nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Tasodifiy xatolar - Toshkent moliya instituti statistika

|
Toshkent moliya instituti statistika
|
bet | 15/206 | Sana | 04.01.2024 | Hajmi | 1,13 Mb. | | #129927 |
Bog'liq 4-Statistika-2004-darslik-X.Shodiev-1Tasodifiy xatolar - bu qayd qilish xatolari bo’lib, ular so’roq o’tkazuvchilar yoki qayd qiluvchilar tomonidan qilinishi mumkin. Masalan, yoshi 18 bo’lsa adashib
28 yosh deb yozilishi mumkin yoki biron bir raqam boshqa ustunga yozilishi mumkin. Bunday xato qilishdan hech kim kafolatlanmagan.
Muntazam xatolar doimo bir yo’nalishda bo’ladi. Ular oldindan ko’zlangan va oldindan ko’zlanmagan xatolarga bo’linadi. Oldindan ko’zlangan xatolar - bilib turib qilinadigan xatolardir. Masalan, hisobotlardagi qo’shib yozishlar, yo’q narsani bor deb to’ldirish va h.k.
Qisqasi bu xatolarni maqsadli xato desak ham bo’ladi.
Oldindan ko’zlanmagan muntazam xatolar tasodifiy sabablar yoki ro’yxatga oluvchilarning o’z ishiga e’tiborsizligi natijasida paydo bo’lishi mumkin. Masalan, sutning yog’lilik darajasini (foiz hisobida) tekshirish kerak. Bu operatorning har kuni qiladigan ishi. Lekin operator har kuni sutning sifatini tekshirishdan oldin u o’z uskunalarini to’g’ri ishlashiga ishonch hosil qilishi kerak. Keyin insonlarda yaxlitlab aytish odati bor. Necha bosh qo’yingiz bor deb so’ralsa, odatda 10 tacha deb javob beriladi. Haqiqatda esa qo’ylar soni 8 ta yoki 12 ta bo’lishi mumkin.
Reprezentativ (bu xatolarni tanlab kuzatish mavzusida chuqur o’rganamiz) xatolar qisman kuzatishga xos bo’lgan xatolardir. Ular tanlab olingan to’plam birliklari bosh to’plamdagi xususiyatlarni o’zida to’la aks ettirmaganligi tufayli paydo bo’ladi.
Kuzatish xatosiz bo’lishi juda ham qiyin masala. Lekin uni iloji boricha kamaytirish yoki umuman yo’q qilish statistikaning muhim vazifalardan biridir.
Yuqorida ko’rib chiqilgan barcha masalalarning to’g’ri echilishi kuzatish xatosini yo’qotishning omillaridir. Xatolarni kamaytirishning yana bir yo’li- ma’lumotlarni qabul qilish paytidagi nazorat qilishdir. Nazorat arifmetik va mantiqiy bo’ladi. Arifmetik nazoratda chiqarilgan jamlar, bir-biriga bog’liq bo’lgan ko’rsatkichlar tekshirib ko’riladi. Mantiqiy nazoratda esa javoblar to’g’riligi tahlil qilinadi. Masalan, so’rov varaqasida keltirilgan javoblar: jinsi-ayol, yoshi-8, ma’lumoti oliy. Ko’rinib turibdiki javoblardan bittasi noto’g’ri.
|
| |
Axborot kommunikatsiyalar texnalogiyalari

Marketingda kommunikatsiya deb
har xil auditoriyalar adresiga, shu
jumladan, xaridorlar, sotuvchilar, ta’minotchilar,
aksionerlar,
boshqaruv organlariga firmadan yuboriladigan signallar majmuini
tushuniladi.Kommunikatsiya siyosati – bu tovarni bozorga siljitish
usullari yig‘indisidir. Kommunikatsiyaning asosiy vositalari bo‘lib
pablik rileyshnz – jamoat bilan aloqa; reklama; sotishni
rag‘batlantirish; maxsus ko‘rgazmalar; shaxsiy sotuv hisoblanadi.
Reklama- bir tomonlama ommaviy kommunikatsiyaning to‘lovli turi
bo‘lib,
u aniq bir homiydan chiqib, firma faoliyatini bevosita yoki
bilvosita qo‘llab-quvvatlashga xizmat qiladi.
Shaxsiy sotuv- bu kommunikatsiya yakka ikki tomonlama bo‘lib
(dialog) maqsadi mizojni to‘xtovsiz tarzda harakatga keltirishga
undash, bir vaqtning o‘zida firma uchun axborot manbai hamdir.
Savdoni avj oldirish-shaxsiy reklama va shaxsiy savdoni to‘ldiruvchi
hamma tovarni sotishni tezlashtirish va ma’lum kengaytirishga
qaratilgan vaqtincha choralarni o ‘z ichiga oladi.
Jamoatchilik bilan aloqa-aniq maqsadga qaratilgan xarajatlar
yaramida tashkilot va uning turli auditoriyalari orasida, o‘zaro bir-
birini tushinish va ishonchli ruhiy holat yaratishga xizmat qiladi. Bu
yerdagi kommunikatsiyaning
maqsadi faqat sotishgina emas, balki
firma faoliyatini qo‘llab-quvvatlash hamdir. Bu an’anaviy muloqot
vositalaridan tashqari quyidagi bevosita kommunikatsiya turlari:
salonlar, yarmarkalar, ko‘rgazmalar, pochta orqali tarqatish
telemarketing, kataloglar orqali savdo ham mavjud.
Integratsiyalangan kommunikativ jarayonning xususiyati bo‘lib
kommunikatsiya vosita va jarayoni,
tashuvchilari, shakllarining turli-
tumanligi hisoblanadi.
Kommunikatsiya quyidagicha tasniflanadi: kontakt turi bo‘yicha
shaxsiy va shaxsiy bo‘lmagan; jadalligi bo‘yicha jadal va takror
qo‘llash chastotasi bo‘ycha yagona va ko‘p marotabalik; ta’sir
natijasiga ko‘ra samarali va samarasiz.
Nazorat savollari - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

|
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova
|
bet | 57/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaNazorat savollari
1. Bul algebrasi amallarini sanab bering. Ular haqiqiylik jadvali orqali qanday ifodalanadilar ?
2. HAM, YoKI, EMAS mantiqiy elementlari (ME) shartli belgisini keltiring.
3. Funksional to‘liq tizim nima ?
4. O‘zgaruvchilarni kirish-chiqish turiga ko‘ra mantiqiy qurilmalarning sinflanishini keltiring.
5. Negiz mantiqiy elementlar qanday parametrlar bilan ifodalanadi?
6. Kirish bo‘yicha birlashtirish koeffitsienti va chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffitsientlari nimani ifodalaydi va ularning qiymatlari nimaga teng ?
7. ME xalaqitlarga bardoshlik sohalari nima bilan aniqlanadi ?
8. TTMda bajarilgan 3HAM-EMAS negiz elementi sxemasini keltiring va ishlash prinsipini tushuntiring.
9. Nima sababli TTM sxema chiqishida murakkab invertor qo‘llaniladi?
10. TTMSh sxemalarda diodlar va Shottki tranzistorlarining vazifasi
nimada ?
11. EBM ME ishlash prinsipini izohlab bering.
12. MDYa – tranzistorlar asosida yasalgan sxemalar qanday xossalarga ega ?
13. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasini keltiring va uning ishlash prinsipini tushuntiring.
14. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan 3HAM-EMAS va 3YoKI-EMAS amallarini bajaruchi sxemalarni keltiring va ularning ishlash prinsiplarini tushuntiring
15. Komplementar MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasini keltiring
16. Komplementar MDYa – tranzistorlarda bajarilgan 3HAM-EMAS va 3YoKI-EMAS amallarini bajaruvchi sxemalarni keltiring.
17. I2M ME xossalari nimadan iborat ?
18. I2M mantiqiy elementi negiz sxemasini keltiring va uning texnologiyasini tushuntiring.
X BOB.
2 - laboratoriya ishi
3 – laboratoriya ishi
|
| |
MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalarning kamchiligi bo‘lib shu hisoblanadiki, boshqaruvchi tranzistorning ulangan holatida kalit orqali tok oqib o‘tadi. Bu tok juda zarur hisoblanmaydi, chunki maydoniy tranzistorning o‘rnatilgan toki amalda nolga teng bo‘ladi. Komplementar MDYa (kanal o‘tkazuvchanligi qarama – qarshi bo‘lgan tranzistorlarda) bajarilgan kalit sxemalar bu kamchiliklardan holi (9.4-rasm). Bu kalitda ikkala tranzistor zatvorlari o‘zaro bog‘lanib yagona kirish hosil qiladilar. Stoklar birlashib yagona chiqish hosil qiladilar, istoklar esa asos bilan birgalikda mos ravishda kuchlanish manbai va umumiy shinaga ulanadilar.
Ikkala tranzistor yagona kirish signali bilan boshqariladi. Lekin, bu tranzistorlarning bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S qiymatlari bir – biriga teskari ishoraga ega bo‘lganligi sababli, kirish darajalarining ixtiyoriy qiymatida bu tranzistorlar turli holatda bo‘ladilar. Bir tranzistor ochiq bo‘lganda, ikkinchisi berk bo‘ladi. Haqiqatdan ham, agar kirishga X=U0KIR signal berilsa, VT0 zatvori asosga nisbatan manfiy potensialga ega bo‘ladi U0KIR-YeM=-YeM.
– rasm.
Demak, VT0 ochiq holatda bo‘ladi. Bu vaqtning o‘zida VT1 tranzistor zatvoridagi potensial asosga nisbatan bo‘sag‘aviy kuchlanishdan kichik qiymatga ega bo‘ladi va bu tranzistor berkiladi. Agar kirishga x=U1KIR signal berilsa, VT1 ochiladi, VT0 tranzistor esa berkiladi, chunki endi uning zatvoridagi kuchlanish asosga nisbatan quyidagiga teng bo‘ladi
.
Shunday qilib, ixtiyoriy statsionar holatda sxema tranzistorlaridan biri berk holatda bo‘ladi, shu sababli sxema manbadan deyarli quvvat iste’mol qilmaydi. Ammo sxema qayta ulanish jarayonida, biror juda kichik vaqt mobaynida ikkala tranzistor ochiq holatda bo‘ladi, chunki ikkinchisi berkilib ulgurmagan bo‘ladi. Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarga nisbatan o‘n marta kam quvvat iste’mol qiladi. Lekin, sxemalarning tezkorligi bir xil bo‘lib kalit chiqish sig‘imining qayta zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi.
|
Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM)

|
Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM)
|
bet | 55/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaEmitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM). EBM elementi (9.6 - rasm) DK kabi tok qayta ulagichi asosida bajariladi. Ikki mantiqiy kirishga ega bo‘lgan bir yelka ikki tranzistordan iborat bo‘ladi (VT1 va VT2), keyingi yelka esa - VT3 dan tashkil topadi.
Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi. Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi.
9.6 – rasm.
Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 9.7 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan.
9.7 – rasm.
Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi.
O‘KIS va KISlarda KMDYa va I2M mantiqiy elementlari qo‘llaniladi. Ular tarkibida rezistorlar bo‘lmaydi va mikrotoklar rejimida ishlaydilar. Shu sababli kristallda kichik yuzani egallaydilar va kam quvvat iste’mol qiladilar. KISlarda elementlar soni 105 ta bo‘lganda bir element iste’mol qilayotgan quvvat 0,025 mVT dan oshmasligi kerak.
|
| |
Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

9.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki ularda UZI nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi (tranzistor berk).
Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‘tkazuvchanlik turiga ega bo‘lgan kanaldan tashkil topgan bo‘lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100 mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.
Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. 9.3 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi keltirilgan.
9.3 – rasm.
VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan tranzistorlar asosi qobiqda qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. YeM = 3UBO‘S tanlanadi, bu yerda UBO‘S – tranzistor ochiladigan kuchlanish. Demak, yuqoridagi tranzistor doim ochiq holatda bo‘lib to‘yinish rejimida bo‘ladi va invertor tokini cheklash uchun xizmat qiladi (dinamik yuklama). VT0 stok toki kattaligi quyidagi formula bilan aniqlanadi
(9.7) .
Agar kalit kirishi X ga U0KIR UBO‘S kuchlanish berilsa (mantiqiy nol), VT1 tranzistor berk bo‘ladi, kalit orqali 10-9-10-10 A tok oqib o‘tadi, chiqishdagi kuchlanish esa bo‘lib kuchlanish manbai qiymatiga yaqin bo‘ladi: UChIQYeM (mantiqiy bir).
Agar kalit kirishi X ga U0KIR UBO‘S kuchlanish berilsa, u holda VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimiga o‘tadi, bu vaqtda stok toki IS1 (9.7) ifoda orqali aniqlanadi, faqat USI0=YeM deb olinadi.
(9.8) .
VT1 tranzistorning to‘yinish rejimidagi kanal qarshiligi
.
IS1 tokni kanal qarshiligi R ga ko‘paytirib, chiqish kuchlanishini olamiz
(9.9) .
Amaliyotda U1KIRYeM (9.9) dan ko‘rinib turibdiki, kichik chiqish kuchlanishi qiymatini UChIQ ta’minlash uchun V0V1 nisbat bajarilishi kerak. V kattaligi kanal kengligini uning uzunligiga nisbati bilan aniqlanadi (Z/L).
Bu kalit kichik tezkorlikka ega, chunki chiqish impulsining fronti tranzistor parametrlari bilan emas, balki chiqish sig‘imi zaryadini nochiziqli yuklama tranzistoridan chiqishi bilan aniqlanadi, bu qarshilik qiymati esa yuzlab kOmlarga yetadi.
|
BOB. CTATISTIKADA JAMLASH VA GURUHLASH

|
BOB. CTATISTIKADA JAMLASH VA GURUHLASH
|
bet | 17/206 | Sana | 04.01.2024 | Hajmi | 1,13 Mb. | | #129927 |
Bog'liq 4-Statistika-2004-darslik-X.Shodiev-1
Statistikada jamlash: turlari va mohiyati
Statistik kuzatish o’tkazilib o’rganilayotgan hodisa to’g’risida ko’pdan-ko’p va turli-tuman tarqoq ma’lumotlar to’planadi. Bu ma’lumotlar asosida hali hech qanday fikr yuritib bo’lmaydi, chunki ular tarqoq va har xildir. Shuning uchun ham navbatdagi vazifa to’plangan ma’lumotlarni bir tizimga keltirish, tartibga solish, umumlashtirishdan iboratdir. Bu muammoni statistikada jamlash (svodkalash) metodini qo’llash bilan hal etiladi. Shundan statistik tekshirishning ikkinchi bosqichi boshlanadi.
Statistik jamlash (svodkalash) deganda har kuni radio va televizorda beriladigan informatsiyani tushunmaslik kerak. Ular ma’lum bir ishning bajarilishi to’g’risidagi operativ ma’lumotdir.
Statistik svodkalash deganda to’plangan ma’lumotlarni ilmiy tekshirishdan ko’zlangan maqsad va vazifalar nuqtai-nazaridan qayta ishlash tushuniladi.
Statistik jamlash hisoblash texnologiyasiga qarab oddiy va murakkab, tashkil qilinishiga qarab esa markazlashgan va markazlashmagan jamlashlarga bo’linadi.
Oddiy jamlash deganda olingan ma’lumotlarni umumiy yakunlarini hisoblash tushuniladi, murakkabda esa to’plam birliklari guruh va guruhchalarga ajratilib, ularning har biri va umumiy bo’yicha jamlab chiqariladi.
Markazlashgan jamlashda barcha ma’lumotlar bir erga to’planib, o’sha erda qayta ishlanadi. Masalan, aholi ro’yxati ma’lumotlarini qayta ishlash.
Markazlashmagan jamlashda ish pog’onama-pog’ona amalga oshiriladi, masalan, dastlab tumanda, keyin viloyatda va h. k.
Statistik jamlash bir qancha bosqichlarda amalga oshiriladi va quyidagi elementlarni o’z ichiga oladi: 1.To’plangan ma’lumotlarni qayta ishlash rejasi va dasturi tuziladi. 2.To’plam birliklari o’rganilayotgan belgi bo’yicha guruhlarga ajratiladi. 3.Har bir guruh va umumiy to’plam bo’yicha jamlar chiqariladi. 4.Natijalar statistik jadvallarga joylashtiriladi va grafiklarda tasvirlanadi.
|
| |
Amaliy ish - Sinf: 11 Mavzu

|
Sinf: 11 Mavzu
|
bet | 3/3 | Sana | 17.12.2023 | Hajmi | 0,81 Mb. | | #121889 |
Bog'liq Tasvirga matn joylashtirishAmaliy ish:
1. PhotoShopda nechta matn joylash uskunalari bor?
2. Matn bilan ishlashni tugatishning qanday usullarini bilasiz?
3. Matn joylash uskunasining parametrlar panelida qanday parametrlar joylashgan?
4. Matn bilan ishlashda qaysi palitralardan foydalaniladi?
5. Matn ustida shakl almashtirish qanday bajariladi?
6. Matn ustida necha xil turdagi shakl almashtirishlar bor?
7. Стили (Uslublar) palitrasida matn uchun uslublaming nechta to‘plami bor?
Darsga yakun yasash:
O’quvchilarni olgan bilimlari hamda qilgan ishlarini nazorat qilib baholash, ularni yo’l qo’ygan kamchiliklarini to’g’irlash.
Uyga vazifa berish:
O‘z ismingizni yozib, unga yuqoridagi rasmda ko‘rsatilgan shakl almashtirishlari va uslublarini qo‘llang
O’TIBDO”:_____________________
|
| |
Marketing kommunikatsiyasining bosqichlari

Yillar
Bosqichning nomi
1950-
1960
Tizimsiz kommunikatsiya bosqichi
1960-
1970
Tovar kommunikatsiyasi bosqichi
1970-
1980
Maqsadli guruh kommunikatsiya bosqichi
1980-
1990
Raqobatli kommunikatsiya bosqichi
1990-
2010
Raqobatli va integratsiyalangan kommunikatsiya bosqichi
Kommunikatsiya raqobat kurashida muvaffaqiyat omili bo‘lib
hisoblanadi. Korxona o‘z firmasining yaxshi imidjini yaratish
uchun
ko‘plab kommunikativ jarayonlar bilan o‘zaro kelishishga majburdir.
Korxona tovar bilan raqobatlashib
kommunikativ raqobatga
chuqurroq, ya’ni bozorni muhimroq maqsadli segmenti va xaridorlari
e’tiborini erishishga kurashib jalb etiladi.
Tayyorladi: Turg’unboyev
Xasanboy
Asosiy tayanch iboralar - Toshkent moliya instituti statistika

|
Toshkent moliya instituti statistika
|
bet | 16/206 | Sana | 04.01.2024 | Hajmi | 1,13 Mb. | | #129927 |
Bog'liq 4-Statistika-2004-darslik-X.Shodiev-1
Statistik tadqiqot
Statistik kuzatish
Statistik hisobot
Maxsus kuzatishlar
Uzluksiz kuzatish
Fursatli kuzatish
Bir yo’la kuzatish
g’ppsasiga kuzatish
Qisman kuzatish
Anketali kuzatish
Tanlanma kuzatish
Monografik kuzatish
Asosiy massivli kuzatish
Bevosita kuzatish
Hujjatli kuzatish
Savol-javobli kuzatish
O’z-o’zini qayd qilish usuli
Korrespondentsiya usuli
Kuzatish rejasi
Kuzatish dasturi
Kuzatish ob’ekti
Kuzatish birligi
Kuzatish formulalari
Kuzatish yo’riqnomasi
Kuzatish organi
Kuzatish vaqti
Kuzatish joyi
Kuzatishning kritik payti
Tasodifiy xato
Muntazam xato
Reprezentativ xato
Bilimingizni sinab ko’ring.
Statistik tadqiqot statistik kuzatishdan nima bilan farq qiladi?
Statistik kuzatish bilan oddiy kuzatishning nima farqi bor?
Statistik kuzatish o’tkazish uchun qanday qoidalar mavjud?
Siz o’z xususiy korxonangizni moliyaviy holatini tahlil qilish uchun korxona balansi va boshqa hisobotlar orqali ma’lumot to’pladingiz. Bu ish statistik kuzatishning qaysi shakliga kiradi?
Maxsus tayyorlangan dastur orqali ma’lumot to’plasak qanaqa statistik kuzatish o’tkazgan bo’lamiz?
Siz nikohdan o’tdingiz, muchalga to’lganda to’liq tibbiyot ko’rigidan o’tdingiz, 40 yoshga kirganda oilangiz bilan tog’ bag’irlarida dam oldingiz. Bu hodisalar statistik kuzatishning qaysi shakli?
Moliya-iqtisod fakultet dekani talabalarning o’qituvchilar to’g’risidagi fikrlarini bilish uchun kurs va guruhlarda «O’qituvchilar talabalar nigohida» so’rovnomani o’tkazdi. Kredit-iqtisod fakultet dekani esa faqat IV kurs talabalari bo’yicha bu ishni bajardi. Fakultet dekanlari statistik kuzatishning qaysi turini qo’lladilar?
Kuzatish ob’ekti va kuzatish birligi teng bo’lishi mumkinmi? Qani misollar keltiringchi?
Kuzatish formulyari va yo’riqnomasi nima uchun kerak? Ularni kim ishlab chiqadi?
Sizni qishlog’ingizda 15 yanvardan 16 yanvarga o’tar kechasi quyidagilar ro’y berdi. Hasan va Husanlar soat 21 dan 56 minut o’tganda tug’ildi, qo’shningiz oilasida Fotima va Zuhralar 00 soatu 10 minutda tug’ildi. Hamqishlog’ingiz Yo’ldosh ota soat 23 dan 59 minut o’tganda olamdan ko’z yumdilar. g’mg’ir xola esa soat ikkidan 15 minut o’tganda dunyodan o’tdilar. Statistik kuzatishning kritik
momenti (fursati) etib 15 dan 16 yanvarga o’tar kechasi soat 2400 qilib belgilangan. Kimlarni aholi ro’yxatiga kiritamiz?
Kuzatish xatolarini qanday aniqlaysiz?
Tasodifiy, muntazam va reprezentativ xatolarning bir-biridan farqi? 13.Nazoratning qanday turlari mavjud.
14.Ro’yxat varaqasida quyidagi javoblar berilgan:
Ismi-sharifi Toshmatov Toshmat
Turar joyi Toshkent shahri
Ma’lumoti Oliy
yoshi To’qqizda
Jinsi Ayol
Millati Fin
Mansabi rektor Nechanchi farzand ikkinchi Akangiz bormi? Bor
Opangiz bomi? Bor va h.k.
Ro’yxat varaqasini to’ldirishda qanday xatoliklarga yo’l quyilgan? U xatolar qanday xatolar deb ataladi?
|
| |
O'zbekiston Respublikasi Raqamli Texnologiyalar vazirligi Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot Texnologiyalari Universiteti

O'zbekiston Respublikasi Raqamli Texnologiyalar vazirligi
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot Texnologiyalari Universiteti
Boshqaruv tamoyillari
3-MUSTAQIL ISH
Mavzu: . Korxonani tashkil etish
Bajardi: Norbutayev Dilshodbek
Tekshirdi: Xajiyeva Nazokat
Yuridik nomi: NSD ANTEP GILAM QK MChJ
Brend nomi: NSD GILAMLARI
Address: Uzbekistan, Samarkand region, Samarkand, high road UZBEKISTAN, 14
Korxona asosan gilam ishlab chiqaradi va yetkazib berish va bezatish xizmatlarini kursatadi.
NSD gilamlari korxonasi boshqarish uchun quyidagi tamoyillar amalga oshirilishi mumkin:
1. O'zaro hamkorlikni oshirish: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, ishchi va hodimlar bilan o'zaro hamkorlik qilish kerak. Bu, ish faoliyatini yaxshi ko'rsatish, tizimni optimallashtirish va muvaffaqiyatga erishish uchun juda muhimdir.
2. Ish faoliyatini nazorat qilish: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, ish faoliyatini nazorat qilish uchun qo'llanadigan tizimlar va texnologiyalarni qo'llashadi. Bu, ish faoliyatining samarali, to'g'ri va samarador bo'lishiga yordam beradi.
3. Xodimlarni ta'lim berish: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, xodimlarni ta'lim berish va ularga yangi mahoratlar o'rgatish uchun imkoniyatlar yaratishadi. Bu, xodimlarining ishlarini yaxshi ko'rsatishiga va korxonaning umumiy muvaffaqiyatiga ko'mak beradi.
4. Marketing va reklama: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, marketing va reklama strategiyalarini rivojlantirishadi. Bu, korxonaning xizmatlarini ko'rsatish va yangi mijozlar jalb etish uchun juda muhimdir.
5. Xizmat sifatini yaxshilash: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, xizmat
sifatini yaxshilash uchun harakat qilishadi. Bu, mijozlarining qo'llab-quvvatlashi va korxonaning rivojlanishi uchun juda muhimdir.
6. Mijozlarni qo'llab-quvvatlash: NSD gilamlari korxonasi boshqaruvchilari, mijozlarni qo'llab-quvvatlash uchun harakat qilishadi. Bu, mijozlarining xizmatdan ko'proq mamnuniyatini oshirish va ularning qaytib kelishini ta'minlash uchun muhimdir.
|
Sinov ma’lumotlarini qayta ishlash

|
Sinov ma’lumotlarini qayta ishlash
|
bet | 3/5 | Sana | 23.01.2024 | Hajmi | 1,12 Mb. | | #143713 |
Bog'liq Oddiy elektr energiyani uzatish tizimining uch fazali qisqa tuta (1)
Sinov ma‟lumotlarini qayta ishlash quyidagi bosqichlarni o„z ichiga oladi:
ikkinchi transformatorning birlamchi chulg„am shinalarida uch fazali qisqa tutashuv paytida ossillograf yordamida olingan tok va kuchlanishning o„zgarish grafigini tahlil qilish. Qisqa tutashuv ro„y bergan paytda birinchi transformatorning chiqishida kuchlanishning o„zgarishiga e‟tibor berish. Ishlash rejimi buzilgandan keyin tarmoq toki va kuchlanish kuchini aniqlash. Olingan ko„rsatkichlarni dastlabki hisob-kitob natijalari bilan solishtirish. Xulosa chiqarish.
kuchlanish shinasida uch fazali qisqa tutashuv paytida ossillograf yordamida olingan tok va kuchlanishning o„zgarish grafigini tahlil qilish. Qisqa tutashuv ro„y bergan paytda tarmoqning kirish va chiqishida kuchlanishning o„zgarishiga e‟tibor berish. Ishlash rejimi buzilgandan keyin tarmoq toki va kuchlanish kuchini aniqlash. Natijalarni tahlil qilish va xulosa chiqarish.
tarmoq uzunligining o„zgarish paytida uch fazali qisqa tutashuv toklarning bog„liqlik grafigini tuzish va hosil bo„lgan bog„liqlikni tushuntirish.
ikkinchi transformator o„lchamlarining o„zgarishi paytida uch fazali qisqa tutashuv tokining bog„liqlik grafigini tuzish va hosil bo„lgan bog„liqlikni tushuntirish.
Laboratoriya ishi bo„yicha hisobot quyidagilardan tarkib topishi lozim:
standart shakldagi titul varag„i;
ishning maqsadi;
v) elektr energiyani uzatish tizimining chizmasi va o„lchamlari;
g) ishchi topshiriqning qisqacha mazmuni;
tegishli chizma va izohlarni keltirgan holda elektr energiyani uzatishning oddiy tizimining dastlabki hisob-kitoblarining to„liq mazmuni;
elektr zanjiri modelini tuzish tamoyilining izohi;
j) grafik va jadval ko„rsatkichlari keltirilgan holda dastlabki hisob-kitoblar natijalarining to„liq mazmuni;
z) dastlabki hisob-kitob natijalarini va sinov natijalarini tahlil qilish;
bajarilgan laboratoriya ishi bo„yicha xulosa.
|
| |
Mantiqiy IMS parametrlari

|
Mantiqiy IMS parametrlari
|
bet | 50/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova9.2. Mantiqiy IMS parametrlari
Axborotni kodlash usuliga ko‘ra mantiqiy elementlar potensial va impuls usullariga bo‘linadilar.
Mantiqiy elementlarning ko‘pchiligi potensial hisoblanadi, ya’ni ularda ikkilik axborot ikkita elektr potensial daraja ko‘rinishida ifodalanadi: mantiqiy 0 – past potensial U0, mantiqiy 1 – yuqori potensial U1. Impuls mantiqiy elementlarda mantiqiy birga - impulsning mavjudligi, mantiqiy nolga – uning mavjud emasligi mos keladi.
IMS potensial mantiqiy elementlari quyidagi parametrlar bilan xarakterlanadi:
mantiqiy «0» va «1» kuchlanishlari - U0 va U1;
mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S;
kirish bo‘yicha birlashish koeffitsienti m (kirishlar soni);
chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffitsienti n (yuklama qobiliyati yoki mazkur IMS chiqishiga ulash mumkin bo‘lgan xuddi shunday mirosxemalar soni);
UKIR= U0 va UKIR= U1 larga mos keluvchi kirish toklari I0KIR va I1KIR ;
xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U1XAL va past U0XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati;
manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat R;
|
| |
III BOB. YaRIM O‘TKAZGIChLI DIODLAR

|
III BOB. YaRIM O‘TKAZGIChLI DIODLAR
|
bet | 16/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaIII BOB. YaRIM O‘TKAZGIChLI DIODLAR
════════════════════════════════════════════
Diod deb odatda bir yoki bir necha elektr o‘tishlar va tashqi zanjirga ulanish uchun ikkita chiqishga ega bo‘lgan elektr o‘zgartirgich asbobga aytiladi. Yarim o‘tkazgichli diodlar ma’lumotnomalarda radioelektron apparaturalarda qo‘llanilish sohalari yoki vazifasiga ko‘ra sinflanadilar.
3.1. To‘g‘rilovchi diodlar
To‘g‘rilovchi diodlar kuchlanish manbai o‘zgaruvchan kuchlanishini o‘zgarmasga o‘girishda qo‘llaniladi. To‘g‘rilovchi diodlarning asosiy xossasi– bir tomonlama o‘tkazuvchanlik bo‘lib, uning mavjudligi to‘g‘rilash effekti bilan aniqlanadi.
To‘g‘rilovchi diodlarning ishlatilish chastota diapazoni juda keng. Shu sababli ular ishchi chastota diapazoni bo‘yicha sinflanadilar.
Past chastotali to‘g‘rilovchi diodlar (PCh diodlar) sanoat chastotasidagi (50 Gs) o‘zgaruvchan tokni o‘zgarmasga o‘girishda qo‘llaniladi. PCh diodlariga qo‘yiladigan asosiy talab – bu katta qiymatga ega bo‘lgan to‘g‘rilangan toklar olish. To‘g‘rilovchi diodlar odatda 0,3 A gacha, 0,3 A dan 10 A gacha va 10 A dan yuqori bo‘lgan to‘g‘rilangan toklarga mo‘ljallangan kichik, o‘rta va katta quvvatli diodlarga bo‘linadi. PCh diodlari katta r-n o‘tish bilan xarakterlanadilar.
Yuqori chastotali to‘g‘rilovchi diodlar (YuCh diodlar) o‘n va yuz megagers chastotagacha bo‘lgan signallarni nochiziqli elektr o‘zgartirishga mo‘ljallangan. YuCh diodlari yuqori chastota signallari detektorlari, aralashtirgichlar, chastota o‘zgartirgich sxemalar va boshqalarda qo‘llaniladi. Yuqori chastota diodlari kichik inersiyaga ega, chunki kichik yuzaga ega bo‘lgan nuqtaviy r-n o‘tishga ega va shu sababli ularning to‘siq sig‘imi pikofaradning bir qismini tashkil etadi.
Shottki to‘sig‘ili diodlar kuchlanish manbai qayta ulagichlarida keng tarqalgan, chunki ular qayta ulanish ishchi chastotasini 100 kGs va undan yuqoriga orttirishga, radioelektron apparatura og‘irligi, o‘lchamlarini kichraytirishga va kuchlanish manbai FIK oshirishga imkon yaratadilar. Shottki to‘sig‘i metallni yarim o‘tkazgich bilan kontakti natijasida hosil qilinadi. Yarim o‘tkazgich material sifatida ko‘p hollarda n–turdagi kremniy, metall sifatida esa Al, Au, Mo va boshqalar qo‘llaniladi. Bu vaqtda metall chiqish ishi kremniy chiqish ishidan katta bo‘lishi talab qilinadi. Bunday diodlarda diffuziya sig‘imi nolga teng, to‘siq sig‘imi esa 1 pF dan oshmaydi.
|
| |
Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr

Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr
Download
12,1 Mb.
Matnni ko'rish
bet
1/207
Sana
05.01.2024
Hajmi
12,1 Mb.
#130489
Download
12,1 Mb.
Matnni ko'rish
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Dərs
Mühazirə
Qaydalar
Referat
Xülasə
Yazı
Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr
Download
12,1 Mb.
Matnni ko'rish
Stabilitronlar - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

|
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova
|
bet | 17/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova3.2. Stabilitronlar
Stabilitron - yarim o‘tkazgichli diod bo‘lib, uning ishlash prinsipi r-n o‘tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‘lmagan o‘zgarishiga olib kelishiga asoslangan. Stabilitronning shartli belgisi 3.1.b –rasmda keltirilgan. Stabilitron sxemalarda kuchlanishni barqarorlash uchun ishlatiladi.
Stabilitronning asosiy parametri bo‘lib, tokning IST.min dan IST.max gacha keng o‘zgarish oralig‘ida barqarorlash kuchlanishi UST hisoblanadi (3.1 a- rasm).
Stabilitron VAX sidagi ishchi soha elektr teshilish sohasida joylashadi. Barqarorlash kuchlanishi diod bazasidagi kiritma konsentratsiyasi bilan aniqlanadigan r-n o‘tishga bog‘liq. Agar yuqori konsentratsiyaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich qo‘llanilsa, u holda r-n o‘tish tor bo‘ladi va tunnel teshilish kuzatiladi. UST ishchi kuchlanishi 3-4 V dan oshmaydi.
Yuqori voltli stabilitronlar keng r-n o‘tishga ega bo‘lishi kerak, shuning uchun ular kuchsiz legirlangan kremniy asosida yasaladilar. Ularda ko‘chkisimon teshilish sodir bo‘ladi, barqarorlash kuchlanishi esa 7 V dan ortmaydi. UST 3 dan 7 V gacha bo‘lgan oraliqda teshilishning ikkala mexanizmi ishlaydi. Sanoatda barqarorlash kuchlanishi 3 dan 400 V gacha bo‘lgan stabilitronlar ishlab chiqariladi.
3.1 - rasm
Stabilitronning elektr teshilish sohasidagi differensial qarshiligi rD barqarorlash darajasini xarakterlaydi. Bu qarshilik qiymati dioddagi kichik kuchlanish o‘zgarishi qiymatining diod toki o‘zgarishiga nisbati bilan aniqlanadi (3.1 a- rasm). rD qiymati qancha kichik bo‘lsa, barqarorlash shuncha yaxshi bo‘ladi.
Stabilitronning asosiy parametri bo‘lib barqarorlash kuchlanishining temperatura koeffitsienti (KTK) hisoblanadi. KTK – bu temperatura bir gradusga o‘zgarganda barqarorlash kuchlanishining nisbiy o‘zgarishi. Ko‘chkisimon teshilish kuzatiladigan kichik voltli stabilitronlar odatda musbat KTKga ega. KTK qiymati odatda 0,2 -0,4 % /grad dan oshmaydi.
|
| |
R-n o‘tish toklari - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

|
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova
|
bet | 12/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaR-n o‘tish toklari. energiyaga ega bo‘lgan ko‘pgina zaryad tashuvchilar (1.1- rasmga qarang) r-n o‘tish orqali qo‘shni sohalarga diffuziya hisobiga r-n o‘tish maydoniga qarama–qarshi ravishda siljiydilar. Ular diffuziya tokini yuzaga keltiradilar. Asosiy zaryad tashuvchilarning r-n o‘tish orqali harakati bilan bir vaqtda, r-n o‘tish ular uchun tezlatuvchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatayogan maydon ta’sirida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar ham harakatlanadilar. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuchilar oqimi dreyf tokini yuzaga keltiradi. Tashqi maydon ta’sir ettirilmaganda dinamik muvozanat o‘rnatiladi, ya’ni diffuziya va dreyf toklarining absolyut qiymatlari teng bo‘ladi. Lekin diffuziya va dreyf toklari o‘zaro qarama–qarshi yo‘nalishda yo‘nalganligi uchun, r-n o‘tishdagi natijaviy tok nolga teng bo‘ladi.
2.2. R-n o‘tishning to‘g‘ri ulanishi
Agar r-n o‘tishga tashqi kuchlanish manbai U ulansa, u holda muvozanat sharti buziladi va tok oqib o‘ta boshlaydi. Agar kuchlanish manbaining musbat qutbi r-turdagi sohaga, manfiy qutbi esa n-turdagi sohaga ulansa, bunday ulanish to‘g‘ri ulanish deb ataladi (2.2 - rasm).
2.2 – rasm.
Kuchlanish manbaining elektr maydoni kontakt maydon tomonga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli r-n o‘tishdagi natijaviy maydon kuchlanganligi kamayadi. Maydon kuchlanganligining kamayishi potensial to‘siq balandligini kuchlanish manbai qiymatiga kamayishiga olib keladi: UK = U0. Bu vaqtda r-n o‘tish kengligini ham kamayishini ko‘rish mushkul emas.
Potensial to‘siq balandligining kamayishi shunga olib keladiki, r-n o‘tish orqali harakatlanayotgan asosiy zaryad tashuvchilarni soni ham ortadi, ya’ni diffuziya toki ortadi. Har bir sohada ortiqcha asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuzaga keladi – n-sohada kovaklar, r-sohada elektronlar. Biror yarim o‘tkazgich sohasiga asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni siqib kiritish jarayoni injeksiya deb ataladi.
Kuchlanish o‘zgarishi bilan diffuziya tokining o‘zgarishi eksponensial qonun asosida ro‘y beradi:
(2.1)
bu yerda I0 – dreyf toki bo‘lib, uni r-n o‘tishning teskari toki deb ham atashadi.
To‘g‘ri kuchlanish berilganda potensial to‘siq balandligiga teskari tok ta’sir ko‘rsatmaydi, chunki bu tok faqat r-n o‘tish orqali birlik vaqt ichida tartibsiz issiqlik harakati tufayli olib o‘tilayotgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning soni bilan belgilanadi. Diffuziya va dreyf toklari bir-biriga nisbatan qarama-qarshi yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli r-n o‘tish orqali oqib o‘tayotgan natijaviy (to‘g‘ri) tok (2.1) dan kelib chiqqan holda
. (2.2)
I0 toki germaniyli r-n o‘tishlarda o‘nlab mkA yoki kremniyli r-n o‘tishlarda nanoamperlarni tashkil etadi va temperatura ortishi bilan kuchli ravishda tok ham ortadi. Lekin I0 qiymatidagi katta farq ta’qiqlangan zona kengligi bilan aniqlanadi.
|
| |
Zaryad tashuvchilar harakatchanligi

|
Zaryad tashuvchilar harakatchanligi
|
bet | 10/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. AlimovaZaryad tashuvchilar harakatchanligi. Zaryad tashuvchilarning harakatchanligi - bu elektr maydon kuchlanganligi =1 V/sm bo‘lgandagi yarim o‘tkazgichdagi zaryad tashuvchilarning o‘rtacha yo‘naltirilgan tezligi. Elektronlar hrakatchanligi doim kovaklar harakatchaligi dan yuqori bo‘ladi. Bundan tashqari zaryadlar harakatchanligi yarim o‘tkazgich turiga ham bog‘liq bo‘ladi. Shunday qilib, kremniydagi elektronlar harakatchanligi =1500 sm2/(Vs), germaniyda = sm2/(Vs), galliy arsenidida = sm2/(Vs).
Agar yarim o‘tkazgichda elektr maydoni hosil qilinsa, u holda erkin zaryad tashuvchilar siljishi yuzaga keladi. Bunday siljish dreyf harakati deb ataladi. Dreyf tezligi elektr maydon kuchlanganligi ga proporsional bo‘ladi
(1.2)
Elektron va kovaklar dreyf tokining natijaviy zichligi
(1.3)
Diffuziya koeffitsienti. Yarim o‘tkazgichda elektr toki hosil bo‘lishiga faqat elektr maydoni emas, balki harakatchan zaryad tashuvchilar gradienti ham sabab bo‘ladi. Yarim o‘tkazgich hajmida teng taqsimlanmagan erkin zaryad tashuvchilar harakatining yo‘nalishi diffuziya harakati deb ataladi.
Elektron va kovak diffuziya toklarining zichligi quyidagiga teng
(1.4)
bu yerda q – elektron (kovak) zaryadi, Dn i Dp – mos ravishda elektron va kovak diffuziya koeffitsientlari, dn/dx i dp/dx – mos ravishda elektron va kovak konsentratsiya grandientlari.
Dreyf va diffuziya harakati parametrlari o‘zaro Eynshteyn nisbati bilan bog‘langan
(1.5)
(1.4) ifodadagi proporsionallik koeffitsientlari potensial o‘lcham birligiga teng (volt) va issiqlik potensiali deb ataladi. Xona temperaturasida (T=300 K) = 0,026 V = 26mV.
|
| |
R-n - X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

|
X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova
|
bet | 15/58 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 0,93 Mb. | | #239775 |
Bog'liq X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova2.5. R-n o‘tishning teshilish turlari
Yuqorida aytib o‘tilganidek, uncha katta bo‘lmagan teskari kuchlanishlarda I0 qiymati katta emas. Teskari kuchlanish ma’lum chegaraviy qiymatga UChEG yetganda, teskari tok keskin ortib ketadi, o‘tishning elektr teshilishi yuz beradi.
O‘tishning teshilish turlari ikki guruhga bo‘linadi: elektr va issiqlik. Elektr teshilishining ikki mexanizmi mavjud: ko‘chkisimon va tunnel teshilish.
Ko‘chkisimon teshilish nisbatan keng r-n o‘tishlarda sodir bo‘ladi. Bunday o‘tishda teskari kuchlanishda elektron va kovaklar zarba ionizatsiyasi uchun yetarli bo‘lgan energiya oladilar va natijada qo‘shimcha elektron-kovak juftlar hosil bo‘ladi. Bu juftliklarning har bir tashkil etuvchisi, o‘z navbatida, elektr maydonida tezlashib, yana yangi juftlikni yuzaga keltiradi va x.z. Zaryad tashuvchilarning bunday ko‘chkisimon ko‘payishi natijasida o‘tishdagi tok keskin ortadi.
Tor r-n o‘tishga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarda tunnel effektiga asoslangan tunnel teshilish sodir bo‘ladi. UTES UChEG yetganda zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchisiga energiya sarf qilmasdan o‘tishiga imkon yaratiladi (tunnel effekti). UChEGning yanada ortishi bilan shuncha ko‘p zaryad tashuvchilar tunnel o‘tishi sodir etadilar va teskari tok keskin ortib boradi.
R-n o‘tishda issiqlik teshilishi teskari tok o‘tish natijasida o‘tishning qizishi hisobiga sodir bo‘ladi. Teskari tok, issiqlik toki bo‘lib, u ortgan sari qizish ham ortadi. Bu holat tokning ko‘chkisimon ortishiga olib keladi, natijada r-n o‘tishda issiqlik teshilishi yuz beradi va u ishdan chiqadi.
Nazorat savollar
1. R-n o‘tish nima va u qanday aniqlanadi ?
2. R-n o‘tishga to‘g‘ri va teskari kuchlanish berilganda qanday hodisalar sodir
bo‘ladi ?
3. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning injeksiyasi va ekstraksiyasi nima?
4. O‘tishdagi kuchlanish o‘zgarganda injeksiya va ekstraksiya toklari qanday
o‘zgaradi ?
5. Nima sababli r-n o‘tish to‘siq sig‘imi deb ataladigan sig‘imga ega ?
6. Teskari kuchlanish orttirilsa r-n o‘tishdani to‘siq sig‘imi qanday o‘zgaradi?
7. R-n o‘tishning diffuziya sig‘imi nima ?
8. Real diod tuzilmasi idellashtirilgan r-n o‘tishdan nimasi bilan
farq qiladi ?
9. R-n o‘tish toki temperaturaga qanday bog‘liq ?
10. R-n o‘tishda qanday teshilish turlari mavjud va ulardagi farq nimada ?
|
| |
(5-ilova) 
“G’oyalar tog’i ”

(5-ilova)
“G’oyalar tog’i ” usulidan foydalanib mashg’ulotni mustahkamlaymiz, guruh 2 ga bo’linadi va
mavzu yuzasidan o’z fikrlarini stikerkarga yozib tog’ shaklida yopishtirishadi, qaysi guruhni fikrlari
to’g’ri va ko’p bo’lsa shu guruh rag’batlantiriladi
(6-ilova)
Taqdimot qoidasi
1.Chiqish reglamentiga rioya qilish;
2.Chiqish navbatiga rioya qilish;
3.Guruh a’zolari о‘rtasida vazifalarni aniq taqsimlash va ular xattiharakatida kelishuvga erishish;
4.Ma’lumotlar grafik kо‘rinishida (sxema, jadval, grafik) taqdim etilishi lozim bо‘ladi;
5.Har qanday grafik kо‘rinishidagi ma’lumot sharhlanishi talab etiladi.
Taqdimotda nimalarga yо‘l qо‘yilmaydi:
1. Holatni tasvirlash va uni qayta sо‘zlab berish.
2. Ishtirokchilarning sо‘zga chiqishlaridagi qarama-qarshiliklar.
3. Tushunarsiz, noaniq, о‘rinsiz iboralar ishlatilmaydi.
(7-ilova)
SAVOL VA TOPSHIRIQ:
1.Qurilish, konstruktsiyalash va matеmatika markazini tashkil etish haqida fikr bildiring
2.
“Aqliy rivojlanish” sohasi, “Mayda motorika”, “Qo’l barmoqlari mayda motorikasi” kichik
sohalarini ayting
3.Konstuksiya qaysi guruhlarda o
’rgatilinadi
?
KICHIK GURUHLARGA VAZIFALAR
2..O’RTA GURUHLAR UCHUN
QURISH-YASASH
KONSTRUKSIYALASH MARKAZINI
TASHKIL ETISH
3. KICHIK VA O’RTA GURUHLAR
UCHUN QURISH-YASASH
KONSTRUKSIYALASH MARKAZI
UCHUN KO’RGAZMALAR
TAYYORLASH
24
O`QUV AMALIYOT MASHG`ULOTINING O`QITISH TEXNOLOGIYASI
|
Fanning boshqa fanlar bilan bog’liqligi, uslubiy jihatdan uzviyligi va

12
Fanni o`qitishda foydalaniladigan zamonaviy axborot va pedagogik
texnologiyalar.
Fanni o`qitishda zamonaviy axborot texnologiyalarni qo`llashda fanni
o`zlashtirish uchun omil bo`ladigan zamonaviy axborot texnologiyalarning
ahamiyati va o`rni benihoyadir. O`quv jarayonini sifatli tashkil etish maqsadida
axborot texnologiyalaridan foydalanish o`quvchilarning kasbiy tayyorgarligini
oshirish va kasbiy ko`nikmalarini rivojlantirishda ham muhim omil bo`lib
hisoblanadi.
Interfaol metodlar ta`lim oluvchilarning faollashtiruvchi va mustaqil
fikrlashga undovchi, ta`lim jarayonining markazida ta`lim oluvchi bo`lgan
metodlar hisoblanadi. Bular:
“Aqliy hujum”, “Kichik guruhlar bilan ishlash”,“Baxs
munozara”, “Davra suhbati” , “Muammoli vaziyat” metodlaridir. Bu metodlar
qo`llanganda ta`lim beruvchi ta`lim oluvchini faol ishtirok etishga chorlaydi,
dars jarayonida ikki taraflama fikr-mulohazalarga sharoit yaratiladi.
Ta`lim metodlarini tanlashda har bir darsning didaktik vazifasidan kelib
chiqib yondoshish maqsadga muvofiqdir. Buning uchun dars oqilona tashkil
etilishi, pedagog tomonidan ta`lim oluvchilarning qiziqishi o`rganilib, ta`lim
jarayonida faolligi muttasil ta`minlanishi, o`quv materialini kichik-kichik
bo`laklarga bo`lib, ularning mazmunini ochib berishda har bir uslubdan o`z
o`rnida foydalanish, ta`lim oluvchilarni amaliy mashqlarni mustaqil bajarishga
undash talab etiladi.
Ana shunday faol ta`lim uslublaridan biri “Case study”
hisoblanadi. Yana fanni o`qitishda “Hamkorlikda o`qitish”, “Tarmoqlar”,
“Sinkveen”, “BBB”, “Romashka metodi”, “Baliq skeleti”, “O`rgimchak to`ri” kabi
texnologiyalardan ,shuningdek, audio-, video-, kompyuter texnikasidan
foydalaniladi.
Fanning maqsadi - Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr

10
Fanning vazifasi: Maktabgacha ta`lim yoshidagi bolalarga ta`lim berish
jarayonini takomillashtirish, bo`lajak tarbiyachining ilmiy va uslubiy
ta`minlanganligini, uning kasbiy tayyorgarligini oshirish;
O`quvchilarda mashg`ulotlarni loyihalashda bolalarni o`rganish jarayoniga
jalb qilish, muloqotga kirishish,bolalarga taklif qilinadigan savol va vazifalar
turlari va bolalarni baholash kabi ko`nikma va malakalarni takomillashtirish.
Bolaga yo`naltirilgan ta`limda ko`proq o`rganish ( o`rganuvchilarga) qaratilishi,
ta`lim tamoyilini tarbiyachiga yo`naltirilgan ta`limdan bolaga yo`naltirilgan
ta`limga o`zgartirish.Maktabgacha ta`lim muassasasi ishining mazmuni,
me`yoriy hujjatlarning yuritilishi, turli metodlarni qo`llab mashg`ulotlarni
samarali tashkil etish shu bilan birga nazorat va taxlil ish usullarini o`rgatishdan
iborat.
Fan bo’yicha o’quvchilarning bilimi, ko’nikma va malakalariga
qo’yiladigan talablar
Bilimlar:
Maktabgacha ta’lim tashkilotida mahg`ulotlarni loyihalashning
o’ziga xos xususiyatlari; “Maktabgacha yoshdagi bolalarning rivojlanishiga
qo`yilgan davlat talablari” asosida maktabgacha ta’lim muassasalarining turli
yosh guruhlarida ushbu fan bo’yicha loyihalar ustida ishlash va
mashg`ulotlarda olingan bilimlarni hayotiy tajribada qo`llash, bolaning bilimini
baholash, turli xil tadqiqotlar kommunikatsiyalar va yangi bilimlar uchun
texnologiyalar qo`llash usullarini o’rgatish. O’quv mashg’ulotlarini turli
shakllarda suhbat, amaliy ish, seminar, bahs-
munozara, ilg’or pedagogik,
innovatsion va axborot texnologiyalaridan foydalanib o’tkazish.
Ko’nikmalar: Quyidagi ko’nikma va malakalar rivojlantiriladi: bolalar bilan
ishlashni
loyihalash;
adabiyotlardan
foydalanish;
mujassamlashgan,
noan’anaviy va integratsiyalashgan mashg’ulot ishlanmalarini tuzish;
mashg`ulotlarni loyihalashda turli metodlardan foydalanish; mavzuga mos
ko’rgazmali qurollar tayyorlash; mashg’ulot davomida bolalarni qiziqtirish va
faollas
htirish, ijobiy munosabatlarga diqqatni qaratish; mashg’ulotni
yakunlashda bolalar ishini tahlil qilish va rag’batlantirish; bolajonlarga
mashg’ulotda va mashg’ulotdan tashqarida yakkama-yakka yondosha olish;
bolalarning mustaqil shug’ullanishga va topshiriqlarni oxirigacha sifatli bajarish,
turli muammolar yechimini hal qilish, o’z ustida ishlash, izlanish, mustaqil
mutolaa qilish, ijod qilish ko’nikma va malakalarini rivojlantirishdir.
Baholash - Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr

undaydigan, o’ylantiradigan muammolarni ular oldiga qo’yish, talabchanlik,
tinglovchilar
bilan individual ishlash, ijodkorlikka undash,
erkin muloqot
yuritishga, ijodiy fikrlashga o’rgatish, ilmiy izlanishga jalb qilish va boshqa
tadbirlar ta'lim ustuvorligini ta
’minlaydi.
Aytilganlardan kelib chiqqan holda « Maktabgacha ta’lim
tashkilotida
ta
’lim- tarbiyaviy jarayonlarni tashkil etish» fani bo’yicha ta'lim texnologiyasini
loyihalashtirishdagi asosiy kontseptual yondashuvlarni keltiramiz:
-70 - Mttda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni va rivojlanish cdr

53-70 3 Mavzuning mohiyatini to’g’ri tushungan holda
ta’limiy faoliyat ishlanmasi tuzish, markazlardagi
faoliyatni to’g’ri va aniq yoritish, konspekt daftarning
mavjudligi,
Nazorat baholashda 53balldan 70 ballgacha ball
to’play olsa
18
O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY VA O’RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI MAKTABGACHA TA’LIM VAZIRLIGI S IRDARYO VILOYATI MAKTABGACHA TA’LIM BOSHQARMASI SIRDARYO PEDAGOGIKA KOLLEJI ”MAXSUS FANLAR” KAFEDRASI “MTTda ta’lim-tarbiyaviy jarayonni rivojlanish markazlaridagi faoliyatlarni tashkil etish” O'quv amaliyotdan TA’LIM TEXNOLOGIYASI
Maxsus fanlar kafedrasi o’qituvchisi: Hilolaxon Avazxonova Sirdaryo – 2021
O`QUV AMALIYOT MASHG`ULOTINING O`QITISH TEXNOLOGIYASI 1-Mavzu: Turli yosh guruhlarda qurilish, konstruktsiyalash va matеmatika markazini tashkil etish 1.1. O
’quv amaliyoti mashg’ulotining o’qitish texnologiyasi modeli
Vaqt: 240 min Guruhlar
ballik (“5”, “4”, “3”, “2”)

Bolalarning rivojlanishiga qo’yiladigan davlat
talablari asosida faoliyat ishlanmasini tashkil etsa“Ilk
qadam” davlat o’quv dasturi asosida to’g’ri ishlay olsa
Joriy nazoratdagi barcha topshiriqlarni bajarsa va
oraliq, yakuniy baholashdagi nazorat ishlariga to’g’ri,
javob yozsa
Nazorat baholashda 71balldan 85 ballgacha ball
to’play olsa
Qaytar aloqaning usul va vositalari

O‘QUV FAN BO‘YICHA O‘QUVCHILAR
O‘ZLASHTIRISHLARINING BAHOLASH MEZONLARI
Baholash mezoni o`quvchilarning bilim saviyasi va o`zlashtirish darajasining
davlat ta’lim standartlariga muvofiqligini ta’minlash uchun quyidagi nazorat
tartibotlarini o`tkazish nazarda tutiladi:
Joriy nazorat – so`rovlar, yozma ishlar va testlar tarzida bilimlar, malaka
ko`nikmalar tekshiriladi;
Oraliq nazorat – semestr tamom bo`lganda va o`quv dasturining tegishli
bo`limi tugallangandan keyin amalga oshiriladi. Uning asosida o`quvchi reytingi
aniqlanadi. Bilimlar, malaka va ko`nikmalarni baholash uchun oraliq nazorat
imtixonlar, testlar, sinovlar, kurs va malaka ishlari shaklida o`tkaziladi;
Yakuniy nazorat –fan tugallanishida yakuniy nazorat test usulida o`tkaziladi.
Boshqa hollarda yakuniy nazoratning o`tkazilish tartibi, shakli ta’lim muassasasining
ilmiy-pedagogik kengashi tomonidan belgilanadi.
Har bir kursda o`qish tugagandan keyin reyting nazorati natijalariga ko`ra
o`quvchilarni keyingi kursga o`tkazish to`g`risida belgilangan tartibda qaror qabul
qilinadi.
Reyting tizimini joriy qilishda quyidagi asosiy tamoyillarning bajarilishi
zarur:
a) Har bir fan bo`yicha tegishli kafedralar tomonidan ma’qullangan variantlar
asosida boshlang`ich nazorat o`tkaziladi. Boshlang`ich nazorat reyting monitoring va
tahlil guruhi tomonidan o`tkaziladi;
b) O`quv dasturining mantiqan tugallangan bo`limi bo`yicha o`quvchi albatta
baholanadi va natijasi o`tish balidan (3 ball) past bo`lganda qayta nazorat belgilanadi.
Ushbu bo`limlarni tegishli kafedralar aniqlaydi;
c) Yakuniy nazorat kafedralar tomonidan tuzilgan variantlar asosida reyting
monitoringi va taxlili guruhi kuzatuvi ostida o`tkaziladi.
Semestr mobaynida o`quv yuklamasi 24 soatdan kam bo`lgan fanlardan oraliq
nazorat o`tkazilmaydi.
O`quvchilarning bilim saviyasini baholash va yakuniy reyting ko`rsatkichlarini
aniqlash:
O`quvchilarining bilim saviyasi, ko`nikma va malakalarini nazorat qilishning
reyting tizimi asosida o`quvchining har bir fan (predmet) bo`yicha o`zlashtirish
darajasini ballar orqali ifodalanadi.
Har bir nazorat (so`rov) turi turi qanday shaklda o`tkazilishidan qat`i nazar
5