Высокотемпературная сверхпроводимость

Высокотемпературная сверхпроводимость

	

	     Открытие в  конце  1986  года нового класса высокотемпературных сверхпроводящих материалов радикально расширяет возможности практического использования сверхпроводимости для создания новой техники и окажет революционизирующее воздействие на эффективность отраслей народного хозяйства.

	     Явление, заключающееся  в  полном исчезновении электрического сопротивления проводника при его охлаждении ниже критической температуры,  было открыто в 1911 году, однако практическое использование этого явления началось в середине шестидесятых годов,  после того как были разработаны сверхпроводящие материалы, пригодные для технических применений. В связи с тем, что критические  температуры этих материалов не превышали 20 К,  все  созданные  сверхпроводниковые  устройства эксплуатировались при температурах жидкого гелия, т.е. при 4-5 К. Несмотря на дефицитность этого хладоагента,  высокие энергозатраты на его ожижение,  сложность и высокую стоимость систем теплоизоляции по целому ряду направлений началось практическое использование сверхпроводимости.  Наиболее крупномасштабными применениями сверхпроводников явились электромагниты ускорителей заряженных частиц, термоядерных установок, МГД-генераторов. Были созданы опытные образцы сверхпроводниковых электрогенераторов, линий электропередачи, накопителей энергии, магнитных сепараторов и др. В последние годы в различных капиталистических странах началось массовое производство диагностических медицинских ЯМР-томографов со сверхпроводниковыми магнитами, потенциальный рынок которых оценивается в несколько млрд. долларов.

	     Открытие высокотемпературных  сверхпроводников,  критическая температура которых с запасом превышает температуру кипения жидкого  азота,  принципиально  меняет  экономические  показатели сверхпроводниковых устройств,  поскольку стоимость хладоагента и затраты на поддержание необходимой температуры снижаются в 50-100 раз.  Кроме того, открытие высокотемпературной сверхпроводимости  (ВТСП)  сняло  теоретический  запрет  на  дальнейшее повышение критической температуры с 30 - вплоть до комнатной.  Так, со времени открытия этого явления критическая температура повышена с 30 - 130 К.

	     Государственная научно-техническая программа предусматривает широкий комплекс работ, включающих в себя фундаментальные и прикладные исследования,  направленные на решение проблемы технической реализации высокотемпературной сверхпроводимости.

	     В соответствии со структурой программы главными направлениями работ являются:

	

	1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ И СВОЙСТВ ВТСП.

	     Основными задачами  этого  направления  являются фундаментальные исследования по выяснению механизма высокотемпературной сверхпроводимости, разработка теории ВТСП, прогнозирование поиска новых соединений  с  высокими  критическими  параметрами  и определение  их  физико-химических свойств.

	

	2. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА СВОЙСТВА ВТСП МАТЕРИАЛОВ.

	     По данному направлению будут проводиться исследования влияния высоких давлений, механических и  тепловых  воздействий,  ионизирующих излучений,  электромагнитных полей и других внешних факторов на свойства ВТСП материалов и выработка рекомендаций по вопросам создания ВТСП материалов с оптимальными технологическими и техническими характеристиками.

	

	

	

	

	

	

	3. НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ И ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ВТСП МАТЕРИАЛОВ.

	     Главными задачами  исследований  по  данному направлению являются разработка теоретических основ получения высокотемпературных сверхпроводящих материалов с заданными  свойствами,  синтез новых материалов  с необходимыми для технической реализации параметрами,  разработка технологий получения высокотемпературных сверхпроводников заданных технических форм. Ключевыми вопросами                                  этого направления и всей программы в целом является создание технологичных и стабильных  тонкопленочных структур,  приемлемых для реализации в слаботочной технике,  и особенно  сильноточных токонесущих  элементов в виде проводов,  лент,  кабелей и др.  для использования в сильноточной технике.

	

	4. СЛАБОТОЧНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ВТСП.

	     Создание конкретных технических изделий на  основе  ВТСП  материалов  наиболее  реально  в ближайшее время именно в слаботочной технике, т.е. в микроэлектронике и вычислительной технике.

	     В рамках программы предполагается разработка и освоение серийного производства трех  классов электронных сверхпроводниковых приборов:

	     - СКВИДы (приборы на основе джозефсоновских переходов) как детекторы слабых магнитных  полей для применения в медицине (магнитоэнцефалография), геологии и геофизике (поиск полезных ископаемых, изучение геологического строения земной коры,  прогноз землетрясений), материаловедении  (неразрушающий контроль материалов, конструкций),  военной технике (обнаружение магнитных аномалий, в частности,  глубинных подводных лодок),  научных исследованиях,  связи и навигации.

	     Широкое освоение  и внедрение СКВИД магнитометрического метода измерений позволит в короткий срок качественно изменить многие виды измерительной техники,  повысить в сотни и более  раз чувствительность приборов и точность измерений,  подвести измерительные возможности широкой номенклатуры  датчиков  к  теоретическому  пределу,  вывести  измерительную  технику  на   высший качественно новый уровень.

	     - Аналого-цифровые приборы (АЦП), использующие сверхбыстрые (доли пикосекунды)  переключения от джозефсоновского к "гиверовскому" режиму работы, для применений в новейших системах связи, цифровых вычислительных устройствах для обработки и анализа аналоговых сигналов и др.

	     - Приборы,  основанные на эффекте появления на джозефсоновском переходе постоянного напряжения при  подаче на него СВЧ сигнала,  для использования в прецизионных измерительных системах (например, эталон Вольта).

	     Широкое применение ВТСП найдет в вычислительной технике.  Уже в настоящее время разработаны, изготовлены и испытаны макеты ячейки памяти, сверхчувствительный элемент считывания на ВТСП пленках с  кратным снижением энерговыделения по сравнению с полупроводниковыми усилителями считывания, сверхскоростные линии связи, которые позволят увеличить производительность систем в 10 - 100 раз.  Внедрение ВТСП в вычислительную технику даст кратное увеличение ее быстродействия и степени интеграции.  Так, переход на ВТСП соединения и снижение рабочей температуры полупроводниковых суперЭВМ позволит повысить их производительность с 10х9 до 10х12 операций/сек.

	     Одной из перспективных областей применения ВТСП будет космическая  техника  -  бортовые  и "забортовые" измерительная аппаратура и вычислительные системы (возможна работа без специальных устройств охлаждения,  так как "теневая" температура у спутников -  90 К).  При этом при переходе на ВТСП удельная масса охлаждающей системы снизится в 50 раз,  объем уменьшится в 1000 раз, надежность возрастет в 10 раз.

	     Широкие перспективы использования ВТСП открываются в СВЧ-технике и в создании датчиков видимого и ИК диапазона с высокой чувствительностью.

	

	5. СИЛЬНОТОЧНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ВТСП.

	     Применение ВТСП в сильноточной технике будет иметь наиболее радикальные экономические последствия для народного хозяйства.

	     Это направление включает в себя создание электроэнергетических устройств и систем, вырабатывающих, передающих и преобразующих электроэнергию в  промышленных  масштабах.  Основой  этого направления является   способность   сверхпроводников   нести   без  потерь  высокие  плотности (10х9-10х10 А/м2) транспортного тока в сильных магнитных полях при температурах ниже  критической. Это  свойство сверхпроводников позволяет создавать электроэнергетическое оборудование различного назначения с улучшенными массогабаритными характеристиками, более высоким КПД и значительно (в десятки раз) сниженными эксплуатационными расходами.

	     Так, при передаче по кабельным линиям  электропередач  мощностей  свыше  20  млн.  кВт  на расстояние свыше 2000 км ожидается снижение электрических потерь на 10%, что соответствует сбережению от 7 до 10 млн. т.у.т. в год. При этом приведенные затраты на сверхпроводящую кабельную ЛЭП могут быть не больше, чем на высоковольтную ЛЭП традиционного исполнения. Синхронные сверхпроводящие генераторы для ТЭС,  АЭС и ГЭС будут иметь на 0,5-0,8%  более высокий КПД и  на  30%

	меньшие весогабаритные показатели.  Предполагается создание сверхпроводниковых индуктивных накопителей энергии,  которые по сравнению с гидроаккумулирующими станциями,  единственным  типом накопителей энергии,  нашедшим промышленное применение в энергетике, будут обладать существенно более высоким КПД (до 97-98%  вместо 70%).  В рамках программы предполагается создание  широкой гаммы электротехнических и электроэнергетических устройств,  при этом масштабы суммарной экономии электроэнергии за счет массового применения ВТСП будут столь велики, что позволят радикальным  образом  пересмотреть сложившуюся экстенсивную стратегию развития топливно-энергетического комплекса.

	     Согласно структуре  программы,  предусматривается разработка и выпуск сверхпроводящих устройств и систем,  создание которых экономически и технически целесообразно на основе традиционных гелиевых сверхпроводников. Это сверхпроводящие сепараторы,        ЯМР-томографы, магнитные системы для удержания плазмы в ТОКОМАКах и ускорителях заряженных частиц и др.  Создание  таких  систем кроме реального экономического эффекта от их внедрения заложит необходимую техническую и технологическую основу для быстрого перехода на ВТСП по мере создания технологичных  ВТСП  проводников.

	

	6. КРИОСТАТИРОВАНИЕ.

	     Поскольку несмотря  на значительное повышение критических температур новых сверхпроводящих материалов их абсолютное значение остается на уровне криогенных температур,  одним из важнейших направлений исследований и разработок является создание высокоэкономичных, надежных автоматизированных ожижительных и рефрижераторных азотных установок, систем криостатирования для конкретных сверхпроводящих изделий,  а также поиск принципиально новых методов получения холода в диапазоне рабочих температур ВТСП.

	     Предусматривается создание   систем  диагностики  и  контроля  параметров  криостатирующих устройств.

	     Кроме того, для изделий и систем, создаваемых на основе традиционных сверхпроводников, будут разработаны и изготовлены гелиевые установки нового поколения с  высокими  технико-экономическими показателями.

	

	7. ОБЕСПЕЧЕНИЕ РАБОТ ПО ПРОГРАММЕ ВТСП.

	     В рамках этого направления предусматривается проведение широкого комплекса работ по  научно-техническому прогнозированию  и   технико-экономическому обоснованию применения ВТСП, разработка и внедрение автоматизированных информационных систем, создание баз данных по ВТСП. Кроме того будет осуществляться комплексная программа подготовки и переподготовки кадров различной квалификации для работ по проблематике ВТСП.