2 laboratoriya ishi mavzu: Yarimo’tkazgichli diodlar parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish. Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish. Optronni tadqiq etish Ishning maqsadi - bet 4

|
2 laboratoriya ishi mavzu: Yarimo’tkazgichli diodlar parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish. Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish. Optronni tadqiq etish Ishning maqsadi
|
bet | 4/4 | Sana | 20.05.2024 | Hajmi | 158,82 Kb. | | #245723 |
Bog'liq 2 laboratoriya ishi mavzu Yarimo’tkazgichli diodlar parametrlarISТ ,mA
|
IST.MIN
|
|
|
|
|
IST.MAX
|
USТ, V
|
|
|
|
|
|
|
3.5. O’lchash ishlarini bajarib, 4.1 - jadvalni to’ldiring va stabilitronning VAXsini chizing.
3.6. Kuchlanishni barqarorlash rejimida stabilitron VAXsi (4.1) ifodaga binoan chiziqli funktsiya bilan approksimatsiyalang.
Tadqiq etilayotgan optron printsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini yozib oling.
2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.
2.1.1. 4.7 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o’rnating.
2.1.2. E1 ni o’zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi IKIR=f(UKIR) ni o’lchang. Yorug’lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo’lganligi sababli, kirish qarshiligini IKIR= E1/R1deb oling.
2.13-rasm
O’lchash natijalarini 2.2 – jadvalga kiriting.
2.2 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.3. E2=0 deb oling. E1 ni o’zgartirib borib, fotovoltaik rejim uchun optron uzatish xarakteristikasini ICHIQ=f(IKIR) o’lchang.
O’lchash natijalarini 2.3 – jadvalga kiriting.
2.3 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.4. E2=5 V o’rnating. 2.1.3 – banddagi o’lchashlarni fotodiodli rejim uchun takrorlang. o’lchash natijalarini 2.3 – jadvalga o’xshab, 4.3 – jadvalga kiriting.
2.4 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
2.1.5. Optron chiqishidagi signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o’lchang.
4.8 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, yorug’lik diodi zanjiriga impuls generatorini ulang. Genrator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kGs bo’lgan impulsni o’rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo’luvchisi orqali ostsilograf ulang. (Ostsilografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls amplitudasini o’lchash uchun foydalaning). E2=5 V o’rnating va chiqish toki ostsilogrammasidan signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o’lchang.
E2=0 ni o’rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o’lchovlarini takrorlang.
2.14-rasm
2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.
4.9 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, E2=5 V o’rnating.
2.15-rasm
(Bu sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitatsiya qiladi).
E1 ni o’zgartirib borib, IKIR=E1/R1 va ICHIQ=IK deb olib, tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi ICHIQ=f(IKIR) ni o’lchang. O’lchash natijalarini 4.2, 4.3 jadvallarga o’xshash tarzda 2.5 – jadvalga kiriting.
2.5 – jadval
Е1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR=E1/R1, mА
|
|
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. Optron kirish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatiga mos keluvchi kirish kuchlanishi UKIR qiymatini aniqlang.
3.2. Diodli va fotovoltaik rejimlar uchun optron uzatish xarakteristikalarini quring va IKIR=10 mA qiymatida tok bo’yicha uzatish koeffitsientini KI aniqlang.
3.3. Diodli optronda signal tarqalishining o’rtacha kechikish vaqtini hisoblab toping.
3.4. Tranzistorli optron uzatish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatida tok bo’yicha uzatish koeffitsientini KI aniqlang.
4. Hisobot mazmuni:
1) o’lchash sxemalari;
2) olingan bog’liqliklar jadvallari va grafiklari;
3) o’lchash va hisob natijalarining tahlili.
4) tadqiq etilayotgan optron chegaraviy qiymatlari va printsipial sxemasi;
5) o’lchash sxemalari;
6) o’lchangan bog’liqliklar jadvallari va grafiklari;
7) hisoblab topilgan parametrlar;
8) tok va kuchlanish ostsilogrammalari.
5. Nazorat savollari.
1. Yarimo’tkazgichli diod to’yinish toki qanday fizik mohiyatga ega ?
2. Ideal yarimo’tkazgichli diod VAXsining tenglamasini yozing va undagi parametrlarning fizik ma'nosini tushuntiring?
3. Diodga qo’yilgan kuchlanish qiymati va qutbi undagi p-n o’tish kengligiga qanday ta'sir ko’rsatadi ?
4. Diodning elektr modeli sxemasini chizing. Sxemadagi elementlar va ularning parametrlarini tushuntiring?
5. Germaniyli va kremniyli diodlarning VAXsi bir xil sharoitda farqli bo’lishiga sabab nima va u diodlarning qaysi parametrlari bilan ifodalanadi?
6. Yarimo’tkazgichli diod elektr modeli parametrlarini tajribada qanday aniqlash mumkin?
7. Ichki fotoeffekt deb qanday hodisaga aytiladi ?
8. Diod fototoki hosil bo’lish jarayonini tushuntirib bering. Bu jarayonni qaysi parametr izohlab beradi ?
9. Nima sababli fototranzistor sezgirligi fotodiod sezgirligidan yuqori?
10. Fotodiod inertsionligi sababi nima ?
11. Fototranzistor inertsionligiga sabab nimada ?
12. Yorug’lik diodi ishlash printsipini tushuntirib bering.
13. Nima uchun optronlar elektr zanjirlarni ajratishda qo’llaniladi ?
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
2 laboratoriya ishi mavzu: Yarimo’tkazgichli diodlar parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish. Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish. Optronni tadqiq etish Ishning maqsadi
|