O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va - bet 5

|
O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari vaBog'liq Differensial kuchaytirgichbitta bo‘lishi mumkin bo‘lgan
A3 kuchayishi bilan kuchaytiriladi ( R3 = R4 deb
faraz qilsak). ). Keyin biz asboblar kuchaytirgich pallasining umumiy kuchlanish
ortishi uchun umumiy ifodaga ega bo'lamiz:
Instrumental kuchaytirgich tenglamasi
Operatsion kuchaytirgichlar haqidagi keyingi qo'llanmada biz qayta aloqa
rezistori sig'im ko'rinishidagi chastotaga bog'liq reaktans bilan almashtirilganda
chiqish kuchlanishining Vout ta'sirini ko'rib chiqamiz. Ushbu qayta aloqa
sig'imining qo'shilishi Integral kuchaytirgich deb ataladigan chiziqli bo'lmagan
operatsion kuchaytirgich sxemasini ishlab chiqaradi.
DKning an’anaviy sxemasi 7.1,a
-rasmda keltirilgan. Kuchaytirgich ikkita
simmetrik yelkadan tashkil topgan bo‘lib, birinchisi
VT1 tranzistor va R
K1
rezistordan, ikkinchisi esa, VT2 tranzistor va R
K2
rezistordan tashkil topgan. R
E
rezistor ikkala yelka uchun umumiy. Har bir yelka manfiy TAli UE ulangan
kaskadni tashkil etadi. Sxemaning boshlang‘ich ish rejimi
I
0
tok bilan
aniqlanu
vchi BTG yoki uning o‘rnini bosuvchi katta nominalli
R
E
rezistor bilan
ta’minlanadi.
DK elementlari ko‘prik sxema hosil qiladi. Sxema diagonallaridan biriga
ikki qutbli kuchlanish manbai yo Ye
M
, ikkinchisiga esa, yuklama qarshiligi R
Yu
ulangan. Sxemadan fo
ydalanilgan holda, ko‘prik balansi sharti, ya’ni uning
chiqish kuchlanishi
В
А
ЧИК
U
U
U
nolga teng bo‘ladi:
1
2
2
1
K
VT
K
VT
R
R
R
R
. (7.1)
a) b)
7.1-rasm. Differensial kuchaytirgich (a) va uning ekvivalent sxemasi (b).
Shart bajarilganda, ya’ni
Ye
M
kuchlanishlar va ko‘prik yelkalari
qarshiliklari o‘zgarsa ham, balans buzilmaydi.
VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil (
2
1
VT
VT
R
R
),
2
1
K
K
R
R
bo‘lgan ideal DK xususiyatlarini ko‘rib chiqamiz.
2
1
КИР
КИР
U
U
bo‘lganda
kollektorlar potensiallari U
K1
va U
K2
bir xil, natijada, yuklamadagi chiqish kuchlanishi
0
2
1
K
K
ЧИК
U
U
U
bo‘ladi. Sxema simmetrik bo‘lgani uchun, kuchlanish manbai
va temperatura bir vaqtda o‘zgarganda, chiqish kuchlanishi
U
ChIQ
=0 qiymati saqlanib
qoladi, ya’ni ideal DKda nolning dreyfi bo‘lmaydi.
DK ikkita kuchlanish manbaidan ta’minlanadi. Bu manbalarning
kuchlanishlari modul bo‘yicha bir
-biriga teng. Ikkinchi manba (-Ye
M
)ning
ishlatilashi VT1 va VT2 tranzistorlarlarning emitterlari potensiallarini (E nuqta)
umumiy shina potensialigacha kamaytirish imkonini beradi. Bu, birinchidan, DK
kirishlariga signallar sathini siljitmasdan uzatish (kiritish), ikkinchidan, ham
musbat, ham manfiy kirish signallari bilan ishlash imkonini beradi.
DK kirishlariga amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar beraylik.
Bunday signallar
sinfaz
signallar deb ataladi. Sinfaz signallar manbai bo‘lib
xalaqitlar xizmat qiladi. Agar sinfaz signallar musbat bo‘lsa, VT1 va VT2
tranzistorlarlarning emitter toklari qiymatlari ortadi. Natijada, emitter toki
orttirmasi
Δ
I
E
hosil bo‘ladi va u DK yelkalari orasida teng taqsimlanadi,
kollektorlar potensiallari bir xil qiymatga o‘zgaradi. Natijada, bu holda ham
U
ChIQ
=0 bo‘ladi.
Real DKlarda R
K1
≠ R
K2
bo‘lgani uchun chiqishda kuchlanish hosil bo‘ladi.
Sinfaz signallar uchun kuchaytirish koeffitsiyenti K
USF
ni hisoblaymiz. DK da R
E
rezistor tok bo‘yicha ketma
-ket manfiy TA hosil qiladi, tok orttirmasi esa, unda
manfiy TA signalini hosil qiladi. Demak, K
USF
manfiy TAli kuchaytirgich kaskad
uchun yozilgan oddiy formula bilan hisoblanishi mumkin. DKda R
E
rezistor
emitter zanjirlar uchun umumiy bo‘lgani tufayli
R
E
o‘rniga 2
R
E
ishlatish kerak,
ya’ni
|
| |