Por lo que respecta a la fabricación actual de "heteroestructuras", ya existe la posibilidad de depositar elementos químicos con extrema precisión a escala atómica mediante técnicas especiales como las llamadas "de crecimiento epitaxial" , esto es: mediante técnicas en las cuales se produce el pasaje de un semiconductor a otro; son técnicas tales como la MBE (sigla inglesa de "Molecular Beam Epitaxy") o la MOCVD ("Metalorganic Chemical Vapor Deposition").