Mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar reja

Mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar
MDYA TRANZISTORIDA YASALGAN MANTIQIY ELEMENTLAR
Reja: MDYA – tranzistorida yasalgan invertor sxemasi
MDYA – tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa KIS va O‘KIS integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar keng qo‘llanilmoqda.
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo iste’mol quvvati va o‘lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik va o‘rta integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar yaratishdagina qo‘llaniladi.
1962 yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolyasiyalovchi cho‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. SHuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo‘lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik o‘lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo‘ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi –tezkorlikning kichikligidir. YAna bir kamchiligi – katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega bo‘lgan va kichik tok istemol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo‘llaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori ntegratsiya darajasiga erishilgan bo‘lib, bir kristalda yuz minglab va undan ko‘p komponentlar joylashishi mumkin.
MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA – tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
Mantiqiy IMSlar tuzishda n – yoki r – kanali induksiyalangan MDYA – tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n – kanalli tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo‘lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n – MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxemalar bilan to‘liq muvofiqlikka ega.
Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS ME sxemalari 13.1 – rasmda keltirilgan.
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bo‘ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
2HAM-EMAS sxemada (13.1, a – rasm) pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket, 2YOKI-EMAS sxemada esa (13.1, b – rasm) – parallel ulanadi.
2HAM-EMAS ME ishini ko‘rib chiqamiz. Agar qayta ulanuvchi tranzistorlar birining kirishidagi potensial bo‘sag‘aviy potensial U0 dan kichik bo‘lsa, ya’ni UKIR < U0 (mantiqiy 0) bo‘lsa, u holda bu tranzistor berk bo‘ladi. Bu vaqtda yuklamadagi VT0 tranzistor stok toki ham nolga teng bo‘ladi. SHu sababli, sxemaning chiqishida manba kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo‘lgan, ya’ni mantiqiy birga mos kuchlanish o‘rnatiladi.
Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U1KIR U0) musbat potensial berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U0CHIQ U0) o‘rnatiladi.
2YOKI –EMAS elementda (13.1, b – rasm) biror kirishga yuqori sath kuchlanishi (U1KIR U0) berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2 tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U0CHIQ U0) o‘rnatiladi.
Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk bo‘ladi. CHiqishda esa yuqori sath kuchlanishi – mantiqiy 1 o‘rnatiladi.
a) b)
13.1 – rasm. n – MDYA tranzistorli mantiq elementlar sxemalari.
U0CHIQ U0 bo‘lishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YUT) kanali kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YUT nikidan kichik bo‘lishi kerak. Invertor statik rejimi va o‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki, tezkorlik va iste’mol quvvati nuqtai nazaridan EM = (2÷3)U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi. Demak, U0 = 1,5 ÷ 3 V bo‘lganda EM = 4,5 ÷ 9 V bo‘ladi.
MDYATM elementlarda real U0CHIQ qiymati U0 = UQOL ≈ 0,2 ÷ 0,3 V dan katta emas, U1CHIQ qiymati esa U1CHIQ ≈ EM.
Mos ravishda mantiqiy o‘tish
.
MDYATM elementning yana bir afzalligi – xalaqitbardoshligi yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi (1÷2)U*, ya’ni 0,7÷1,4 V bo‘lganda, MDYATM da U0XAL = U0 - U0 ≈ 1,5 ÷ 3 V bo‘ladi.
HAM-EMAS elementida kirishlar soni ortgan sari xalaqitbardoshlik kamayadi, chunki bir vaqtda barcha tranzistorlarning qoldiq kuchlanishlari UQOL ortadi. SHu sababli HAM-EMAS elementlarda kirishlar soni 4 tadan ortmaydi, YOKI-EMAS elementlarda esa 10-12 tagacha etadi. Amalda YOKI-EMAS elementlar ko‘p qo‘llaniladi, HAM-EMAS elementlar esa faqat IS seriyalarining funksional to‘liqligi uchun ishlatiladi. MDYA sxemalarning yuklama qobiliyati katta, chunki kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilmaydi. Demak, ish jarayonida zanjirdagi barcha MElar bir – biriga bog‘liq bo‘lmagan holda ishlaydilar, U0 va U1 sathi esa yuklamaga bog‘liq bo‘lmaydi.
MDYA – tuzilma elementlari tezkorligi esa kirish va chiqish zanjirlarini shuntlovchi sig‘imlarning qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish yo‘lidagi barcha urinishlar boshqa kamchiliklarni yuzaga keltirdi. Masalan, tezkorlikni ortishi yuklamadagi sig‘imlarni qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga olib keladi. Lekin, bu usul iste’mol quvvatini va chiqishdagi mantiqiy sathlar nobarqarorligini ortishiga olib keladi. Ko‘rsatilgan qarama – qarshiliklar turli o‘tkazuvchanlikka ega (komplementar) tranzistorli kalitlar yordamida, sxemotexnik usulda bartaraf etilishi mumkin.
|