Yarimo‘tkazgichli ISlarda diodlar

1.8. Yarimo‘tkazgichli ISlarda diodlar
Yarimo‘tkazgichli ISlarda vertikal n-p-n tranzistorning n-p o‘tish bittasi yoki ularning kombinatsiyasi diod sifatida ishlatilishi mumkin. Diodlarni shu tarzda olish maxsus diodli tuzilmalarni shakllantirishdan ko‘ra ancha sodda hisoblanadi. n-p-n-tranzistorlarni diod ulanishlarini beshta usuli mavjud.
1.12- rasm. Yarimo‘tkazgichli ISlarda diodlar
Birinchi variant, kollektor bazaga ulanganda (Uкб = О), diodaning eng yuqori tezlikda ishlashini ta'minlaydi, (qayt.ul 1…10 ns), chunki tezlikni belgilovchi ortiqchali zaryad faqat emmiter tomondan elektronlarni injeksiyalanishi tufayli bazada to‘planadi. Boshqa barcha holatlarda ortiqcha zaryadning to‘planishi nafaqat bazada, balki kollektorda ham sodir bo‘ladi, shuning uchun bunday variantlarning ishlashi ancha past (qayt.ul 10…100 ns).Yuqori teshilish kuchlanishini olish uchun kollektor o‘tishiga asoslangan diodlar qo‘llaniladi.
1.12. Nanoelektronikaning rivojlanish bosqichlari
Nanotexnologiya – bu moddalar bilan ishlashdan alohida atomlarni boshqarishga o‘tishi: nanoo‘lchamda moddani ko‘plab mexanik, termodinamik , magnit va elektrik xarakteriskalari holati o‘zgarib ketadi. Masalan, oltin nanozarralari hajmi oltin zarralaridan katalitik, feromagnitik, to‘g‘rilovchi optik hossalari, o‘zi yig‘ilishga qodirligi bilan farq qiladi.
Ular yorug‘likni yahshi yutadi va sochadi, zaharsiz, kimyoviy stabil, biomoskeluchi. Ularni intensiv bo‘yashda(tovlanish) hozirda dedektirlash uchun, vizualiyashgan va biotibbiyot obyektlar miqdorni aniqlashda foydalanilmoqda. Oltin nanozarralari butun boshli asboblar diagnostika vositalardan tortib har xil turdagi sensorlar, optik tolali va kompyuter nanoshemalarini yaratishda istiqbollidir. Ko‘rsatilgan xususiyatlar tufayli oltin nanozarralari asosiy metodlari va tushunchalari bilan osson tushunarli universal obyekt moduli nanofanni tanishtirish uchun qulay rol o‘ynashi mumkin.
Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning rivojlanishi elektronikaning yetakchi tarmoqlaridan biri bo‘lgan mikroelektronika hamda endigina paydo bo‘layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat ko‘rsatadigan malakali mutaxassislarni tayyorlash bilan uzviy bog‘liqdir.
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo‘lmish integral mikroshemalar, mikroprotsessorlar, o‘ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, elektron hisoblash mashinalar va o‘ta yuqori xotirali tizimlar hamda boshqa noyob elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo‘lgan yupqa va o‘ta yupqa ko‘p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham keyingi yillarda yupqa va o‘ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va fizikasiga bo‘lgan e’tibor keskin ortib ketdi.
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o‘rganish o‘tgan asrning 70 yillaridan boshlab qo‘llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan o‘nlab mikrongacha bo‘lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo‘llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa (d102103 nm) va o‘ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy molekulyar nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitaksiya(QFE), ionlar implatatsiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o‘ta yuqori vakuum sharoitida olib borilishi, o‘ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va atom(molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi(yuqori darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (tradistion) usullaridan tubdan farq qiladi.
Hozirgi paytda nanoelektronika rivojlanmoqda, ya’ni elektron asbobsozlikda qalinliklari o‘nlab nanometr (1 nm = 10-9 m) bo‘lgan plyonkalarni ishlatish ustida ishlar olib borilmoqda. Bunday plyonkalar ustma-ust, qatlama-qatlam qilib joylashtirilib aktiv va passiv elementlar hosil qilishda ishlatilishi mumkin. Fan va texnika rivojlanib uch o‘lchamli tizimlar hosil qilinmoqda. Bunday tizimlarda 1 sm3 hajmda yuz minglab-millionlab yupqa plyonkali elementlarni joylashtirish mumkin. Ular asosida hosil qilingan integral shemalar katta va o‘ta kata integral mikroshemalar deb ataladi.
Demak, kerakli maqsadlarda ishlatilishi mumkin bo‘lgan yupqa qatlamlarni hosil qilish, ularning tarkibini, kristall va elektron tuzilishini, fizik va kimyoviy xususiyatlarini o‘rganish fanning ahamiyatini belgilasa, olingan yupqa plyonkalarning asbob sifatida ishlatilishi uning xalq ho‘jaligida va texnikada qo‘llanilishini aks ettiradi.
100>
|