Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores N), "p" es la densidad de huecos; "p = N" en el silicio intrínseco), una tensión positiva V aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una región de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el aislante de puerta y el semiconductor.