真空環境でウエハーを搬送するために特に設計したロードロック機能を備え、かつ、磁気的に強化されたスパッタリング装置
（七）
イオン注入、イオン増速拡散又は光増速拡散のために特に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
パターン形成を行うことができるもの
２
ビームエネルギーが二〇〇キロエレクトロンボルトを超えるもの
３
ビームエネルギーが一〇キロエレクトロンボルト未満で使用できるように設計したもの
４
加熱した基板に酸素を注入できるもの
（八）
プログラム内蔵方式の異方性ドライエッチング用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
バッチ方式のものであって、次のいずれかに該当するもの
一
終点検知機能を有するもの（発光分光式のものを除く。）
二
反応炉のエッチング圧力が二六・六六パスカル以下のもの
２
単一ウエハー方式のものであって、次のいずれかに該当するもの
一
終点検知機能を有するもの（発光分光式のものを除く。）
二
反応炉のエッチング圧力が二六・六六パスカル以下のもの
三
カセットツウカセット機能及びロードロック式のウエハー搬送機能を有するもの
（九）
半導体素子製造用の化学的気相成長装置のうち、酸化物、窒化物、金属又は多結晶シリコンを堆積させることができるものであって、次のいずれかに該当するもの
１
〇・一メガパスカル未満の圧力で動作するもの
２
プラズマ増殖型のものであって、六〇パスカル未満の圧力で動作するもの並びに自動カセットツウカセット機能及びロードロック式のウエハー搬送機能を有するもの
（十）
マスク、レチクル又は半導体素子の製造用に特に設計又は改造した電子ビーム装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
電子ビームを静電偏向させることができるもの
２
非ガウス形の電子ビーム形状を形成することができるもの
３
デジタルからアナログへの変換速度が三メガヘルツを超えるもの
４
デジタルからアナログへの変換精度が一二ビットを超えるもの
５
目標に対するビームの位置決めをフィードバック方式により行うものであって、位置決め精度の絶対値が一マイクロメートル以下のもの
（十一）
ウエハーの表面仕上げ装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
一〇〇マイクロメートルより薄いウエハーの裏面を加工し、かつ、加工後のウエハーを剝離することができるように特に設計したもの
２
加工されたウエハーの表面粗さを、二シグマ値で二マイクロメートル以下に仕上げるために特に設計した装置
（十二）
単一又は複数の真空チャンバーを搭載した相互接続用の装置であって、本条に該当する装置を統合するように特に設計したもの
（十三）
レーザー光を使用したモノリシック集積回路の修理又はトリミング用のプログラム内蔵方式の装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
位置決め精度の絶対値が一マイクロメートル未満のもの
２
照射面の直径（切り溝幅）が三マイクロメートル未満のもの
ロ
マスク、マスク基板、マスク製造装置及び画像転写装置であって、半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
（一）
完成したマスク及びレチクル（次のいずれかに該当するものを除く。）
１
第四条又は貨物等省令第六条第一号に該当しない集積回路を製造するためのもの
２
次の一及び二に該当するもの
一
設計寸法が二・五マイクロメートル以上のもの
二
製造用の装置又はソフトウェアによって使用目的を変更することができる特別な性質を有さないものとして設計したもの
（二）
マスク基板であって、次のいずれかに該当するもの
１
硬質表面で被覆したものであって、寸法が一二五ミリメートル四方を超えるもの
２
エックス線マスク用に特に設計したもの
（三）
半導体素子又は集積回路のＣＡＤプログラムを動作させるために特に設計した装置（汎用の電子計算機を除く。）
（四）
マスク又はレチクル製造用の装置及びその附属品であって、次のいずれかに該当するもの
１
光学方式によるステップアンドリピート方式の露光装置であって、次のいずれかに該当するもの
一
一〇〇ミリメートル四方を超える範囲に連続してパターンを焼き付けることができるもの
二
一回で六ミリメートル四方を超える範囲にパターンを焼き付けることができるもの
三
二・五マイクロメートル未満の線幅を基板上のフォトレジストに焼き付けることができるもの
２
イオンビーム又はレーザービームリソグラフィを用いたマスク又はレチクル製造用の装置であって、二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの
３
マスク若しくはレチクルの改造又は欠陥除去用のペリクルの追加のための装置及びホルダー
（五）
マスク、レチクル又はペリクルの検査装置のうち、プログラム内蔵方式のものであって、次の１及び２に該当するもの
１
分解能が〇・二五マイクロメートル以下のもの
２
一軸又は二軸の座標上における六三・五ミリメートル以上の距離において、位置決め精度の絶対値が〇・七五マイクロメートル以下のもの
（六）
ウエハー製造用の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
１
二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの
２
位置決め精度の絶対値が〇・二五マイクロメートル（平均値に三シグマを加えたもの）未満のもの
３
機械間の重ね合わせ精度の絶対値が〇・三マイクロメートル以上のもの
４
光源の波長が四〇〇ナノメートル未満のもの
（七）
電子ビーム装置、イオンビーム装置及びエックス線装置であって、二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの
（八）
レーザー発振器を用いた装置のうち、ウエハーに直接描画方式で二・五マイクロメートル未満の線幅を焼き付けることができるもの
ハ
集積回路の組立用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
プログラム内蔵方式のダイボンダーであって、次の１から３までの全てに該当するもの
１
ハイブリッド集積回路のために特に設計したもの
２
縦軸及び横軸に沿って三七・五ミリメートルを超えた移動ができるステージを有するもの
３
縦軸及び横軸に沿った面における配置の精度の絶対値が一〇マイクロメートル未満のもの
（二）
プログラム内蔵方式のダイボンダーであって、一回の動作で二以上の結線を行うことができるもの
（三）
パッケージのキャップを当該パッケージのキャップ以外の部分より高い温度に加熱できる装置のうち、次の１から３までの全てに該当するもの
１
半自動又は全自動のもの
２
毎分一パッケージ以上処理できるもの
３
貨物等省令第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当するセラミック集積回路のパッケージ用に特に設計したもの
ニ
空気中における径が〇・三マイクロメートル以下の粒子の数を〇・〇二八三二立方メートル当たり一〇個以下とすることができるクリーンルーム用のフィルター及びその材料
第八条
輸出令別表第二の三第二号（５）に掲げる貨物であって、経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
第四条又は貨物等省令第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当する電子管及び光学素子並びにこれらの部分品の検査又は試験のために特に設計した装置
二
半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品のために特に設計した試験装置及び検査装置であって、次のいずれかに該当するもの並びにこれらを組み込んだ装置及びこれらと同等の特性を有する装置
イ
処理済みウエハー及び基板（プリント基板又はチップを除く。）の内部又は表面の〇・六マイクロメートル以下の欠陥、エラー又は汚損を自動的に検出するためのプログラム内蔵方式の検査装置であって、パターン比較のための画像の取得技術を用いたもの
ロ
プログラム内蔵方式の測定及び分析装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
半導体物質中の酸素又は炭素の含有量の測定用に特に設計したもの
（二）
線幅の測定用のものであって、分解能が一マイクロメートル以下のもの
（三）
一〇マイクロメートル以下の平面度の測定用に特に設計したものであって、分解能が一マイクロメートル以下のもの
ハ
プログラム内蔵方式のウエハープロービング試験装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
位置決め精度の絶対値が三・五マイクロメートル未満のもの
（二）
端子数が六八を超える半導体素子及び集積回路を試験できるもの
（三）
一ギガヘルツを超える周波数で試験できるもの
ニ
試験装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
半導体素子及びパッケージに封入されていないダイの試験用に特に設計したもののうち、プログラム内蔵方式のものであって、一八ギガヘルツを超える周波数で試験ができるもの
（二）
集積回路及びその組立品の試験用に特に設計したもののうち、プログラム内蔵方式のものであって、次のいずれかに該当する試験ができるもの
１
二〇メガヘルツを超えるパターンレートで実施するもの
２
一〇メガヘルツ超二〇メガヘルツ以下のパターンレートで実施するものであって、端子数が六八を超えるパッケージを対象とするもの
（三）
一、二〇〇ナノメートルを超える波長でフォーカルプレーンアレーの性能を評価するために特に設計したもののうち、電子計算機による評価又はプログラム内蔵方式による評価を用いるものであって、次のいずれかに該当するもの
１
直径〇・一二ミリメートル未満の走査光スポットを用いるもの
２
光感度性能パラメータの計測用及び周波数応答、変調伝達関数、応答の均一度又はノイズの評価用に設計したもの
３