- rasm. Aktiv rejim uchun kuchlanish manbalari qutblari va

|
- rasm. Aktiv rejim uchun kuchlanish manbalari qutblari va
|
bet | 9/43 | Sana | 16.01.2024 | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISH8 - rasm. Aktiv rejim uchun kuchlanish manbalari qutblari va
elektrodlar toklari yo‘nalishlari.
EO‘ to‘g‘ri siljitilganda (UEB ta’minot manbasi hisobiga amalga oshiriladi) uning potensial barьeri pasayadi va elektronlar emitterdan bazaga injeksiyalanadi. Elektronlarning emitterdan bazaga hamda kovaklarning bazadan emitterga injeksiyalanishi hisobiga emitter toki IE hosil bo‘ladi:
, (1.6)
bu yerda IEn, IEr– mos ravishda elektronlar va kovaklar injeksiya toklari.
Emitter tokining IEr tashkil etuvchisi kollektor orqali oqmaydi va shuning uchun foydasiz tok hisoblanadi. IEr qiymatini kamaytirish uchun bazadagi akseptor kiritmalar konsentratsiyasi qiymati emitterdagi donor kiritmalar konsentratsiyasiga nisbatan ikki tartib kichik qilib olinadi.
Emitter tokida elektronlarning injeksiya toki IEn ulushini injeksiya koeffitsienti deb ataluvchi kattalik ifodalaydi. U emitter ishlash samaradorligini belgilab, emitter tokidagi foydali tok ulushini ko‘rsatadi
. (1.7)
Odatda =0,990-0,995 ni tashkil etadi. Bazaga injeksiyalangan elektronlar, bazada kollektor tomonga diffuziyalanib ko‘gacha yetib boradi. So‘ngra kollektorga ekstraksiyalanadi (ko‘ning elektr maydoni ta’sirida kollektorga tortib olinadi) va kollektor toki IKn ni hosil qiladi.
Kollektorga o‘tish davomida injeksiyalangan elektronlarning bir qismi baza sohadagi kovaklar bilan uchrashib rekombinatsiyalanadi va ularning konsentratsiyasi kamayadi. Yetishmovchi kovaklar tashqi zanjir orqali kirib (elektr neytrallik sharti bajarilishi uchun), baza tokining rekombinatsion takshil etuvchisi IBREK ni hosil qiladi. IBREK qiymati katta bo‘lgani uchun uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bunga baza kengligini kamaytirish bilan erishiladi.
Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokining baza sohasida rekombinatsiya hisobiga kamayishi elektronlarni tashish koeffitsienti deb ataluvchi kattalik bilan ifodalanadi
. (1.8).
Real tranzistorlarda =0,980 ÷ 0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning KO‘ teskari yo‘nalishda siljitilgan (UKB bilan amalga oshiriladi)ligi sababli, kollektor zanjirida xususiy tok IK0 oqadi. U ikki xil noasosiy zaryad tashuvchilarning dreyf toklaridan tashkil topgan. Natijada p-n o‘tishning teskari toki amalda teskari kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaydi va xona temperaturasida kremniyli o‘tishlarda IK0=10-15 A ni tashkil etadi. SHunday qilib, emitter toki boshqaruvchi, kollektor toki esa boshqariluvchidir. SHuning uchun BT tok bilan boshqariluvchi asbob deyiladi.
1.3 Maydonli tranzistorlar
Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta’sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo‘tkazgich asbob maydoniy tranzistor (MT) deyiladi. MTlarda tok hosil bo‘lishida faqat bir turli asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda, BTlardagi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to‘planish jarayonlari mavjud emas.
Maydon tranzistorlari ko’pincha unipolyar tranzistorlar deb ataladi. Maydon tranzistorlarida elektr toki bir xil tok tashuvchilar hisobiga hosil bo’ladi. Ularda chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqariladi. Maydon tranzistorining ishlash tamoyili bipolyar tranzistorlardan farqli o’laroq, elektrovakuumli lampa – triodning ishlashiga o’xshash bo’ladi.
|
| |