Bipolyar tranzistorlar - Qurbonov zarifjon 619. 21 gurux refara t bipolyar tranzistorlar. Reja

|
Qurbonov zarifjon 619. 21 gurux refara t bipolyar tranzistorlar. Reja
|
bet | 3/3 | Sana | 21.01.2024 | Hajmi | 0,85 Mb. | | #142346 |
Bog'liq Qurbonov zarifjon 619. 21 gurux refara t bipolyar tranzistorlar.Bipolyar tranzistorlar.
S-Bipolyartranzistor(ВТ)debo‘zarota’sirlashuvchiikkitap-n o‘tishdantashkiltopganvasignallarnitok,kuchlanishyokiquvvat bo‘yichakuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo‘tkazgich asbobga aytiladi.
-BT datokhosilbo'lishidaikkixil(bipolyar)zaryadtashuvchilar- elektronlar va kovaklarishtirok etadi. ВТ p - van - o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchiuchta(emitter,baza va kollektor) yarimo‘tkazgich sohaga ega.
-Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqishzanjiri uchun umumiy qilib ulanadi.
W-Analog qurilma – gibrid integral sxema (keyingi matnda– GIS) asosidagi kuchaytirgich ishlab chiqiladi.
-Elektron kuchaytirgich – bu qurilma elektr signalini shaklini saqlagan holda quvvatini oshirishga mo’ljallangan.
-Kuchaytirgichlar radioelektron apparaturalarda eng ko’p tarqalgan qurilma hisoblanadi. Kuchaytirgichni mikrosxema ko’rinishida ado etish aktual hisoblanadi.
-Integral mikrosxema (IMS)
tayyorlashda tehnologiya bo’yicha ikki yo’nalish farqlanqdi: yarim o’tkazgichli va gibrid (IMS) li. GIS o’z
tarkibida plyonkali passiv elementlar va osiladigan faol elementlarga ega va bir qator afzalliklarga ega: passiv
elementlarni har qanday qiymatlarini olish imkoniyatiga, parametrlarni haroratga kam darajada bog’liqligi
ishlab chiqarishni tashkil qilishda uncha katta bo’lmagan harajatga egaligi va platani tayyorlashni oddiyligi.
O-Agar emitter o’tish teskari yo’nalishda, kollektor o’tish esa to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’lsa, u holda bu
tranzistor invers yoki teskari ulangan deb ataladi.
-Tranzistor raqamli sxemalarda qo’llanilganda u to’yinish
rejimida (ikkala o’tish ham to’g’ri yo’nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o’tish teskari siljigan)
ishlashi mumkin .
-Kuchlanish manbai USI ning ulanishi p–n o’tish kengligiga ham tasir ko’rsatadi, chunki o’tish kuchlanishi
kanal uzunligi bo’ylab turlicha bo’ladi.
-Kanal potentsiali uning uzunligi bo’ylab o’zgaradi: istok potentsiali
nolga teng bo’lib, stok tomonga ortib boradi, stok potentsiali esa USI ga teng bo’ladi. p–n o’tishdagi teskari
kuchlanish istok yaqinida ga, stok yaqinida esa teng bo’ladi.
T-Bipolyar tranzistor p-n-p va n-p-n o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan uchta yarim o’tkazgichdan tashkil topgan
-Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni
baza deb ataluvchi o’rta sohaga (r - soha) injektsiyalaydi
-. Keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi.
U emiitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo’lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraktsiyalash
uchun xizmat qiladi
-Emitter va baza oralig’idagi o’tish emitter o’tish, kollektor va baza
oralig’idagi o’tish esa -kollektor o’tish deb ataladi.
Mavzular bo’yicha video-roliklarni ko’rib chiqish va taxlil qilish yangi ma’lumotlar olish.
Mavzu;BIPOLYAR TRANZISTORLAR
https://youtu.be/44qj20LAlak
https://youtu.be/zl8G0DxMrok
Glossary tayyorlash.
Mavzu;Bipolyar tranzistorlar.
Yangi ma’lumotlarni internet saytlaridan izlash.
https://www.coursehero.com/file/51881316/Bipolyar-transistor-haqida-qisqacha-madocx/
https://music4good.ru/uz/wiring/what-are-the-characteristics-of-bipolar-transistors-bipolar-transistors.html
Adabiyotlar taxlili.
Mavzu;Bipolyar tranzistorlar.
|
| |