Исследование работы РПЗУ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4                               

                                                                     

ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ РЕПРОГРАММИРУЕМ0ГО ПОСТОЯННОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТР0ЙСТВА

                                                                     

 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

                                                                     

	Целью настоящей работы является исследование особенностей функционирования больших интегральных схем ( БИС ) репрограмируемых постоянных запоминающих устройств ( РПЗУ ) в режиме записи и считывания информации.



2. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОЛ0ЖЕНИЯ



	 2.1. Устройства хранения информации занимают значительное место в структуре современных цифровых вычислительных систем. Особую роль при этом играют полупроводниковые запоминающие устройства, предназначенные для построения внутренней памяти ЭВМ. К устройствам данного класса относятся оперативные запоминающие устройства ( ОЗУ ), постоянные запоминающие устройства ( ПЗУ ), программируемые постоянные запоминающие устройства ( ППЗУ ) и репрограммируемыв постоянные запоминающие устройства ( РПЗУ ).



	2.2. Полупроводниковые ОЗУ обеспечивают запись, хранение и считывание информации, поступающей из центрального процессора или устройств внешней памяти ЭВМ. Они характеризуются высоким быстродействием, однако при отключении питания информация, записанная в 0ЗУ данного типа, стирается.

	П3У предназначены для длительного хранения информации многократного использования ( константы, таблицы данных, стандартные программы и т.д. ). Запись информации в ПЗУ производится в процессе их изготовления. ПЗУ функционируют только в режиме считывания и сохраняет информацию при отключении питания.

	В отличии от ПЗУ программируемые ПЗУ позволяют пользователю производить однократную запись ( программирование ) информации по каждому адресу. Основным режимом работы ППЗУ также является режим считывания информации.

	Исследуемые в настоящей работе РПЗУ сохраняют информацию при отключении источников питания, а также допускают возможность ее многократной перезаписи электрическими сигналами непосредственно самим пользователем, что имеет принципиальное значение при отладке тех или иных систем. В отличие от ОЗУ быстродействие этих устройств в режиме записи информации значительно ниже, чем в режиме считывания информации. В связи с этим можно считать, что основным режимом работы РПЗУ является режим считывания информации.



	2.3. Основными определяющими параметрами запоминающих устройств являются информационная емкость и быстродействие. В качестве единицы измерения информационной емкости используются бит, представляющий собой один ( любой ) разряд двоичного числа. Часто используются производные единицы:

                     байт ( 1 байт = 8 бит );

                     Кбайт ( 1 Кбайт =  210   байт );

                     Мбайт ( 1 Мбайт = 220 байт ) и др.

	Информационная емкость записывается, как правило, в виде произведения

                    Синф = n x m, где

                     n - число двоичных слов;

                     m - разрядность слова.



	Например, емкость ОЗУ типа К155РУ1 составляет 

                    Синф =  16 х 1 бит  =  16 бит.



	Емкость ППЗУ типа К155РЕЗ равна

                    Синф = 32 х 8 бит = 256 бит = 32 байта.

                                                                      

	Такая форма записи характеризует также и организацию памяти. Так, в приведенном примере ОЗУ типа К155РУ1 содержит 16 слов с разрядностью 1, а ППЗУ типа К155РЕЗ содержит 32 слова с разрядностьв 8.

	Быстродействие запоминающего устройства характеризуется величиной времени обращения. Время обращения - это интервал времени от момента подачи сигнала записи или считывания информации до момента завершения операции, т.е. минимальный интервал времени между двумя последовательными сигналами обращения к запоминающему устройству. Это время может составлять от долей до единиц микросекунд в зависимости от типа устройства.                                           



	2.4. В качестве примера запоминающего устройства рассмотрим БИС РПЗУ типа КР1601РР1 информационной емкостью

                    Синф 1К х 4 = 4 Кбит (1К = 210 =1024 ).                  



	Условно-графическое обозначение микросхемы приведено на рис.1.







Рис.1



На рис.1 использованы следующие обозначения:



A0  A9 - входы адреса

D0  D3 - входы / выходы данных

CS - выбор кристалла

RD - вход сигнала считывания

PR - вход сигнала программирования

ER - вход сигнала стирания

UPR -вход напряжения программирования



	Режимы  работы микросхемы представлены в таблице 1.



Таблица 1

CS

ER

PR

RD

A0A9

UPR

D1/0

Режим

0

X

X

X

X

X

Roff

Хранение

1

0

1

0

X

-33-31 B

X

Общее стирание

1

0

0

0

A

—//—

X

Избирательное стирание

1

1

0

0

A

—//—

D1

Запись данных

1

1

1

1

A

-335 B

D0

Считывание



	2.4.1. В режиме хранения на вход С подается логический "0", при этом независимо от характера сигналов на других управляющих и адресных входах на выходах данных устанавливается высокоомное состояние ( Roff ).



	2.4.2. При подаче CS = 1, ER = 0, PR = 1 и  RD = 0 происходит стирание информации во всех ячейках памяти микросхемы, что соответствует для данной микросхемы установление всех ячеек в состояние логической "1".



	2.4.3. При подаче сигналов CS = 1, ER = RD = 0 происходит избирательное стирание информации только по одному адресу А, установленному на входах AО  А9 .



	2.4.4. Для программирования РПЗУ на вход подается сигналы СS = 1 и  PR = 0. При этом обеспечивается запись по заданному адресу А информации, поступившей на входы DО  D3.



	2.4.5. Для считывания информации по адресу А на вход микросхемы подаются сигналы СS = RD = 1. Считываемая информация поступает на выходы D0  DЗ микросхемы.



	2.4.6. В режиме стирания и программирования на вход UPR подается повышенное напряжение -33  -31 В. В режиме считывания это напряжение может иметь любое значение в интервале от -33 В до 5 В.



3. ОПИСАНИЕ ОБЪЕКТА И СРЕДСТВ ИССЛЕДОВАНИЯ



	Функциональная схема исследуемого устройства представлена на рис.2.



	3.1. Исследуемая микросхема запоминающего устройства ДД2 представляет собой РПЗУ с электрическим стиранием информации типа КР1601РР1, рассмотренное выше.



	3.2. Для задания кода адреса РП3У используются десять кнопок с фиксацией SA7  SA16. Отжатому состоянию кнопки соответствует сигнал логического "0", нажатому состоянию - сигнал логической "1" ( при этом загорается соответствующий светодиод ).



	3.3. Данные для записи в РПЗУ формируются с помощью генератора пачки импульсов и счетчика  СТ ( ДД1 ). Число импульсов задается с помощью четырех кнопок с фиксацией на блоке К32 под надписью "Программатор СИ". Генератор запускается путем нажатия поочередно кнопок "Устан.О" и “Пуск". Число импульсов подсчитывается счетчиком, собранном на микросхеме типа К155ИЕ5, и в двоичном коде через шинный формирователь ВД подается на вход данных РПЗУ. При необходимости счетчик  СТ  может быть обнулен с помощью кнопки  SA6.



	3.4. Шинный формирователь  ДДЗ  выполняет функцию коммутатора, обеспечивающего заданную пересылку четырехразрядных слов данных. С этой целью в микросхеме ДДЗ предусмотрены три различные группы входов / выходов.



	3.4.1. Входы  D1  предназначены для приема данных от внешних устройств ( например, счетчика импульсов ) и пересылки их в РП3У.



 	3.4.2. Выходы D0 предназначены для передачи считываемых данных на блок индикации БИ2.



	3.4.3. Выводы D1/0 представляют собой входы или выходы микросхемы в зависимости от направления передачи данных.



	3.4.4. При подаче на управляющий вход шинного формирователя  Е сигнала логического "0" данные с входов  D1 подаются на выходы D 1/0. При подаче на вход  Е  сигнала логической "1" данные с входов  D 1/0 передаются на выход DО.



	3.5. Блок  формирования импульсов управления представляет собой устройство, формирующее сигнал управления работой РПЗУ.



	3.5.1. В режиме "0бщее стирание" БФИ формирует на входе ER РПЗУ сигнал логического "0". Сигнал формируется с помощью кнопки SА1 на блоке К32 путем перевода ее в нажатое состояние и обратно.



	3.5.2. В режиме "Избирательное стирание" БФИ формирует на входах  ЕР  и  РР РПЗУ сигналы логического "0". Сигналы формируются с помощью кнопки   SА2 путем перевода ее в нажатое состояние и обратно.



	3.5.3. В режиме "Запись информации" БФИ формирует сигналы логического "0" на входе PR РПЗУ и на входе Е шинного формирователя. Сигналы формируются с помощью кнопки SАЗ путем перевода ее в нажатое состояние и обратно. Указанные сигналы формируются при условии, что одна из кнопок  SА1  или  SA2 находится в отжатом состоянии.



	3.5.4. В режиме "Считывание информации" БФИ  формирует сигнал логической "1" на входе RD РПЗУ и на входе  Е  шинного формирователя. Сигналы формируются с помощью кнопки  SА4 путем перевода ее в нажатое состояние и обратно.  Считывание информации производится из ячейки памяти с заданным адресом  А. После считывания данные через шинный формирователь поступают на блок индикации БИ2.



	3.6. Блок индикации БИ1, расположенньй слева на передней панели блока К32, регистрирует число, находящееся в счетчике  СТ2 ( ДД1 ). Число представляется в десятичной форме с помощью двух семисегментных индикаторов ( третьего и четвертого ). Кнопка " IO |_ 2”, расположенная под индикатором, должна находиться в отжатом состоянии.



	Блок индикации БИ2, расположенный на панели справа, регистрирует данные, считываемые из РПЗУ. Информация на блоке индикации может быть представлена как в двоичной, так и в десятичной форме, 



	3.7. Вышеуказанный ряд питающих напряжений, необходимый для функционирования исследуемого устройства, формируется с помощью  блоков пи-





Рис.2

тания стенда. Для подачи необходимых напряжений соответствующие кнопки питания должны находиться в нажатом состоянии, что сопровождается свечением индикаторов "+5" , "+15" , "-15" , "-30".



4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ



	Для исследования режимов работы РПЗУ подготовить исходную информацию в виде блока данных в двоичном коде и занести эти данные в таблицу (табл.2 ). Значения данных в десятичном коде предварительно согласовать с преподавателем.



	4.1. Исследовать работу РПЗУ  в режиме общего стирания информации.                                                               



	4.1.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.1. с учетом п.2.4., и провести общее стирание информации в РПЗУ.



	4.1.2. Провести считывание информации из РПЗУ по 8 последовательно расположенным адресам, начиная с адреса  А = 1. Результаты измерений занести в таблицу ( табл.2 ). Сделать выводы о работе РПЗУ в данном режиме.



	4.2.  Исследовать работу РПЗУ в режиме записи информации.



	4.2.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.3., и провести запись исходных данных по 8 последовательно расположенным адресам, начиная о адреса  А 1 в соответствии с табл.2



Таблица 2

№ п/п

Адрес

Исходные

данные

Общее

стир.

Запись

Избир.

стир.

Общее

стир.

1

2

3

4

5

6

7

8

0001

0010

0011

0100

0101

0110

0111

1000













4.2.2. Выполнить операции, указанные в п.4.1.2., и провести считывание записанной в РПЗУ информации. Результаты измерений занести в таблицу (табл.2). Провести сравнение результатов записи с исходной информацией.



	4.3. Исследовать работу РПЗУ в режиме избирательного стирания.



	4.3.1. Выполнить операции, указанные в п.3.5.2. для первых 4-х адресов, начиная с адреса А = 1, проведя избирательное стирание информации по указанным адресам.



	4.3.2. Провести считывание всего блока из 8-ми данных. Результаты считывания занести в таблицу ( табл.2 ). Сделать выводы о работе РПЗУ в режиме избирательного стирания информации.



	4.4. Провести общее стирание информации в РПЗУ, а затем повторное считывание исходного блока данных, начиная с адреса А = 1. Убедитесь, что информация в заданном массиве соответствует исходному состоянию и РПЗУ подготовлено к повторному программированию.



5. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА



1. Название и цель работы.

2. Основные характеристики исследуемого РПЗУ.

3. Функциональная схема исследуемого устройства.

4. Таблица по п.4 и выводы о работе РПЗУ.



6. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ



1. Дайте определение  основных видов  запоминающих устройств.

2. Назовите отличительные особенности  ОЗУ,ПЗУ, ППЗУ  и РПЗУ.

3. Приведите основные параметры запоминающих устройств и единицы их измерения.                                         

4. Объясните основные режимы работы РПЗУ.



7. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ



Щеголева Л.И., Давыдов А.Ф. Основы вычислительной техники и программирования. - М.: Энергоиздат, 1981.













































ОГЛАВЛЕНИЕ







1. Цель работы

1

2. Основные теоретические положения

1

3. Описание объекта и средств исследования

3

4. Порядок выполнения работы

6

5. Содержание отчета

7

6. Контрольные вопросы

7

7. Список использованной литературы

7

























8