O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va - bet 9

|
O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari vaBog'liq Differensial kuchaytirgichuning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining
o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial
qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada
R
K
o‘rniga
R
DIF
qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan
maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish
koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi R
Yu
bilan aniqlanadi,
ya’ni (7.3) formulada
R
K
o‘r
niga R
Yu
qo‘yilishi kerak.
DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni
kuchaytirish
koeffitsiyentidan,
sinfaz
tashkil
etuvchini
so‘ndirish
koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari ham kiradi.
Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi R
Yu
e’tiborga olin
-maganda
DKning chiqish qarshiligi
2
1
K
K
ЧИК
R
R
R
.
Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish
qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma
-ket
ulangan bo‘ladi
. R
E
=0 bo‘lganda:
Б
Э
КИР
r
r
R
)
1
(
2
.
β
= 100, r
E
= 250 Om va r
B
= 150 Om bo‘lsin, bunda
R
KIR
= 5,35 kOm
bo‘ladi.
β
ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga I
B0
bog‘liq. Shuning uchun kirish
qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad
kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida
tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi
(7.4-
rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
2
2
21
Э
I
h
K
.
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
1
2
1
1
2
1
Б
БЭ
КИР
Б
БЭ
БЭ
Б
БЭ
I
U
R
I
U
U
I
U
R
.
bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib:
2
2
1
)
1
(
КИР
КИР
КИР
КИР
R
R
R
R
.
7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi.
Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β
marta
ortar ekan.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab ham
oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r
–
n
o‘tish bilan boshqariluvchi
MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi
yuqoriroq.
Kanali r
–
n
o‘tish bilan boshqariladigan
n
–
kanalli MTlar asosidagi
DKning an’anaviy sxemasi 7.5
-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3
tranzistor bilan R
I
rezistor asosida hosil qilingan.
7.5-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.
R
SIL1
va R
SIL2
rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga
boshlang‘ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi
teskari siljitilgan r
–
n
o‘tishning differensial qarshiligidan iborat bo‘ladi va
10
8
÷ 10
10
Om ni tashkil etadi.
Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun
n
–
kanalli r
–
n
o‘tish
bilan boshqariladigan MT va n
–
p
–
n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy
tranzistorlardan foydalaniladi. DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil
OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi.
XULOSA
Hozirgacha biz kuchaytirgichga ulanish uchun bitta kirish signalini kuchaytirish
uchun boshqa kirish erga ulangan holda "inverting" yoki "inverting bo'lmagan"
kirish terminalidan foydalangan holda operatsion kuchaytirgichning faqat bitta
kirishidan foydalanganmiz.
Ammo standart operatsion kuchaytirgich ikkita kirishga ega bo'lgani uchun,
inverting va inverting, biz signallarni bir vaqtning o'zida ikkala kirishga ham
ulashimiz mumkin va
|
| |