nyuuzyou/kompy huggingface dataset:
Markazlashtirilmagan usulning ma'nosi nima?

|
Markazlashtirilmagan usulning ma'nosi nima?
|
bet | 12/14 | Sana | 25.01.2024 | Hajmi | 198,29 Kb. | | #145547 |
Bog'liq 1 - Lab. Texnik tizimlarda murakkab hujjatlar yaratish va qayta ishlash texnologiyasiMarkazlashtirilmagan usulning ma'nosi nima?
Shaxsiy kompyuter paydo bo'lgan paytda markazlashmagan usul paydo bo'ldi. Bu ma'lum bir ish joyini avtomatlashtirish imkoniyatini beradi. Bugungi kunga qadar bunday ma'lumotlarni qayta ishlash uchun 3 turdagi texnologiyalar mavjud. Birinchisi asoslanadi shaxsiy kompyuterlar, ichiga birlashtirilmagan mahalliy tarmoq. Ushbu axborotni qayta ishlash texnologiyasi ma'lumotlarni saqlashni o'z ichiga oladi alohida fayllar. Ko'rsatkichlarni olish uchun siz kompyuteringizdagi fayllarni qayta yozishingiz kerak. Salbiy jihatlarga vazifalarning o'zaro bog'liqligi yo'qligi kiradi. Katta hajmdagi ma'lumotlarni qayta ishlash mumkin emas. Buning ustiga bu ishlov berish ma'lumotlar xakerlik hujumidan kamroq himoyalangan.
Ikkinchi texnologiya esa mahalliy tarmoqqa ulangan kompyuterlarga asoslanadi, bu esa shakllanishiga olib keladi yagona fayllar ma'lumotlar. Biroq, bunday vaziyatda katta ma'lumot oqimi bilan kurashish mumkin bo'lmaydi. Uchinchi texnologiya mahalliy tarmoqqa ulangan kompyuterlarga asoslangan bo'lib, u serverlarni ham o'z ichiga oladi.
Katta hajmdagi ma'lumotlar bilan ishlash
Taqsimlangan axborotni qayta ishlash funksiyalarning bir tarmoqqa ulangan turli kompyuterlar o‘rtasida taqsimlanishiga asoslanadi. Bu ikki yo'l bilan amalga oshirilishi mumkin:
Tarmoqning har bir alohida tuguniga kompyuterni o'rnatish kerak. Bunday holatda qayta ishlash bir yoki bir nechta kompyuterlar yordamida amalga oshiriladi. Bularning barchasi tizimning haqiqiy imkoniyatlariga, shuningdek, ehtiyojlarga bog'liq.
Turli jarayonlarning aksariyatini bitta tizimga joylashtirish kerak. Xuddi shunday yo'l filiallar yoki filiallar mavjudligida bank ma'lumotlarini qayta ishlashda qo'llaniladi.
Taqsimlangan ma'lumotlarni qayta ishlash sizga ma'lum vaqt oralig'ida istalgan hajmdagi ma'lumotlarni ishlatish imkonini beradi. Ishonchlilikning ancha yuqori darajasi mavjud. Axborot uzatish vaqtini va narxini sezilarli darajada kamaytiradi. Tizimlarning moslashuvchanligini oshiradi va dasturiy vositalar yordamida ishlab chiqishni soddalashtiradi. Tarqalgan usul maxsus jarayonlarga asoslangan. Boshqacha qilib aytganda, har bir kompyuter o'z muammosini hal qilish uchun yaratilgan.
|
| |
#4 SERTIFIKATLI BULUT XAVFSIZLIGI PROFESSIONAL (CCSP)

|
#4 SERTIFIKATLI BULUT XAVFSIZLIGI PROFESSIONAL (CCSP)
|
bet | 3/6 | Sana | 17.05.2024 | Hajmi | 107,91 Kb. | | #239136 |
Bog'liq Axborot xavfsizligi sohasida ish boshlash#4 SERTIFIKATLI BULUT XAVFSIZLIGI PROFESSIONAL (CCSP)
ISC2 sertifikati bo'lgan CCSP sertifikati bulutdagi ma'lumotlar va ilovalarni boshqarish va himoya qilish qobiliyatini tasdiqlaydi. Bu xavfsizlik ma'murlari, tizim arxitektorlari va boshqa IT mutaxassislariga qaratilgan.
Yaqinda ISCN 90,000 dan ortiq kiberxavfsizlik bo'yicha mutaxassislar o'rtasida o'tkazilgan tadqiqotda, CCSP eng mashhur malakalardan biri edi.
SHUNINGDEK QARANG: 2022 yilda avtomobilsozlik texnologiyasi darajasi bilan nima qila olaman? | Ishga qabul qilish va ish haqi
CCSP bo'lish uchun siz 5 yillik tegishli tajribaga ega bo'lishingiz kerak. Amaliyotlar (pullik va to'lanmagan) va yarim kunlik ish o'rinlari ham to'g'ri variantlardir.
#5 XAVFSIZLIK XAVFSIZLIGI SERTIFIYALANGAN PROFESSIONAL (OSCP)
OSCP birinchi navbatda penetratsion testlar bilan shug'ullanadi. Bu tarmoq ma'murlari va boshqa xavfsizlik sohasidagi mutaxassislarga xakerlik texnikasi va vositalarini tushunishlarini ko'rsatishga yordam berishi mumkin.
Oldindan ish tajribangiz bo'lishi shart emas. Biroq, siz hujumkor xavfsizlik xizmati tomonidan taqdim etilgan PEN-200 o'quv kursini tugatishingiz kerak.
Ro'yxatga olish huquqiga ega bo'lish uchun siz tarmoq va Linux asoslarini yaxshi bilishingiz kerak.
Xalqaro Axborot Tizimlari Xavfsizligini Sertifikatlash Konsorsiumi yoki (ISC) 2 - CISSP sertifikatini nazorat qiluvchi organ. (ISC) 2 o'z veb -saytida o'zini "Kiberxavfsizlik bo'yicha dunyodagi etakchi professional tashkilot" deb hisoblaydi. (ISC) 2-notijorat tashkilot, 140,000 mingdan ortiq akkreditatsiyalangan a'zolari bor. ISC2 kiberxavfsizlik bo'yicha quyidagi sertifikatlarni taqdim etadi:
CISSP - axborot tizimlari xavfsizligi bo'yicha sertifikatlangan
SSCP - tizim xavfsizligi bo'yicha sertifikatlangan mutaxassis
CSSP - Bulutli xavfsizlik bo'yicha mutaxassis
CAP - Sertifikatlangan avtorizatsiya bo'yicha mutaxassis
CSSLP - Xavfsiz dasturiy ta'minotning hayot aylanishi bo'yicha professional sertifikatlangan
HCISPP - HealthCare axborot xavfsizligi va maxfiylik amaliyotchisi
CISSP - ISSAP - Axborot tizimlari xavfsizligi arxitekturasi bo'yicha mutaxassis
CISSP - ISSMP - Axborot tizimlari xavfsizligini boshqarish bo'yicha mutaxassis
(ISC) dotsenti 2
|
| |
#1. COMPTIA XAVFSIZLIGI+ - 1-Mavzu. Axborot xavfsizligi sohasida ish boshlash Axborot xavfsizligi

2-Mavzu. .Kiberxavfsizlik sohasida mashhur sertifikatlar.
#1. COMPTIA XAVFSIZLIGI+
Security+-bu boshlang'ich darajadagi kiberxavfsizlik sertifikati bo'lib, sotuvchilardan neytraldir. Bu sizning xavfsizlik tizimlarini o'rnatish va saqlash, xavflarni minimallashtirish va xavfsizlik buzilishlariga javob berish qobiliyatingizni baholaydi.
Xavfsizlik ma'murlari, tizim ma'murlari, ATni qo'llab -quvvatlash bo'yicha mutaxassislar va tarmoq muhandislari bundan foyda ko'radi.
Imtihon uchun rasmiy mezonlar yo'q. CompTIA nomzodlarga Network+ hisob ma'lumotlari va AT xavfsizligi bo'yicha bir necha yillik tajribaga ega bo'lishni tavsiya qiladi.
Imtihon 1.5 soat davom etadi. U ko'p tanlovli savollarni va ishlashga asoslangan vazifalarni o'z ichiga oladi.
#2 Microsoft Technology Associate (MTA) xavfsizlik asoslari
"Kirish darajasidagi" kiberxavfsizlik sertifikatlaridan biri MTA Security Fundamentals hisoblanadi. MTA Xavfsizlik asoslari asosiy xavfsizlik tamoyillari, shuningdek, operatsion tizim, tarmoq va dasturiy ta'minot xavfsizligining asosiy jihatlarini tushunishni tan oladi. Bu o'rta maktab va kollej o'quvchilariga, shuningdek, ish joyini o'zgartirishni istagan ishchilarga mo'ljallangan. Ushbu sertifikatni olish uchun siz $ 127 bo'lgan bitta imtihondan o'tishingiz kerak.
MTA Security Fundamentals sertifikatiga ega bo'lish imkoniyatini oshirish uchun Microsoft sizga Windows Server, Windows-ga asoslangan tarmoq, xavfsizlik devorlari va boshqa keng tarqalgan xavfsizlik mahsulotlari bilan amaliy tajribaga ega bo'lishingizni maslahat beradi.
#3 SISTEMS XAVFSIZLIK SERTIFIKATLI PRACTITIONER (SSCP)
The SSCP bu IT infratuzilmasi xavfsizligiga qaratilgan ISC2-dan boshlang'ich darajadagi sertifikat. Bu asosan tizim ma'murlari, xavfsizlik bo'yicha tahlilchilar, tarmoq xavfsizligi muhandislari, ma'lumotlar bazasi ma'murlari va shunga o'xshash mutaxassislar uchun tavsiya etiladi.
3 soatlik imtihon 125 ta savoldan iborat.
Sertifikat olish uchun siz testda qatnashadigan 1 ta domenlardan kamida bittasida kamida 1 yillik tajribaga ega bo'lishingiz kerak.
|
O‘lchash tizimlarining kelajagi: Avtonom va aqlli tizimlar

|
O‘lchash tizimlarining kelajagi: Avtonom va aqlli tizimlar
|
bet | 6/6 | Sana | 20.09.2024 | Hajmi | 2,38 Mb. | | #271812 |
Bog'liq 2 Maruza O‘lchash tizimlarining kelajagi: Avtonom va aqlli tizimlar
Kelajakda avtomatlashtirilgan o‘lchash texnologiyalari yanada rivojlanib, quyidagi yo‘nalishlar bo‘yicha kengayadi:
- To‘liq avtonom tizimlar: Sun’iy intellekt va IoT yordamida inson aralashuvisiz mustaqil ishlaydigan o‘lchov tizimlari paydo bo‘ladi.
- Aqlli sensorlar: O‘z-o‘zidan diagnostika va adaptiv o‘lchov tizimlari, ma'lumotlar asosida o‘lchovlarni avtomatik ravishda moslash.
- Katta ma’lumotlar (Big Data): Katta hajmdagi o‘lchov ma'lumotlarini tahlil qilish va optimallashtirishda ishlatiladigan texnologiyalar yanada rivojlanadi.
Yuqoridagi qo‘shimchalar bilan mavzuning kengayishi o‘lchash texnikasidagi avtomatlashtirilgan tizimlarning turli sohalarda qanday rivojlanayotganini va kelajakda qanday o‘zgarishlar olib kelishini chuqurroq tushunishga yordam beradi. Ushbu tizimlar zamonaviy texnologiyalar bilan birlashib, o‘lchov jarayonlarini yanada samarali, aniqlikda yuqori va inson aralashuvisiz amalga oshirishni ta’minlamoqda.
|
| |
-Mavzu. Sotsial injineriya nima va uning zamonaviy usullari

5-Mavzu. Sotsial injineriya nima va uning zamonaviy usullari.
Ijtimoiy muhandislik - axborot xavfsizligi kontekstida - muayyan harakatlarni amalga oshirish yoki maxfiy ma'lumotlarni oshkor qilish uchun odamlarni psixologik manipulyatsiyasi. Uni ijtimoiy fanlardagi ijtimoiy muhandislik kontseptsiyasidan farqlash kerak - bu maxfiy ma'lumotlarni oshkor qilish bilan bog'liq emas. Ma'lumot to'plash, soxtalashtirish yoki ruxsatsiz kirish uchun hiylalar to'plami an'anaviy "firibgarlik" dan farq qiladi, chunki u ko'pincha murakkabroq firibgarlik sxemasidagi ko'p bosqichlardan biridir.
Mavjud bo'lmagan havolalar
Saytga tashrif buyurish uchun jozibali sabab va unga to'g'ridan-to'g'ri havolani yuborishdan iborat bo'lgan hujum, faqatgina www.PayPai.com kabi kutilgan saytga o'xshaydi. Bu PayPal havolasi kabi ko'rinadi, "l" harfi "i" bilan almashtirilganini kam odam payqadi. Shunday qilib, havolani bosgandan so'ng, jabrlanuvchi kutilgan sayt bilan iloji boricha bir xil bo'lgan saytni ko'radi va kredit karta ma'lumotlarini kiritishda bu ma'lumot darhol tajovuzkorga yuboriladi.
Global fishing firibgarligining eng mashhur misollaridan biri 2003-yildagi firibgarlik boʻlib, unda minglab eBay foydalanuvchilari oʻz hisoblari toʻxtatilganligi va uni qulfdan chiqarish uchun kredit karta maʼlumotlarini yangilash talab qilingani haqida e-pochta xatlarini olgan. Ushbu elektron pochta xabarlarining barchasi rasmiy sahifaga o'xshash soxta veb-sahifaga olib boradigan havolani o'z ichiga olgan. Biroq, ekspertlarning fikriga ko'ra, bu firibgarlikdan ko'rilgan zarar million dollardan (bir necha yuz ming) kam bo'lgan .
Mashhur korporatsiyalarning brendlaridan foydalangan holda firibgarlik
Ushbu fishing firibgarliklari soxta elektron pochta xabarlari yoki yirik yoki taniqli kompaniyalarning nomlarini o'z ichiga olgan veb-saytlardan foydalanadi. Xabarlarda kompaniya tomonidan o'tkazilgan tanlovda g'alaba qozonganingiz, hisob ma'lumotlari yoki parolingizni o'zgartirish zarurligi haqidagi tabriklar bo'lishi mumkin. Texnik qo'llab-quvvatlash xizmati nomidan shunga o'xshash firibgarlik sxemalari telefon orqali ham amalga oshirilishi mumkin.
Soxta lotereyalar
Foydalanuvchi qaysidir taniqli kompaniya tomonidan o‘tkazilgan lotereyada yutganligi haqidagi xabarlarni olishi mumkin. Tashqi tomondan, bu xabarlar korporatsiyaning yuqori martabali xodimlaridan biri nomidan yuborilgandek ko'rinishi mumkin[6].
Soxta antivirus va xavfsizlik dasturlari
"Qo'rqinchli dastur" deb ham ataladigan bunday qalloblik dasturi antivirus dasturiga o'xshab ketadigan dasturiy ta'minot bo'lib, aslida buning aksi. Bunday dasturlar turli tahdidlar haqida noto'g'ri bildirishnomalar yaratadi, shuningdek, foydalanuvchini firibgarlik tranzaktsiyalariga jalb qilishga harakat qiladi. Foydalanuvchi ularni elektron pochta, onlayn reklamalar, ijtimoiy tarmoqlar, qidiruv tizimi natijalari va hatto tizim xabarlarini taqlid qiluvchi kompyuter qalqib chiquvchi oynalarida uchratishi mumkin.
http://fayllar.org
|
Sun’iy intellekt va mashinasozlikda avtomatlashtirilgan o‘lchash texnologiyalarining qo‘llanilishi

|
Sun’iy intellekt va mashinasozlikda avtomatlashtirilgan o‘lchash texnologiyalarining qo‘llanilishi
|
bet | 5/6 | Sana | 20.09.2024 | Hajmi | 2,38 Mb. | | #271812 |
Bog'liq 2 Maruza Sun’iy intellekt va mashinasozlikda avtomatlashtirilgan o‘lchash texnologiyalarining qo‘llanilishi
- Mashinasozlikda aniqlik: Mashinalarning ehtiyot qismlarini ishlab chiqarishda avtomatlashtirilgan tizimlar o‘lchashning millimetr va undan ham aniq bo‘lgan natijalarni olish imkonini beradi.
- AI bilan optimallashtirish: Sun’iy intellekt algoritmlari yordamida o‘lchash jarayonlarini optimallashtirish va nosozliklarni oldindan aniqlash.
- Avtomatik nosozliklarni aniqlash: Kompyuter ko‘rish (computer vision) texnologiyalari avtomatlashtirilgan o‘lchov tizimlariga birlashtirilgan bo‘lib, ular vizual ravishda mahsulotdagi nuqsonlarni avtomatik tarzda aniqlashga yordam beradi.
O‘lchash texnikalarining tibbiyotdagi yangi qo‘llanishlari
Zamonaviy tibbiyotda ham avtomatlashtirilgan o‘lchash texnologiyalari keng qo‘llanilmoqda:
- Meditsina robotlari: Jarrohlikda yuqori aniqlikdagi robotlar masofaviy boshqariladigan va avtomatlashtirilgan o‘lchov texnologiyalaridan foydalanadi.
- Biometrik o‘lchash: Qon bosimi, yurak ritmi, tana harorati va boshqa biometrik ko‘rsatkichlarni aniq kuzatish uchun ishlatiladi.
- Tibbiy tasvirlash: Optik o‘lchash usullari, jumladan tomografiya va ultratovush, organlarning shakli va hajmini aniq o‘lchash uchun qo‘llaniladi.
Avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlarida ishlatiladigan dasturlar
Dasturiy ta’minot avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlarining ajralmas qismiga aylandi. Quyidagi dasturlar tizimlarni boshqarishda va ma'lumotlarni tahlil qilishda qo‘llaniladi:
- MATLAB va LabVIEW: Bu dasturlar o‘lchov ma'lumotlarini tahlil qilish va signallarni qayta ishlash uchun keng qo‘llaniladi.
- AutoCAD va SolidWorks: Ushbu dasturlar 3D modellashtirish va o‘lchash ma'lumotlarini vizualizatsiya qilish uchun foydalaniladi.
- SCADA tizimlari: SCADA (Supervisory Control and Data Acquisition) tizimlari katta o‘lchov tizimlarini boshqarish va kuzatishda ishlatiladi.
|
| |
Zaruriyatdagi avtomatlashtirilgan tizimlar

|
Zaruriyatdagi avtomatlashtirilgan tizimlar
|
bet | 4/6 | Sana | 20.09.2024 | Hajmi | 2,38 Mb. | | #271812 |
Bog'liq 2 Maruza Zaruriyatdagi avtomatlashtirilgan tizimlar
- AVR (Automatic Voltage Regulator): Elektr kuchlanishini avtomatik boshqaradi va tarmoqning uzluksiz ishlashini ta'minlaydi.
- SCADA tizimlari: Uzoq masofadagi energetik tarmoqlarni monitoring qilish va boshqarish imkonini beradi.
- Relay himoya tizimlari: Elektr tarmoqlarida nosozliklar sodir bo‘lishidan oldin ularni aniqlaydi va himoya vositalarini ishga tushiradi.
Tarmoqlarni monitoring qilish va avtomatik nosozliklarni aniqlash
Elektr energetika sohasida avtomatlashtirilgan tizimlar tarmoqlarni monitoring qilishda ham keng qo‘llaniladi. Ushbu tizimlar elektr tarmoqlarini tahlil qilish, quvvat oqimlarini kuzatish va nosozliklarni oldindan aniqlash uchun ishlatiladi:
- Nosozliklarni avtomatik aniqlash va bartaraf etish: Elektr tarmoqlaridagi nosozliklar, masalan, kuchlanishdagi uzilishlar yoki qisqa tutashuvlar avtomatik o‘lchash tizimlari tomonidan aniqlanadi va tizim avtomatik tarzda xavfsizlik choralarini ko‘radi.
- Tarmoq diagnostikasi: O‘lchash vositalari tarmoqlardagi quvvat yo‘qotishlarni aniqlash va ulardan qochish imkonini beradi. Bu esa tarmoq samaradorligini oshiradi va xizmat ko‘rsatish xarajatlarini kamaytiradi.
Avtomatlashtirilgan tizimlar orqali optimallashtirilgan energiya iste’moli
Avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlari orqali foydalanuvchilar energiya iste’molini yanada samarali boshqarishi mumkin. Smart meters kabi qurilmalar yordamida:
- Iste’molchilar iste’molni real vaqt rejimida kuzatishi va shu asosda energiya tejash choralari ko‘rishi mumkin.
- Dinamik tariflar va vaqtga asoslangan energiya foydalanishi: Tarmoqlardagi energiya ta’minoti yuqori yoki past bo‘lgan paytlarda, iste’molchilar o‘z energiya foydalanish tartibini optimallashtirish imkoniga ega bo‘ladi.
IoT va o‘lchash tizimlari integratsiyasi
Yangi avlod o‘lchash tizimlari Internet of Things (IoT) texnologiyalari bilan birlashtirilmoqda, bu esa o‘lchovlarning keng miqyosda qo‘llanilishiga imkon beradi:
- IoT sensorlar: Ular masofadan turib ma'lumot yig‘adi va tarmoq orqali real vaqtda tahlil qilish uchun yuboradi.
- Ma'lumotlarni yuklash: O‘lchovlar natijalari bulut tizimiga yuklanadi, bu esa o‘lchov jarayonlarini dunyoning istalgan nuqtasidan kuzatish imkonini beradi.
- Intellektual tizimlar: IoT bilan birga sun’iy intellekt texnologiyalari ham kengaymoqda, ularni qo‘llab, avtomatik ravishda aniqlik va xatolikni kamaytirish uchun o‘z-o‘zidan optimallashtirilgan o‘lchash jarayonlari yaratilmoqda.
|
| |
Elektrotexnik o‘lchashlar

|
Elektrotexnik o‘lchashlar
|
bet | 3/6 | Sana | 20.09.2024 | Hajmi | 2,38 Mb. | | #271812 |
Bog'liq 2 Maruza Elektrotexnik o‘lchashlar
Elektr energetikada asosiy o‘lchovlar voltaj, tok kuchi, quvvat, chastota, va energiya iste'moliga qaratiladi. Bunday o‘lchovlar elektr stansiyalaridan tortib, iste'molchilargacha bo‘lgan elektr tarmoqlarida muhim ahamiyatga ega.
- Voltmetr: Elektr kuchlanishini o‘lchash uchun ishlatiladi.
- Ampermetr: Elektr tokini o‘lchash vositasi.
- Wattmetr: Elektr quvvatini o‘lchaydi.
- Energiya hisoblagichlari: Iste'mol qilingan energiya miqdorini aniqlash uchun ishlatiladi, ular ayniqsa uy va sanoat tarmoqlarida muhim rol o‘ynaydi.
Energiya samaradorligini oshirish
Energetika sohasida o‘lchash tizimlari yordamida iste'molni aniq kuzatish va tahlil qilish energiya tejamkorligini oshirish imkonini beradi.
- Aqlli hisoblagichlar (Smart meters): Uy-joy va sanoatdagi energiya iste'molini real vaqt rejimida o‘lchash orqali energiya samaradorligini oshirish va ortiqcha iste'molni oldini olish imkonini beradi.
- Energiya tarmoqlarini monitoring qilish: Energiya uzatish va taqsimlash tizimlarida quvvat yo‘qotishlarini o‘lchash va samaradorlikni oshirish uchun ma’lumotlarni yig‘ish.
Tarmoqlardagi ishonchlilik va xavfsizlik
Elektr energiyasi tarmoqlaridagi nosozliklar yoki ortiqcha yuklamalar katta xavf tug‘dirishi mumkin. Avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlari tarmoqlarni nazorat qilishda va nosozliklarni oldindan aniqlashda ishlatiladi.
- Masofaviy monitoring va diagnostika tizimlari: Elektr tarmoqlaridagi kuchlanish yoki tokining normadan og‘ishi kabi muammolarni avtomatik ravishda aniqlash va to‘g‘ri choralarni ko‘rish imkonini beradi.
- Xavfsizlik tizimlari: O‘lchash vositalari orqali ortiqcha yuklamalarni aniqlash va elektr tarmog‘idagi potensial avariyalarni oldini olish.
Elektr energetikasidagi muhim o‘lchov vositalari
Sun’iy intellekt va IoT yordamida tarmoqlarni monitoring qilish
Elektr energetikasidagi zamonaviy o‘lchash tizimlari IoT va sun’iy intellekt bilan integratsiyalashib, elektr tarmoqlarini aqlli boshqarish imkonini beradi:
- IoT datchiklari: Elektr tarmoqlaridagi har bir nuqtani kuzatish va ma'lumotlarni yig‘ib, bulut tizimiga jo‘natish.
- Sun’iy intellekt tahlili: Olingan ma'lumotlar asosida quvvat yo‘qotishlarni optimallashtirish va tarmoqlarning samaradorligini oshirish.
|
| |
Avtomatlashtirilgan o‘lchash jarayonini tavsiflovchi asosiy formulalar

|
Avtomatlashtirilgan o‘lchash jarayonini tavsiflovchi asosiy formulalar
|
bet | 2/6 | Sana | 20.09.2024 | Hajmi | 2,38 Mb. | | #271812 |
Bog'liq 2 Maruza 3. Avtomatlashtirilgan o‘lchash jarayonini tavsiflovchi asosiy formulalar
O‘lchash natijalarini aniqlik va aniqlik darajasi
O‘lchash aniqligi va sezgirligini baholash uchun ko‘pincha quyidagi formulalar ishlatiladi:
Bu yerda:
- xi — i-o‘lchangan qiymat,
- μ — o‘rtacha qiymat,
- n — o‘lchovlar soni.
Sezgirlik formulasi:
Bu yerda:
- Δy — chiqish signali o‘zgarishi,
- Δx — o‘lchanayotgan kattalikdagi o‘zgarish.
Avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlarining afzalliklari:
- Aniqlik va ishonchlilik: Inson omilini minimallashtiradi, natijada xatolik ehtimoli pasayadi va aniqlik ortadi.
- Tezlik: O‘lchovlar real vaqt rejimida amalga oshiriladi, katta hajmdagi ma'lumotlar qisqa muddatda qayta ishlanadi.
- Masofadan turib boshqarish: O‘lchash jarayonlari masofadan turib boshqarilishi va kuzatilishi mumkin.
- Katta ma'lumotlar tahlili: Yirik hajmdagi o‘lchov ma'lumotlarini qayta ishlash va tahlil qilish imkoniyati mavjud.
Noaniqlikning baholash formulasi:
U=k⋅u(y)
Bu yerda:
4. Sensor tizimlarda ishlatiladigan asosiy texnologiyalar
5. Avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlarining afzalliklari
- Tezkorlik: O‘lchashlar avtomatik ravishda amalga oshirilgani uchun tez va aniq natijalarga erishish mumkin.
- Aniqlik: Avtomatlashtirilgan tizimlar inson omilidan xoli bo‘lganligi tufayli yuqori aniqlikka ega bo‘ladi.
- Masofaviy monitoring: Ba'zi tizimlar masofadan turib monitoring qilish imkonini beradi (masalan, lazer tizimlari).
- Ma'lumotlarni tahlil qilish: Tizimlar avtomatik ravishda katta miqdordagi o‘lchovlarni qayta ishlaydi va natijalarni grafik yoki raqamli shaklda chiqaradi.
Sezgirlik:
Sezgirlik datchik yoki sensorning kattalik o‘zgarishiga qanchalik sezgirligini ko‘rsatadi.
Bu yerda:
- S – sezgirlik,
- Δy – chiqish signalining o‘zgarishi,
- Δx – o‘lchanayotgan kattalik o‘zgarishi.
O‘lchash texnologiyalarining amaliy qo‘llanilishi
O‘lchash texnikasidagi yangi va avtomatlashtirilgan tizimlar o‘lchash jarayonlarining samaradorligini oshirish, ma'lumotlarni tezkor va aniq olish imkoniyatini beradi. Bu tizimlar sanoat, ilm-fan, tibbiyot va boshqa sohalarda katta o‘zgarishlar olib keldi. Avtomatlashtirilgan tizimlar o‘lchov jarayonlarini inson aralashuvisiz amalga oshiradi va yuqori natijalarga erishish imkonini yaratadi.
O‘lchash texnikasining elektr energetika sohasidagi ahamiyati juda katta, chunki bu soha samaradorlik, xavfsizlik va barqarorlikni ta'minlashda o‘lchovlarning aniqligi va ishonchliligiga tayanadi. Quyida o‘lchash texnikasining elektr energetikada qanday qo‘llanilishi va uning qanchalik muhim ekanligini ko‘rib chiqamiz.
|
| |
Zol-gel texnologiyasi - Microsoft Word D?rs v?saiti. Nanotexnologiya docx

|
Microsoft Word D?rs v?saiti. Nanotexnologiya docx
|
bet | 45/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor5.2.Zol-gel texnologiyasi
Noorganik materiallarda nanokristallitlarni yaratishning yana bir usuli - bu g'ovakli membranalarni olish uchun ishlatiladigan (sol-gel texnologiyasi) . Solid - kolloid zarrachalarning suyuqlikdagi eritmasi. Kolloid zarralar suyuqlikda muallaq turgan oʻlchamdagi (1÷100) nm qattiq zarralardir. Zarrachalar orasidagi masofa kamida ularning diametriga teng. Jel - suyuq dispers muhitda ma'lum bir tuzilishga ega bo'lgan kolloid tizim. Jelning dispers muhiti uzunligi bir necha mikrometrgacha bo'lgan mahkam bog'langan polimer zanjirlaridan iborat.
U suyuqlik va qattiq jism o'rtasidagi oraliq holat sifatida qaraladi. Bu suyuqlikka o'xshash qattiq holat. Mexanik xususiyatlariga ko'ra, jel qattiq moddalardan farq qilmaydi. Jelning dispers fazasining zarralari g'ovakli uch o'lchovli strukturani hosil qiladi. Ushbu strukturaning yadrolarida dispers muhit mavjud. Jel suyuqlikka ega emas. Soldan gel hosil qilishga asoslangan usullar sol-gel texnologiyasi deb ataladi. Sol-gel texnologiyasi dispers materiallarni olishning juda qulay usuli hisoblanadi. Asosiy tarkibiy qismlar sifatida ishlatiladigan aralashmalar yakuniy mahsulotni qo'shimchalar bilan ifloslantirmaydi. Texnologiya noorganik birikmalarning polimerizatsiya jarayonlariga asoslangan. Umuman olganda, sol-gel texnologiyasining asosiy bosqichlari quyidagilardan iborat:
- eritma tayyorlash;
- jel hosil qilish;
- olingan eritmani substratga chizish va quritish -
suv;
- issiqlik bilan ishlov berish.
Eritmadan gel hosil bo'lishi suyuq kolloid sistemada sodir bo'ladi kimyoviy transformatsiyalar natijasidir. Bu transformatsiyalar to`r yoki ramkasimon strukturaning hosil bo`lishiga olib keladi va unga qattiq jismning ma`lum xossalarini beradi.Bunday o`zgarishlar suyuq emulsiya tarkibidan yupqa qatlamlar hosil qilishning sol-gel texnologiyasining asosini tashkil qiladi. Ushbu usulda nozik bir qatlam hosil qiluvchi suyuq kompozitsion qattiq substratga qo'llaniladi va keyingi termal ishlov berish jarayonida qattiq holatga aylanadi. Bunday transformatsiyaLarux uchun eng mos reagentlar kremniyning alkil birikmalaridir. Ularning umumlashtirilgan formulasi(OR)4–bu yerda R=CH3, C2H5, C3H7 va hokazo. Sol-gel texnologiyasi bilan yupqa qatlamlarni hosil qilish uchun bir qator boshqa elementlarning o'xshash kombinatsiyasi qo'llaniladi. Ro'yxatga olingan organik kremniy birikmalaridan eng ko'p qo'llaniladigan tetraetilortosilikatdir: Si(OC2H5)4 Ba'zan tetraetoksisilan deb ataladi. Dastlabki holatda, shuningdek, organik erituvchilarda ko'rsatilgan birikmalar polimer zanjirlarini hosil qilmaydi. Sol-gel transformatsiyalari suv molekulalarini yoki OH guruhlari bo'lgan noorganik birikmalarni talab qiladi. Bu birikmalar gidroliz va polikondensatsiya reaksiyalarini keltirib chiqaradi. Gidroliz jarayonida alkil guruhi OH guruhi bilan almashtiriladi:
|
| |
Skanerli tunnel mikroskopi

3.2. Skanerli tunnel mikroskopi
Skanerli tunnel mikroskop (STM) birinchi marta zond mikroskoplari oilasida yaratilgan. STM ning ishlash printsipi prob va sirt o'rtasida yaratilgan tor potentsial to'siq orqali elektronlarning tunnel o'tishlariga asoslangan. STMda zond namuna yuzasining bir necha angstromlarigacha olib kelinadi. Bu vaqtda potentsial to'siq hosil bo'ladi, uning balandligi prob materialidan va namunadan elektronlarning chiqish ishi o'rtasidagi farq bilan belgilanadi (mos ravishda phP va phs). Birinchi taxmin qilish uchun, ushbu potentsial to'siqni samarali balandligi materiallarning o'rtacha ishlab chiqarish ishiga teng bo'lgan to'rtburchaklar sifatida tasvirlang.
mumkin:
1 (p s)
2
O'tkazuvchi namunaning yuzasiga uchida joylashgan atomi bo'lgan zond keltiriladi. Agar ular orasidagi masofa atomlararo masofaga teng bo'lsa, u holda zond atomiga tegishli elektronlarning to'lqin funksiyasi sirtga tegishli atomlar elektronlarining to'lqin funksiyalari bilan kesishadi va elektronning atomlararo masofaga teng bo'lishi mumkin bo'ladi. bo'shliqdan o'tish (tunnel qilish). Bunday o'tish joyi tunnel o'tish joyi deb ataladi..
Kvant mexanikasidan ma'lumki, bir o'lchovli to'rtburchaklar potentsial to'siq orqali elektron tunnel o'tish ehtimoli quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:
w A12
e-kZ
A
2
0
Bu yerda A0 - devor tomon harakatlanuvchi elektronning to'lqin funksiyasining amplitudasi; A1 – to‘siqdan o‘tuvchi elektronning to‘lqin funksiyasining amplitudasi; k – potentsial panjaradagi to‘lqin funksiyasining so‘nish koeffitsienti; DZ - to'siqning kengligi. Ikki metalning tunnel aloqasi uchun so'nish koeffitsienti quyidagicha aniqlanishi mumkin:
4π 2m*
|
Noorganik materiallardagi nanokristallitlar

|
Noorganik materiallardagi nanokristallitlar
|
bet | 44/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor5.2.Noorganik materiallardagi nanokristallitlar
Yarimo'tkazgichli nanokristallarni olish uchun noorganik matritsa sifatida turli xil yuqori zichlikdagi va g'ovakli oynalar, ion kristallari, zeolitlar, kompozit materiallar qo'llaniladi.
Yuqori zichlikdagi shisha hajmida nanokristallitlar boshqariladigan diffuziya jarayonlarini o'tkazish orqali o'stiriladi. Bu usul bilan rangli optik filtrlar va fotoxrom oynalar tayyorlanadi. Shu maqsadda silikat va boro-silikat oynalari ishlatiladi. Bu tizimlarda kristallitlarning hosil bo'lishi va o'sishi to'yingan eritmalarda fazaviy o'tishlar tufayli sodir bo'ladi. Jarayon Tər.m harorat oralig'ida amalga oshiriladi Tər–-shisha o'tish harorati Tm va matritsa materialining erish harorati. Ko'zoynaklardagi nanokristallarning haqiqiy hosil bo'lish harorati kristallitlarning o'lchamiga va matritsa materialiga qarab (550÷700)ºC oralig'ida o'zgarishi mumkin. Shisha matritsalarda A2B6 və A3B5yarimo'tkazgich birikmalarining (1÷10) nm o'lchamdagi nanokristallitlarini olish uchun boshqariladigan diffuziya jarayonlaridan foydalaniladi.
Zeolit - diametri ~1 nm bo'lgan teshiklari bo'lgan davriy ravishda joylashgan Al-O-Si kristalli modda. Ushbu teshiklarda yarimo'tkazgichli materiallarni sintez qilish orqali yarim o'tkazgich kvant nuqtalaridan iborat davriy tuzilmani yaratish mumkin. Bunday kvant nuqtalari bir xil o'lchamdagi nanokristallitlardan iborat. Ushbu usul bilan CdS, PbJ2və Ge nanokristallitlar hosil bo'ladi.
Yarimo'tkazgich-dielektrik tarkibi klasterli yotqizish yoki ion implantatsiyasi usullari bilan yaratiladi. SiO2
yoki bu usullar CaF2 matritsasida Si va Ge kvant nuqtalari va kvant teshiklarini tayyorlash uchun ishlatiladi.
Klaster yotqizish usulida, odatda, yarimo'tkazgich yoki dielektrik atomlari va molekulalaridan iborat bo'lgan plitalar shaklida boshlang'ich tarkibni hosil qilish uchun kimyoviy yotqizish, elektron-nurli yoki lazerli bug'lanish, shuningdek, magnetronli püskürtme ishlatiladi. Agar substratning harorati kristallanishni rag'batlantirish uchun etarlicha yuqori bo'lsa, yarimo'tkazgichli nanokristallitlar cho'kish jarayonida to'g'ridan-to'g'ri ko'k rangga aylanadi. Nanokristallarning hajmini oshirish uchun bu qatlam yuqori haroratlarda termal qayta ishlanadi.
O'z-o'zidan tashkil etilgan nanostrukturalarni yaratish uchun ion implantatsiyasi usuli klasterni joylashtirish usulidan faqat dastlabki kompozitsiyani tayyorlash jarayonida farq qiladi. Dastlabki tarkibni tayyorlash uchun Ge yoki Si atomlari SiO2 qatlamiga kiritiladi. Bunday implantatsiya qilingan yarimo'tkazgich atomlari plastinka qalinligi bo'ylab notekis taqsimlanadi: ularning kontsentratsiyasi chuqur qatlamlarda maksimaldir. Namunalar kerakli o'lchamlarga ega bo'lgan nanokristallitlarni hosil qilish uchun termal qayta ishlanadi. Kvant nuqtalari va nano o'lchamdagi kvant teshiklari ion implantatsiyasi usuli bilan SiO2 qatlamida nanokristallitlar shaklida yaratilgan
.
|
| |
ADABIYOTLAR - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

ADABIYOTLAR
1.
Teshaboyev
A.,
Zaynobiddinov
S.,
Musayev
E.A.
Yarimo’tkazgichlar va yarimo’tkazgichli asboblar texnologiyasi. O’quv
qo’llanma. T: Talqin, 2006.
2.
С.Зайнобидинов, А.Тешабоев. Яримутказгичлар физикаси.
Тошкент, «Укитувчи»,1999.
3.
А.Тешабоев, С. Зайнобидинов, Ш. Эрматов. Кaттик, жисм
физикаси. Тошкент, «Молия», 2001.
4.
А.Тешабоев ва бошкaлар. Яримутказгичли асбоблар физикаси.
Андижон, «Хаёт», 2002.
5.
И.Г.Пичугин, Ю.М.Таиров Технология полупроводниковых
приборов. М., «Высшая школа», 1984.
6.
Ю.М.Таиров, В.Ф.Цветков Технология полупроводниковых и
диэлектрических материалов. Москва, « Высшая школа», 1990.
7.
И.Я.Герловин,
И.В.Игнатьев,
«Физика
и
технология
эпитаксиальных систем».
8.
Готра З.Ю. «Технология микроэлектронных
устройств” Справочник. -М.: Радио и связь, 1991.
9.
Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. - М.: Наука,
1990.
10.
Королев М.А. Технология, конструкции и методы
моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. /
М.А.Королев,
Т.Ю.Крупкина,
М.А.Ревелева;
под
общей
ред.
Ю.А.Чаплыгина. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007.
11.
Попов В.К., Ячменев С.Н. Расчет и проектирование
устройств электронной и ионной литографии. - М.: Радио и связь, 1985.
12.
Сивухин Д. В. Общий курс физики. — М.. — Т. IV. Оптика.
13.
Процессы
и
модели
нано/микро
структурирования:
«Микролитография. Принципы, методы, материалы». У.Моро // "Мир".
65
14.
Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В. Современная фотолитография.
Новые материалы электроники и оптоэлектроники для информационно-
телекоммуникационных систем. Нижний Новгород, 2006.
http://fayllar.org
TEXNOLOGIYALARNING ASOSIY TURLARI VA

3
Kirish
Bugungi kunda fan va texnika sohasida eng tez taraqqiyot qilayotgan fan-
bu yarimo’tkazgich asboblari fizikasidir. Bunga sabab, yarimo’tkazgich
asboblarning inson faoliyatini barcha sohalarida - tibbiyotdan to kosmik
tadqiqotlargacha keng qo’llanishidir. Bunday tez taraqqiyotga yarimo’tkazgich
materiallarning fizik xossalarini uzoq va chuqur tekshirishlar olib keldi. 1900-
yildan boshlab jahonning turli davlatlarining olimlari metall-yarimo’tkazgich
nuqtaviy kontaktini detektrlash-to’g’irlash xossalarini o’rgana boshladilar.
1922-yilda manfiy differensial qarshilikka ega bo’lgan kontaktlar aniqlandi
va o’rganildi. Bular asosida qattiq jism elektr tebranishlari generatorlari
yaratildi.
1937-yilda
esa
eksperimentlar
asosida
har
xil
turdagi
yarimo’tkazgichlar chegarasida tokni to’g’irlash nazariyasi vujudga keldi.
1940-yilda esa bu nazariya ko’p sonli eksperimentlarda tasdiqlandi.
Shu davrdan boshlab, turli turdagi yarimo’tkazgich - yarimo’tkazgich
kontaktidagi oraliq qatlamdagi bo’ladigan jarayonlar o’rganila boshlandi. Lekin,
qator eksperiment natijalari metall-yarimo’tkazgich kontaktidan o’tuvchi tok
nazariyasiga mos emas edi. 1947-yilda yarimo’tkazgich yuzasida, u boshqa
yarimo’tkazgich va metall bilan kontaktda bo’lmagan holda ham, elektron
holatlar mavjudligi haqidagi fikr ilgari surildi. Bu asosida ikkita yarimo’tkazgich
kontaktidan tok o’tish mexanizmining nazariyasi vujudga keldi va u keng
tarqalib, eksperiment natijalariga mos natijalarni berdi. Bu nazariya zamonaviy
yarimo’tkazgichli to’g’irlagichli diodlarning ishlash mexanizmiga asos bo’ldi.
Mavzuning dolzarbligi - Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

4
tushuniladi. Yarimo’tkazgichli materiallarga to’liq asoslangan zamonaviy
elektronika va kompyuter texnikasi rivoji elektron sistemalar o’lchamlarining
kichrayishi, ishlash tezligining oshishi va energiya ta`minotining
qisqarishi
tomonga bormoqda. Shu nuqtai nazardan xarakteristik o’lchamlari nanometrli
diapazonda
yotuvchi epitaksial sistemalar o’ta dolzarb hisoblanadi.
Yarimo’tkazgichlar fizikasi bo’yicha ishlarning ko’pchiligi aynan shunday
strukturalar ustida olib borilishi tasodif emas. Bugungi kunda yarimo’tkazgich
asboblar texnologiyasida epitaksiyadan foydalanish
orqali judayam qiyin
sharoitlarda ishlash imkoniyatiga ega bo’lgan elektr va optik asboblar yasay
olishimiz mumkindir. Bu esa epitaksiya haqida chuqurroq ma’lumotga ega
bo’lishimiz bugungi kun talablaridan biri ekanligini tasdiqlaydi, fikrimcha.
Yarimo’tkazgich getereostrukturalarni yaratish va o’rganish bo’yicha
ishlari
sikli uchun Rossiya olimi J.I.Alferov 2000-yili fizika bo’yicha mukofot oldi.
Bugungi kundagi zamonaviy hayotimizda geterostrukturalar (yuqori tezlikka ega
tranzistorlar, geterolazerlar, yorug’lik diodlari) aloqaning optik tarmoqlarida,
yozish va kompyuter ma`lumotlarini o’qish sistemalarida keng qo’llanilmoqda.
Yarimo’tkazgichli geterostrukturalar o’zlarining ulkan
fizik xossalariga ularni
tayyorlash texnologik usullari ayniqsa, molekulyar dastali epitaksiya
texnologiyasining zamonaviy rivojlanishi tufayli erishgan.
Bu kimyoviy
texnologiyaning xususiyati kimyoviy tarkib, geteroqatlamlar qalinligi,
erkin
tashuvchilar konsentratsiyasi kabi oldindan berilgan parametrlarga ega
materiallar yaratish imkonidir. Bunda epitaksial geterostrukturalar bilan
shug’ullanuvchi ixtiyoriy fizik bu parametrlarni qanday
oraliqlarda va qanday
narxda almashtirishni bilishlari uchun ularni tayyorlash texnologiyasini yaxshi
bilishi kerak. Shu bilan birga o’z-o’zidan zamonaviy yuqori texnologiyalarga
tegishli bo’lgan epitaksial texnologiya tadqiqotchidan
chuqur fizik bilim va
ko’nikmalarni talab etadi. Buning natijasida bu sohada, qoidaga ko’ra fizik
bilimga ega bo’lgan mutaxasislar ishlaydi.
-rasm. Gaz fazada kremniy karbidi epitaksiyasi uchun konteyner

39
3-BOB. ZAMONAVIY EPITAKSIAL TEXNOLOGIYALARNING
ASOSIY TURLARI VA QO’LLANILISHI
3.1. Molekulyar dastali epitaksiya
Molekulyar dastali epitaksiya
(MDE) jarayoni o’suvchi materialni oldindan
tayyorlangan yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iborat.
O’suvchi materiallar manbai taglikdan ancha uzoqlashtirilgan (0.5 m tartibda)
shixtali tigellardir. Ko’p komponentali kimyoviy
tarkibga ega qatlamni
o’stirishda (masalan, GaAs) har bir komponenta (Ga va As) materiallari alohida
tigelga joylashtiriladi. Tigellar shixta materiali samarali bug`lanishi yuz
beradigan yuqori temperaturagacha qizdiriladi. MDE jarayonining farqli
xususiyati uning o’ta yuqori vakuumda borishidadir–o’stiruvchi kameradagi gaz
bosimi
10
−7
Pa dan oshmaydi. Bunday bosimlarda
gaz molekulalari orasidagi
masofa O’rtacha
10
−3
sm ni tashkil etadi. Molekula diametri 10
-7
-10
-6
sm
bo’lganida molekulalarning to’qnashish extimolligi molekula o’lchamining ular
orasidagi masofaga nisbatining kvadrati 10
-7
ga, ya`ni manba va taglik
molekulalari orasidagi masofadan oshuvchi kattalikka tengdir. Natijada tigeldan
bug`lanayotgan o’suvchi materiallar atomlari
tigel konfigurtsiyasi bilan
shakllangan nisbatan tor dasta ko’rinishida to’g`ri chiziqli trayektoriya bo’yicha
taglikka qarab harakatlanadi. Taglik atomlarning samarali sirtiy diffuziyasi yuz
beradigan yuqori temperaturagacha qizdiriladi.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasining asosiy afzalliklari:
1.
Jarayonning o’ta yuqori vakuumga va o’ta toza o’suvchi materiallar
qo’llanilishiga asoslangan yuqori tozaligi.
2.
Molekulyar dastalarning taglik tomon
katta tezlik bilan uchishi
natijasida erishiladigan struktura o’sishining tarkibining deyarli noinersion
boshqarilishi imkoniyati.
3.
O’sish jarayonini yuqori vakuumni
talab etuvchi mass-
spektrometriya va tez elektronlar diffuziyasi usullari bilan to’g`ridan - to’g`ri
nazorat qilish imkoniyati.
40
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasi kamchiliklariga
quyidagilar kiradi:
1.
O’stiruvchi qurilmaning texnik murakkabligi va o’sish jarayonining
o’suvchi parametrlarning o’zgarishiga turg`un emasligi
texnologik personallar
malakasiga katta talablarni qo’yadi.
2.
O’rtacha 1
𝑚𝑘𝑚
𝑠𝑜𝑎𝑡
ni tashkil etuvchi o’sish jarayoni tezligining
sekinligi. Barcha tayyorlangan muolajalarni hisobga olgan holda bitta epitaksial
strukturani o’stirish uchun to’liq ish smenasi ketadi.
3.
O’stirilayotgan strukturalarning qimmatga tushishi. Bularga–
qimmat baholi qurilma amortizatsiyasi, o’ta toza o’suvchi materiallarning yuqori
narxi va yuqori malakali personallarga to’lanadigan mehnat haqi kiradi.
Termikbuxarlandırma üsulu

|
Termikbuxarlandırma üsulu
|
bet | 15/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor2.3. Termikbuxarlandırma üsulu
Yupqa qatlamlarni olishda keng qo'llaniladigan usullardan biri termovakuum usulidir.Bu usul moddani vakuumda bug'lanish haroratiga qadar qizdirish va uning bug'langan atomlarini substratda kondensatsiyalashga asoslangan.Bu jarayon yuqori va o'ta yuqori qatlamlarda amalga oshiriladi. vakuum. Usul juda universaldir, chunki metall, metall qotishmalari, yarim o'tkazgichlar va dielektriklarning yupqa qatlamlarini olish mumkin..Uni amalga oshirish juda oddiy.Usulning cheklovlari shundaki, cho’kish tezligini nazorat qilib bo’lmaydi, yotqizilgan zarrachalar energiyasi past va beqaror..
B ug'lanishga tayyorgarlik bosqichida 1-mavzu isitish moslamasi - sizning ustingizda yoki ichingizda 2 joylashtirilgan va yuqori haroratda intensiv bug'lanadi. Maxsus nasoslar yordamida kamerada yaratilgan vakuumda bug'langan moddaning molekulalari atrof-muhitga tez va erkin tarqaladi yuzasiga etib boradilar.
Agar substratning harorati kritik qiymatdan oshmasa, modda substratda kondensatsiyalanadi
2.1-rasm. Issiqlik
bug'lanish zavodining
sxema
U o'sishni boshlaydi.Dastlabki bosqichda qo'shimchalar sirtining ifloslanishini va material oqimining substratga cho'kishining oldini olish uchun 4 ta bo'linma qo'llaniladi. Yupqa qatlamning funktsional maqsadiga qarab, cho'kish jarayonida püskürtme vaqti, qalinligi, elektr qarshiligi va boshqa parametrlar nazorat qilinadi.
Kerakli ko'rsatkichlarga erishgandan so'ng, ajratish moddaning oqishini oldini oladi va yupqa qatlamning o'sishi to'xtaydi.Parlatishdan oldin substratni isitgich bilan isitish sirtga adsorbsiyalangan atomlarning desorbsiyasini oldini oladi va yaxshilanish uchun sharoit yaratadi. cho'kish paytida o'sayotgan yupqa qatlamning tuzilishi va unni yuqori darajada ushlab turadi.
bug'langan moddaning bug'lanish haroratigaisitish elektron, lazer yoki o'ta yuqori chastotali nurlanish yordamida amalga oshiriladi.Agar yupqa qatlam ko'p komponentli materialdan yasalgan bo'lsa, u holda bir nechta bug'lanish moslamalari ishlatiladi.Turli komponentlarning bug'lanish tezligi har xil bo'lganda, u juda ko'p komponentli yupqa qatlamning kimyoviy tarkibini takrorlash qiyin. ishlatiladi.
|
| |
OR OH 
l l
 RO―Si―OR + 4H2O → HO―Si―4ROH

|
OR OH
l l
RO―Si―OR + 4H2O → HO―Si―4ROH
|
bet | 46/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor
OR OH
l l
RO―Si―OR + 4H2O → HO―Si―4ROH
l l
OR OH
Bu reaksiya natijasida hosil boʻlgan gidroksil Si(OH)4 molekulalari bir-biri bilan oʻzaro taʼsirlashib, Si–O–Si bogʻlari orqali zanjirlar hosil qiladi va ulardan uch oʻlchamli tarmoq strukturasi hosil boʻladi. Keyin polikondensatsiya sodir bo'ladi
OH OH OH OH
l l l l HO―Si―OH+ HO―Si―OH→ HO―Si―O―Si―OH+H2O
l l l l
OH OH OH OH
Bu o'zgarishlar nisbatan past haroratlarda (400ºC dan past) sodir bo'ladi. Qayta ishlangan gelning o'ziga xos tuzilishi kolloid eritmaning tarkibi, katalizatorning turi va konsentratsiyasi, organik erituvchining turi va sol-gel o'tish temperaturasi bilan belgilanadi. Biroq, uning umumiy xarakteristikasi o'lchami 20 nm dan kichik bo'lgan teshiklarning mavjudligi. Shundan so'ng, yuqori haroratda termal ishlov berish, suv va boshqa mahsulotlarni kimyoviy reaktsiyalardan teshiklardan olib tashlashga olib keladi, bu esa jelning zichligi oshishiga olib keladi. Jel zichligining bunday o'zgarishi kristall fazaning o'z-o'zidan shakllanishi va o'sishi uchun sharoit yaratadi. Boshlang'ich tarkibiga qarab, hosil bo'lgan kristallar asosiy elementdan (bu holda kremniy), uning oksididan, agar qo'shimcha birikmalar zol, metall va yarim o'tkazgichli qo'shimchalar va ularning tegishli oksidlarini tayyorlashda ishlatilgan bo'lsa, tuzilishi mumkin. Ular yupqa qatlam qalinligi bo'ylab bir xilda taqsimlanadi.
Au, Ag va Pt nanozarrachalarining o'z-o'zidan yig'ilish jarayoni o'rganildi. Nanozarrachalar avval suvli muhitda olingan va keyin organik erituvchi muhitga o'tkazilgan.
To‘g‘ridan-to‘g‘ri kolloid eritmalarda hosil bo‘lgan nanozarrachalardan tartiblangan nanostrukturalarning hosil bo‘lishi nanozarrachalar hajmini keng diapazonda nazorat qilish, adsorbsion xususiyatlarini o‘zgartirish, shu orqali zarrachalarning elektron xossalarini o‘zgartirish imkonini beradi. Bu usul birinchi marta CdS nanopartikullariga qo'llanilgan.
CuCl, CuBr, CuI nanokristallitlarini yaratish uchun matritsa sifatida mis (NaCl, KBr, KI) bilan kuchli qo'shilgan gidroksidi-kolloid ion kristallari ishlatiladi. Buning uchun, masalan, NaCl eritmasiga va bu aralashmadan 1% gacha CuCl qo'shiladi
Ular NaCl kristalini o'stiradilar. Ularni 600ºC da keyingi termik ishlov berish (2÷5) nm oʻlchamdagi CuCl kristallitlarining hosil boʻlishini taʼminlaydi.
|
| |
Katodli purkash usuli - Microsoft Word D?rs v?saiti. Nanotexnologiya docx

|
Microsoft Word D?rs v?saiti. Nanotexnologiya docx
|
bet | 16/51 | Sana | 19.12.2023 | Hajmi | 2,83 Mb. | | #123700 |
Bog'liq 2017-2422 Tayyor2.4. Katodli purkash usuli
Quvurning diagrammasi 2.2-rasmda keltirilgan.Bu yerda 1-gaz chiqarish kamerasi, 2-katod, 3-anod, 4-tayanch.Anod va katod oʻrtasida bir necha kilovoltlik doimiy kuchlanish oʻrnatilgan. ginlik elektrodlar arası fəzada 0,5 kV/cm intensivlikli elektrik
U anodga ulangan, katod kamerasidan 5 ta izolyator yordamida ajratilgan. Kamera oynasiQopqoqni ifloslantirmaslik uchun katod yaqinida 6 ta ekran o'rnatiladi. Agar siz nasosni elektr bilan elektrlashtirsangiz (odatda argon) molekulalarining ionlanishi - 2.2-rasm. Katod agar u maenergiyadan kattaroq bo'lsa ,changni tozalash moslamasi keyin elektronlarning gaz molekulalari bilan to'qnashuvi natijasida ikkinchisi ionlanadi va gaz razryadi paydo bo'ladi.
Elektron gazning ionlanishi uchun oladigan energiya minimal o'rtacha parvoz masofasida elektron oladigan energiyadan katta bo'lishi kerak.Faqat shu shart bajarilgandagina elektron to'qnashuvsiz harakatlanishi va kerakli energiyaga erisha oladi.
Ammo elektronlarning erkin uchish masofasining o'rtacha uzunligi katod va anod orasidagi masofaga teng bo'lsa, elektronlar ulushi ishchi gaz molekulalari bilan to'qnashmasdan elektrodlar orasidagi bo'shliqdan o'tadi. gaz chiqarish to'xtaydi.Bu omil kameradagi gaz bosimining yuqori va pastki chegaralarini belgilaydi.
Gaz ajralishi natijasida hosil bo'lgan plazma elektronlar, musbat ionlar va ishchi gazning neytral molekulalaridan iborat.Ionlar elektr maydoni ta'sirida tezlashadi.
va katod, ya'ni nishon bombardimon qilinadi.Agar ionlarning energiyasi maqsadli atomlarning bog'lanish energiyasidan katta bo'lsa, u holda ionlar nishondan ikkinchi elektronlarni yirtib tashlashi mumkin (ikkinchi elektron emissiya). Shunday qilib, gazning chiqishi o'zini o'zi qo'llab-quvvatlaydi.
Ikkilamchi elektronlar bilan aloqa qilishda ishchi gazning ionlari anod va katod orasidagi elektr maydonida tezlashadi va katod yuzasini bombardimon qiladi (nishon).bosqichning intensivligi ortadi.
Cho'kish jarayonining asosiy xarakteristikasi purkash koeffitsienti Kp=Nat/Nion sifatida aniqlanadi.Bu ion nishondan ajralib chiqadigan atomlarning o'rtacha soni.
Katodik püskürtme asosan turli metallarning yupqa qatlamlarini olish uchun ishlatiladi.Bu vaqtda taglik katodga parallel ravishda joylashtiriladi.Bu kondensator qatlamining qalinligi hamma joyda bir xil bo'lishiga imkon beradi.. Loy kondensatni (o'sayotgan qatlam) ifloslantiradi..
|
| |
-BOB. EPITAKSIYA TUSHUNCHASI VA UNING TURLARI

10
“Suyuq faza”dan epitaksiya qilish holida o’tqazilayotgan modda dastlab
suyuq holatda bo’ladi.
“Bug’–suyuqlik–kristall” (taglik) tizimida epitaksiya qilish holida
o’tqaziladigan modda o’zining dastlabki bug’ (gaz) holatidan oraliqdagi suyuq
holatning yupqa pardasi orqali o’tib, so’ng taglikka o’tiradi.
Yana “Qattiq faza”dan epitaksiya usuli ham mavjud. Masalan, monokristall
sirtida II-tur fazaviy o’tish hisobiga shishasimon modda kristallanishi mumkin.
Epitaksiya usulida bir vaqtda kirishmalar kiritib borilishi mumkin.
Yarimo’tkazgichni legirlashda ionlar kiritish va diffuziya usullarini birgalikda
qo’llash mumkin. Bu radiatsion rag’batlantirilgan diffuziya hodisasi kelib
chiqishiga olib keladi.
Hozirgi zamon texnologiyasida integral
mikrosxemalar va diskret
yarimo’tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda epitaksial jarayonlar eng oldingi
o’rinni egallaydi. Epitaksial texnologiya qo’llanilishi keyingi 10-15 yil ichida
sifatli mahsulotlar ishlab chiqarishni 4-5 marta oshirib yubordi. Epitaksial
qatlamlar tuzilish jihatdan hajmiy monokristalldan ancha takomillashganligi,
ularda kirishmalami haqiqiy taqsimotiga ega bo’lishi
bilan birga, nazorat qilib
bo’lmaydigan iflosliklar kamligi bilan farq qiladi.
Odatda, yarimo’tkazgichli asboblarning aktiv sohasi plastinkaning uncha
chuqur bo’lmagan sirt mikrohajmi qismida vujudga keltiriladi. Plastinkaning
qolgan qismi esa, shu aktiv sohani ushlab turish uchun xizmat qiladi. Demak,
asbob tuzilmasi aktiv va passiv qismlardan tashkil topadi.
Passiv qism
texnologik jarayonda konstruktiv vazifani bajarib turadi, xolos. Chunki, o’ta
yupqa plastinkalar bilan ishlab chiqarish jarayonida ishlab bo’lmaydi.
Epitaksiya, umuman, yarimo’tkazgich plastinkani asbob uchun kerak bo’lmagan
passiv qism parazit qarshiligini kamaytirish yo’lini qidirish tufayli vujudga
keladi. Epitaksiya kichik omli plastinkalarda yuqori omli yarimo’tkazgichli
qatlamlarni o’stirish imkonini berdi.
1.1a-rasmda bir jinsli galliy arsenidi plastinkasida va
n
+
− n tuzilmada
tayyorlangan planar va diskret meza diodlarning kristallari ko’rsatilgan.
Bunda
11
n-epitaksial qatlam solishtirma qarshiligi bir jinsli n-GaAs plastinkasining
solishtirma qarshiligiga teng. Meza kristallar (1.1-rasm, a, I-rasm) va planar
kristallar (1.1-rasm, a, II-rasm) solishtirishlaridan kelib chiqadiki, ikkinchi holat
epitaksial tuzilmalarda (1.1-rasm, b, I-rasm va II-rasm) kristallning qalinlik
qarshiligi R kam. Shunday qilib,
n
+
− n tur epitaksial
tuzilmali diodlarning
mezaepitaksial va epitaksial-planarlarning chegara takroriyliklari yuqori bo’ladi.
Chunki,
ƒ ≈ 1/RC, bu yerda С—p–n)-o’tishning to’siq sig’imi. Epitaksiyaning
afzalliklaridan yana biri, qalinlikning qatlam bo’yicha talab darajasidagi
kirishmalar taqsimotiga ega bo’lgan legirlangan plastinkani olish imkoniyatini
berishidir. Bu esa, turli xildagi yarimo’tkazgichli
asboblar va integral
mikrosxemalarning yaratilishiga olib keldi.