Wheatley quienes presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de potencia con una región de ánodo".Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del transistor bipolar de puerta aislada." En la patente se afirmó que "ninguna acción de tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.