Yo‘naltirilgan kristallanish usuli bilan o‘stirishning asosiy afzalliklari

|
Yo‘naltirilgan kristallanish usuli bilan o‘stirishning asosiy afzalliklari
|
bet | 7/11 | Sana | 30.01.2024 | Hajmi | 1,13 Mb. | | #148481 |
Bog'liq Navoiy davlat konchilik va texnologiyalar universiteti fakultetiYo‘naltirilgan kristallanish usuli bilan o‘stirishning asosiy afzalliklari
1. Bu usul bilan o‘stirish nisbatan past haroratlarda olib boriladi. 2. Bug‘ bosimi katta bo‘lgan birikmalarni 1.punktni hisobga olgan holda o‘stirish mumkinligi. 3. YUqoridagi usullarga nisbatan o‘stirish qurilmalarining konstruksiyasi nisbatan soddalashadi.
Rasm 2.3. AV birikma asosidagi kristallni eritmadan yo‘naltirilgan pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli monokristallarni kristallanish usuli bilan o‘stirish.
Suyuq fazali epitaksiya usuli. Bu usul yuqoridagi usuldan prinsipial farq qilmaydi. Bu usul bilan asosan ko‘p fazali yarim o‘tkazgichli pe’zoelektrik monokristall plenkalari olinadi. Usulni qo‘llashning dastlabki qurilmalaridan biri 2.4-rasmda ko‘rsatilgan.
Rasm 2.4. Eritmalardan epitaksial qatlamlar o‘stirish qurilmasi.
Bu usul bilan silikat germaniy, silikat kremniy va boshqa A3 V4 birikmalar va ularning qattiq eritmalari asosidagi nurlanuvchi boshqa pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli monokristallar olingan.
Pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli monokristallar o‘stirish jarayonida kirishmalarning taqsimlanishi
Pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli monokristallarni o‘stirish jarayonida erituvchi moddani tanlash muhim ahamiyatga ega. Erituvchi modda sifatida pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli materialning o‘zi ishlatilsa, u holda kerakli material olish uchun: asosiy materialni uni ifloslantiruvchi kirishmalardan tozalash va pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli monokristall o‘stirish jarayonida kristall panjaraga ma’lum konsentratsiyaga ega bo‘lgan bir yoki ikkita kirishmani kiritish kerak bo‘ladi (Si) yoki (Ge).
Agar pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli material olishda erituvchi sifatida boshqa material olinsa, avval uni shu materialda eritib keyin kristallizatsiya jarayoni o‘tkaziladi. Bu holda bor bo‘lgan har xil kirishmalar eritmada va o‘sayotgan kristallda qayta taqsimlanadi.
Qattiq jismda har qanday kirishmaning eruvchanligi, qattiq jismning tarkibi va uning qaysi fazalar, qattiq jism, suyuqlik, gaz holati bilan muvozanatda bo‘lishi va umuman sistema ozod energiyasining minimal holi bilan aniqlanadi. Ozod energiya sistema holatiga bog‘liq bo‘lgani uchun harorat o‘zgarishi muvozanatni buzadi va mavjud fazalar tarkibi ham o‘zgaradi.
Agar erituvchi moddaning o‘zi bo‘lsa, bu holda o‘stirish jarayoni bir o‘zgarmas haroratda boradi va qattiq jism tarkibi kirishmalar konsentratsiyasiga va tabiatiga bog‘lik bo‘ladi. Erituvchi boshqa moddadan bo‘lsa, u holda asosiy moddaning kristallizatsiya jarayoni har xil haroratda bo‘lgani uchun uning tarkibi haroratga bog‘lik bo‘ladi va unga mutanosib o‘zgaradi. Kirishmalarning taqsimlanish jarayoni pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichlarning kristallanish jarayonida aniqlovchi xususiyatlardan bo‘lib, ideal eritmalar nazariyasiga asosan SHredenger tenglamasi bilan aniqlanadi.
K q ℓn (Nak/Nac) q∆MAR(1/T – 1/Toa) (1)
bu erda: Nak va Nac – kirishmalarning qattiq va suyuq holatdagi konsentratsiyalari, keyinchalik ular Ckr. va Cc. bilan belgilangan. ∆MA – sof kirishmaning yashirin erish issiqligi, Toa – sof kirishmaning erish harorati, T – eritmaning erish harorati.
Kirishmaning taqsimlanish koeffitsienti K deb, o‘stirilgan kristalldagi kirishmalar konsentratsiyasining eritmadagi kirishmalarning o‘rtacha olingan konsentrapsiyasi nisbatiga aytiladi.
K q Ckr/Cc. (2)
Kirishmaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli pe’zoelektrik eritmaning kristallanish jarayoni. Bu jarayon uch xil bo‘ladi:
1 hol. Agar o‘sayotgan kristall va suyuqlik (eritma) tarkibi bir xil bo‘lsa, taqsimlanish koeffitsienti K q 1 va o‘sayotgan kristallda tarkib bir xil bo‘ladi.
2-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini oshirsa (MY: silikat vismut kristalliga kremniy yoki germaniy qo‘shilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K>1 va Ckr.>Cc. Bu hol uchun o‘sayotgan kristall tarkibi o‘sish jarayonida kirishma bilan boyib boradi.
Rasm 2.5 . Kirishmalarning taqsimlanish koeffitsientini aniqlashga doir.
3-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini kamaytirsa (M: silikat vismut kristaliga kremniy (Si) yoki germaniy (Ge) qo‘shilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K<1 va Ckr.c.. O‘sish jarayonida kristallda kirishma miqdori kamayib boradi.
Odatda kristall o‘stirish uchun erituvchi tanlanadi. Erituvchini tanlashning 2-holi mavjud.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kirmagan moddani ishlatish. Bu modda kristallga nisbatan kirishma ham bo‘lishi mumkin MU: Sn-Si, Pb-Si, Bi- Ge, Sn-Ge, In-Ge va hokazo.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kiruvchi moddani ishlatish. Bu hol birikmali kristallarga xos. MU: Bi2O3 - GeO2, Bi2O3 - Bi2SiO3 (Bi12GeO20 va Bi12SiO20) hokazo. Bu hol uchun o‘sayotgan kristall tozaligi tanlab olingan komponentlar tozaligiga bog‘lik.
Eritmadan o‘stirish afzalliklarga ega bo‘lib, u o‘stirish jarayonining nisbatan pastroq haroratda bo‘lishi bilan bog‘lik. Jumladan: a) Tker. bo‘lgani uchun birikmali materiallar o‘stirilganda birikma komponentlarining parsial bosimi kamroq bo‘ladi MU: Bi2O3 - GeO2, Bi2O3 - Bi2SiO3. Kristall o‘stiralayotgan asbob-anjomlarga nisbatan (MU: o‘stirish konteynerlariga nisbatan) qo‘yiladigan shartlar birmuncha yumshaydi.
Zamonaviy elektronika elementlari plenkalarini eritmalardan o‘stirish usullari
Zamonaviy elektronika elementlarini plenkalarini eritmadan o‘stirishning ayrim usullarini qisqacha ko‘rib o‘tamiz.
1)To‘yintirilgan eritmadan yo‘naltirilgan kristallizatsiya usuli. Birikmali yarim o‘tkazgichlar o‘stirish usullaridan biri bo‘lib hisoblanadi. AV birikmali yarim o‘tkazgichli materialni o‘stirish uchun uch sohali pechdan foydalaniladi. Kvarsdan yasalgan (oldindan havosi so‘rilgan) ampulaga uchmaydigan A komponent va tozalangan uchadigan V komponenta kiritilgan. Havosi so‘rilgandan so‘ng, ampula berkitilib uch sohali pechga kiritiladi. Pechning harorati T1 dan eritmada V komponentaning ma’lum bug‘ bosimini hosil qilishi uchun T2 gacha ko‘tariladi. Uchinchi pechning harorati T3 bo‘lib, u ikkinchi pech bilan T2-T3 gradient hosil qiladi. Konteynerni ma’lum tezlikda mexanik siljitish natijasida T2-T3 gradient ta’sirida yo‘naltirilgan kristallanish jarayoni hosil qilinadi.
2) Gradientli sohali o‘stirish usuli. Bu usul asosan avval sintez qilingan epitaksial qatlamlar olish uchun ishlatiladi. O‘stirish qurilmasi konstruktiv birlashtirilgan ikki qismdan iborat bo‘ladi. O‘stirish uchun taglik vazifasini bajaradigan yarim o‘tkazgich joylashgan sohada bir jinsli harorat olish vazifasini bajaruvchi birinchi pech va yuqorida joylashgan ikkinchi pech vazifasini bajaruvchi isitish lampasi (nur qaytargichi bilan birga)dan iborat. Ikkinchi pechni yoqish natijasida yarim o‘tkazgichli taglik ustida yuqoriroq harorat hosil bo‘ladi, ya’ni avvaliga T1 bo‘lgan bo‘lsa, taglik yuzasida T2 hosil qilinadi va ayirma T2-T1 ga teng bo‘ladi va birinchi usulga oid jarayonlar hosil bo‘ladi.
Rasm 2.6. Pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli epitaksal plenkalarni binar birikmalarni noizotermik epitaksiya usuli bilan ko‘p qatlamli qilib o‘stirish usuli.
Noizotermik epitaksiya usuli. Usulning asosiy g‘oyasi ma’lum bir haroratda pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichning kristaliga kontaktlar o‘rnatish maqsadida ma’lum erituvchi yordamida eritmasi tayyorlanib olinadi va u tuyintirish holiga olib kelinadi. So‘ngra o‘stirish uchun olingan taglik bilan eritma kontaktga keltiriladi va asta-sekinlik bilan ma’lum tezlikda sovitiladi (2.6-Rasm)
Natijada eritmadagi pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli material qatlami taglik ustiga uni tuzilmasini takrorlab o‘sadi. Etarli qalinlikka ega qatlam olingandan so‘ng eritma taglik ustidan olib tashlanadi va o‘sish to‘xtatiladi. So‘ngra qurilma uy haroratiga qadar sovitiladi. Bu usul bilan oddiy (Si,Ge) dan boshlab (Bi12GeO20 va Bi12SiO20) birikmali materiallarni olish mumkin.
1>
|
| |