Исследование биполярного транзистора 2

Лабораторная работа 1



Тема: "Исследование биполярного транзистора"



Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора.

Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.

Ход работы:

1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рис. 1) провели измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБ и заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицы построили график зависимости IК от Ек.

б) Построили схему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов». Повторили измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результаты экспериментов» на одном графике.





Рисунок 1. – Схема биполярного транзистора с ОЭ




в) По выходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменении базового тока с 10 µА до 30 µА, Ек = 10 В. – Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».



Таблица 1. – Результаты экспериментов









Ek







Eb

Ib(mkA)

0,1

0,5

1

5

10

20

1,66

9.245

0,783

1,604

1,622

1,673

1,749

1,901

2,68

19.23

1,656

3,453

3,469

3,595

3,753

4,069

3,68

29.11

2,479

5,209

5,233

5,422

5,657

6,129

4,68

39.02

3,269

6,903

6,934

7,182

7,493

8,115

5,7

49.15

4,042

8,656

8,606

8,914

9,29

10,07





Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения



2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провели измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»





Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.



г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».





Рисунок 4. – Показания осциллографа



Таблица 2. – Результаты экспериментов

Eб

1,66

2,68

3,68

4,68

5,7

Iб

9,245

19,23

29,11

39,02

49,15

Uбэ

735,5

757,1

769,3

778,2

785,3

Ik

1,749

3,753

5,657

7,493

9,299






Рисунок 5. – График зависимости тока от напряжения





Рисунок 6. – Схема биполярного транзистора с ОЭ





Рисунок 7. – Показания осциллографа