集積回路に用いられる記憶素子であって、次のいずれかに該当するもの
イ
プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロムであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
フラッシュメモリーであって、パッケージ当たりの記憶容量が一六メガビットを超えるもの
（二）
（一）以外のプログラマブルロムであって、次のいずれかに該当するもの
１
パッケージ当たりの記憶容量が一メガビットを超えるもの
２
パッケージ当たりの記憶容量が二五六キロビットを超えるものであって、最大アクセス時間が八〇ナノ秒未満のもの
ロ
スタティック式のラムであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
パッケージ当たりの記憶容量が一メガビットを超えるもの
（二）
パッケージ当たりの記憶容量が二五六キロビットを超えるものであって、最大アクセス時間が二五ナノ秒未満のもの
三
アナログデジタル変換器及びアナログデジタル変換用の集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
イ
分解能が八ビット以上一二ビット未満のものであって、出力ワードレートが二〇〇メガワード毎秒を超えるもの
ロ
分解能が一二ビットのものであって、出力ワードレートが一〇五メガワード毎秒を超えるもの
ハ
分解能が一二ビット超一四ビット以下のものであって、出力ワードレートが一〇メガワード毎秒を超えるもの
ニ
分解能が一四ビットを超えるものであって、出力ワードレートが二・五メガワード毎秒を超えるもの
四
フィールドプログラマブルロジックデバイス（コンプレックスプログラマブルロジックデバイス、フィールドプログラマブルゲートアレイ、フィールドプログラマブルロジックアレイ及びフィールドプログラマブル相互接続用集積回路を含む。）であって、シングルエンド方式の最大デジタル入出力数が二〇〇以上七〇〇以下のもの
五
ＦＦＴプロセッサであって、複素点の数が一、〇二四のとき、高速フーリエ変換の定格実行時間が一ミリ秒未満のもの
六
カスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
イ
端子数が一四四を超えるもの
ロ
基本伝搬遅延時間が〇・四ナノ秒未満のもの
七
進行波真空電子デバイス（クライストロン及び進行波管並びにこれらから派生したものを含む。）であって、次のいずれかに該当するもの
イ
空胴結合形のもの
ロ
ヘリックス形のもの、折返し導波形のもの及び蛇行導波管回路形のものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
半オクターブ以上の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力電力の数値にギガヘルツで表した場合の最大動作周波数を乗じて得た数値が〇・二を超えるもの
（二）
半オクターブ未満の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力電力の数値にギガヘルツで表した場合の最大動作周波数を乗じて得た数値が〇・四を超えるもの
八
四〇ギガヘルツを超える周波数で使用するために設計した弾力性のある導波管
九
表面弾性波及び疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
イ
搬送周波数が一ギガヘルツを超えるもの
ロ
搬送周波数が一ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
サイドローブに対するメインローブの電力の比が五五デシベルを超えるもの
（二）
マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
（三）
分散型遅延時間が一〇マイクロ秒を超えるもの
十
セル（バッテリー（シングルセルバッテリーを含む。）に組み込まれているものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
イ
一次セルであって、二〇度におけるエネルギー密度が五五〇ワット時毎キログラム以下のもの
ロ
二次セルであって、二〇度におけるエネルギー密度が三五〇ワット時毎キログラム以下のもの
十一
一分を要しないで磁界を完全に形成させ又は消失させるように特に設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでの全てに該当するもの
イ
減磁の際に放出する最大エネルギーを減磁の持続時間で除して得た値が五〇〇キロジュール毎分を超えるもの
ロ
コイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
ハ
コイルの定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
十二
電磁エネルギーを貯蔵するための装置のうち、超電導材料を用いたものであって、次のイからニまでの全てに該当するもの
イ
使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用できるように特に設計したもの
ロ
共振周波数が一メガヘルツを超えるもの
ハ
貯蔵されるエネルギー密度が一メガジュール毎立方メートル以上のもの
ニ
エネルギー放出時間が一ミリ秒未満のもの
十三
セラミック及び金属構造の水素又は水素同位体サイラトロンであって、ピーク電流が五〇〇アンペア以上のもの
十四
化合物半導体を用いたデジタル方式の集積回路であって、等価ゲート数が二入力ゲート換算で三〇〇を超えるもの
十五
太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル及び太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもの
第五条
輸出令別表第二の三第二号（２）に掲げる貨物であって、経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
電子式の試験装置
二
計測用のデジタル磁気テープ記録装置であって、次のいずれかに該当するもの
イ
装置間の最大転送速度が、六〇メガビット毎秒を超えるものであって、ヘリカル走査技術を用いたもの
ロ
装置間の最大転送速度が、一二〇メガビット毎秒を超えるものであって、固定ヘッド技術を用いたもの
ハ
宇宙用に設計したもの
三
デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を変換して計測用のデジタル磁気テープ記録装置として使用できるように設計した装置であって、装置間の最大転送速度が六〇メガビット毎秒を超えるもの
四
アナログ方式のオシロスコープ及びその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
イ
アナログ方式のオシロスコープであって、帯域幅が一ギガヘルツ以上のもの
ロ
差し込みモジュールであって、個々の帯域幅が四ギガヘルツ以上のもの
五
繰り返し現象を分析するためのアナログ方式のサンプリングオシロスコープであって、実効帯域幅が四ギガヘルツを超えるもの
六
アナログデジタル変換技術を有するデジタル方式のオシロスコープ及び波形記憶装置であって、次のイからハまでの全てに該当するもの
イ
単発の入力信号を一ナノ秒未満の間隔で連続してサンプリングできるように設計したもの
ロ
分解能が八ビット以上のもの
ハ
二五六以上のサンプルを記録することができるもの
第六条
輸出令別表第二の三第二号（３）に掲げる貨物であって、経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
周波数変換器であって、三〇〇ヘルツから六〇〇ヘルツの周波数範囲で動作するもの
二
質量分析計
三
フラッシュ放電型のエックス線装置及びそのために設計したパルス電源装置の部分品
四
パルス増幅器
五
遅延時間の発生又は時間間隔の測定のための装置であって、次のいずれかに該当するもの
イ
デジタル方式の遅延時間の発生のための装置であって、時間間隔が一マイクロ秒以上で、五〇ナノ秒以下の分解能を有するもの
ロ
三以上のマルチチャネル又はモジュール式の時間間隔の測定のための装置及びクロノメータであって、時間間隔が一マイクロ秒以上で、五〇ナノ秒以下の分解能を有するもの
六
クロマトグラフ及び分光計
第七条
輸出令別表第二の三第二号（４）に掲げる貨物であって、経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
第四条又は輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令（平成三年通商産業省令第四十九号。以下「貨物等省令」という。）第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当する電子管、光学素子及びこれらの部分品の製造のために特に設計した装置
二
半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用に特に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの並びにこれらを組み込んだ装置及びこれらと同等の特性を有する装置
イ
半導体素子及び集積回路並びにこれらの組立品の製造用の材料の加工装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
多結晶シリコン及び貨物等省令第六条第十八号に該当する貨物の製造用の装置
（二）
Ⅲ―Ⅴ族及びⅡ―Ⅵ族の半導体物質（貨物等省令第六条第十八号から第二十三号までのいずれかに該当するものに限る。）の製造のために特に設計した装置（（三）に該当するものを除く。）
（三）
結晶の引上げ装置及び炉であって、次のいずれかに該当するもの
１
アニール装置及び再結晶のための装置（定温炉を除く。）であって、〇・〇〇五平方メートル毎分を超える速度でウエハーを処理できるエネルギー移動率を有するもの
２
プログラム内蔵方式の結晶の引上げ装置であって、次のいずれかに該当するもの
一
るつぼを取り替えることなく再充塡できるもの
二
〇・二五メガパスカルを超える圧力で動作するもの
三
引き上げることができる結晶の直径が一〇〇ミリメートルを超えるもの
（四）
プログラム内蔵方式のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの
１
二〇〇ミリメートル以上にわたり厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満となるシリコン膜を形成できるもの
２
ウエハー全体にわたり厚さの許容差の絶対値が三・五パーセント以下となるシリコン膜以外の膜を形成できるもの
３
処理中にウエハーを回転できるもの
（五）
分子線エピタキシャル成長装置
（六）