Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

2







Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”













Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»



















Преподаватель: Болтаев А.В.

                                                               Студент: Черепанов К.А.

                                                               Группа: Р-207





















Екатеринбург

2000



Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.











































































Содержание

Краткая характеристика диода	4

Паспортные параметры:	4

Электрические	4

Предельные эксплуатационные	4

Вольт-амперная характеристика	5

При комнатной температуре	5

При повышенной	6

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С	6

Определение величины TKUпрям TKIобр	6

Определение сопротивления базы rб	9

Приближенное	9

Точное	9

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема	10

Библиографический список	10

Затраты времени на:	10

	Информационный поиск	10

	Расчеты	10

	Оформление	10











































Краткая характеристика диода

   Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для  преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в  металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. 

   Масса диода не более 4 г.

КД213А



Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

    Постоянное прямое напряжение при  Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

   Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

	при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

	при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ



               

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при  RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный  прямой ток при  tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный  обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при       tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление 

	переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

	переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт



Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С



Общая таблица параметров

		

Предельные значения параметров при Т=25˚С

Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С

Значения параметров при Т= 25˚С

R т п-к, ˚С/Вт

I пр, ср max

А



Uобр, и, п мах, В 

Uобр мах, В

Iпрг (Iпр, уд)мах, А



fмах, кГц



Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В



tвос, обр (tвос, обр при  Tп мах), мкс



I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА

































Т˚С







tи(tпр), мс







Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А



Iпр, и, А

Uпр, и, В



































10

85

200

200

100

10

100

140

1

10

0,3

1

20

0,2

1,5



Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре



При повышенной 











Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С







Зависимость R= от Uпр 







Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

R=

0,3

0,2333333

0,16

0,1125

0,090909

0,073333





















Зависимость r~ от Uпр 





Uпр

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

r~

0,1

0,0666667

0,05

0,044444

0,038462













Зависимость R= от Uобр 







Uобр 

50

100

150

200

250

300

R=

3571429

6666666,7

8333333

4878049

2777778

1304348



























Зависимость r~ от Uобр 





Uобр 

50

100

150

200

250

r~

50000000

25000000

5555556

2631579

1157407











Зависимость Cдиф от Uпр 







Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6













Зависимост Сб  от Uобр













Определение величины TKUпрям TKIобр









Определение сопротивления базы rб

Приближенное





Точное



		

		

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 



Rобр

rб

Сб

Ск

Библиографический список

Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 

Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

Лекции по курсу  «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.



Затраты времени на:

Информационный поиск-72 часf

Расчеты-1час (67 мин.)

Оформление- 6 часов (357мин.)