Bt va mt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini, ttm integral sxemasini, mdya tranzistorlardagi mantiqiy elementlarni tadqiq etish. Ims optronlarni tadqiq etish. Bt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini tadqiq

|
Bt va mt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini, ttm integral sxemasini, mdya tranzistorlardagi mantiqiy elementlarni tadqiq etish. Ims optronlarni tadqiq etish. Bt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini tadqiq
|
bet | 1/6 | Sana | 27.08.2024 | Hajmi | 307,2 Kb. | | #269936 |
Bog'liq 3-tajriba E va S2 SIRTQI
BT va MT da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini, TTM integral sxemasini, MDYa tranzistorlardagi mantiqiy elementlarni tadqiq etish. IMS optronlarni tadqiq etish.
BT da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini tadqiq etish.
Ishning maqsadi: Bipolyar tranzistorli sodda kalit sxemasida statik rejimlarni va o‘tish jarayonlarini tajriba yo‘li bilan o‘rganish.
1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Elektron kalitlar impulsli hamda raqamli mantiqiy qurilmalarda asosiy element hisoblanadi. Elektron kalit yuklama zanjiriga ulanib, tashqi boshqaruv signali ta’sirida davriy ravishda ulash va ajratishni amalga oshirib turadi. Buda kalitning chiqishidagi signal bir-biridan yetarlicha farq qiluvchi ikkita diskret qiymatga ega bo‘ladi. Bu xossasi ularni Bul algebrasidagi funksiyalarini amalga oshiruvchi asosiy mantiqiy element (ME) sifatida qo‘llash imkonini beradi.
Kalit asosan ikki elementdan tashkil topgan bo‘lib, bular qayta ulanuvchi (QUE) va yuklama (YuE) elementlardir. Kalit (invertor) tuzilishining umumlashgan sxemasi ushbu 5.12.1.-rasmda berilgan.
a) b)
5.12.1– rasm. BT da yasalgan kalit sxemasi: a) kalit (invertor) umumlashtirilgan sxemasi; b) BT asosidagi sodda elektron kalit sxemasi.
Qayta ulovch element ikki turg‘unga: ulangan v a uzilgan holatga ega. Bu shartlarga bipolyar va mavdoniy tranzistorlarning ba’zi turlari mos keladi. YuE manbadan iste’mol qilinayotgan tokni cheklash uchun xizmat qiladi.
Kalit turini tanlashda IMS larda asosiy mezon bo‘lib, texnologik muvofiqlik hisoblanadi. Texnologik muvofiqlik deganda, turli sxema elementlarini yagona texnologik jarayonda tayyorlash imkoni tushuniladi. Bir xil elementlardan tashkil topgan sxemalar afzal sanaladi. Yuklama va qayta ulanish elementi MDYA tranzistorlardan tashkil topgan kalitlar yuqori texnologik va universal hisoblanadi.
BT li sodda elektron kalit sxemasi 5.12.1.b-rasmda keltirilgan. U umumiy emitter (UE) sxemada ulangan BT da yasalgan kuchaytirgich kaskadidan iborat. Kuchlanish manbayi EM va RK ko‘rinishdagi yuklama qarshiligidan tashkil topgan zanjir boshqariluvchi zanjir hisoblanadi. Boshqaruvchi (baza) zanjir boshqaruv signali manbayi UKIR va unga ketma-ket ulangan qarshilik RB dan tashkil topgan. BT elektron kalit shartiga ko‘ra berk rejimda yoki to‘yinish rejimida ishlashi kerak. Kirishga manfiy qutbli signal berilsagina tranzistor berk rejimga o‘tadi. Ma’lumki, berk rejimda tranzistor toklari 𝐼𝐸 ≈ 0; 𝐼𝐾 = 𝐼𝐾0; = −𝐼𝐾0; ga teng bo‘ladi. Bu yerda «—» belgisi baza toki aktiv rejimdagi baza toki yo‘nalishiga teskari yo‘nalishda oqib o‘tishini bildiradi. Kalit rejimida IK0 toki qoldiq tok deb ataladi. U juda kichik bo‘lganligi sababli, chiqish kuchlanishi UCHIQ manba kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo‘ladi.
𝐸𝐶𝐻𝐼𝑄 = 𝐸𝑀 − 𝐼𝐾0𝑅𝐾 ≈ 𝐸𝑀;
ya’ni manba zanjiridan yuklama uzilishiga mos keladi (kalit uzilgan).
Agar UKIR musbat qutbga va yetarlicha katta qiymatga ega bo‘lsa, u holda tranzistor aktiv yoki to‘yinish rejimiga o‘tadi, ya’ni ochiladi (kalit ulangan).
Yuklama zanjirida tok oqib o‘tadi, kalit chiqishidagi kuchlanish esa UCHIQ = UKE = UQol ga teng bo‘lib, qoldiq kuchlanish deb ataladi. To‘yinish rejimidagi qoldiq kuchlanish UEB va UKB lar ayirmasiga teng va doim aktiv rejimdagi qoldiq kuchlanish qiymatidan kichik bo‘ladi. Shu sababli, kalit sifatida tranzistorning aktiv rejimda ishlashi ma’qul emas, chunki unda qo‘shimcha PK = IK UKE quvvat sochiladi va sxema FIK pasayadi. Kremniyli tranzistorlar uchun to‘yinish rejimida UQol= 0,25 V ga teng, ya’ni nolga yaqin.
Qaralayotgan kalit invertor ekanligi yaqqol ko‘rinib turibdi, ya’ni kirish signalining manfiy qiymatlardan musbat qiymatlarga ortishi, chiqish kuchlanishi UKE ni EM dan qoldiq kuchlanishgacha kamayishiga olib keladi.
Umuman olganda, bu kalit - invertor to‘g‘ri mantiqdagi musbat signallar bilan ishlashga mo‘ljallangan. Shu sababdan bu yerda UKIR< 0 shart bajarilmaydi.
Lekin kremniyli p-n o‘tish musbat kuchlanishda ham, agar UKIR < 0,6 V bo‘lsa, deyarli berk holda qoladi. Bu vaqtda tranzistorning uchala elektrod toklari odatda mikroamper ulushlaridan ortmaydi.
a) b)
5.12.2. - rasm. Tranzistorning statik xarakteristikalarida kalit ishchi nuqtalari.
Qoldiq tok hamda qoldiq kuchlanish kalitning asosiy statik parametrlaridir. BT ning kalit rejimi katta diapazondagi tok va kuchlanish impulslarining o‘zgarishi bilan ta’minlanadi. Shu sababli, kalitning statik parametrlari grafik va analitik usulni qo‘llash yordamida aniqlanadi.
Bunda bizga kalitda qo‘llanilayotgan tranzistorlarning chiqish (5.12.2a-rasm) hamda kirish (5.12.2b-rasm) xarakteristikalari kerak boladi. Chiqish xarakteristikalar oilasida B nuqta (bu yerda UKE=EM ) va A nuqta (bu yerda IK = EK/RK) larni tutashtirib, AB yuklama chizig‘ini chizamiz. Shunda D nuqta to‘yinish chegarasini hamda C nuqta UKB = 0 bo‘lganda boshlanadigan berk rejim chegarasini beradi.
Yuqoridagilarga asosan kalit rejimda ishlash uchun tranzistorli kaskad ishchi nuqtasi yoki D nuqtadan chaproqda, yoki C nuqtadan o‘ngroqda joylashishi lozim. Bu nuqtalar oralig‘ida kaskad tranzistorning to‘yinish rejimidan berk rejimga o‘tish holatida yoki aksincha bo‘ladi. Tranzistor bu holatda qanchalik kam vaqt tursa, kalitning tezkorligi shunchalik yuqori bo‘ladi. O‘tish holatlari noasosiy zaryad tashuvchilar bazadan chiqarib yuborish vaqti va baryer sig‘imning qayta zaryadlanish jarayonlari bilan belgilanadi.
Statik rejimda RB qarshilikning berilgan qiymatlarida baza tokining UKIR kuchlanishiga bog‘liqligini kirish xarakteristikasi (5.12.2a-rasm) yordamida aniqlash mumkin. Buning uchun EF yuklama chizig‘ini o‘tkazish kerak. E nuqta UBE = UKIR, F nuqta esa UKIR/RB qiymati bilan aniqlanadi. Kirish xarakteristikasi bilan yuklama chizig‘i kesishgan K nuqta baza toki va UBE kuchlanishining ishchi qiymatlarini aniqlaydi. UKIR ning vaqt bo‘yicha o‘zgarishi EF to‘g‘ri chiziqning parallel siljishiga va mos ravishda, K nuqtaning siljishiga olib keladi (shtrix chiziqlar).
D nuqta bilan aniqlanadigan to‘yinish rejimiga o‘tish uchun kirish toki IB ni bazaning to‘yinish toki deb ataluvchi IBTO‘Y qiymatgacha oshirish kerak. Bu vaqtda unga mos keluvchi kollektor toki kollektorning to‘yinish toki IKTO‘Y, kuchlanish esa to‘yinish kuchlanishi UKE,TO‘Y yoki qoldiq kuchlanish,
UKE TO‘Y = UQol = EM — IK,TO‘Y RK deb ataladi.
Ma’lumki, tranzistorli kalit sxemasi ikkita turg‘un statik holatga ega bo‘lishi shart, bularda tranzistor to‘yinish rejimida (ochiq holatda) yoki berk rejimda (yopiq holatda) bo‘ladi. Kremniyli tranzistor kalit sxemalarida tranzistorning yopiq holatiga aktiv rejimning boshlang‘ich sohasi mos keladi. Bir turg‘un holatdan boshqasiga o‘tishda tranzistor aktiv yoki invers rejimlarda ishlaydi.
Tranzistorli kalit statik holatlarning parametrlari qu‘yidagilardan iborat:
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Bt va mt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini, ttm integral sxemasini, mdya tranzistorlardagi mantiqiy elementlarni tadqiq etish. Ims optronlarni tadqiq etish. Bt da yasalgan kalit sxemasining uzatish xarakteristikasini tadqiq
|