照射面の半値全幅の直径が六五ナノメートル未満、かつ、イメージ位置誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が一七ナノメートル未満のもの
２
削除
３
マスク上の二層目の重ね合わせ誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が二三ナノメートル未満のもの
（四）
直接描画方式で半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビームを用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
１
照射面の直径が一五ナノメートル以下のもの
２
重ね合わせ誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が二七ナノメートル以下のもの
ト
マスク又はレチクルであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
チ
位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリソグラフィ装置に用いるために設計したもの（トに該当するもの及び第一号から第八号の四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。）
リ
インプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
ヌ
試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
（一）
第二号ニに該当する貨物のエスパラメータを試験することができるように設計したもの
（二）
削除
（三）
第二号ハに該当する貨物の試験を行うことができるように設計したもの
ル
ペリクル（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）を製造するための装置
ヲ
ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のものであり、かつ、光源の波長が一九三ナノメートル以上のもののうち、次の（一）及び（二）に該当するもの（ヘ（一）２に該当するものを除く。）
（一）
ナノメートルで表した光源の波長に〇・二五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
（二）
同一装置による重ね合わせ精度の最大値が二・四ナノメートル以下のもの
ワ
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に調合したレジストを塗布し、成膜し、加熱し、又は現像するために設計した装置
カ
ドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
等方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、シリコンゲルマニウムのシリコンに対するエッチング選択性の比率が一〇〇倍以上であるもの
（二）
異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該当するもの
１
高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの
２
切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの
３
静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を二〇以上有するものに限る。）を有するもの
ヨ
ウェットエッチング用に設計した装置であって、シリコンゲルマニウムのシリコンに対するエッチング選択性の比率が一〇〇倍以上であるもの
タ
異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ又はヨに該当するものを除く。）
（一）
高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの
（二）
切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの
レ
半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
電気メッキ又は無電解メッキによりコバルトを成膜するように設計したもの
（二）
化学的気相成長法によりコバルトを充塡するように設計したもの又は選択性のボトムアップ成膜を用いる化学的気相成長法によりタングステンを充塡するように設計したもの
（三）
単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。）
１
ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いてタングステンの層を成膜するもの
２
水素（水素と窒素又はアンモニアとの混合物を含む。）を用いたプラズマによる工程を有するもの
（四）
半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程によって成膜するものであり、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性の環境を維持することができるように設計したもの（以下「特定半導体製造装置」という。）のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
１
ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、水素（水素と窒素又はアンモニアとの混合物を含む。）を用いたプラズマにより表面処理を行う工程
２
ウエハーの基板温度を四〇度超五〇〇度未満に維持しながら、酸素又はオゾンを用いたプラズマにより表面処理を行う工程
３
ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、タングステンの層を成膜する工程
（五）
特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
１
リモートプラズマ源及びイオンフィルターを用いて表面処理を行う工程
２
有機金属化合物を用いて銅の上に選択的にコバルトの層を成膜する工程
（六）
仕事関数金属（トランジスタの閾値電圧を制御するための材料をいう。以下同じ。）を原子層堆積法により成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの
１
二以上の金属の供給源を有するもののうち、アルミニウムの前駆体用に設計した供給源を一以上有するもの
２
三〇度超の温度で作動するように設計した前駆体容器を有するもの
３
仕事関数金属を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの
一
炭化チタンアルミニウムを成膜するもの
二
四・〇電子ボルト超の仕事関数を可能とするもの
（七）
特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
１
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いて窒化チタン又は炭化タングステンの層を成膜する工程
２
ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、〇・一三三三パスカル超一三・三三パスカル未満の圧力でスパッタリング法によりコバルトの層を成膜する工程
３
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超一三・三三キロパスカル未満の圧力で有機金属化合物を用いてコバルトの層を成膜する工程
（八）
特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により銅配線を形成するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
１
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超一三・三三キロパスカル未満の圧力で有機金属化合物を用いてコバルト又はルテニウムの層を成膜する工程
２
ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、〇・一三三三パスカル超一三・三三パスカル未満の圧力で物理的気相成長法を用いて銅の層を成膜する工程
（九）
有機金属化合物を用いてバリヤー膜又はライナーを選択的に成膜するように設計した原子層堆積装置
（十）
ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、配線の全体又は絶縁膜と絶縁膜との隙間（幅が四〇ナノメートル未満のものに限る。）にタングステンを原子層堆積法により充塡するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
ソ
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
（一）
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、化学的気相成長法又は周期的堆積法により窒化タングステンの層を成膜するもの
（二）
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超五三・三三キロパスカル未満の圧力で化学的気相成長法又は周期的堆積法によりタングステンの層を成膜するもの
ツ
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するように設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
（一）
バリヤー膜を用いずに選択的にタングステンを成長させるもの
（二）
バリヤー膜を用いずに選択的にモリブデンを成長させるもの
ネ
ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いてルテニウムの層を成膜するように設計した装置（レ（八）に該当するものを除く。）
ナ
空間的原子層堆積装置（回転軸をもつウエハーの支持台を有するものに限る。）であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
プラズマにより原子層を成膜するもの
（二）
プラズマ源を有するもの
（三）
プラズマ照射領域にプラズマを閉じ込めるためのプラズマシールド又は手段を有するもの
ラ
成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
ウエハーが設置された空間とは異なる空間で発生させたラジカルにより化学反応を促進させることで成膜するものであって、シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が五・三未満の膜を、幅が七〇ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が五倍を超え、かつ、パターンのピッチが一〇〇ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したもの
（二）