La memoria de cambio de fase es susceptible a un compromiso básico entre cambios de fase intencionados y no intencionados: esto es así porque dicho cambio es un proceso térmico más que electrónico; por tanto, las condiciones de cristalización rápida no pueden ser las mismas que las de almacenamiento (temperatura ambiente típicamente), ya que en otro caso la permanencia de los datos no puede garantizarse.