Tаrkibiy trаnzistоrlаr - Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari

|
Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari
|
bet | 20/36 | Sana | 12.06.2024 | Hajmi | 2,98 Mb. | | #262836 |
Bog'liq Elektronika javob26. Tаrkibiy trаnzistоrlаr
Tarkibiy tranzistorlar Kaskadlarning kuchaytirish koeffitsiyentlari va kirish qarshiliklari uchun ifodalarni tahlil qilib ularning maksimal qiymatlari UE ulangan sxemada tranzistorning differensial tok uzatish koeffitsienti bilan aniqlanadi deb xulosa qilish mumkin. ning real qiymatlari transistor tuzilmasi va tayyorlanish texnologiyasi bilan aniqlanadi va odatda bir necha yuzdan oshmaydi.Bir nechta tranzistorni o`zaro ulab qiymatini oshirish muammosini hal qilish mumkin.Ulanishlar shunday amalga oshirilishi kerakki tranzistorlarni yagona transistor deb qarash mumkin bo`lsin.Bir turli tranzistorga nisbatan sxemaar birinchi marta Darlington tomonidan taklif etilgan edi,shuning uchun Darlington juftligi yoki tarkibiy transistor deb ataladi.
Elektronikada Darlington juftligi deb ataladigan ko'p tranzistorli konfiguratsiya ikkita bipolyar tranzistordan iborat bo'lib, bitta tranzistorning emitenti ikkinchisining bazasiga ulangan bo'lib , tok birinchi tomonidan kuchaytiriladi . tranzistor ikkinchisi tomonidan yanada kuchaytiriladi. [1] Ikkala tranzistorning kollektorlari bir - biriga ulangan. Ushbu konfiguratsiya alohida olingan har bir tranzistorga qaraganda ancha yuqori oqimga ega. U ko'pincha bitta tranzistor kabi ishlaydi va o'raladi. U 1953 yilda Sidney Darlington tomonidan ixtiro qilingan .
1-rasm.Darlington tranzistori (NPN turi)
Darlington juftligi o'zini bitta tranzistor kabi tutadi, ya'ni u bitta baza, kollektor va emitentga ega. Odatda yuqori oqim hosil qiladi (taxminan ikkita tranzistorning daromadlari mahsuloti, ularning b qiymatlari bir-biriga ko'payadi). Murakkab joriy daromad va individual daromadlar o'rtasidagi umumiy bog'liqlik quyidagicha ifodalanadi:
𝑏Darlington=𝑏1⋅𝑏2+𝑏1+𝑏2Agar b 1 va b 2 etarlicha yuqori bo'lsa (yuzlab), bu munosabatni quyidagicha taxmin qilish mumkin:
𝑏Darlington≈𝑏1⋅𝑏2
Oddiy Darlington tranzistori 1000 yoki undan ko'p oqimga ega, shuning uchun juftlikni ancha yuqori o'chirilgan oqimlarga aylantirish uchun faqat kichik bazaviy oqim kerak bo'ladi. Yana bir afzallik, kontaktlarning zanglashiga olib kirish uchun juda yuqori empedansini ta'minlashni o'z ichiga oladi, bu esa chiqish empedansining teng pasayishiga olib keladi
Bir kamchiligi - bu tayanch-emitter kuchlanishining taxminan ikki baravar oshishi. Darlington tranzistorining bazasi va emitenti o'rtasida ikkita bog'lanish mavjud bo'lganligi sababli, ekvivalent baza-emitter kuchlanishi ikkala asosiy-emitter kuchlanishlarining yig'indisidir:
Qurilma faol yoki to'yingan hududda ishlaganda har bir V BEi taxminan 0,65 V bo'lgan kremniyga asoslangan texnologiya uchun juftlikning zarur tayanch-emitter kuchlanishi 1,3 V ni tashkil qiladi. Darlington juftligining yana bir kamchiligi uning ortib borayotgan "to'yinganlik" kuchlanishidir. Chiqish tranzistorining to'yinganligiga yo'l qo'yilmaydi (ya'ni, uning asosiy-kollektor birikmasi teskari yo'nalishda qolishi kerak), chunki birinchi tranzistor to'yinganida kollektor va ikkinchi tranzistorning asosi o'rtasida to'liq (100%) parallel salbiy aloqa o'rnatadi. [3] Kollektor-emitter kuchlanishi o'zining bazaviy-emitter kuchlanishi va birinchi tranzistorning kollektor-emitter kuchlanishi yig'indisiga teng bo'lganligi sababli, normal ishlashda ikkala ijobiy miqdor ham har doim bazaviy-emitter kuchlanishidan oshib ketadi. Shunday qilib, Darlington tranzistorining "to'yinganlik" kuchlanishi odatda kremniyda 0,1 - 0,2 V bo'lgan bitta tranzistor to'yinganlik kuchlanishidan bir V BE (kremniyda taxminan 0,65 V) yuqori. Teng kollektor oqimlari uchun bu kamchilik bitta tranzistorga nisbatan Darlington tranzistori uchun tarqaladigan quvvatning oshishiga olib keladi. Yuqori past chiqish darajasi TTL mantiqiy davrlarini boshqarganda muammolarni keltirib chiqarishi mumkin.
Yana bir muammo - bu kommutatsiya tezligi yoki javobning pasayishi, chunki birinchi tranzistor ikkinchisining asosiy oqimini faol ravishda inhibe qila olmaydi, bu esa qurilmani o'chirishni sekinlashtiradi. Buni engillashtirish uchun ikkinchi tranzistor ko'pincha uning bazasi va emitent terminallari o'rtasida bir necha yuz ohmlik rezistorga ega. [1] Bu rezistor tayanch-emitter birikmasida to'plangan zaryad uchun past empedansli tushirish yo'lini ta'minlaydi, bu esa tranzistorni tezroq o'chirishga imkon beradi.
Darlington juftligi bitta tranzistorga qaraganda yuqori chastotalarda ko'proq faza almashinuviga ega va shuning uchun salbiy teskari aloqa bilan osongina beqaror bo'lib qolishi mumkin (ya'ni, bu konfiguratsiyadan foydalanadigan tizimlar tranzistorning qo'shimcha kechikishi tufayli yomon ishlashi mumkin).
5.2\14.1\22.1\27.1\28.2
|
| |