四〇〇度超六五〇度未満の温度で成膜するもの（シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が五・三未満の膜を、幅が七〇ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が五倍を超え、かつ、パターンのピッチが一〇〇ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したものに限る。）であって、次の全てに該当するもの（（一）に該当するものを除く。）
１
垂直方向に積み重なった複数のウエハーを保持するように設計されたボートを有するもの
２
二以上の垂直方向に伸びるインジェクターを有するもの
３
膜のシリコン原料及びプロペンが導入されるインジェクターと膜の窒素原料又は膜の酸素原料が導入されるインジェクターが異なるもの
ム
マスク（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）に使用するための多層の反射膜をイオンビーム蒸着又は物理的気相成長法により成膜するように設計した装置
ウ
シリコン（炭素を添加したものを含む。）又はシリコンゲルマニウム（炭素を添加したものを含む。）のエピタキシャル成長用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
（一）
複数のチャンバーを有し、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の真空状態又は水と酸素の分圧が〇・〇一パスカル未満の不活性な環境を維持することができるもの
（二）
前処理としてウエハーの表面を清浄化するために設計したチャンバーを一以上有するもの
（三）
エピタキシャル成長の動作温度が六八五度以下であるもの
ヰ
厚さが一〇〇ナノメートル超であり、かつ、応力が四五〇メガパスカル未満のカーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置
ノ
タングステンの膜（ふっ素の原子数が一立方センチメートル当たり一〇の一九乗未満のものに限る。）を、プラズマを用いた原子層堆積法又は化学的気相成長法により成膜するように設計した装置（レ（二）に該当するものを除く。）
オ
金属配線間の隙間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比率が一倍以上のものに限る。）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空隙が生じないようにプラズマを用いて成膜するように設計した装置
ク
〇・〇一パスカル以下の真空状態において稼働するアニール装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
銅のリフローを実施することにより、銅配線の空隙又は継ぎ目を最小化し、又はなくすことができるもの
（二）
コバルト又はタングステンの充塡金属のリフローを実施することにより、空隙又は継ぎ目を最小化し、又はなくすことができるもの
ヤ
〇・〇一パスカル以下の真空状態において、高分子残さ及び銅酸化膜を除去し、かつ、銅の成膜を可能にするように設計した洗浄除去装置
マ
複数のチャンバー又はステーションを有する洗浄除去装置であって、ドライプロセスにより表面の酸化物を除去する前処理を行うように設計したもの又はドライプロセスにより表面の汚染物を除去するように設計したもの
ケ
ウエハーの表面改質の後に乾燥を行う工程を有する枚葉式のウェット洗浄装置
フ
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用のマスクブランク又は当該装置用のパターン付きのマスクを検査するように設計した装置
十七の二
ペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
十七の三
マスクの製造に用いられる基材であって、モリブデン及びシリコンからなる多層膜の反射構造を有するマスクブランクのうち、次のイ及びロに該当するもの
イ
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
ロ
国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格Ｐ三七の仕様に準拠したもの
十七の四
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、次のイからトまでの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。）用にウエハー搬入部を設計したものを除く。）
イ
ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
ロ
レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ハ
レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
ニ
画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
ホ
画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
ヘ
画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
ト
加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
十八
基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となるもの（ニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限る。）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。）
イ
シリコン
ロ
ゲルマニウム
ハ
炭化けい素
ニ
Ⅲ―Ⅴ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物に限る。）
ホ
三酸化二ガリウム
ヘ
ダイヤモンド
十九
レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
イ
半導体用のリソグラフィに使用するレジストであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
一五ナノメートル以上一九三ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したポジ型レジスト
（二）
一ナノメートル超一五ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したレジスト
ロ
電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの
ハ
削除
ニ
表面イメージング技術用に最適化したレジスト
ホ
第十七号ヘ（二）に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの
二十
有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
イ
アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
ロ
燐
りん
、
砒
ひ
素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
二十一
燐
りん
、
砒
ひ
素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの（二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。）
二十二
炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの半導体基板又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの
二十三
多結晶基板又は多結晶セラミック基板であって、二〇度の温度における電気の抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもののうち、当該基板の表面にシリコン、炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの非エピタキシャル単結晶層を少なくとも一層以上有するもの
二十四
前二号のいずれかに該当する基板であって、当該基板の上に炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドのエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するもの（第十八号に該当するものを除く。）
第七条
輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
電子計算機若しくはその附属装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの電子組立品若しくは部分品
イ
八五度を超える温度又は零下四五度より低い温度で使用することができるように設計したもの
ロ
放射線による影響を防止するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えられるように設計したもの
（二）
吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射により障害を発生しないように設計したもの
（三）
単事象障害によるエラー率が一日当たり一億分の一毎ビット未満となるように設計したもの
二
削除
三
デジタル電子計算機、その附属装置若しくはデジタル電子計算機の機能を向上するように設計した電子組立品であって、次のロ、ハ若しくはトのいずれかに該当するもの又はこれらの部分品（次のチからヌまでのいずれかに該当するもの及びこれらの部分品を除く。）
イ
削除
ロ
デジタル電子計算機であって、加重最高性能が七〇実効テラ演算を超えるもの
ハ
デジタル電子計算機の機能を向上するように設計した電子組立品であって、計算要素を集合させることにより、加重最高性能が七〇実効テラ演算を超えるもの（最大性能が七〇実効テラ演算を超えないデジタル電子計算機又はそのファミリーの計算機用に特別に設計されたものを除く。）
ニ
削除
ホ
削除
ヘ
削除
ト