せん頭陽極電圧が二、五〇〇ボルト以上のもの
ロ
せん頭陽極電流が一〇〇アンペア以上のもの
ハ
陽極遅延時間が一〇マイクロ秒以下のもの
四十七
トリガー火花間げきであって、陽極遅延時間が一五マイクロ秒以下のもののうち、せん頭電流が五〇〇アンペア以上のもの
四十八
スイッチングを行う機能を有する組立品であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
イ
せん頭陽極電圧が二、〇〇〇ボルトを超えるもの
ロ
せん頭陽極電流が五〇〇アンペア以上のもの
ハ
ターンオン時間が一マイクロ秒以下のもの
四十九
パルス用コンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
イ
定格電圧が一、四〇〇ボルトを超えるものであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
（一）
総エネルギーが一〇ジュールを超えるもの
（二）
公称静電容量が〇・五マイクロファラドを超えるもの
（三）
直列インダクタンスが五〇ナノヘンリー未満のもの
ロ
定格電圧が七五〇ボルトを超えるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
公称静電容量が〇・二五マイクロファラドを超えるもの
（二）
直列インダクタンスが一〇ナノヘンリー未満のもの
五十
パルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次のいずれかに該当するもの
イ
モジュール方式のパルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次の全てに該当するもの
（一）
四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一五マイクロ秒未満の時間でパルスを供給することができるもの
（二）
出力が一〇〇アンペアを超えるもの
（三）
寸法の最大値が三〇センチメートル以下のもの
（四）
重量が三〇キログラム未満のもの
（五）
零下五〇度より低い温度から一〇〇度を超える温度まで用いることができるように設計したもの又は宇宙で用いることができるように設計したもの
ロ
パルス発生器又はパルスヘッドであって、五五オーム未満の抵抗負荷に対して六ボルトを超える電圧のパルスを発生し、かつ、五〇〇ピコ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの（イに該当するものを除く。）
五十一
雷管の部分品であって、次の全てに該当するもの
イ
電気信号により火薬類の起爆を制御することができるもの
ロ
ストリップラインの構造を有するもの
ハ
定格電圧が二キロボルトを超えるもの
ニ
インダクタンスパスが二〇ナノヘンリー未満のもの
五十二
光電子増倍管であって、光電陰極の面積が二〇平方センチメートルを超えるもののうち、陽極パルス立上がり時間が一ナノ秒未満のもの
五十三
トリチウム又は重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、次のいずれかに該当するもの
イ
トリチウムと重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
ロ
重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、一秒につき三ギガ以上の中性子を生産できるもののうち、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
五十四
放射線被ばくの防止のために用いられる遠隔操作のマニピュレーターであって、厚さ〇・六メートル以上の放射線を遮へいする壁を隔てて操作することができるもの
五十五
放射線を遮へいするように設計した窓であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの又はその窓枠
イ
コールドエリア側に露出する面の面積が〇・〇九平方メートルを超えるもの
ロ
密度が一立方センチメートル当たり三グラムを超える材料を用いたもの
ハ
厚さが一〇〇ミリメートル以上のもの
五十六
放射線による影響を防止するように設計したテレビカメラ又はそのレンズであって、全吸収線量がシリコン換算で五〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるもの
五十七
トリチウム、トリチウム化合物又はトリチウム混合物であって、トリチウムの原子数の水素の原子数に対する比率が一、〇〇〇分の一を超えるもの（装置に内蔵されたものであって、一装置当たりの放射能の総量が一、四八〇ギガベクレル未満のものを除く。）
五十八
トリチウムの製造、回収若しくは貯蔵に用いられる装置又はトリチウムの製造に用いられる装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
イ
トリチウムの製造用（濃縮用を含む。）、回収用又は貯蔵用に設計した装置
ロ
トリチウムの製造（精製を含む。）、回収又は貯蔵に用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの（イに該当するものを除く。）
（一）
水素又はヘリウムを零下二五〇度以下の温度に冷却することができる冷凍装置であって、冷凍能力が一五〇ワットを超えるもの
（二）
水素の同位元素の貯蔵用又は精製用の装置であって、金属水素化物を貯蔵又は精製のための媒体として用いるもの
ハ
トリチウムの製造に用いられる装置であって、照射（原子炉内における照射を含む。）によりトリチウムを製造するために特に設計したリチウム（リチウム六の同位体が濃縮されているものに限る。）を含有する標的となる組立品（イ及びロに該当するものを除く。）
ニ
トリチウムの製造に用いられる装置の部分品であって、ハに該当する貨物のために特に設計した部分品
五十九
重水からトリチウムを回収するため又は重水を製造するための白金を用いた触媒であって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するために設計したもの
六十
ヘリウム三の混合率が天然の混合率を超えるヘリウム（容器又は装置に密封されたヘリウム三であって、その重量が一グラム未満のものを除く。）
六十一
レニウム、レニウムの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金又はレニウム及びタングステンの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金であって、質量が二〇キログラムを超え、かつ、内径が一〇〇ミリメートル超三〇〇ミリメートル未満の円筒形のもの若しくは中空の半球形のもの又はこれらを組み合わせたもの
六十二
防爆構造の容器であって、爆発物又は爆発装置の試験に用いるために設計されたもののうち、次のイ及びロに該当するもの
イ
トリニトロトルエン二キログラム以上と同等の爆発を十分に封じ込めるように設計したもの
ロ
当該試験による分析情報又は測定情報を伝達することができる構造又は特性を有するもの
第二条
輸出令別表第一の三の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるもの
イ
三―ヒドロキシ―一―メチルピペリジン
ロ
フッ化カリウム
ハ
エチレンクロロヒドリン
ニ
ジメチルアミン
ホ
塩酸ジメチルアミン
ヘ
フッ化水素
ト
ベンジル酸メチル
チ
三―キヌクリジノン
リ
ピナコロン
ヌ
シアン化カリウム
ル
一水素二フッ化カリウム
ヲ
一水素二フッ化アンモニウム
ワ
一水素二フッ化ナトリウム
カ
フッ化ナトリウム
ヨ
シアン化ナトリウム
タ
五硫化リン
レ
ジイソプロピルアミン
ソ
二―ジエチルアミノエタノール
ツ
硫化ナトリウム
ネ
トリエタノールアミン塩酸塩
ナ
亜リン酸トリイソプロピル
ラ
ジエチルチオリン酸
ム
ジエチルジチオリン酸
ウ
ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム
ヰ
ジエチルアミン
ノ
メチルホスホロジクロリダート
オ
エチルホスホロジクロリダート
ク
メチルホスホロジフロリダート
ヤ
エチルホスホロジフロリダート
マ
ジエチルクロロホスファイト
ケ
クロロフルオロメチルホスフェート
フ
クロロフルオロエチルホスフェート
コ
Ｎ・Ｎ―ジメチルホルムアミジン
エ
Ｎ・Ｎ―ジエチルホルムアミジン
テ
Ｎ・Ｎ―ジプロピルホルムアミジン
ア
Ｎ・Ｎ―ジイソプロピルホルムアミジン
サ
Ｎ・Ｎ―ジメチルアセトアミジン
キ
Ｎ・Ｎ―ジエチルアセトアミジン
ユ
Ｎ・Ｎ―ジプロピルアセトアミジン
メ
Ｎ・Ｎ―ジメチルプロパノアミジン
ミ
Ｎ・Ｎ―ジエチルプロパノアミジン
シ
Ｎ・Ｎ―ジプロピルプロパノアミジン
ヱ
Ｎ・Ｎ―ジメチルブタノアミジン
ヒ
Ｎ・Ｎ―ジエチルブタノアミジン
モ
Ｎ・Ｎ―ジプロピルブタノアミジン
セ
Ｎ・Ｎ―ジイソプロピルブタノアミジン
ス
Ｎ・Ｎ―ジメチルイソブタノアミジン
ン
Ｎ・Ｎ―ジエチルイソブタノアミジン
イイ
Ｎ・Ｎ―ジプロピルイソブタノアミジン
二
軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物（イからトまでに該当する物質を含む混合物にあっては、イからハまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一パーセントを超えるもの又はニからトまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。）
イ
Ｏ・Ｏ―ジエチル＝Ｓ―［二―（ジエチルアミノ）エチル］＝ホスホロチオラート並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
ロ
一・一・三・三・三―ペンタフルオロ―二―（トリフルオロメチル）―一―プロペン
ハ
三―キヌクリジニル＝ベンジラート
ニ
二塩化カルボニル
ホ
塩化シアン
ヘ
シアン化水素
ト
トリクロロニトロメタン
三
軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物（ヘからヤまでに該当する物質を含む混合物にあっては、ヘからタまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一〇パーセントを超えるもの又はレからヤまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。）
イ
アルキルホスホニルジフルオリド（アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。）
ロ