Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar - Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular...

3.2. Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar
Kuchaytirgich parametrlarining yaxshi barqarorligini ta’minlab beruvchi manfiy teskari aloqa kuchaytirish koeffitsientini keskin kamaytiradi. Katta KU qiymatini olish uchun keng polosali ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar qo‘llaniladi. 5.5–rasmda ketma-ket, parallel teskari aloqali uch bosqichli kuchaytirgich prinsipial sxemasi keltirilgan. Birinchi UE bosqich VT1 tranzistorda bajarilgan, unda tok bo‘yicha mahalliy ketma –ket MTA mavjud bo‘lib, u RE1 da bajarilgan. Ikkinchi bosqich VT2 tranzistorda bajarilgan. Uchinchi bosqich VT3 tranzistorda bajarilgan bo‘lib, RE3 rezistormahalliy MTAni amalga oshiradi.
5.5 – rasm.
Mahalliy MTAdan tashqari kuchaytirgichda umumiy teskari aloqa qo‘llanilgan. U kuchaytirgich bosqich chiqishini VT1 tranzistor emitteri bilan bog‘lovchi RTA rezistor zanjirida bajarilgan. Mahalliy (bosqichlar ichidagi) teskari aloqalarga nisbatan butun kuchaytirigichni qamrab oladigan teskari aloqa, yanada yuqori barqarorlikni hamda alohida bosqichlarni kuchaytirish koeffitsienti og‘ishiga sezgirlikni kamayishini ta’minlaydi. 6.6–sxema integral kuchaytirgich yasashda asos hisoblanadi.
Lekin teskari aloqali asosiy uch bosqichli kuchaytirgichdan tashqari, integral kuchaytirgich sxemasi kichik chiqish qarshiligini ta’minlash uchun va kuchaytirigichda qo‘shimcha keng polosalik, chidamlilik, temperaturaviy barqarorlik va o‘zidan oldingi chiqish bosqichi kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqich kirish kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisi bilan muvofiqlashni ta’minlash uchun chiqish bosqichi sifatida emitter qaytargichga ega bo‘ladi. Gap shundaki, turli katta sig‘imlarga ega bo‘lgan kondensatorlarning mavjud emasligi tufayli barcha bosqichlar o‘zgarmas tok bo‘yicha o‘zaro bog‘langan.
Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlari
(quvvat kuchaytirgichlari)
CHiqish bosqichlarining vazifasi – signalning berilgan (etarlicha katta) quvvatini buzilishlarsiz past Omli yuklamaga uzatishni ta’minlash. Odatda ko‘p bosqichli kuchaytirgichlarda ular chiqish bosqichlari hisoblanadilar. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti chiqish bosqichlari uchun ikkinchi darajali parametr hisoblanadi. SHu sababli asosiy parametrlar bo‘lib quyidagilar hisoblanadi: foydali ish koeffitsienti va nochiziqli buzilishlar koeffitsienti KG.
Foydali ish koeffitsienti chiqish signali quvvatini manbadan tortib olinayotgan quvvatga nisbatiga teng:
, (6.8)
bu yerda Ichiq.m, Uchiq.m – chiqish kattaliklar amplitudasi, EM – kuchlanish manbai, IO‘RT – o‘rtacha tok.
Nochiziqli buzilishlar koeffitsienti chiqish signali shaklining kirish signali shaklidan farqini ifodalaydi. Bu farq bosqichning uzatish xarakteristikasining nochiziqligi sababli yuzaga keladi. Kuchaytirgich bosqichi uzatish xarakteristikalari chiqish kattaligini (ICHIQ yoki UCHIQ) kirish kattaligiga (IKIRyoki UKIR) bog‘liqligini ifodalaydi..
va KGkattaliklari ko‘p hollarda tranzistorning sokinlik rejimi– kuchaytirish sinfi bilan aniqlanadi. SHu sababli quvvat kuchaytirigichlarida qo‘llaniladigan kuchaytirgich sinflarini ko‘rib chiqamiz.
Uzatish xarakteristikasidagi ishchi nuqta (sokinlik nuqtasi) holatiga ko‘ra A, V, AV va boshqa kuchaytirish sinflari mavjud.
A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi kvazichiziq soha o‘rtasida joylashadi (5.6 - rasm).
a) b)
5.6 - rasm
Kirish signalining ikkala yarim davri uzatish xarakteristikasining kvazichiziq sohasida joylashganligi sababli nochiziqli buzilishlar eng kichik (KG 1%) bo‘ladi. Rasmdan ko‘rinib turibdiki, agar ; bo‘lsa, u holda (6.8)ni o‘rniga qo‘yib, quyidagini olamiz
, (ya’ni 25 %).
V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk holatiga mos keluvchi kvazichiziq soha chegarasida joylashadi. Tranzistor faqat musbat yarim davr mobaynida ochiq holatda bo‘ladi (5.6 – rasm).
V rejimda KG70 % atrofida bo‘ladi. (7.1) ifodaga EM va larni qo‘yib, quyidagini hosil qilamiz:
(ya’ni 78 %).
V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirish maqsadida musbat yarim davrni, ikkinchisi – manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo‘llaniladi.
a) b)
5.7 – rasm.
AV sinfi A va V sinflari oralig‘idagi holatni egallaydi va ikki taktli qurilmalarda qo‘llaniladi. Bu erda sokinlik rejimida bir tranzistor berk bo‘lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo‘ladi, lekin bu holat asosiy ishchi yarim davrni kichik inersiyaga ega bo‘lgan VAX sohasiga olib chiqishga imkon yaratadi. koeffitsient A sinfiga nisbatan yuqori, KG 3 % bo‘ladi.
|