分解能及びサンプルレートが次のいずれかに該当するもの
（一）
分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプル毎秒を超えるもの
（二）
分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
（三）
分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
（四）
分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプル毎秒を超えるもの
（五）
分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが一八〇メガサンプル毎秒を超えるもの
ロ
次のいずれかの機能を持つもの
（一）
デジタル化されたデータを出力するもの
（二）
デジタル化されたデータを記録するもの
（三）
デジタル化されたデータを処理するもの
十一
デジタル方式の記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの
イ
ディスクメモリ又はソリッドステートドライブメモリへのデータ連続記録速度が六・四ギガビット毎秒を超えて維持可能なもの
ロ
記録中の無線周波数信号データを信号処理することができるもの
十二
スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
イ
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、三デシベルの分解能帯域幅が四〇メガヘルツを超えるもの
ロ
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス一五〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
ハ
九〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの
ニ
次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
実時間帯域幅が一七〇メガヘルツを超えるもの
（二）
次のいずれかに該当するもの
１
一五マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの
２
周波数マスクトリガー機能を有するものであって、一五マイクロ秒以下の長さの信号を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの
十三
信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。）
イ
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の（一）及び（二）に該当するパルス変調信号を発振するもの
（一）
パルス幅が二五ナノ秒未満のもの
（二）
オン・オフ比が六五デシベル以上のもの
ロ
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
ハ
次のいずれかに該当するもの
（一）
削除
（二）
四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
（三）
削除
（四）
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
（五）
三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
（六）
七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
ニ
搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの
（一）
三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０ｌｏｇ１０（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－１２６
（二）
三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０６
ホ
デジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域幅が次のいずれかに該当するもの
（一）
四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
（二）
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるもの
（三）
三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
（四）
七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを超えるもの
ヘ
最大出力周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
十四
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
イ
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が三一・六二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもの
ロ
九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が一ミリワット（〇ディービーエム）を超えるもの
ハ
五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機能を有するもの（イ又はロに該当するものを除く。）
ニ
最大動作周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
十五
マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
イ
一一〇ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの
ロ
振幅及び位相を同時に測定できるもの
十六
原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
イ
ルビジウムを用いていないものであって、三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
ロ
宇宙用に設計したもの
ハ
宇宙用に設計していないものであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
（一）
ルビジウムを用いたもの
（二）
三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
（三）
消費電力が一ワット未満のもの
十六の二
スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品
十七
半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。）若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品（次号に該当するものを除く。）
イ
結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当するものを除く。）
（一）
七五ミリメートル以上の長さにわたり膜の厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満のシリコン以外の膜を形成するように設計又は改造したもの
（二）
有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、
砒
ひ
素、
燐
りん
、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタキシャル成長させるもの
（三）
ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置
ロ
イオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
削除
（二）
水素、重水素又はヘリウムを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
（三）
直接描画を行うことができるもの
（四）
加熱された半導体材料の基板へ酸素を注入する場合において、ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のもの
（五）
六〇〇度以上の温度に加熱された半導体材料の基板へシリコンを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
ハ
削除
ニ
削除
ホ
自動的にウエハーの装塡を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（一）
イ（一）から（三）まで又はロ（二）から（五）までのいずれかに該当する半導体製造装置であってそれぞれ異なるものを三台以上接続することができるように設計したウエハーの出し入れ用の接続部を有するもの（異なる機能を有するものを接続することができるものに限る。）
（二）
複数のウエハーの処理を順次行うために真空状態で一体化された装置を構成するように設計したもの
ヘ
リソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
１
光源の波長が一九三ナノメートル未満のもの
２
ナノメートルで表した光源の波長に〇・三五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
（二）
インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現することができるもの
（三）
マスクの製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
１