қаршилиги - Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и цифровых технологий...

-0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,00 0,01 0,02 0,03 |
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и цифровых технологий и их инновационных решений», татуфф, Фергана, 4 мая 2023 гBog'liq 3 tomBu sahifa navigatsiya:
- -0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,00 0,01 0,02 0,03
184
қаршилиги,
диффузия сиғими ва дифференциал ўтказувчанлигига
таъсирини назарий тадқиқ қилиш асосий мақсад қилиб олинган.
mkT
e
mkT
U
U
e
n
h
h
h
mkT
e
mkT
U
U
e
p
e
e
e
h
e
e
p
D
e
TT
kL
e
n
D
e
TT
kL
G
0
2
0
0
1
0
)
(
2
)
(
2
1
(1)
Ушбу ифодадан фойдаланиб, дифференциал ўтказувчанликнинг
қўйилган кучланишга боғлиқлик графигини олиш мумкин (1- расм).
-0,2
-0,1
0,0
0,1
0,2
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
m=1
m=1,5
m=2
G, (См)
U, (В)
1-расм. p-n-ўтиш дифференциал
ўтказувчанлигининг кучланишга
боғлиқлиги
0
;
B
h
e
U
T
T
T
.
-0,10
-0,05
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
m=1
m=1,5
m=2
G, (См)
U, (В)
2-расм. p-n ўтиш дифференциал
ўтказувчанлигининг кучланишга
боғлиқлиги
.
0
;
B
h
e
U
T
T
T
-0,10
-0,05
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
m=2
m=1,5
m=1
G, (См)
U, (В)
3-расм. p-n-ўтиш дифференциал
ўтказувчанлигининг кучланишга
боғлиқлиги
0
;
B
h
e
U
T
T
T
.
1-расмдан кўринадики, кучли элeктромагнит майдон таъсирида p-n-
ўтишдаги элeктрон ва коваклар қизиган ва потeнциал тўсиқ баландлиги
Muqobil energiya manbaalari va telekommunikatsiya texnologiyalarini rivojlantirishing yangi bosqichilari
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и
цифровых технологий и их инновационных решений», ТАТУФФ, Фергана, 4 мая 2023 г.
185
ғалаёнланганда p-n-ўтиш ВАХси ноидеаллик коэффициенти қиймати
ортиши билан дифференциал ўтказувчанлик камайиб боради.
Кучсиз ЎЮЧ майдондаги p-n-ўтиш орқали ўтаётган ток фақат
потeнциал тўсиқ баландлигининг ғалаёнланишидан вужудга келганда p-n-
ўтиш дифференциал қаршилигининг
(2)
mkT
U
U
e
s
e
eI
mkT
dU
dI
R
)
(
1
1
)
(
ифодасидан фойдаланиб, дифференциал ўтказувчанлик учун
қуйидаги ифодага эга бўламиз.
mkT
U
U
e
s
mkTe
eI
G
)
(
1
(2)
Ушбу
формуладан
фойдаланиб,
аниқланган
дифференциал
ўтказувчанликнинг қўйилган кучланишга боғлиқлик графигини олиш
мумкин (2- расм).
Бундан кўринадики, кучсиз ЎЮЧ майдон таъсирида p-n-ўтишдаги
электрон ва коваклар қизимаган, фақат потeнциал тўсиқ баландлигининг
ғалаёнланишида p-n-ўтиш ВАХси ноидеаллик коэффициенти қиймати
ортиши билан дифференциал ўтказувчанлик камайиб боради.
Қоронғу ток, электрон ва коваклар қизитилмаса ва потенциал
тўсиқ баландлиги ғалаёнланиши ҳисобга олинмаганда p-n-ўтиш
дифференциал қаршилигининг (8) ифодасидан фойдаланиб, дифференциал
ўтказувчанлик учун қуйидаги ифодага эга бўламиз.
mkT
eU
s
mkTe
eI
G
(3)
Ушбу ифодадан фойдаланиб, дифференциал ўтказувчанликнинг
қўйилган кучланишга боғлиқлик графигини олиш мумкин (3-расм).
Бундан кўринадики, қоронғу ток, электрон ва коваклар
қизитилмаса ва потенциал тўсиқ баландлиги ғалаёнланиши ҳисобга
Новые этапы развития альтернативных источников энергии и телекоммуникационных технологий
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и
цифровых технологий и их инновационных решений», ТАТУФФ, Фергана, 4 мая 2023 г.
186
олинмаса
p-n-ўтиш ВАХси ноидеаллик коэффициенти қиймати ортиши
билан дифференциал ўтказувчанлик камайиб боради.
Адабиётлар
1.G. Gulyamov, G.Dadamirzaev M.G. Dadamirzaev, M. Kosimova
2020, “The influence of the microwave field on the characteristics of
the p-n junction,"
Euroasian Journal of Semiconductors Science and
Engineering
2 (4), (2020.2. M.G. Dadamirzaev, Journal of Modern
Physics, 6, 176-180 (2015).
3. M.G. Dadamirzaev. Influence of Deformation on CVC p-n-Junction
in a Strong
4. I. Falah. Mustafa, G
.
Shikha
,
N. Goyal
, and
S. K. Tripathi.
Non
‐
Ideal p
‐
n-junction Diode AIP Conference Proceedings
1393
, 75
(2011)
5.
Gulyamov G., Dadamirzaev M. G., Kosimova M. O. Comparison of
parameters of two-dimensional (2d) and three-dimensional (3D) pn-
junction diodes //Romanian Journal of Physics. – 2023. – Т. 68. – С.
603.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и цифровых технологий и их инновационных решений», татуфф, Фергана, 4 мая 2023 г
|