribalarda (masalan, Tolmen tajribasida) isbotlandi. Hozirgi kunda metallarda elektr tokida ishtirok etuvchi zaryad tashuvchilar elektronlar (ba’zi metallarda teshiklar ham bo‘la oladi) ekanligiga hech qanday shubha yo‘qdir. Yarim o‘tkazgichlarda esa zaryad tashuvchilar bo‘lib elektronlar va teshiklar xizmat qiladi. Teshiklar ham elektronlar kabi massaga, zaryadga va boshqa o‘ziga xos parametrlarga ega bo‘lib, qattiq jismlarda zarra kabi harakatda bo‘ladi bu nuqdai nazardan ular elektronga teng xuquqlidir.
Yuqorida aytilganlarga asoslanib, qattiq jismlardagi elektronlar huddi gazlardagi molekulalar kabi erkin va tartibsiz issiqlik harakatda bo‘lib, ular Maksvellning tezliklar bo‘yicha taqsimot funksiyasiga bo‘ysunadi, desak bo‘ladi. U holda tezliklar fazosida bir dona elektronning tezliklar intervalida bo‘lish ehtimoli
(2.4)
bo‘ladi. Birlik hajmdagi ko‘rsatilgan intervaldagi tezliklarga ega bo‘lgan elektronlar sonini topish uchun (2.4) ni shu hajmdagi elektronlar soni p ga ko‘paytiramiz:
(2.5)
Bunda taqsimot funksiyasi bo‘lib, tez-likningk va kvadratiga bog‘liqdir. Bu elektronlar uchun barcha yo‘nalishlarning teng xuquqliligi natijasidir. Ma’lum hisoblashlar amalga oshirilgach, taqsimot funksiyasi uchun quyidagi ifodani olamiz:
(2.6)
Bunda, elektron massasi. Bolsman doimiysi, absolyut harorat (2.5) ga asosan:
(2.7)
(2.8)
T ezlik va kinetik energiya orasidagi munosabatdan foydalanib, tenglikni olamiz. Bu ifoda elektronlarning energiyalar buyicha klassik Maksvell taqsimotini ko‘rsatadi. Agar(2.8) ni ' ko‘rinishda yozsak:
(2.9)
Bunda, A — o‘zgarmas son. Bu funksiya Maksvell — Bolsman taqsimot funksiyasideb yuritiladi. Buning grafigi 15- rasmda berilgan.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
ALT – inson- - Toshkent davlat texnika universiteti

Loyihalash – tadqiqot, hisoblash va konstruktorlik tavsifidagi ishlar kompleksini bajarish
asosida ob‟yektning birlamchi bayonini natijaviy bayonga o„zgartiradigan jarayondir.
Birlamchi bayonni natijaviy o„zgartirish oraliq bayonlarni tug„diradi; ular loyihalash
tugaganini aniqlash yoki uni davom ettirish yo„llarini tanlash maqsadida qarab chiqiladigan pred
met
vazifasini o„taydi. Bunday bayonlarni loyihali yechimlar deyishadi.
ALT – ochiq va rivojlanuvchi tizimdir. ALT vaqt o„tishi bilan o„zgaruvchi tizim bo„lis
hi
kerakligiga kamida ikkita sabab bor. Birinchidan, ALT kabi murakkab ob‟ektni ishlash uz
oq
muddatni egallaydi, shuning uchun ALT tizimining qismlari tayyor bo„la borgani sari ular
ni
ekspluatatsiyaga kiritish iqtisodiy nuqtai nazardan foydalidir. Ekspluatatsiyaga kiritilgan tizi
mning
bazaviy varianti keyinchalik kengaytirib boriladi. Ikkinchidan, hisoblash texnikasi va hisob
lash
matematikasining doimiy progressi yangi, ancha takomillashgan matematik modellar va da
sturlar
paydo bo„lishiga olib keladi; ular eskirgan, samaradorligi kam bo„lgan analoglarni almash
tirishi
kerak. Shu sababli ALT ochiq tizim bo„lishi, ya‟ni yangi metod va vositalarni ulash qula
y bo„lgan
qobiliyatga ega bo„lishi zarur.
5
– MA’RUZA. MAVZU: AVTOMATLASHTIRILGAN LOYIHALASH TA’MINOTI. OP

9 – MA’RUZA. MAVZU: AVTOMATLASHTIRILGAN LOYIHALASH TA’MINOTI. OP
ERATSION
TIZIMLAR ......................................................................................................................................
.......................... 68
9.1.
O
PERATSION TIZIM
(OT)
LAR HAQIDA UMUMIY MA
‟
LUMOTLAR
........................................................................ 68
9.2.
O
PERATSION TIZIMLAR STRUKTURASI VA GENERATSIYASI
............................................................................... 74
ADABIYOTLAR VA INFORMATSION MANBALAR .........................................................
........................... 77
http://fayllar.org
|
ALTning dasturaviy ta’minoti (DT)

bilan va grafikaviy qurilmalar to„plami orasida funktsional interfeysni qurilmalar drayveri
va
grafikaviy drayverlar yordamida ta‟minlaydi. Uning asosida ishlab chiqilgan grafikaviy
hujjatlashtirishning amaliy dasturlar paketi esa maxsuslashgan dasturaviy ta‟minot tarkibiga
kiradi.
Grafikaviy hujjatlashtirishning amaliy dasturlar paketi translyatsiya qilish, vizuallashtirish, chiz
malar
namunaviy elementlari (ChNE) bayonini saqlash uchun alohida masalalar to„plami hamda
amaliy
dasturlar paketi (ADP)ni yaratish uchun modullar kutubxonasi, kutubxonadan (ChNE) bay
onlarini
tanlab olish va ularning tasvirini olish to„plamlaridan iborat.
Standartlashtirilgan loyihalash protseduralarini amalga oshiradigan, tarkibiga shunday bazaviy
DT kiritilgan APJlaridan foydalanish ALT dasturaviy ta‟minotini yaratish mehnatini sezila
rli
darajada yengillatadi. Lekin hamma hollarda ham ALTni yaratuvchilar amaliy DTni ishlab
chiqishlari lozim bo„ladi. Hisoblash texnikasi qo„llaniladigan soha kengayib borishi va loy
ihalash
jarayonlarini avtomatlashtirish masalalari murakkablashib borishi bilan dasturlashning murakkab
ligi
mehnati ortib boradi.