El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET, tiene una impedancia de entrada elevada como los MOSFET, alta capacidad de corriente, caída de tensión directa (voltaje colector-emisor de saturación) muy baja así como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnología MOSFET, además de las bajas pérdidas en conmutación como los BJT, puesto que la energía aplicada en la puerta que activa el dispositivo es pequeña, con corrientes de orden de nanoamperios y tensiones de control de unos 15V, haciendo posible su control mediante circuitos integrados, además de no necesitar la corriente de base para mantenerse en conducción como los bipolares.