発振器又は発振機能を有する組立品であって、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの
２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０ｌｏｇ１０（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－１２６
ワ
周波数シンセサイザーを用いた電子組立品のうち、次のいずれかに該当するもの
（一）
周波数切換えの所要時間が一四三ピコ秒未満のもの
（二）
四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
（三）
削除
（四）
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
（五）
三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
（六）
七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五・〇ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
（七）
九〇ギガヘルツを超える合成出力周波数範囲で、周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
カ
送受信モジュール、送受信用モノリシックマイクロ波集積回路、送信モジュール及び送信用モノリシックマイクロ波集積回路であって、動作周波数が二・七ギガヘルツを超えるもののうち、次の全てに該当するもの
（一）
いずれかのチャネルにおいて、ワットで表したピーク飽和出力値が五〇五・六二をギガヘルツで表した最大動作周波数の二乗で除した値を超えるもの
（二）
いずれかのチャネルにおいて、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセント以上のもの
（三）
平面のいずれかの辺の長さをセンチメートルで表した値が、送信又は送受信チャネル数と一五の積をギガヘルツで表した最小動作周波数で除した値以下のもの
（四）
チャネル毎に電子的に位相シフトできるもの
三
弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの（特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。）又はその部分品
イ
表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
搬送周波数が六ギガヘルツを超えるもの
（二）
搬送周波数が一ギガヘルツ超六ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
１
サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるもの
２
マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
３
帯域幅が二五〇メガヘルツを超えるもの
４
分散型遅延時間（周波数に応じた遅延時間の最大の値と最小の値との差をいう。）が一〇マイクロ秒を超えるもの
（三）
搬送周波数が一ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
１
マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
２
分散型遅延時間が一〇マイクロ秒を超えるもの
３
サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるものであって、帯域幅が一〇〇メガヘルツを超えるもの
ロ
バルク弾性波を利用するものであって、六ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの
ハ
弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの
四
超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
イ
超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が一、〇〇〇億分の一ミリジュール未満のもの
ロ
周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が一〇、〇〇〇を超える共振回路を有するもの
五
セル（バッテリー（シングルセルバッテリーを含む。）に組み込まれているものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
イ
一次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度及び電力密度が次のいずれかに該当するもの
（一）
エネルギー密度が五五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が五〇ワット毎キログラムを超えるもの
（二）
エネルギー密度が五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が三五〇ワット毎キログラムを超えるもの
ロ
二次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が三五〇ワット時毎キログラムを超えるもの
六
高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
イ
反復サイクルが一〇ヘルツ未満のコンデンサであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
（一）
定格電圧が五キロボルト以上のもの
（二）
エネルギー密度が二五〇ジュール毎キログラム以上のもの
（三）
総エネルギーが二五キロジュール以上のもの
ロ
反復サイクルが一〇ヘルツ以上のコンデンサであって、次の（一）から（四）までのすべてに該当するもの
（一）
定格電圧が五キロボルト以上のもの
（二）
エネルギー密度が五〇ジュール毎キログラム以上のもの
（三）
総エネルギーが一〇〇ジュール以上のもの
（四）
一〇、〇〇〇回以上充電及び放電の繰り返しをすることができるように設計したもの
七
一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
イ
減磁の際に最初の一秒間で放出するエネルギーが一〇キロジュールを超えるもの
ロ
コイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
ハ
定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
七の二
太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの
八
回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの及び当該エンコーダ用に設計されたリング、ディスク又はスケール
八の二
パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの（民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
イ
最大立上がり電流が三〇、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が一、一〇〇ボルトを超えるもの
ロ
最大立上がり電流が二、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
休止状態電圧が三、〇〇〇ボルト以上のもの
（二）
最大電流が三、〇〇〇アンペア以上のもの
八の三
電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの（民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
イ
最大動作接合部温度が二一五度を超えるように設計したもの
ロ
繰返しピーク休止状態電圧が三〇〇ボルトを超えるもの
ハ
継続電流が一アンペアを超えるもの
八の四
アナログ信号用に設計した光の強度、振幅又は位相を操作する電気光学効果を利用する光変調器であって、次のいずれかに該当するもの（光入出力コネクタを有するものを含む。）
イ
最大動作周波数が一〇ギガヘルツ超二〇ギガヘルツ未満であって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
（一）
一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が二・七ボルト未満のもの
（二）
一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が四ボルト未満のもの
ロ
最大動作周波数が二〇ギガヘルツ以上のものであって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
（一）
一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が三・三ボルト未満のもの
（二）
一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が五ボルト未満のもの
九
サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、いずれかのチャネルの入力三デシベル帯域幅が六〇ギガヘルツ以上の場合において、そのチャネルのノイズが最小となる縦軸レンジにおけるノイズ電圧の二乗平均平方根がフルスケールの二パーセント未満のもの
十
アナログデジタル変換器のうち、アナログデジタル変換を行う機能を有するモジュール、電子組立品又は装置（アナログデジタル変換カード、波形デジタイザー、データ収集カード、信号収集ボード及びトランジェントレコーダーを含む。）であって、次のイ及びロに該当するもの（デジタル方式の記録装置、サンプリングオシロスコープ、スペクトラムアナライザー、信号発生器、ネットワークアナライザー及びマイクロ波用試験受信機を除く。）
イ