nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Erinevate pöördumisviisidega mälud: LIFO, FIFO, assotsiatiivmälu ja kahe pordiga mälu

2. Erinevate pöördumisviisidega mälud: LIFO, FIFO, assotsiatiivmälu ja kahe pordiga mälu.
Pinumälu - LIFO e. “last in, first out”, on mälu poole pöördumis viis, registrisse viimasena kantud andmed saab esimesena välja võtta. Tegemis on protseduuriga, mis tegeleb andmestruktuuride loeteluga, kus järjest kantakse andmeid registrisse, mis uuesti pealt järjest vastavalt vajadusele välja võetakse. Andmete lugemiseks või kirjutamiseks läheb vaja vaid ühte binaarkujul olevat viita arvuti mälupiirkonnale, kust register algab.
Piltlikult võib kujutada seda kui protseduuri, kus pabereid lisatakse ühekaupa üksteise otsa ja vastavalt vajadusele võetakse neid sealt ühekaupa.
Kui läheb vaja võtta välje 5 element pealt, tuleb esmalt ära tõsta tema peal olnud 4 elementi, ning alles siis pääseb soovitud elemendile ligi.
FIFO - FIFO is an acronym for First In, First Out. This expression describes the principle of a queue or first-come, first-served (FCFS) behaviour: what comes in first is handled first, what comes in next waits until the first is finished, etc. Thus it is analogous to the behaviour of persons queueing (or "standing in line", in common American parlance), where the persons leave the queue in the order they arrive. FCFS is also the other name for the FIFO operating system scheduling algorithm, which gives every process CPU time in the order they come.
Assotiatsiiv mälu - mille erinevus tavapärasest aadressmälust seisneb selles, et tema poole pöördutakse sisu, mitte aadressi järgi. Kui assotsiatiivmälu sisendisse antav võrdluskood ühtib mõne tema pesa sisuga, siis tekitatakse tema väljundis ühtivussignaal ja antakse välja vastav aadressisignaal. Selle signaali abil pöördutakse seejärel peitmälu RAM-I poole ja toimub kiire andmete lugemine ja ülekanne protsessorile andmesiini kaudu. Kui aga ühtivust ei teki, siis tuleb lugeda palju aeglasemast põhimälust.
VRAM=video RAM
videomuutmälu, tugineb kahe pordiga varustatud DRAM-mälulülitustele. Üks portidest on kahesuunaline asünkroonselt talitlev rööpport, teine ühesuunaline sünkroonne jadaport. Rööpordi kaudu salvestatakse kuvatav info videomällu, jadapordi kaudu väljastatakse kuvaseadmele.
|
occdraw.gif - Disusun oleh: Agustian Noor

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 4/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
occdraw.gif
Fig. 2.4.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.
A complete list of the 24 configurations is shown in the table below:
fddist.xls - occtable.gif
Table 2.4.1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.
The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected Fermi- Dirac distribution function. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.998 eV and kT = 1.447 eV or T = 16,800 K. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system.
fddist.xls - occprob.gif
Fig. 2.4.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1.447 eV and EF= 9.998 eV.
The Fermi-Dirac distribution function
The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2, 3/2, 5/2 ...). A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n,k,l and s. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle. All such particles also happen to have a half-integer spin.
Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle. As these particles are added to an energy band, they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. The states with the lowest energy are filled first, followed by the next higher ones. At absolute zero temperature (T = 0 K), the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level. No states above the Fermi level are filled. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. The Fermi function which describes this behavior, is given by:
|
| |
Disusun oleh: Agustian Noor - bet 6

|
Disusun oleh: Agustian Noor
|
bet | 6/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
(f25)
The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term.
The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin, the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin, while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. In addition, one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band, which causes this factor to increase to 4 yielding:
|
| |
Vahemälu ( - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)

1. Vahemälu (Cache) organiseerimine (otsevastavusega, assotsiatiivne, kogumassotsiatiivne).
Vahemälu organiseerimine kolmel viisil:
Assotsiatiivne – vahemälu kontroller võib põhimälust võetud ploki paigutada vahemälu piires kuhu tahes
Kogumassotsiatiivne – vahemälu on jaotatud kogumiteks, millest igaüks sisaldab mitut andmeplokki. Iga põhimälust vahemällu loetav plokk võib asuda suvalises kogumis, kuid kogumi piires on kindlal kohal.
Otsevastavusega – iga konkreetne vahemäluplokk vastab kindlatele põhimäluplokkidele.
Vahemälu ehk peidikmälu on protsessoris (või sellega vahetult ühenduses) olev mälu. See põhineb transistoritel ja on seetõttu väga kiire.
Vahemälus säilitatakse informatsiooni, mida on protsessoris käskude täitmisel korduvalt vaja. Seega põhimälust loetud informatsiooni säilitatakse koos aadressiga vahemälus ja kui vastava mäluaadressi poole pöördudes leitakse vajalik informatsioon vahemälust, siis kasutatakse seda põhimälu poole pöördumata. See teeb protsessori töö kiiremaks, kuna põhimälust lugemine võtaks kauem aega. Vahemälu pole hinna tõttu väga mahukas. Kolme tüüpi on: protsessori sees, protsessori juures, emaplaadil.
|
Enamkasutatavad kombinatsioonskeemid

2. Enamkasutatavad kombinatsioonskeemid.
Kombinatsioonskeemid on sellised skeemid, milles andes kindla sisendväärtuse on võimalik välja arvutada väljundväärtus.st määrata üheselt. Enim kasutatavad skeemid võivad olla näiteks SUMMAATORID; VÕRDLUSSKEEMID; KOODIMUUNDRID; MUXID; DEKOODRID; ALU. Teades sisendite loogilisi väärtusi antud ajahetkel saame vastava Boole`i funktsiooni kaudu arvutada väljundi väärtuse. Puudub sõltuvus eelmistest sisendite väärtustest.
3. Pinumälu (Stack) - realiseerimine ja kasutamine
Stacks in computing architectures are regions of memory where data is added or removed in a last-in-first-out manner. In most modern computer systems, each thread has a reserved region of memory referred to as its stack. When a function executes, it may add some of its state data to the top of the stack; when the function exits it is responsible for removing that data from the stack. Because the data is added and removed in a last-in-first-out manner, stack-based memory allocation is very simple and typically faster than heap-based memory allocation (also known as dynamic memory allocation). Another feature is that memory on the stack is automatically, and very efficiently, reclaimed when the function exits, which can be convenient for the programmer if the data is no longer required. If however, the data needs to be kept in some form, then it must be copied from the stack before the function exits. Therefore, stack based allocation is suitable for temporary data or data which is no longer required after the creating function exits.
Pinumällu kirjutamisel näitab pinumälu osuti alati viimasele sinna kirjutatud sõnale. Seega saab lugeda esimesena ainult sinna viimasena salvestatud sõna ja sõna mis kirjutati mällu esimesena loetakse välja viimasena (LIFO). Realiseeritakse protsessoris kas programselt - st pinumälule eraldatakse teatud mälu piirkond ja SP (stack pointer ehk pinuviit) on salvestatud spetsiaalsesse registrisse. Alati kui toimub kirjutamine siis modifitseerikatse Spväärtust, et ta näitaks esimesele vabale pesale ja siis salvestatakse sõna. Lugemisel vastupidi - alguses loetakse sõna ja seejärel moodustatakse SP, et ta osutaks järgmisele varem salvestatud sõnale pinumälus. Riistvaralise realisatsiooni korral on pinumälu põhimõtteliselt rida ühise juhtimisega nihkeregisterid kui infot saab nihutada. Igale sõna bitile vastam oma nihkeregister. Kiiremat riistvaralist realisatsiooni kasutatakse spetsiaalsetes kohtades, üldotstarbelistes protsessorites on tavaliselt programne realisatsioon. Pinumälu kasutatakse alamprogrammide poole pöördumisel tagasipöörde aadressi salvestamiseks, samuti katkestuste korral.
http://en.wikipedia.org/wiki/Stack-based_memory_allocation
|
The Bose-Einstein distribution function

|
The Bose-Einstein distribution function
|
bet | 7/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
(f26)
The Bose-Einstein distribution function
(f27)
The Maxwell-Boltzmann distribution function
(f28)
Semiconductor thermodynamics
In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. These include thermal equilibrium, the difference between the total energy and heat, work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example
Semikonduktor
Prinsip Dasar
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit).
Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni.
Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.
Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus.
Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit paling luar.
Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.
ikatan atom tembaga
Pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik, elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik.
Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini.
Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari
dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi.
|
| |
distrib.xls - distrib.gif

|
distrib.xls - distrib.gif
|
bet | 3/57 | Sana | 09.05.2021 | Hajmi | 0,62 Mb. | | #14427 |
distrib.xls - distrib.gif
Fig. 2.4.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve), the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution.
All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy, while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy.
An Example
To better understand the general derivation without going through it, we now consider a system with equidistant energy levels at 0.5, 1.5, 2.5, 3.5, 4.5, 5.5, .... eV, which each can contain two electrons. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV, which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. There are 24 possible and different configurations, which satisfy these particular constraints. Six of those configurations are shown in the figure below, where the red dots represent the electrons:
|
| |
Projektsioonilised mahukad puuteekraanid

|
Projektsioonilised mahukad puuteekraanid
|
bet | 38/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
Projektsioonilised mahukad puuteekraanid
Ekraani sisepoolel on paigaldatud elektroodide võrk. Elektrood koos inimese kehaga moodustavad kondensaatori; elektroonika mõõdab selle kondensaatori mahu (impulsi annab vool ja mõõdab saadud pinge). Nende ekraanide läbipaistvus on kuni 90%, temperatuuride taluvus on väga suur. On väga vastupidavad. Selles puuteekraani tüübis võib kasutada kuni 18 mm paksust klaasi, mis muudab ekraanid vandaalikindlateks. Ei reageeri mittejuhtiva mustuse peale; juhtivust saab programmiliselt pärssida. Sellepärast kasutatakse neid ekraane automaatides, mis on paigaldatud õuetingimustesse. On olemas mudelid, mis reageerivad kinnastatud käe peale. Praegustel mudelitel on täpsus väga kõrge, ent vandaali-kindel rakendus muudab need vähemtäpseteks. Projektsioonilised mahukad puuteekraanid reageerivad juba käe lähendamise peale. Eristavad puudutust sõrmega ja puudutust juhtiva pliiatsiga. Mõned mudelid toetavad multitouch-i. Seepärast kasutatakse sellist tehnoloogiat touchpad-ides ja multitouch-ekraanides. Ka iPhone-i ekraan töötab selles lõigus kirjeldatud tööpõhimõttega.
|
| |
Pooljuhtmälud - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)

2. Pooljuhtmälud.
3. Spetsiaalse riistvara realiseerimine.
1. Klaviatuur (skaneerimine).
2. Siirete ennustamine (Branch prediction) : vajadus, strateegiad.
Strateegiad :
Fikseeritud hargnemiste ennustamine Fixed Branch Prediction
Staatiline hargnemiste ennustamine Static Branch Prediction
Dünaamiline hargnemiste ennustamine Dynamic Branch Prediction
In computer architecture, a branch predictor is the part of a processor that determines whether a conditional branch in the instruction flow of a program is likely to be taken or not. This is called branch prediction. Branch predictors are crucial in today's modern, superscalar processors for achieving high performance. They allow processors to fetch and execute instructions without waiting for a branch to be resolved.
Almost all pipelined processors do branch prediction of some form, because they must guess the address of the next instruction to fetch before the current instruction has been executed. Many earlier microprogrammed CPUs did not do branch prediction because there was little or no performance penalty for altering the flow of the instruction stream.
Branch prediction is not the same as branch target prediction. Branch prediction attempts to guess whether a conditional branch will be taken or not. Branch target prediction attempts to guess the target of the branch or unconditional jump before it is computed by parsing the instruction itself.
|
Adresseerimise viisid - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat...

1. Adresseerimise viisid.
1. Otsene adresseerimine – operandid vahetult järgnevatel mäluaadressidel.
2 Kaudne adresseerimine – käsukoodis on aadressi aadress, operandide vahetamise võimalus CPU-de vahel.
3 Vahetu adresseerimine – operandide aadressid on sõltumatud ning antakse eraldi aadressiga kas registermälus või põhimälus.
4 Autoinkrementne– pinumälust lugemiseks saadakse aadress registermälust, sellel lisatakse operandi mõõt ja tulemus läheb pinumälu järgmisse aadressi.
5Autodekrementne– registrist lühike aadress, mille järgi operandid ja mõõt pinumälusse.
6 Segmenteerimine – käsukood ja segment aadressis kui kõik andmed on ühes pinumälu segmendis, segmentidevaheline liikumine käsuloenduri abil.
7. Indekseerimisega – aadressi baas R indeks + nihe -> kui palju peab operandide liikumiseks edasi liikuma.
8 Baseerimisega – käsukoodiga antakse ainult nihe, aadressi baas asub baasiregistris.
9.Baseerimise ja indekseerimisega – nii indeks- ja baasregistrid.
10. Suhteline adresseerimine – käsukoodiga antakse nihe.
Operandide adresseerimiseks kasut. mitut viisi: otse- ja kaudadresseerimist, suht- ja indeksadresseerimist, vahetut adresseerimist, aga ka mitmesuguseid kombineeritud adresseerimisviise nagu kaudset indeksadresseerimist jne. Käsus sisalduva teabe põhjal leitakse vajalik mälupesa ning loetakse sealt soovitud operand. Protsessoril võib olla 10 ja enam erinevat adresseerimisviisi.
Otseadresseerimisel antakse käsuga ette operandi aadress, mille järgi leitakse mälust operand.
Kaud adresseerimisel leitakse kõigepealt mälust operandi aadress ning seejärel teisest mälupesast operand.
Suhtadresseerimisel antakse operandi aadress käsuloenduri (programmi jooksva aadressi) suhtes. Operandi aadress leitakse käsuloenduri sisu ja suhtaadressi summeerimisega.
Indeksadresseerimine sarnaneb suhtadresseerimisega, kuid käsuloenduri asemel kasut. baasaadressina indeksiregistris salvestatud aadressi sõna
Vahetul adresseerimisel antakse operand otse käsuga.
|
Püsimälud (info salvestamine) : ROM, PROM, EPROM, EEPROM ja Flash

|
Püsimälud (info salvestamine) : ROM, PROM, EPROM, EEPROM ja Flash
|
bet | 35/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
3. Püsimälud (info salvestamine) : ROM, PROM, EPROM, EEPROM ja Flash.
1. Konveier protsessoris ja mälus.
2. Siirete ennustamine (Branch prediction) : vajadus, strateegiad.
3. Puutetundlikud ekraanid
Resistiivsed puuteekraanid
Neljatraadiline ekraan. Resistiivne ehk takistuslik puuteekraan koosneb kahest läbipaistvast plastkileplaadist. Mõlema plaadi sisepind on kaetud peaaegu täiesti läbipaistvast materjalist (indiumi ja tina oksiididest) üliõhukese kihiga, millel on teatud elektritakistus (resistiivsus); kummagi plaadi kahes vastasservas on elektroodid pinge rakendamiseks ja mõõtmiseks. Kilest plaate hoiavad normaalolekus kokku puutumast mikroisolaatoritest võrgustik (see on vaevunähtav). Kui vajutada ekraanile sõrme või mõne esemega, tekib plaatide vahel puutepunktis elektriline kontakt. Puutepunkti koordinaatide (asukohaarvude x ja y) kindlakstegemiseks rakendab juhtlülitus (kontroller) esmalt alalispinge alumise plaadi elektroodidele. Puutepunkti asukohas tekib siis takistuste suhtele vastav elektripinge (5-voldise elektroodipinge korral võib see olla näiteks x = 2 V). Seda pinge väärtust mõõdab kontroller pealmise plaadi elektroodidelt (nende elektroodide vahel enne kontakti pinge puudus); nii saadakse x-koordinaadi signaal. Teise koordinaadi saamiseks pingestatakse pealmine plaat, mis on alumisega risti, ja mõõdetakse pinge väärtus alumise plaadi elektroodidelt; saadakse y-signaal. Kontroller vahendab need signaalid draiverile vajaliku toimingu sooritamiseks.
Viietraadilise puututundliku ekraani töökindlus on parem, kuna resistiivne kate membraani peal on vahetatud juhtivaga (viietraadiline ekraan töötab ka siis, kui selle membraan on läbi lõigatud). Tagumise klaasi peal on pandud resistiivne kate, mille nurkades on neli elektroodi (igas nurgas on üks elektrood). Alguses on kõik neli elektroodi maandatud, aga membraan on “tõmmatud” +5V pinge juurde resistoriga. Pinge suurust membraanil kontrollitakse pidevalt analoog–digitaalse konverteerijaga. Kui miski ekraani ei puutu, on pinge 5V. Kui ekraani peale vajutatakse, tuvastab mikroprotsessor membraani pinge muudatuse ja hakkab koordinaate välja arvutama. Tööpõhimõte on selline:
-
Kahele paremale elektroodile antakse +5V pinge, vasakud maandatakse. Pinge ekraanil näitab X–koordinaat.
-
Kahele ülemisele elektroodile antakse +5V pinge, alumised maandatakse. Võetakse Y–koordinaat.
|
| |
Teeme arvuti vaikseks

Teeme arvuti vaikseks...
Hommikuti võib power-down seisust taastumine olla ikka päris kummaline küll. Kohvi lürpides sattus kõrvu mingi salapärane häiriv sumin. Kas veekeetja jäi sisse? Ei, sellega on kõik korras. Akvaariumi õhupump jooksis kinni? See mulksub tasakesi edasi. Arvuti oleks nagu ka väljas... Hetkeks käis kuum jutt seest läbi – nii see ärapööramine algabki. Ja siis nad tulevad ja lohistavaki mu Queeni „ I am slightly mad’i“ saatel Paldiski maanteel asuvasse raviettevõttesse. Isegi asutuse aial kunagi rippunud loosung „kui sind pole siin, siis sind pole olemas“ ei tundunud eriti lohutav ... . Kargasin püsti müksates sellega arvutihiirt. Käis monitori demagneetimisklõps ja asi oli selge – neetud arvutikast oli mingil põhjusel välja lülitumise asemel lihtsalt magama keeranud aga ega’s ventilaatorid selle peale seisma jää. Sealt see undamine. Et sarnaseid šokiärkamisi tulevikus vältida, hakkasin uurima, mis nipiga masinat vaiksemaks saaks.
Kuna moodsad kõvakettad on üsna vaiksed ja CD lugeja mühiseb ka vaid siis kui tema poole pöördutakse, jäävad põhiliseks müra allikaks ventilaatorid. Paraku ei saa neid välja lülitada sest siis masin „küpseb“. Küll aga saab ventilaatoreid valida ja samuti võib nende pöörlemiskiirust vähendada.
Pahatihti panevad tootjafirmad arvutiplaatidele kõige odavamad ventilaatorid. Sellised tuulikud kipuvad oma eluea lõppedes (mõnikord isegi uuest peast) kõva müra tekitama sest laagriteks kasutatavad pronkspuksid kuluvad läbi. Seega esimene võte – valime kuullaagritega ventilaatorid. Elektroonikapoodides on valik piisav ja soovi korral saab eksootilisema eksemplari ka mõne kataloogi (ELFA, FARNELL jne) kaudu tellida. Tõsi, mugavuse (hetkel siis vaikuse) eest tuleb maksta ja mitte vähe .
Teine võte on ventilaator lihtsalt ära jätta. Just, ära jätta! Aga õigel moel! Nimelt on videokaartidel ja emaplaatidel mõned kivid varustatud üsna madala (ehk siis väikese pindalaga) radiaatoriga. Raua kokuhoiu kompenseerimiseks istutatakse sellise radikaniru otsa pisike lärmakas ventilaator. Asendame radiaatori vähe asjalikumaga ja ventilaatorit polegi enam vaja. Mikroskeemi korpuse ja radiaatori vahele tuleb lasta spetsiaalset soojusjuhtivust parandavat pastat (nagu see protsessori ventilaatorite komplektis mõnikord kaasas on).
Protsessori ventilaatori „vagaseks tegemine“ on hulga keerulisem. On teada, et mida vähem on ventilaatoril labasid, seda vähem müra ta põhjustab. Samuti on oluline laba kuju. Teravate ääretega labadega ventilaatorid mühisevad rohkem kui ümaramaid labasid omavad eksemplarid. Medali teine pool on see, et kirjeldatud vaiksemad tuulikud jahutavad ka halvemini. Igasuguste eksperimentide puhul on kasulik jälgida mõnda aega protsessori temperatuuri. Kui see püsib normaalsel tasemel, loeme uuenduse vastu võetuks.
Kaasaja tipptehnoloogilised coolerid on tõesti heade jahutusomadustega ja vaiksed. Vaadake näiteks Zalmantech’i lehelt (http://www.zalmantech.com/CNPS-6000CU.htm) või Enermaxi juurest (http://www.enermax.com.tw/products/uc-fab.htm). Zalmantech’i CPU cooler on veel selle poolest vahva, et tema ventilaator teeb ka emaplaadil oleva tugikiibistiku “külmaks”.
-
|
Spetsiaalse riistvara realiseerimine

|
Spetsiaalse riistvara realiseerimine
|
bet | 17/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
3. Spetsiaalse riistvara realiseerimine.
Riistvaraline realisatsioon
Alati võib algoritmi realiseerida riistvaras nagu juhtautomaadi protsessoris. See tähendab, et algoritm realiseeritakse loogikaskeemina. Edasi loogikaskeemi realiseerimine võib toimuda trükkplaadina komponentidest (mikroskeemidest) koostatud loogikaskeemiga või kristalli pinnal ühe mikroskeemina (ASIC ? application specific integrated circuit). Erinevus on siin vaid tehnoloogilist laadi. ASIC-u valmistamine eeldab terve rea etappide läbimist enne kui meil on valmis oma loogikaskeemi prototüüp katsetusteks. Kogu disain nõuab suhteliselt kalli spetsiaalse tarkvara (CAD ? computer aided design) olemasolu. Kõigi realisatsioonide puhul ei ole sellise tarkvara hankimine võimalik. Selleks, et saada esimene prototüüp on vaja teha kõik maskid ja valmistada mikroskeem. Suurte partiide korral on selliste maskide tegemine ja siis nende abil paljude mikroskeemide valmistamine otstarbekas. Alguses katsetamise ajal on ka suhteliselt aeganõudev, kallis ja tülikas teha muudatusi mida siiski ilmselt vältida ei saa. Muudatused võivad olla tingitud nii disaini vigadest kui ka tellija poolsest nõudmiste muutustest, mis kerkivad esile katsetamise faasis.
|
| |
Infrapuna-puuteekraanid - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 40/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
Infrapuna-puuteekraanid
Infrapunakiirte kasutamisel põhineva puuteekraani servades on vastakuti optoelektroonilised kiirgusallikad ja kiirgusvastuvõtjad: ekraani vasakus servas infrapunast kiirt väljastavate valgusdioodide rida ning parempoolses servas vastav arv fotodioode; samasugused read paiknevad ka ekraani alumises ja ülemises servas. Nii moodustub ristuvate infrapunakiirte nähtamatu võrk. Kui ekraani sõrme või mõne esemega puudutada, tõkestab puutekoht mõne horisontaalse ja vertikaalse kiire edasipääsu fotodioodini ja nende kiirgusvastuvõtjate väljundsignaal väheneb järsult. Nõrgenenud signaalipingega fotodioodide järgi määrabki kontroller puutepunkti koordinaadid. Infrapuna-puutetundlikud ekraanid kardavad määrdumist ja seetõttu kasutatakse neid seal, kus kujutise kvaliteet on oluline. Oma lihtsa ehituse ja seega ka lihtsa korrashoitavuse tõttu on selline ekraan populaarne sõjanduses. Sellist ekraanitehnoloogiat kasutab mobiiltelefonides firma Neonode.
|
| |
Optilised mäluseadmed - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 12/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
3. Optilised mäluseadmed.
Valgust läbilaskval alusmaterjalil peegelduv kiht, mille sisse kõrvetatakse laseriga „bitt“. Tavaolukorras alust nimetatakse „land“. Lugemisel arvestatakse peegeldunud valguse intensiivsuse jms-ga. Tavaliselt peegeldub valgusest 75% tagasi, üleminekul 10%.
CD-R – aluse ja peegelduva kihi vahel on orgaanilisest materjalist kiht, mille kuumutamine muudab seda läbipaistvaks. Laser peab seda lohuks.
CD-RW – orgaanilise kihi kuumutamisel 300C-ni see kristalliseerub (erase), 600C-ni aga muutub amorfseks (write).
|
| |
Mahtuvuslikud puuteekraanid - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 37/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
Mahtuvuslikud puuteekraanid
Mahtuvusliku ekraani puutetundlikuks osaks on elektrit juhtiva läbipaistva kihiga kaetud kilest plaat, mille neljas nurgas on elektroodid. Nendele antakse ühesugune vahelduvpinge, mis tekitab ühtlase elektrivälja üle ekraani. Ekraani puudutamisel sõrme või mingi elektrit juhtiva esemega elektrivälja jaotus plaadil muutub, sest puutekoha kaudu siseneb inimese kehasse mahtuvusliku sidestuse läbi lekkevooluna teatud elektrilaeng. Selle tulemusena muutuvad ka lekkevoolu komponendid, mis sisenevad plaadi nurkade kaudu: mida suurem on puutepunkti kaugus mingist nurgast, seda suurem on nurga ja puutepunkti vaheline takistus ning vastavalt ka vool nõrgem. Nende vooluväärtuste järgi arvutab kontroller puutepunkti koordinaadid. Mahtuvuslikud puuteekraanid on usaldusväärsed, vastupidavusega kuni 200 miljonit puudutust (~6,5 aastat ühesekundilise intervalliga), ei karda vedelikke. Läbipaistvus on kuni 90%. Siiski on juhtiv kate nõrk, seega kasutatakse mahtuvuslikke puuteekraane tihti automaatides, mis on paigaldatud valvega ruumidesse. Kinnastega mahtuvuslikud ekraanid ei reageeri.
|
| |
Puuteekraanid pinnalainetel - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 39/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
Puuteekraanid pinnalainetel
Ekraan kujutab endast klaaspaneeli, mille nurkades on piesoelektrilised konverterid (PEK). Paneeli äärtel asuvad peegeldavad ja vastuvõtvad andurid. Tööpõhimõte on selline:
1.Spetsiaalne kontroller genereerib kõrgsagedusliku elektrilise signaali ja saadab selle PEK peale.
2.PEK konverdib selle signaali pinnalainetesse ning peegelduvad andurid peegeldavad seda.
3.Need peegeldatud lained võetakse vastu anduritega ja saadakse PEK peale.
4.PEK võtab peegeldatud lained vastu ja konverdib need elektrilisteks signaalideks, mis kontrolleriga analoogsignaalideks muudetakse.
5.Ekraani sõrmega puudutamisel osa pinnalainete energiast neelatakse.
6.Vastuvõtja fikseerib selle muudatust, aga mikrokontroller arvutab välja puudutamise punkti koordinaadid.
See tüüp reageerib puudutamise peale asjaga, mis on võimeline laine absorbeerima (sõrm, kinnastatud käsi, poorne kumm). Kõige suurem pluss on sellist tüüpi ekraanide puhul võimalus teada saada mitte ainult puutepunkti koordinaadid, aga ka puutejõu – pinnalainete absorbeerimise tase sõltub rõhu suurusest puutepunktis (ekraan ei deformeeru puudutamise ajal). Selline ekraan on väga läbipaistev, kuna valgustus läheb läbi klaasi, mis ei sisalda resistiivset ega juhtivat katet. Mõnel juhul klaasi üldse ei kasutatagi, et vältida peegeldusi. Selle asemel kinnitatakse kiirgajad, vastuvõtjad ja peegeldajad otse ekraani peale. Nende ekraanide konstruktsioon on väga keeruline, aga need on üsna vastupidavad. Näiteks teatasid Ameerika firma Tyco Electronics ja Taiwani firma GeneralTouch, et need ekraanid peavad vastu kuni 50 mln puudutust ühes punktis – see ületab viietraadilise resistiivse ekraani ressursi. PEK-ekraane kasutatakse enamasti mänguautomaatides, turvatud infosüsteemides ja haridusasutustes. PEK-ekraane on saadaval tavalise 3 mm-se paksuse ja vandaalikindla 6 mm-sena. Viimased peavad vastu mehe löögi või metallist 0,5 kg kuuli kukkumise 1,3 meetri kõrguselt (vastavalt Elo Touch Systems'i andmetele). Arvutiga ühendamise jaoks kasutatakse RS232- või USB-liidest. Praegu on kõige populaarsem kombineeritud mudel, kus kasutatakse mõlemaid ühenduse tüüpe (Elo Touch Systems andmetel). PEK-ekraani kõige suuremaks miinuseks on vastuvõtlikkus vibratsioonile ja häired määrdunud ekraani korral. Ekraanile asetatud võõras objekt (näiteks närimiskumm) blokeerib ekraani funktsioneerimise. Lisaks nõuab see tehnoloogia, et puudutus tehakse objektiga, mis pinnalaineid absorbeerib. Selliste ekraanide täpsus on suurem kui maatriks puuteekraanidel, aga väiksem kui traditsioonilistel mahtuvuslikel. Joonistamiseks ja teksti sisestamiseks neid ekraane üldiselt ei kasutata.
|
| |
Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad

|
Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad
|
bet | 15/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
1. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad
Oksüdeerimine – on räni-oksiidi kihi tekitamine räni kristalli pinnale. Oksüdeerimine toimub termiliselt temperatuuril 1000-1300C. Kõigepealt juhitakse lahtise otsaga kvartstoru lämmastikku, millega välditakse räniplaatide kokkupuudet õhuga ja võimalikku saastumist. Seejärel minnakse üle töörežiimile, milleks avatakse üks kraanidest. Kuivhapnik, märghapnik või veeaur. Ränioksiidi kihi paksus on tavaliselt 0,5-1um.
Difusioon – on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni.
Epitaksia – on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi.
Metalliseerimine – nimetatakse metallikihi pealekandmist pärast seda, kui kõik struktuurid on loodud, sellest kihist moodustatakse elementidevaheline juhtmestik.
|
| |
Elektromagnetism Elektriväli ja magnetväli

Õppesisu: Elektrilaeng. Positiivsed ja negatiivsed laengud. Elementaarlaeng. Laengu jäävuse seadus. Elektrivool. Coulomb’i seadus. Punktlaeng. Ampere’i seadus. Püsimagnet ja vooluga juhe. Elektri- ja magnetvälja kirjeldavad vektorsuurused elektrivälja tugevus ja magnetinduktsioon. Punktlaengu väljatugevus ja sirgvoolu magnetinduktsioon. Elektrivälja potentsiaal ja pinge. Pinge ja väljatugevuse seos. Välja visualiseerimine: välja jõujoon ja ekvipotentsiaalpind. Homogeenne elektriväli kahe erinimeliselt laetud plaadi vahel, homogeenne magnetväli solenoidis.
Põhimõisted: elektrilaeng, elementaarlaeng, voolutugevus, punktlaeng, püsimagnet, aine magneetumine, magnetnõel, elektriväli, magnetväli, elektrivälja tugevus, magnetinduktsioon, potentsiaal, pinge, jõujoon, ekvipotentsiaalpind, homogeenne väli. Mõõtühikud: amper, kulon, volt, elektronvolt, volt meetri kohta, tesla.
|
Õpitulemused:
1) eristab sõna laeng kolme tähendust: a) keha omadus osaleda mingis vastastikmõjus, b) seda omadust kirjeldav füüsikaline suurus ning c) osakeste kogum, millel on kõnealune omadus;
2) teab elektrivoolu kokkuleppelist suunda, seletab voolu suuna sõltumatust laengukandjate märgist ning kasutab probleemide lahendamisel valemit ;
3) teab, et magnetväljal on kaks põhimõtteliselt erinevat võimalikku tekitajat – püsimagnet ja vooluga juhe, elektrostaatilisel väljal aga ainult üks – laetud keha, seletab nimetatud asjaolu ilmnemist väljade geomeetrias;
4) kasutab probleeme lahendades Coulomb’i ja Ampere’i seadust ja ;
5) teab elektrivälja tugevuse ja magnetinduktsiooni definitsioone ning oskab rakendada definitsioonivalemeid ja ;
6) kasutab elektrivälja tugevuse ja magnetinduktsiooni vektorite suundade määramise eeskirju;
7) tunneb Oerstedi katsest tulenevaid sirgjuhtme magnetvälja geomeetrilisi omadusi, kasutab Ampere’i seadust kujul F = B I l sin α ja rakendab vastava jõu suuna määramise eeskirja;
8) kasutab probleeme lahendades valemeid , ja ;
9) seletab erinevusi mõistete pinge ja potentsiaal kasutamises;
10) joonistab kuni kahe väljatekitaja korral elektrostaatilise välja E-vektorit ning juhtmelõigu või püsimagneti magnetvälja B-vektorit etteantud punktis, joonistab nende väljade jõujooni ja elektrostaatilise välja ekvipotentsiaalpindu;
11) teab, et kahe erinimeliselt laetud plaadi vahel tekib homogeenne elektriväli ning solenoidis tekib homogeenne magnetväli; oskab joonistada nende väljade jõujooni.
|
Mustaqil o‘rganish usuli - O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi

|
O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi
|
bet | 12/13 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 4,1 Mb. | | #143737 |
Bog'liq nihoyat tamom2Mustaqil o‘rganish usuli
Ushbu usul ta’lim oluvchilarning o‘quv materialini mustaqil o‘zlashtirishini, o‘z – o‘zini tekshiruv malakalarini, berilgan matnning mazmunini to‘liq va ongli ravishda bayon eta bilishiga qaratilgan usuldir. Bu usul vaqti–vaqti bilan o‘tkazib turiladi, o‘quvchilarning mustaqil o‘rganish, darslik bilan ishlash va mustaqil amalaiy faoliyat bilan shug‘ullanish ko‘nikmalarini shakllantiradi. Har bir o‘quvchi alohida yoki umumiy tarzda tashkil qilinadigan topshiriqni bajaradi. O‘qituvchi o‘quvchilarning amaliy faoliyatiga aralashmay, tashqaridan teskari aloqa- muloqot yordamida yo‘naltirib boshqaradi va nazorat qiladi.
Xulosa
Hozirgi kunda ta’lim jarayonini takomillashtirish va ta’lim sifatini oshirish, ta’lim oluvchining, bilim, ko‘nikma, malakalarini oshirishda axborot texnologiyalardan keng va to‘g‘ri foydalanish muhim ahamiyat kasb etadi deb hisoblayman.
Hozirgi kunda fizika sohasida asosiy muammolardan biri bu ta’lim jarayonida o‘quvchilarga ko‘rsatilishi kerak bo‘lgan qurilmalar va asboblarning yetishmasligi.Shu kabi muammolarni bartaraf etishning usullaridan biri ta’lim oluvchiga vitual labaratoriyalar ko‘rsatish yoki animatsion rolikdan foydalanib ularda shu mavzuga oid yoki qurilmaga oid tushunchalarni shakllantirish. Bunday virtual laboratoriyalar yaratish animatsiyalar yaratish uchun dasturlardan biri bu Powerpoint.Bu dastur orqali biz salayd va animatsialar yaratishimiz va ta’limda qo’llashimiz mumkin.Bundan tashqari virtual labo ratoriyalar tayyorlashda bizga Macromedia Flash MX dasturi katta samara beradi.Shuni ham aytib o‘tish kerakki bunday usullardan foydalanib dars o‘tish bizdan katta xarajatlar talab qilinmaydi
Agar ikkita miqdor o‘rtasidagi teskari proportsional munosabat bo‘lsa, bitta miqdor boshqa miqdor kamaygani bilan bir xil darajada oshsa, u holda ikkala miqdorning mahsuloti har qanday holatda ham doimiydir. Ushbu bayonotni tajribadan olingan qiymatlar yordamida tekshirish mumkin (og‘ishlar bosimni o‘lchashdagi noaniqliklar tufayli yuzaga keladi). Izotermik jarayon uchun bosim va hajm mahsuloti gazning har qanday holatida doimo doimiy bo‘ladi.
Izotermik jarayon uchun bosim va hajm gazning barcha holatlarida bir xil doimiy qiymatga ega.Shuning uchun har qanday boshlang‘ich holatdagi bosim va hajm mahsuloti boshqa har qanday yakuniy holatdagi bosim va hajm mahsulotiga ham mos kelshi ayni haqiqatdir.
|
| |
Guruhlardagi muhokama usuli - O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi

|
O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi
|
bet | 10/13 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 4,1 Mb. | | #143737 |
Bog'liq nihoyat tamom2Guruhlardagi muhokama usuli
Ushbu o‘qitish uslubi o‘qituvchining juda oz «so‘zlashiga» imkoniyat yaratadi va vaqtning asosiy qismi o‘quvchilarning o‘zaro muhokamalariga bag‘ishlanadi. qachonki o‘quvchilar mavzu haqida qandaydir darajada bilimga ega bo‘lsalar bu uslubdan foydalanish maqsadga muvofiq hisoblanadi. Xatto mavzu haqida tasavvurga ega bo‘lmagan holda, yoki mashg‘ulotlar avvalida o‘rganilgan bilimni takrorlash uchun ham foydalanishlari mumkin.
Yangilik kashf etish orqali o‘rganish usuli
Bu yondoshuv o‘quvchilarning egallagan nazariy bilimlarini tadbiq etish bilan bir qatorda ularning o‘z-o‘zlarini rag‘batlantirish orqali bilim va ko‘nikmalar to‘plashlariga sharoit yaratadi.
Asosiy tamoyillari quyidagicha:
O‘rganishdan maqsadni avvaldan aniqlab olish talab qilinadi.
O‘rganish jarayoni ma’lum bir topshiriqqa yo‘naltirilgan bo‘lishi kerak.
Topshiriq quyidagilarni ta’minlaydi:
· Tayanch ma’lumot olish uchun asos
·O‘quvchi uchun notanish bo‘lgan ma’lumotga chuqur kirib borishiga undaydigan so‘rovga e’tibor berish
·Oldindan aniqlangan va sog‘lom tarzdagi o‘rganishga asoslangan natijalar.
Muvaffaqiyat – faoliyat-yutuq motivatsiyasiga asoslangan.
Guruhdagi hamkorlik:
·fikr va faoliyatni rag‘batlantiradi
·mushohadaga chorlaydi
·guruh ichida ikki tomonlama fikr-mulohazalar bilan ta’minlaydi.
Shaxs yoki guruhning ehtiyojidan kelib chiqqan holda o‘qituvchining qo‘shajak hissasiga ajratilgan vaqt chegaralangan.
O‘qituvchi asosan o‘qish jarayonini yengillashtiruvchi va ikki tomonlama fikr-mulohazalar bilan ta’minlovchi shaxs vazifasini o‘taydi. Kamdan-kam hollarda o‘qituvchi ma’lumot bilan ta’minlaydi.
Amaliy mashg‘ulot
O‘qituvchi bir guruh o‘quvchilarning ko‘nikmalarini to‘liq yoki qisman shakllantiruvchi amaliy faoliyat orqali o‘qitishni xohlasa bu usuldan foydalanishi mumkin. Odatda bu jarayon o‘z ichiga so‘zlash, tasviriy ifoda va o‘qituvchi tomonidan namoyish etish va muhokamalarni ham o‘z ichiga olishi mumkin. Shu bilan birga, bu jarayon materiallar va maxsus jihozlardan foydalanish imkoni bo‘lgan ustaxonalarda amalga oshiriladi.
Shuni ham yoddan chiqarmaslik kerakki, o‘quvchilar nafaqat rasmiy o‘qitish orqali o‘rganadilar, ya’ni kitoblar, gazeta va jurnallar, televideniye, internet va sinfdosh do‘stlar orqali, balki ko‘proq bevosita aloqa orqali o‘rganadilar. Bu vositalar o‘kituvchi o‘tgan darsni mustahkamlashda foydalanilishi mumkin.
Dars jarayonlarida yuqori samaradorlikka erishish uchun quyidagi metod va usullardan ham foydalanish mumkin:
|
| |
Maatriks puuteekraanid - 1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat...

|
1. Käsu täitmine protsessoris (käsuloendur, käsuregister, käsu dekooder, operatsioon automaat ja juhtautomaat)
|
bet | 36/41 | Sana | 21.03.2017 | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
Maatriks puuteekraanid
Konstruktsioon on resistiivsega sarnane, aga väga lihtsustatud. Klaasi peale on paigutatud horisontaalsed juhid, membraani peale aga vertikaalsed. Ekraani puutumise ajal puudutavad juhid kokku. Kontroller leiab, millised juhid puutuvad ja annab mikroprotsessorile koordinaadid. Väga väike täpsus. Liidese elemendid on paigaldatud maatriksekraani ruutudega arvestades. Ainuke pluss on lihtsus ja odavus. Tavalistes maatriksekraanides tehakse päring ridades (analoogiliselt nuppude maatriksile); see võimaldab teha mitut puudutust korraga. Aegamööda asendatakse need resistiivsete ekraanidega.
|
| |
Adabiyotlar - O‘rantilgan tizimlar

№
|
F.I.O
|
Mustaqil ish
|
|
O‘rnatilgan dasturiy vositalar va dasturlash tillari sharhi.
|
Abdug‘afforov Akramjon Islomjon o‘g‘li 424-21
|
|
Raqamli signal va o‘rnatilgan tizim protsessorlari.
|
Abduraufov Abulqosim Abduvali o‘g‘li 424-21
|
|
Xotirani tashkil etilishi. O‘rnatilgan tizim xotiralari.
|
Ahrorov Habubullo Bahtiyor o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan tizimlarda axborotlarni kiritish/chiqarish.
|
Hamidov Bahrom Botir o‘g‘li 424-21
|
|
Shinalarni tashkil etilishi. O‘rnatilgan tizim shinalari.
|
Ne‘matullayev Nurjahon Murodjon o‘g‘li 424-21
|
|
Taqsimlangan va parallel ishlov berish.
|
Nuraliyev Diyorbek Sherboy o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan tizimlarda qurilmalar drayveri.
|
Nuriddinov Davron Yusuf o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlar ( Embedded linux).
|
Nuriddinov Diyorbek Husniddinovich 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlarda ko‘p vazifalilik va jarayonlarni boshqarish.
|
Qo‘chqorov Elyor Anvar o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlarda xabarlar navbati.
|
Shobo‘tayev Javlonbek Bahodir o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlar xizmatlari.
|
Xolmatov Elbek Sherzod o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlarda uzilishlar.
|
Xonkelov Javlon Nosir o‘g‘li 424-21
|
|
O‘rnatilgan operatsion tizimlarda xotirani boshqarish.
|
Zarifova Zumrad Akbarjon qizi 424-21
|
Bahs-munozara usuli - O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi

|
O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi abdulla qodiriy nomidagi
|
bet | 11/13 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 4,1 Mb. | | #143737 |
Bog'liq nihoyat tamom2Bahs-munozara usuli
O‘quv guruhini ikki guruhga bo‘lgan holda, biror mavzu bo‘yicha o‘zaro baxs, fikr almashinuv tarzida o‘tkaziladi.
Tadqiqot usuli
O‘zlashtirish darajasining eng yuqori cho‘qisi; o‘quvchilarning olgan bilimlari asosida hali o‘rganilmagan kichik bir muammo ustida yakka yoki birgalashib izlanish olib borishi; keltirilgan taxminni izlab topilgan dalillar asosida to‘g‘ri yoki noto‘g‘riligini tekshirish; Bosqichlari: darsda hammaga qiziqish uyg‘otadigan muammoni yoki masalani qo‘yish, uni o‘rganish, tadqiq qilish uchun ma’lumotlar to‘plash, muammoning yechimiga oid taxminlar, bashoratlar qilish va ularning qanchalik to‘g‘riligini to‘plangan ma’lumotlar asosida tahlil qilish va xulosa chiqarish;Ta’lim oluvchilar ayrim tadqiqot ishlarni ilmiy asoslangan holda mustaqil bajarishadi, ularni yozadilar va qo‘yilgan maqsad va natijalarni tahlil qiladilar.
Rolli o‘yinlar
Ishbilarmonlik yoki rolli(vaziyatli) o‘yinlar – muammoli vazifaning bir turidir. Faqat bu o‘rinda, matnli material o‘rniga o‘quvchilar tomonidan rollar o‘ynaladigan hayotiy vaziyat sahnalashtiriladi. Bosqichlari: vaziyatni tushuntirish, mos rollarni bo‘lib berish, maqsad va vazifalarni tushuntirish; o‘yin davomida o‘quvchilarning hatti-harakatlarini kuzatib borish; o‘quvchilarning hatti-harakatlari orqali ularga bilim olishlariga, ma’lum malaka va ko‘nikmalarni egallashlariga imkoniyat yaratish; o‘yin natijalarining tahlili; o‘yin natijalarini real hayotiy hodisalar bilan taqqoslash;
Loyiha usuli
Bu usul bilim va malakalarni, tahlil qilish va baholashni nazarda tutuvchi ta’limning majmuaviy usulini amalga oshiradi. Loyiha usulida o‘quvchilar rejalashtirishda, tashkil qilishda, tekshirishda, tahlil qilishda va bajarilgan ishning natijalarini baholashda ko‘proq ishtirok etadilar. Ta’lim oluvchilar ayrim kichik loyiqa ishlarini, diplom va kurs loyihalari, bitiruv ishlarini ilmiy asoslangan holda loyihalashtiradilar, mustaqil bajaradilar, ularni yozadilar, taqdimot qiladilar, qo‘yilgan maqsad va natijalarni tahlil qiladilar.
|
| |
Yuk porshenli asboblar - Issiqlik energetikasi

Bu asboblarning ko‟pchiligi tajriba sharoitida turli manometrlarni tekshirish va
78
Yuk kolonkasi 9 ning markazida silliqlangan silindrik kanal bo‟lib, bu
kanalning ichida yuk tarelka 8 li siljuvchi porshen 6 joylashgan. Kolonkaning kanali
porshen 11 ga ega bo‟lgan press bilan ulangan. Bundan tashqari u tekshirilayotgan
manometr 10 bilan bog‟lovchi shtutserlar 5 ga ulangan. Kolonka va shtutser kanallari
ninasimon ventil 4 lar bilan ta„minlangan. Ventil 1 yordamida ishchi suyuqlik
tukiladi.
Ishni boshlashdan avval ventil 3 ochilib, sig‟im 2 dan asbobning gidravlik
tizimi ishchi suyuqlik bilan to‟ldiriladi. Tizimni to‟ldirish bilan bir vaqtda maxovik
12 ni soat strelkasining yo‟nalishiga qarshi burab porshen 11 aylantiriladi. Porshen 11
oxirigacha aylantirilgan holda sig‟im 2 da ishchi suyuqlik qisman qolishi kerak.
Ishchi suyuqlik sifatida o‟rtacha qovushqoqlikka ega bo‟lgan mineral moy ishlatiladi.
Asbob tulganidan sung ventil 3 biriktiriladi. Keyin maxovik 12 moy bosimi natijasida
kutarilgan yuk tarelkasi ko‟rsatkichi 7 to‟g‟risiga kelguncha buraladi. Porshenli
manometrning to‟zilishiga ko‟ra uning ishlash prinsipi gidravlik tizimdagi
o‟lchanayotgan bosimning yuklar kuchini muvozanatlashiga asoslangan.
O‟lchanayotgan bosimning kattaligi haqida muvozanatlovchi yuklar kattaligiga ko‟ra
fikr yuritish mumkin. Porshen va silindr diametrlari bir-biriga moslangan va ularning
sirtlari o‟rtasidagi oraliq bir necha mikrondan oshmaydi. Ishqalanish kuchlarini
e„tiborga olmagan holda, quyidagi muvozanat shartini yozish mumkin:
;
ef
ort
S
P
Gg
(11.31)
bu еrda
G – юк tarlekasi bilan porshenning og‟irlik kuchi, kg; g – erkin tushish tezlanishi,
m/s
2
;
ort
P
- silindr kanalidagi ortiqcha bosim, Pa;
ef
S - porshenning effektiv yuzasi, m
2
.
Kanal va porshen sirtlari urtasida kichik bo‟lsa ham oraliq borligi natijasida
moy porshen ustiga utib uni asta-sekin pastga tushiradi. Ishqalanish ta„sirini
kamaytirish uchun porshen qul bilan yoki maxsus qo‟rilma yordamida aylantiriladi.
79
Porshenli manometrlar eng aniq ishlaydigan aboblar qatoriga kirib, ular aniqlik
darajasiga ko‟ra ikki razryadga ajratiladi: 1 – razryadli porshenli asboblarining hatosi
0,01…0,02% ni tashkil qiladi va faqat porshenli manometrlarni tekshirish uchun
ishlatiladi. 2-razryadli porshenli manometrlar 0,05% aniqlikka ega va namunali
prujinali manometrlarni tekshirish uchun qo‟llaniladi.