O’zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalar universiteti

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALAR UNIVERSITETI
Elektronika va Sxemalar 1 fanidan Mustaqil ish
Bajardi: Yunusov I
Toshkent – 2024
MAVZU: Integral diodlar va ularni tayyorlash
REJA:
Kirish
1. Integral Mikrosxemalar va diodlar tarixi
2.Integral diodlarni tayyorlash texnalogiyalari
3. Integral Mikrosxemalarni va diodlarni tayyorlash jarayoni.
4.Xulosa
5.Foydalanilgan adabiyotlar ro’yxati
Integral (ingl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip or chip) (mikro)sxema (IC, IMC, m/sx) chip, mikpochip-mikroelektron qurilmasi, murakkab elektron sxema, tayyorlanishi yarimo‘tkazgichli kristall (yoki plyonkali). Integral mikrosxemalar turli ko‘rinishda va turli xillarda ishlab chiqariladi. Ular ikki usul bilan bosma plataga kavsharlanadi.
Birinchi usuli an’anaviy usul bo‘lib, bosma plataning tuynukchalariga mikrosxemaning oyoqchalarini o‘rnatib bosma platani ikkinchi tomonidan kavsharlanadi.
Ikkinchi usul bosma platadagi yo‘lchalar ustiga qo‘yib kavsharlanadi. Bu usulni sirtqi montaj deyiladi, sirtqi montaj uchun radioelementlarni 2009-yildan ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yilgan. Hozirgi kunda asosan sirtqi montaj uchun radioelementlar ishlab chiqarilmoqda.
Mikrosxemaning kashf qilinishi yupqa oksidli plyonkaning xossasi va xususiyatini o‘rganish va unga elektr kuchlanish uzatib elektr o‘tkazuvchanligini tekshirishdan boshlangan. Muammo shundan iborat ediki, ikki metall bir-biriga tegib turishida elektr kontaktni hosil qilmagan yoki qutblar xossasi to‘g‘ri kelmagan, uzoq muddat o‘rganishlar natijasida diod va tranzistorlar kashf qilingan. 1958-yil boshqa-boshqa joyda yashovchi olimlar bir vaqtda: biri Jek Kolbi «Texas Instruments», ikkinchisi Robert Noys yarimo‘tkazgichli «Fairchild Semi conductor» korxonasi olimi mikrosxema kashf qilgan. Bu ikki olim mikrosxema yaratishda rezistor, kondensator va boshqa komponentlarni mikrosxema ichiga joylashtirish masalasi to‘g‘risida gaplashib, o‘zaro fikr almashib olishgan. Oldingi vaqtda mikrosxemaning normal ishlashi uchun rezistor, kondensatorlar alohida bosma plataga joylashtirilgan edi, olimlar yarimo‘tkazgichli bitta monolit kristalldan foydalanishni sinab ko‘rishni kelishib olishdi, lekin Kolbi germaniy, Noys kremniyni tanlagan. Bu kashfiyotlari uchun 1959-yil ikkala olim alohida patent olishga erishgan. 1961-yil «Fairchild Semiconductor Corporation» korxonasi mikrosxemalarni sotuvga chiqardi. Bu esa, o‘z navbatida, kalkulator va kompyuter ishlab chiqarilishiga odim qadam tashlandi, kompyuter o‘lchamlari birmunchaga qisqardi, ishlab chiqarish birmuncha ortdi.
IMSlarni tayyorlash texnologiyalari.
ko‘p sonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlashtirishni (konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o‘zgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya); yagona texnologik siklda, bir vaqtning o‘zida sxemaning elektroradio elementlari (ERE) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya) ni aks ettiradi. IMS yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan ERElar majmuasidir.
IMS elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron as
bob sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni kuchaytirishi mumkin. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qo‘lda yig‘ish zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avvalam bor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir-biri bilan metallash yo‘li ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham, payvand ham qilinmaydi. Buning natijasida yig‘ish, montaj qilish ishlarining si-fatini oshirish masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi.
Hozirgi kunlarda tayyorlash usuli va bunda hosil bo‘ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMSlarni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarimo‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.
|