炭化水素の注入のための装置及びガス状分解生成物を除去するための装置を有するもの
七
別表第三の第二欄に掲げるコーティング方法を用いる非電子的基板用コーティング装置であって、同表の第三欄に掲げる基材に対して同表の第四欄に掲げるコーティングを行うもののうち、次のいずれかに該当するもの又はその自動操作のために特に設計した部分品
イ
原料ガスの化学反応により生成するコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
次のいずれかの方法を用いるもの
１
パルス的方法
２
核生成制御熱化学的析出法
３
プラズマ放電下においてコーティング材料を基材の表面に定着させる方法
（二）
次のいずれかに該当するもの
１
一〇ミリパスカル以下で使用することができる回転軸シールを組み込んだもの
２
膜厚制御機能を内部に有しているもの
ロ
イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの
ハ
電子ビームにより蒸発させたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、容量が八〇キロワットを超える電源装置を組み込んだもののうち、次のいずれかに該当する装置を有するもの
（一）
インゴットの送りを制御するために、溶融液の液面制御をレーザー光を用いて行う装置
（二）
コンピュータを用いて制御することができる溶着速度の監視装置であって、二以上の元素をコーティングする際の溶着速度を制御するために蒸気流中におけるイオン化原子のホトルミネセンスの原理を利用するもの
ニ
プラズマ溶射をするものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
溶射前に真空室を一〇ミリパスカルまで減圧することができるものであって、一〇キロパスカル以下の圧力（ノズル出口から三〇センチメートル以内において測定したものをいう。）で使用することができるもの
（二）
膜厚制御機能を内部に有しているもの
ホ
スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの
ヘ
アーク放電によりイオン化されたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、陰極上のアークスポットを制御するための磁界を有するもの
ト
イオンプレーティング生産装置であって、コーティング中に次のいずれかを測定することができるもの
（一）
基材の表面に定着したコーティング材料の厚さ及び成膜速度
（二）
基材の表面の光学的特性
八
測定装置（工作機械であって、測定装置として使用することができるものを含む。以下この条において同じ。）、位置のフィードバック装置又は測定装置の電子組立品であって、次のいずれかに該当するもの（第二号又は第三号に該当するものを除く。）
イ
電子計算機又は数値制御装置によって制御される座標測定機であって、国際規格で定める測定方法により空間の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一を乗じて得た数値に一・七を加えた数値以下となるもの
ロ
直線上の変位を測定する装置、直線上の位置のフィードバック装置又は測定装置の電子組立品であって、次のいずれかに該当するもの（（一）及び（二）にあっては、レーザー干渉計及びレーザーを用いた光学エンコーダを除く。）
（一）
非接触型の測定装置であって、〇・二ミリメートルまでの測定レンジにおいて、分解能が〇・二マイクロメートル以下のもの
（二）
工作機械用に特に設計した直線上の位置のフィードバック装置であって、当該装置の精度がミリメートルで表した当該装置の有効測定長さの十万分の六パーセントに〇・〇〇〇八ミリメートルを加えて得た数値未満のもの
（三）
次の全てに該当するもの
１
レーザー光を用いて測定することができるもの
２
測定できる最大の測定レンジにおいて、分解能が〇・二ナノメートル以下のもの
３
測定範囲内のいずれか一の点において、空気屈折率で補正した場合に、測定軸のナノメートルで表した測定の不確かさの数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇〇五を乗じて得た数値に一・六を加えた数値以下のものであって、一九・九九度以上二〇・〇一度以下の温度範囲において三〇秒を超えて測定できるもの
（四）
（三）に該当する測定装置の電子組立品であって、当該装置にフィードバック機能を付加するように設計したもの
ハ
工作機械用に特に設計した回転位置フィードバック装置又は角度の変位を測定する装置であって、角度の精度が〇・九角度秒以下のもの（平行光線を用いて鏡の角度の変位を測定する光学的器械（オートコリメータを含む。）を除く。）
ニ
光の散乱を角度の関数として処理することにより表面粗さを測定するものであって、〇・五ナノメートル以下の感度を有するもの
九
ロボット（操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの又はその制御装置若しくはエンドエフェクター
イ
日本産業規格Ｃ六〇〇七九―〇号で定める防爆構造のもの（塗装用のものを除く。）
ロ
全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるように設計したもの
ハ
三〇、〇〇〇メートルを超える高度で使用するように設計したもの
十
複合回転テーブル又は加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、工作機械用に設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
イ
削除
ロ
削除
ハ
複合回転テーブルであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
旋削、フライス削り又は研削をすることができる工作機械用に設計したもの
（二）
輪郭制御のために同時に制御することができるように設計した二つの回転軸を有するもの
ニ
加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
旋削、フライス削り又は研削をすることができる工作機械用に設計したもの
（二）
輪郭制御のために同時に制御することができるように設計したもの
十一
絞りスピニング加工機であって、次のイ、ロ及びハの全てに該当するもの
イ
数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもの
ロ
輪郭制御をすることができる軸数が三以上のもの
ハ
ローラの加圧力が六〇キロニュートンを超えるもの
第六条
輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
一
集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。）、光集積回路、三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの
イ
次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの
（一）
全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイ以上のもの
（二）
吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイ以上のもの
（三）
一メガ電子ボルト相当の中性子束（積算値）が一平方センチメートル当たり五〇兆個以上となるもの（ＭＩＳ形のものは除く。）
ロ
マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからカまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）、ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかに該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。）
（一）
一二五度を超える温度で使用することができるように設計したもの
（二）
零下五五度未満の温度で使用することができるように設計したもの
（三）
零下五五度以上一二五度以下の全ての温度範囲で使用することができるように設計したもの
ハ
マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が四〇メガヘルツを超えるもの
ニ
削除
ホ
アナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
（一）
アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの（ワに該当するものを除く。）
１
分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプリング毎秒を超えるもの
２
分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが六〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
３
分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
４
分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが二五〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
５
分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが六五メガサンプリング毎秒を超えるもの
（二）
デジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
１